JP2000214340A - 光導波路、光ビ―ムスポット変換器、および光伝送モジュ―ル - Google Patents
光導波路、光ビ―ムスポット変換器、および光伝送モジュ―ルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】作製プロセスが単純で製造コストの低減が可能
であり、光導波路との一体形成や光素子搭載基板上に作
製が可能な光ビームスポット変換器を提供し、光部品間
の光結合効率を上げ、組立・実装を容易にして光伝送モ
ジュールの製造コストを下げてその価格低減を図る。 【解決手段】高屈折率領域に沿って光が伝搬することを
利用し、セグメント状コアと屈折率の大小関係を規定し
た複数のクラッドによって光ビームスポットの拡大や縮
小を行う。
であり、光導波路との一体形成や光素子搭載基板上に作
製が可能な光ビームスポット変換器を提供し、光部品間
の光結合効率を上げ、組立・実装を容易にして光伝送モ
ジュールの製造コストを下げてその価格低減を図る。 【解決手段】高屈折率領域に沿って光が伝搬することを
利用し、セグメント状コアと屈折率の大小関係を規定し
た複数のクラッドによって光ビームスポットの拡大や縮
小を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として光伝送シ
ステムあるいは光交換システムに使用される光伝送モジ
ュールに係り、光伝送モジュールにおける発光または受
光素子と光ファイバ、あるいは発光または受光素子と光
回路、光回路と光ファイバと等の光結合を高効率にする
とともに組立等の製作を容易にする光導波路、光ビーム
スポット変換器等の光結合技術に関する。
ステムあるいは光交換システムに使用される光伝送モジ
ュールに係り、光伝送モジュールにおける発光または受
光素子と光ファイバ、あるいは発光または受光素子と光
回路、光回路と光ファイバと等の光結合を高効率にする
とともに組立等の製作を容易にする光導波路、光ビーム
スポット変換器等の光結合技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報伝送路の光化が進展し、各種産業の
事業所ビルのみならず、集合家屋や個別家屋にまで光フ
ァイバを用いた情報伝送が計画されている。ここでの重
要課題の１つは、言うまでもなく光伝送システムの低価
格化であり、特に末端の一般加入者に接続される光伝送
モジュールの低価格化が急務になっている。この加入者
系光伝送モジュールの大幅低コスト化のため、近年光ビ
ームスポット径変換器付き半導体レーザの実用化が進め
られてきた。これは１平面上に光部品を実装する実装方
式と、レンズを除去することで低コスト化を狙うもので
あり、部品としてのレンズを除去するために半導体レー
ザにレンズ機能を持たせたものと解釈できる。この光ビ
ームスポット径変換器は、ビームスポット径拡大器であ
り、レンズ機能としては必ずしも十分な性能ではない
が、出射後の光ビームの広がりが小さくなり、光ファイ
バ等への直接光結合が従来型レーザに比べ大幅に改善さ
れている。この結果、光モジュールの組立が容易になり
実装も簡素化されて製造コストの低減が１歩前進した。
事業所ビルのみならず、集合家屋や個別家屋にまで光フ
ァイバを用いた情報伝送が計画されている。ここでの重
要課題の１つは、言うまでもなく光伝送システムの低価
格化であり、特に末端の一般加入者に接続される光伝送
モジュールの低価格化が急務になっている。この加入者
系光伝送モジュールの大幅低コスト化のため、近年光ビ
ームスポット径変換器付き半導体レーザの実用化が進め
られてきた。これは１平面上に光部品を実装する実装方
式と、レンズを除去することで低コスト化を狙うもので
あり、部品としてのレンズを除去するために半導体レー
ザにレンズ機能を持たせたものと解釈できる。この光ビ
ームスポット径変換器は、ビームスポット径拡大器であ
り、レンズ機能としては必ずしも十分な性能ではない
が、出射後の光ビームの広がりが小さくなり、光ファイ
バ等への直接光結合が従来型レーザに比べ大幅に改善さ
れている。この結果、光モジュールの組立が容易になり
実装も簡素化されて製造コストの低減が１歩前進した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ビームスポット径変換器においては、コア部の出射端
側をテーパ状にするために、選択結晶成長技術が用いら
れている。このように選択結晶成長技術を用いてコア部
の出射端側をテーパ形状にするため、所望のテーパ形状
が得られず、ビームスポット径変換部をレーザ共振器の
内か外に設けたとしても、いずれにしろレーザ自体の最
適設計に影響し、あるいはレーザ特性に対する製作誤差
の影響が敏感になる等の課題が生じることになる。この
ため従来型レーザに対し製造歩留りが劣化し、レーザ自
体の価格を上昇させ、よって光伝送モジュールの価格低
減の歩みを減速させる要因となっている。また、選択結
晶成長によるテーパ化でのスポット径拡大の限界は、ガ
ウスビーム近似の遠視野像発散角で表現すれば、現状１
０度前後である。このため、スポット径拡大器付きレー
ザを用いる場合においても、光結合効率を高くかつ組立
を更に容易するためには、半導体レーザ以外にも、これ
と組み合わせる新規の光結合技術に関する発明が必要に
なっている。ところで、光ビームスポットの変換は、本
明細書で用いる座標系で説明すれば、ｙ軸方向のみへの
変換は比較的容易であるが、ｘ軸およびｙ軸両方向への
変換はかなり困難である。理論的にはｘ軸方向にコアを
テーパにすればこれを実現でき、実際半導体レーザでは
この方法で実用化されているが、既に述べたように選択
結晶成長技術が必要で、例えば石英系光導波路等へその
まま導入することは困難なように、一般性のある安価な
実現方法とは言えない。また、ｘ軸およびｙ軸両方向へ
のビームスポット拡大法の他の公知例として、ガラスま
たはシリコン基板上に形成され光導波路の端部を熱し、
コア部のドーパントを熱拡散させてコア径を連続的に拡
大させたものがあるが、１ウェハに複数の光回路がある
ような場合の光導波路端のみを一括して熱拡散すること
は極めて困難で、生産性が高い方法とは言えず低コスト
化に適した手段とは言えない。
光ビームスポット径変換器においては、コア部の出射端
側をテーパ状にするために、選択結晶成長技術が用いら
れている。このように選択結晶成長技術を用いてコア部
の出射端側をテーパ形状にするため、所望のテーパ形状
が得られず、ビームスポット径変換部をレーザ共振器の
内か外に設けたとしても、いずれにしろレーザ自体の最
適設計に影響し、あるいはレーザ特性に対する製作誤差
の影響が敏感になる等の課題が生じることになる。この
ため従来型レーザに対し製造歩留りが劣化し、レーザ自
体の価格を上昇させ、よって光伝送モジュールの価格低
減の歩みを減速させる要因となっている。また、選択結
晶成長によるテーパ化でのスポット径拡大の限界は、ガ
ウスビーム近似の遠視野像発散角で表現すれば、現状１
０度前後である。このため、スポット径拡大器付きレー
ザを用いる場合においても、光結合効率を高くかつ組立
を更に容易するためには、半導体レーザ以外にも、これ
と組み合わせる新規の光結合技術に関する発明が必要に
なっている。ところで、光ビームスポットの変換は、本
明細書で用いる座標系で説明すれば、ｙ軸方向のみへの
変換は比較的容易であるが、ｘ軸およびｙ軸両方向への
変換はかなり困難である。理論的にはｘ軸方向にコアを
テーパにすればこれを実現でき、実際半導体レーザでは
この方法で実用化されているが、既に述べたように選択
結晶成長技術が必要で、例えば石英系光導波路等へその
まま導入することは困難なように、一般性のある安価な
実現方法とは言えない。また、ｘ軸およびｙ軸両方向へ
のビームスポット拡大法の他の公知例として、ガラスま
たはシリコン基板上に形成され光導波路の端部を熱し、
コア部のドーパントを熱拡散させてコア径を連続的に拡
大させたものがあるが、１ウェハに複数の光回路がある
ような場合の光導波路端のみを一括して熱拡散すること
は極めて困難で、生産性が高い方法とは言えず低コスト
化に適した手段とは言えない。
【０００４】また、アレー型の半導体レーザでは、光ビ
ームスポット径変換器付きレーザの実用化そのものがま
だ達成されておらず、アレー型半導体レーザを用いた光
並列伝送モジュールではマイクロレンズアレー等の導入
が必須で、このため光並列伝送モジュールの低価格化を
一層困難にしている。また、半導体レーザと光ファイバ
の間に光導波路で実現される光回路があるモジュールで
は、半導体レーザの遠視野像発散角が光ファイバのそれ
とほぼ同等でない限り、半導体レーザと光回路及び光回
路と光ファイバの間の光結合を同時に最適化することは
できず、それぞれの最適化は犠牲にする条件下で光回路
を設計せざるを得ない、という課題がある。あるいは、
逆に、光結合効率を優先するために、光回路を小形にす
るというような課題を犠牲にする、という課題がある。
ームスポット径変換器付きレーザの実用化そのものがま
だ達成されておらず、アレー型半導体レーザを用いた光
並列伝送モジュールではマイクロレンズアレー等の導入
が必須で、このため光並列伝送モジュールの低価格化を
一層困難にしている。また、半導体レーザと光ファイバ
の間に光導波路で実現される光回路があるモジュールで
は、半導体レーザの遠視野像発散角が光ファイバのそれ
とほぼ同等でない限り、半導体レーザと光回路及び光回
路と光ファイバの間の光結合を同時に最適化することは
できず、それぞれの最適化は犠牲にする条件下で光回路
を設計せざるを得ない、という課題がある。あるいは、
逆に、光結合効率を優先するために、光回路を小形にす
るというような課題を犠牲にする、という課題がある。
【０００５】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
比較的任意の光部品の間に設置できる安価で、且つ小形
の光導波路および光ビームスポット変換器を提供するこ
とにある。また、本発明の他の目的は、極めて単純なプ
ロセスで実現して低価格化を図った光導波路および光ビ
ームスポット変換器を提供することにある。
比較的任意の光部品の間に設置できる安価で、且つ小形
の光導波路および光ビームスポット変換器を提供するこ
とにある。また、本発明の他の目的は、極めて単純なプ
ロセスで実現して低価格化を図った光導波路および光ビ
ームスポット変換器を提供することにある。
【０００６】また、本発明の他の目的は、光導波路から
成る光回路の両端と光素子および光ファイバ個別との間
において最適な光結合を実現して光利用効率向上と製造
の容易化を達成することができる光伝送モジュールを提
供することにある。また、本発明の他の目的は、光ビー
ムスポット変換器を、光回路や光素子を搭載する基板上
に容易に製作できるようにして、低価格化を図った光伝
送モジュールを提供することにある。
成る光回路の両端と光素子および光ファイバ個別との間
において最適な光結合を実現して光利用効率向上と製造
の容易化を達成することができる光伝送モジュールを提
供することにある。また、本発明の他の目的は、光ビー
ムスポット変換器を、光回路や光素子を搭載する基板上
に容易に製作できるようにして、低価格化を図った光伝
送モジュールを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直
交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸
とする光導波路であって、前記ｘ軸およびｙ軸の原点を
ほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬するように形成され
たコア部と、該コア部を囲みコア部より低屈折率であ
り、ｘ座標が原点でない正または負領域において境界を
有して互いに接する屈折率の異なる少なくとも２層で構
成されたクラッド層とを有し、前記コア部を前記光軸方
向に不連続で形成したことを特徴とする光導波路であ
る。また、本発明は、光伝搬方向である光軸をｚ軸、こ
れに直交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸
をｙ軸とする光導波路であって、前記ｘ軸およびｙ軸の
原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬するように形
成されたコア部と、該コア部を囲みコア部より低屈折率
であり、ｘ座標が原点でない正または負領域において境
界を有して互いに接する屈折率の異なる少なくとも２層
で構成されたクラッド層とを有し、前記コア部を、コア
の幅およびコアの光軸方向の長さ、並びにコアの１部を
除去した部分の長さを非周期的に変化させて光軸方向に
不連続で形成したことを特徴とする光導波路である。
に、本発明は、光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直
交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸
とする光導波路であって、前記ｘ軸およびｙ軸の原点を
ほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬するように形成され
たコア部と、該コア部を囲みコア部より低屈折率であ
り、ｘ座標が原点でない正または負領域において境界を
有して互いに接する屈折率の異なる少なくとも２層で構
成されたクラッド層とを有し、前記コア部を前記光軸方
向に不連続で形成したことを特徴とする光導波路であ
る。また、本発明は、光伝搬方向である光軸をｚ軸、こ
れに直交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸
をｙ軸とする光導波路であって、前記ｘ軸およびｙ軸の
原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬するように形
成されたコア部と、該コア部を囲みコア部より低屈折率
であり、ｘ座標が原点でない正または負領域において境
界を有して互いに接する屈折率の異なる少なくとも２層
で構成されたクラッド層とを有し、前記コア部を、コア
の幅およびコアの光軸方向の長さ、並びにコアの１部を
除去した部分の長さを非周期的に変化させて光軸方向に
不連続で形成したことを特徴とする光導波路である。
【０００８】また、本発明は、光伝搬方向である光軸を
ｚ軸、これに直交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平
方向の軸をｙ軸とする光導波路であって、前記ｘ軸およ
びｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬する
ように形成されたコア部と、該コア部を囲みコア部より
低屈折率であり、ｘ座標が原点でない正または負領域に
おいて境界を有して互いに接する屈折率の異なる少なく
とも２層で構成されたクラッド層とを有し、前記コア部
を前記光軸方向に不連続で形成して光ビームスポットを
変化させるように構成したことを特徴とする光ビームス
ポット変換器である。また、本発明は、光伝搬方向であ
る光軸をｚ軸、これに直交する断面で垂直方向の軸をｘ
軸、水平方向の軸をｙ軸とする光導波路であって、前記
ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を
伝搬するように形成されたコア部と、該コア部を囲みコ
ア部より低屈折率であり、ｘ座標が原点でない正または
負領域において境界を有して互いに接する屈折率の異な
る少なくとも２層で構成されたクラッド層とを有し、前
記コア部を、コアの幅およびコアの光軸方向の長さ、並
びにコアの１部を除去した部分の長さを非周期的に変化
させて光軸方向に不連続で形成して光ビームスポットを
変化させるように構成したことを特徴とする光ビームス
ポット変換器である。
ｚ軸、これに直交する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平
方向の軸をｙ軸とする光導波路であって、前記ｘ軸およ
びｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を伝搬する
ように形成されたコア部と、該コア部を囲みコア部より
低屈折率であり、ｘ座標が原点でない正または負領域に
おいて境界を有して互いに接する屈折率の異なる少なく
とも２層で構成されたクラッド層とを有し、前記コア部
を前記光軸方向に不連続で形成して光ビームスポットを
変化させるように構成したことを特徴とする光ビームス
ポット変換器である。また、本発明は、光伝搬方向であ
る光軸をｚ軸、これに直交する断面で垂直方向の軸をｘ
軸、水平方向の軸をｙ軸とする光導波路であって、前記
ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に光を
伝搬するように形成されたコア部と、該コア部を囲みコ
ア部より低屈折率であり、ｘ座標が原点でない正または
負領域において境界を有して互いに接する屈折率の異な
る少なくとも２層で構成されたクラッド層とを有し、前
記コア部を、コアの幅およびコアの光軸方向の長さ、並
びにコアの１部を除去した部分の長さを非周期的に変化
させて光軸方向に不連続で形成して光ビームスポットを
変化させるように構成したことを特徴とする光ビームス
ポット変換器である。
【０００９】また、本発明は、前記光導波路または光ビ
ームスポット変換器で、光軸断面において、コア部の一
部をｙ軸方向に広げてコア部をリブ型で形成したことを
特徴とする。また、本発明は、前記光導波路または光ビ
ームスポット変換器で、光軸断面において、コア部の下
部をｙ軸方向に広げてコア部をリブ型で形成し、コア部
の下部側に位置する下部クラッド層の屈折率をコア部の
上部側に位置する上部クラッド層の屈折率より小さくし
たことを特徴とする。また、本発明は、前記光導波路ま
たは光ビームスポット変換器で、光軸断面において、コ
ア部と同一材料またはほぼ同一屈折率の材料から成り、
コア部の厚さより薄くしてｙ軸方向に広げて形成された
コア材をコア部に近接して設けたことを特徴とする。
ームスポット変換器で、光軸断面において、コア部の一
部をｙ軸方向に広げてコア部をリブ型で形成したことを
特徴とする。また、本発明は、前記光導波路または光ビ
ームスポット変換器で、光軸断面において、コア部の下
部をｙ軸方向に広げてコア部をリブ型で形成し、コア部
の下部側に位置する下部クラッド層の屈折率をコア部の
上部側に位置する上部クラッド層の屈折率より小さくし
たことを特徴とする。また、本発明は、前記光導波路ま
たは光ビームスポット変換器で、光軸断面において、コ
ア部と同一材料またはほぼ同一屈折率の材料から成り、
コア部の厚さより薄くしてｙ軸方向に広げて形成された
コア材をコア部に近接して設けたことを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、クラッド部とコア部とか
ら成る光導波路において、コア部のパターンを特定の形
状にし、クラッド部の屈折率を特定の値に設定した場合
における光の伝搬現象のみを利用して光ビームスポット
変換機能を実現することにある。即ち、本発明は、小形
化のために光軸方向にコアを不連続にし、ｘ軸方向のビ
ームスポット変換のためにクラッド部を屈折率が異なる
２層以上で構成し、クラッド部における屈折率の大小関
係と不連続コア形状と組み合わでこれを達成する光導波
路または光ビームスポット変換器である。また、本発明
は、前記光導波路または光ビームスポット変換器で、光
軸断面において、コア部の下部側に位置する下部クラッ
ド層の屈折率をコア部の上部側に位置する上部クラッド
層の屈折率より小さくし、コア部と同一材料またはほぼ
同一屈折率の材料から成り、コア部の厚さより薄くして
ｙ軸方向に広げて形成されたコア材をコア部に近接して
前記下部クラッド層に埋設したことを特徴とする。
ら成る光導波路において、コア部のパターンを特定の形
状にし、クラッド部の屈折率を特定の値に設定した場合
における光の伝搬現象のみを利用して光ビームスポット
変換機能を実現することにある。即ち、本発明は、小形
化のために光軸方向にコアを不連続にし、ｘ軸方向のビ
ームスポット変換のためにクラッド部を屈折率が異なる
２層以上で構成し、クラッド部における屈折率の大小関
係と不連続コア形状と組み合わでこれを達成する光導波
路または光ビームスポット変換器である。また、本発明
は、前記光導波路または光ビームスポット変換器で、光
軸断面において、コア部の下部側に位置する下部クラッ
ド層の屈折率をコア部の上部側に位置する上部クラッド
層の屈折率より小さくし、コア部と同一材料またはほぼ
同一屈折率の材料から成り、コア部の厚さより薄くして
ｙ軸方向に広げて形成されたコア材をコア部に近接して
前記下部クラッド層に埋設したことを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、発光素子または受光素子
と、光ファイバとを備え、発光素子または受光素子と光
ファイバとの間に前記光導波路または光ビームスポット
変換器を備えて構成したことを特徴とする光伝送モジュ
ールである。また、本発明は、前記光伝送モジュールを
備え、該光伝送モジュールにより情報を伝送するように
構成したことを特徴とする光伝送システムまたは光交換
システムである。
と、光ファイバとを備え、発光素子または受光素子と光
ファイバとの間に前記光導波路または光ビームスポット
変換器を備えて構成したことを特徴とする光伝送モジュ
ールである。また、本発明は、前記光伝送モジュールを
備え、該光伝送モジュールにより情報を伝送するように
構成したことを特徴とする光伝送システムまたは光交換
システムである。
【００１２】以上説明したように、前記構成によれば、
半導体レーザ等の発光素子または受光素子とは独立に、
小形で製作コストの低い光ビームスポット変換器を実現
することができる。また、前記構成によれば、特に光回
路を含むような光伝送モジュールに対し、単独でも光回
路の入出射部の両方あるいはいずれかに接続しても動作
し、あるいは光回路と一体化して作製でき、かつ入出射
それぞれの光結合を独立に最適化できる小形光ビームス
ポット変換器を実現することで、高性能で低価格の光伝
送モジュールを実現することができる。
半導体レーザ等の発光素子または受光素子とは独立に、
小形で製作コストの低い光ビームスポット変換器を実現
することができる。また、前記構成によれば、特に光回
路を含むような光伝送モジュールに対し、単独でも光回
路の入出射部の両方あるいはいずれかに接続しても動作
し、あるいは光回路と一体化して作製でき、かつ入出射
それぞれの光結合を独立に最適化できる小形光ビームス
ポット変換器を実現することで、高性能で低価格の光伝
送モジュールを実現することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る光導波路、光ビーム
スポット変換器、およびこれを用いた光伝送モジュール
の実施の形態について、図面を用いて具体的に説明す
る。先ず、本発明の基本的な考え方、および本発明の背
景にある原理について説明する。一般に、光導波路は単
一モードの光導波路が用いられるため、コア断面積は小
さく、コアとクラッドの屈折率差も小さい。コア断面積
が小さいため、光導波路からの出射光は回折により大き
な角度で広がり、このため他の光部品との光結合効率を
下げ、また、極めて高い光部品の組立精度を必要として
いる。従って、組立を容易にして製造コストを下げるた
めの最重要課題が出射光の広がりを低減することであ
り、このため光導波路内で光ビームスポットを拡大する
ことが近年精力的に検討されてきた。このようにビーム
スポット変換はビームスポット拡大が基本であるから、
ここではビームスポット拡大について説明する。
スポット変換器、およびこれを用いた光伝送モジュール
の実施の形態について、図面を用いて具体的に説明す
る。先ず、本発明の基本的な考え方、および本発明の背
景にある原理について説明する。一般に、光導波路は単
一モードの光導波路が用いられるため、コア断面積は小
さく、コアとクラッドの屈折率差も小さい。コア断面積
が小さいため、光導波路からの出射光は回折により大き
な角度で広がり、このため他の光部品との光結合効率を
下げ、また、極めて高い光部品の組立精度を必要として
いる。従って、組立を容易にして製造コストを下げるた
めの最重要課題が出射光の広がりを低減することであ
り、このため光導波路内で光ビームスポットを拡大する
ことが近年精力的に検討されてきた。このようにビーム
スポット変換はビームスポット拡大が基本であるから、
ここではビームスポット拡大について説明する。
【００１４】光導波路ではその光導波路固有のモードで
光は伝搬するが、このモード径を拡大するためには２方
法がある。第１は、コア断面積を拡大する方法で、拡大
したコアに沿ってモード径は広がる。第２は、逆にコア
断面積を縮小する方法で、コア径が小さくなるとコアへ
の光の閉じ込めが弱くなり、コア外へ光の染み出しが大
きくなる結果拡大するものである。ところで、コア形状
を変えるためには、ｙ軸方向であれば単にマスク設計で
可能であるが、ｘ軸方向に変えるのは簡単ではない。前
記した選択結晶成長のような特殊な方法、技術が必要で
ある。そこで、本発明における第１の特徴とする着目点
は、ｘ軸方向にコア形状を変えなくても、ｘ軸方向にビ
ームスポット径を拡大できるようにすることにある。本
発明は、この第１の着目点を達成すべく、上記の原理を
組み合わせて構成することにより成された。即ち、本発
明における第１の構成要件は、図１および図３に示すよ
うに、コア１１ａ（３１）への光の閉じ込めが弱くなる
領域を形成すると共に、クラッド１２、１３（３２、３
３）を異なる屈折率（Ｎ１、Ｎ２）の多層で構成する点
にある。この構成により、閉じ込めが弱くコア外へ染み
出した光は屈折率の高いクラッド１２（３２）側へ引き
寄せられる。一方、ｙ軸に対し反対側への引き寄せは、
屈折率の低いクラッド層に接する側のコア１１ｂ（３
４）のｙ軸方向長さを長くする、いわゆるリブ型コア１
１ｂによって行う。これらにより初めて、特殊なプロセ
スを導入することなく、あるいは工程数の大幅増大を招
くこともなく、ｘ軸方向のビームスポット拡大が可能に
なった。光の閉じ込めを部分的に弱くするには、光軸方
向でコア１１ａ（３１）を部分的に除去し、クラッド材
１２（３２）でこの部分を埋める、即ち、セグメント型
のコアにする、という着想を得て実施した。
光は伝搬するが、このモード径を拡大するためには２方
法がある。第１は、コア断面積を拡大する方法で、拡大
したコアに沿ってモード径は広がる。第２は、逆にコア
断面積を縮小する方法で、コア径が小さくなるとコアへ
の光の閉じ込めが弱くなり、コア外へ光の染み出しが大
きくなる結果拡大するものである。ところで、コア形状
を変えるためには、ｙ軸方向であれば単にマスク設計で
可能であるが、ｘ軸方向に変えるのは簡単ではない。前
記した選択結晶成長のような特殊な方法、技術が必要で
ある。そこで、本発明における第１の特徴とする着目点
は、ｘ軸方向にコア形状を変えなくても、ｘ軸方向にビ
ームスポット径を拡大できるようにすることにある。本
発明は、この第１の着目点を達成すべく、上記の原理を
組み合わせて構成することにより成された。即ち、本発
明における第１の構成要件は、図１および図３に示すよ
うに、コア１１ａ（３１）への光の閉じ込めが弱くなる
領域を形成すると共に、クラッド１２、１３（３２、３
３）を異なる屈折率（Ｎ１、Ｎ２）の多層で構成する点
にある。この構成により、閉じ込めが弱くコア外へ染み
出した光は屈折率の高いクラッド１２（３２）側へ引き
寄せられる。一方、ｙ軸に対し反対側への引き寄せは、
屈折率の低いクラッド層に接する側のコア１１ｂ（３
４）のｙ軸方向長さを長くする、いわゆるリブ型コア１
１ｂによって行う。これらにより初めて、特殊なプロセ
スを導入することなく、あるいは工程数の大幅増大を招
くこともなく、ｘ軸方向のビームスポット拡大が可能に
なった。光の閉じ込めを部分的に弱くするには、光軸方
向でコア１１ａ（３１）を部分的に除去し、クラッド材
１２（３２）でこの部分を埋める、即ち、セグメント型
のコアにする、という着想を得て実施した。
【００１５】これは、光ビームスポット変換器を小形に
する（短くする）という第２の特徴点を達成するための
重要な手段でもある。図１は、上記の基本的な考え方の
元にシミュレーションを行い、この結果に基づいて設計
された本発明に係る小形の光ビームスポット変換器の第
１の実施例を示すものである。図１（ａ）は断面図、
（ｂ）はｘ＝０でのｙーｚ平面図である。但し（ｂ）は
ｙ軸を１０倍に拡大してあり、ｙ方向１０μｍに対しｚ
方向は１００μｍの長さになっている。またこの例で
は、コア１１の屈折率Ｎ０＝１．４６４１６、第１のク
ラッド１２の屈折率Ｎ１＝１．４５８６、第２のクラッ
ド１３の屈折率Ｎ２＝１．４５７６としている。このよ
うに、光軸方向でコア１１ａを部分的に除去し、この部
分をクラッド材１２で埋める、即ち、セグメント型のコ
アにすることによって、コア１１ａへの光の閉じ込めが
弱くなる領域を形成し、屈折率の低いクラッド層に接す
る側のコアのｙ軸方向長さを長くする、いわゆるリブ型
コア１１ｂによって形成し、第１のクラッド１２と第２
のクラッド１３とを異なる屈折率（Ｎ１、Ｎ２）の多層
で構成する。この構成により、閉じ込めが弱くコア外へ
染み出した光は、屈折率の高いクラッド１２側へ引き寄
せられ、一方、リブ型コア１１ｂによってｙ軸に対し反
対側への引き寄せが行われて、ｙ軸方向は元よりｘ軸方
向についてもビームスポットを拡大することが可能とな
った。なお、コア１１の屈折率は、第１および第２のク
ラッドの屈折率よりも僅か高くして構成する。また、第
１のクラッド３２の屈折率は、第２のクラッド３３の屈
折率よりも僅か高くする。
する（短くする）という第２の特徴点を達成するための
重要な手段でもある。図１は、上記の基本的な考え方の
元にシミュレーションを行い、この結果に基づいて設計
された本発明に係る小形の光ビームスポット変換器の第
１の実施例を示すものである。図１（ａ）は断面図、
（ｂ）はｘ＝０でのｙーｚ平面図である。但し（ｂ）は
ｙ軸を１０倍に拡大してあり、ｙ方向１０μｍに対しｚ
方向は１００μｍの長さになっている。またこの例で
は、コア１１の屈折率Ｎ０＝１．４６４１６、第１のク
ラッド１２の屈折率Ｎ１＝１．４５８６、第２のクラッ
ド１３の屈折率Ｎ２＝１．４５７６としている。このよ
うに、光軸方向でコア１１ａを部分的に除去し、この部
分をクラッド材１２で埋める、即ち、セグメント型のコ
アにすることによって、コア１１ａへの光の閉じ込めが
弱くなる領域を形成し、屈折率の低いクラッド層に接す
る側のコアのｙ軸方向長さを長くする、いわゆるリブ型
コア１１ｂによって形成し、第１のクラッド１２と第２
のクラッド１３とを異なる屈折率（Ｎ１、Ｎ２）の多層
で構成する。この構成により、閉じ込めが弱くコア外へ
染み出した光は、屈折率の高いクラッド１２側へ引き寄
せられ、一方、リブ型コア１１ｂによってｙ軸に対し反
対側への引き寄せが行われて、ｙ軸方向は元よりｘ軸方
向についてもビームスポットを拡大することが可能とな
った。なお、コア１１の屈折率は、第１および第２のク
ラッドの屈折率よりも僅か高くして構成する。また、第
１のクラッド３２の屈折率は、第２のクラッド３３の屈
折率よりも僅か高くする。
【００１６】図２は、本実施例における光ビームスポッ
ト拡大の性能を示すもので、ｘーｙ断面における光強度
を等高線２１を用いてこれを示した。図２（ａ）は、基
本固有モードの導波光が本実施例の光ビームスポット変
換器に入射した場合の、図１（ｂ）に示す入射端から５
μｍの位置Ａの光強度であり、図２（ｂ）から図２
（ｅ）まではＡから２０μｍ毎の位置Ｂ〜Ｅの光強度を
示している。図２（ｆ）は入射端から１００μｍの位置
Ｆの光強度を示している。これより、光の進行とともに
ビーム径が拡大していっているのが分かる。なお、この
計算には３次元のＦＤ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｄｉｆｆｅｒｅ
ｎｃｅ：差分）−ＢＰＭ（Ｂｅａｍ Ｐｒｏｐａｇａｔ
ｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）を用いた。図３は、本発明に係
る小形の光ビームスポット変換器の第２の実施例を示す
もので、第１の実施例のリブ型コア１１ｂの替わりに、
第２のクラッド層３３の内部に屈折率の大きいコア材３
４を薄く成膜したものを挟み、その上に矩形断面のコア
３１を形成したものである。これを（ａ）の断面図を用
いて示した。図３（ｂ）は、図１（ｂ）と同様に、第２
の実施例を示すｘ＝０でのｙーｚ平面図である。それぞ
れの屈折率は、高屈折率層３４がコア３１と同じでＮ３
＝Ｎ０＝１．４５７６、第１のクラッド３２のＮ１＝
１．４５８９、第２のクラッド３３は第１の実施例と同
じでＮ２＝１．４５７６である。このように、光軸方向
でコア３１を部分的に除去し、この部分をクラッド材３
２で埋める、即ち、セグメント型のコアにすることによ
って、コア３１への光の閉じ込めが弱くなる領域を形成
し、屈折率の低いクラッド層３３内に埋設されたｙ軸方
向長さを長くした薄膜状のコア３４によって形成し、第
１のクラッド３２と第２のクラッド３３とを異なる屈折
率（Ｎ１、Ｎ２）の多層で構成する。この構成により、
閉じ込めが弱くコア外へ染み出した光は、屈折率の高い
クラッド３２側へ引き寄せられ、一方、薄膜状コア３４
によってｙ軸に対し反対側への引き寄せが行われて、ｙ
軸方向は元よりｘ軸方向についてもビームスポットを拡
大することが可能となった。なお、コア材３４は、コア
３１と同じ材料で同じ屈折率してもよく、またほぼ同じ
屈折率を有する材料で構成してもよい。しかし、コア３
１およびコア材３４ともに屈折率を、第１および第２の
クラッドの屈折率よりも僅か高くする。また、第１のク
ラッド３２の屈折率は、第２のクラッド３３の屈折率よ
りも僅か高くする。
ト拡大の性能を示すもので、ｘーｙ断面における光強度
を等高線２１を用いてこれを示した。図２（ａ）は、基
本固有モードの導波光が本実施例の光ビームスポット変
換器に入射した場合の、図１（ｂ）に示す入射端から５
μｍの位置Ａの光強度であり、図２（ｂ）から図２
（ｅ）まではＡから２０μｍ毎の位置Ｂ〜Ｅの光強度を
示している。図２（ｆ）は入射端から１００μｍの位置
Ｆの光強度を示している。これより、光の進行とともに
ビーム径が拡大していっているのが分かる。なお、この
計算には３次元のＦＤ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｄｉｆｆｅｒｅ
ｎｃｅ：差分）−ＢＰＭ（Ｂｅａｍ Ｐｒｏｐａｇａｔ
ｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）を用いた。図３は、本発明に係
る小形の光ビームスポット変換器の第２の実施例を示す
もので、第１の実施例のリブ型コア１１ｂの替わりに、
第２のクラッド層３３の内部に屈折率の大きいコア材３
４を薄く成膜したものを挟み、その上に矩形断面のコア
３１を形成したものである。これを（ａ）の断面図を用
いて示した。図３（ｂ）は、図１（ｂ）と同様に、第２
の実施例を示すｘ＝０でのｙーｚ平面図である。それぞ
れの屈折率は、高屈折率層３４がコア３１と同じでＮ３
＝Ｎ０＝１．４５７６、第１のクラッド３２のＮ１＝
１．４５８９、第２のクラッド３３は第１の実施例と同
じでＮ２＝１．４５７６である。このように、光軸方向
でコア３１を部分的に除去し、この部分をクラッド材３
２で埋める、即ち、セグメント型のコアにすることによ
って、コア３１への光の閉じ込めが弱くなる領域を形成
し、屈折率の低いクラッド層３３内に埋設されたｙ軸方
向長さを長くした薄膜状のコア３４によって形成し、第
１のクラッド３２と第２のクラッド３３とを異なる屈折
率（Ｎ１、Ｎ２）の多層で構成する。この構成により、
閉じ込めが弱くコア外へ染み出した光は、屈折率の高い
クラッド３２側へ引き寄せられ、一方、薄膜状コア３４
によってｙ軸に対し反対側への引き寄せが行われて、ｙ
軸方向は元よりｘ軸方向についてもビームスポットを拡
大することが可能となった。なお、コア材３４は、コア
３１と同じ材料で同じ屈折率してもよく、またほぼ同じ
屈折率を有する材料で構成してもよい。しかし、コア３
１およびコア材３４ともに屈折率を、第１および第２の
クラッドの屈折率よりも僅か高くする。また、第１のク
ラッド３２の屈折率は、第２のクラッド３３の屈折率よ
りも僅か高くする。
【００１７】図４は、第２の実施例における光ビームス
ポット拡大の性能を示すもので、図２と同様、ｘーｙ断
面における光強度を等高線４１を用いてこれを示した。
図４（ａ）から図４（ｅ）は、図２（ａ）から図２
（ｅ）までと同様、入射端から５μｍの位置Ａより２０
μｍ毎の位置Ｂ〜Ｅの光強度を示している。図４（ｆ）
も同様に入射端から１００μｍの位置Ｆの光強度を示し
ている。第１の実施例においても第２の実施例において
も、ある範囲でのビームスポット拡大率の選択ははコア
形状の設計で可能であり、選択範囲は素子長を長くする
ほど広がるが、ここでは１００μｍ程度という短かさで
当面の要求に応えられるビームスポット拡大ができるこ
とを例示した。
ポット拡大の性能を示すもので、図２と同様、ｘーｙ断
面における光強度を等高線４１を用いてこれを示した。
図４（ａ）から図４（ｅ）は、図２（ａ）から図２
（ｅ）までと同様、入射端から５μｍの位置Ａより２０
μｍ毎の位置Ｂ〜Ｅの光強度を示している。図４（ｆ）
も同様に入射端から１００μｍの位置Ｆの光強度を示し
ている。第１の実施例においても第２の実施例において
も、ある範囲でのビームスポット拡大率の選択ははコア
形状の設計で可能であり、選択範囲は素子長を長くする
ほど広がるが、ここでは１００μｍ程度という短かさで
当面の要求に応えられるビームスポット拡大ができるこ
とを例示した。
【００１８】次に、本発明に係る小形の光ビームスポッ
ト変換器の製造方法について、図５を用いて説明する。
図５は、図１に示す本発明に係る小形の光ビームスポッ
ト変換器の第１の実施例の製造プロセスを示す断面図で
ある。先ず、ガラスもしくはＳｉ（シリコン）基板の上
に、石英系または有機材料を用いる公知の光導波路作製
法と同様の方法で製造する。例えば、Ｓｉ等の基板５５
を用いた石英系の場合を説明すれば、石英系の光導波路
作製とまったく同様、ＣＶＤやＥＢ蒸着あるいは火炎堆
積法等による石英系の膜の成膜が基本になる。図５
（ａ）は、火炎堆積法による方法を示したもので、Ｓｉ
基板５５の上に第２のクラッド層５３とコア層５１を、
原料を酸水素炎中で加熱加水分解して得られるガラス微
粒子として堆積する。但し、コア層５１は酸化チタンや
酸化ゲルマニウム等のドーパント濃度を高くしてある。
次に、図５（ｂ）に示すように、ガラス微粒子膜５１、
５３を電気炉中で高温に加熱してこれを透明化する。こ
のガラス微粒子５１、５３の堆積と透明化は、通常クラ
ッド層５３とコア層５１をそれぞれ個別に行うが、ここ
では一括して行う場合を示した。なお、ガラス微粒子膜
５３を透明化することによって、第２のクラッド層１３
（例えば屈折率Ｎ２＝１．４５７６）が形成されること
になる。
ト変換器の製造方法について、図５を用いて説明する。
図５は、図１に示す本発明に係る小形の光ビームスポッ
ト変換器の第１の実施例の製造プロセスを示す断面図で
ある。先ず、ガラスもしくはＳｉ（シリコン）基板の上
に、石英系または有機材料を用いる公知の光導波路作製
法と同様の方法で製造する。例えば、Ｓｉ等の基板５５
を用いた石英系の場合を説明すれば、石英系の光導波路
作製とまったく同様、ＣＶＤやＥＢ蒸着あるいは火炎堆
積法等による石英系の膜の成膜が基本になる。図５
（ａ）は、火炎堆積法による方法を示したもので、Ｓｉ
基板５５の上に第２のクラッド層５３とコア層５１を、
原料を酸水素炎中で加熱加水分解して得られるガラス微
粒子として堆積する。但し、コア層５１は酸化チタンや
酸化ゲルマニウム等のドーパント濃度を高くしてある。
次に、図５（ｂ）に示すように、ガラス微粒子膜５１、
５３を電気炉中で高温に加熱してこれを透明化する。こ
のガラス微粒子５１、５３の堆積と透明化は、通常クラ
ッド層５３とコア層５１をそれぞれ個別に行うが、ここ
では一括して行う場合を示した。なお、ガラス微粒子膜
５３を透明化することによって、第２のクラッド層１３
（例えば屈折率Ｎ２＝１．４５７６）が形成されること
になる。
【００１９】続いて、図５（ｃ）に示すように、コア層
５１のパターニングをフォトリソグラフィを用いて行
う。即ち、レジストを塗布し、マスクパターンを転写
後、所定の深さＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によ
りエッチングして図１（ａ）、（ｂ）に示すようなリブ
型コア１１（例えば屈折率Ｎ０＝１．４６４１６）を形
成する。その後、図５（ｄ）に示すようにドーパント量
により屈折率を調整した第１のクラッド層５２を、ガラ
ス微粒子として堆積させ、さらに図５（ｅ）に示すよう
に高温で加熱して透明化し、第２のクラッド層１３より
僅か屈折率を大きくした第１のクラッド層１２（例えば
屈折率Ｎ１＝１．４５８５）を形成する。石英系の材料
を用いる場合には、ガラス軟化温度や熱膨張係数の調整
のために、補助的なドーパントを微量添加することが多
い。以上にして、Ｓｉ等の基板５５上に本発明に係る小
形の光ビームスポット変換器の第１の実施例が形成され
ることになる。
５１のパターニングをフォトリソグラフィを用いて行
う。即ち、レジストを塗布し、マスクパターンを転写
後、所定の深さＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によ
りエッチングして図１（ａ）、（ｂ）に示すようなリブ
型コア１１（例えば屈折率Ｎ０＝１．４６４１６）を形
成する。その後、図５（ｄ）に示すようにドーパント量
により屈折率を調整した第１のクラッド層５２を、ガラ
ス微粒子として堆積させ、さらに図５（ｅ）に示すよう
に高温で加熱して透明化し、第２のクラッド層１３より
僅か屈折率を大きくした第１のクラッド層１２（例えば
屈折率Ｎ１＝１．４５８５）を形成する。石英系の材料
を用いる場合には、ガラス軟化温度や熱膨張係数の調整
のために、補助的なドーパントを微量添加することが多
い。以上にして、Ｓｉ等の基板５５上に本発明に係る小
形の光ビームスポット変換器の第１の実施例が形成され
ることになる。
【００２０】図３に示す本発明に係る小形の光ビームス
ポット変換器の第２の実施例の製造プロセスも、コア３
１と薄膜状のコア３４とを僅か離す関係で、成膜回数が
増加するものの第１の実施例の製造プロセスとほぼ同様
であるため、説明を省略する。
ポット変換器の第２の実施例の製造プロセスも、コア３
１と薄膜状のコア３４とを僅か離す関係で、成膜回数が
増加するものの第１の実施例の製造プロセスとほぼ同様
であるため、説明を省略する。
【００２１】次に、本発明に係る小形の光ビームスポッ
ト変換器を備えた並列光伝送モジュールの実施例につい
て説明する。図６は、本発明に係るアレー型光素子を用
いた並列光伝送モジュールの第１の実施例を示す概念図
である。Ｓｉ等の基板５５に光ビームスポット変換器１
０１を作成し、その後一方の入射端側に光素子１０２を
はんだ接続するためのメタライズ（図示していない）
と、位置合せ用のアライメントマーク（図示していな
い）を形成する。光素子１０２にも位置合せ用のアライ
メントマークを予め形成しておき、これらのマークを基
準にしたいわゆるパッシブアライメント法により位置合
せし、加熱によりはんだを溶融させて光素子１０１をＳ
ｉ等の基板５５上に接続する。はんだは、基板５５また
は素子１０２のどちら側かに数μｍ厚蒸着してパターニ
ングし、はんだ膜パターンとして形成しておく。なお、
Ｓｉ等の基板５５上には、光素子１０１に信号を入力す
るための配線が形成されている。また、この基板５５上
に送信信号を増幅して符号化して光素子１０１に入力す
るＩＣ素子２５２（図８に示す。）を搭載してもよい。
ト変換器を備えた並列光伝送モジュールの実施例につい
て説明する。図６は、本発明に係るアレー型光素子を用
いた並列光伝送モジュールの第１の実施例を示す概念図
である。Ｓｉ等の基板５５に光ビームスポット変換器１
０１を作成し、その後一方の入射端側に光素子１０２を
はんだ接続するためのメタライズ（図示していない）
と、位置合せ用のアライメントマーク（図示していな
い）を形成する。光素子１０２にも位置合せ用のアライ
メントマークを予め形成しておき、これらのマークを基
準にしたいわゆるパッシブアライメント法により位置合
せし、加熱によりはんだを溶融させて光素子１０１をＳ
ｉ等の基板５５上に接続する。はんだは、基板５５また
は素子１０２のどちら側かに数μｍ厚蒸着してパターニ
ングし、はんだ膜パターンとして形成しておく。なお、
Ｓｉ等の基板５５上には、光素子１０１に信号を入力す
るための配線が形成されている。また、この基板５５上
に送信信号を増幅して符号化して光素子１０１に入力す
るＩＣ素子２５２（図８に示す。）を搭載してもよい。
【００２２】光ファイバ１０３（外形が約１２５μｍ程
度）は、ガラスまたはＳｉ等の基板１０４上にＶ溝１０
７を形成し、これに約８μｍ程度の径を有するコア１０
３ａを埋め込んで保護板（図示していない）で蓋をした
光ファイバ束のブロック（多芯光コネクタ部分）１０５
ａを作製しておく。この光ファイバ束のブロック（多芯
光コネクタ部分）１０５ａと、前記の光素子１０２と光
ビームスポット変換器１０１を搭載する基板５５とを、
パッシブまたはアクティブアライメント法により位置合
せし、接着剤１０６を用いて接着接続して並列光伝送モ
ジュール１００ａを構成する。アクティブアライメント
では、基本的には両端のチャンネルを使って位置合せす
るが、更に中央のチャンネルも使って位置合せしてもよ
く、特定の方法に限定されるものではない。接着剤１０
６はＵＶ硬化型でも熱硬化型でもよいが、硬化時の変形
が小さく、信頼性の高いものが望ましいことは言うまで
もない。
度）は、ガラスまたはＳｉ等の基板１０４上にＶ溝１０
７を形成し、これに約８μｍ程度の径を有するコア１０
３ａを埋め込んで保護板（図示していない）で蓋をした
光ファイバ束のブロック（多芯光コネクタ部分）１０５
ａを作製しておく。この光ファイバ束のブロック（多芯
光コネクタ部分）１０５ａと、前記の光素子１０２と光
ビームスポット変換器１０１を搭載する基板５５とを、
パッシブまたはアクティブアライメント法により位置合
せし、接着剤１０６を用いて接着接続して並列光伝送モ
ジュール１００ａを構成する。アクティブアライメント
では、基本的には両端のチャンネルを使って位置合せす
るが、更に中央のチャンネルも使って位置合せしてもよ
く、特定の方法に限定されるものではない。接着剤１０
６はＵＶ硬化型でも熱硬化型でもよいが、硬化時の変形
が小さく、信頼性の高いものが望ましいことは言うまで
もない。
【００２３】このように、各光素子（発光素子）１０１
で発光された光は、光ビームスポット変換器１０１の約
１０μｍ程度以下のコア１１ａ、３１に入射され、図１
（ｂ）および図３（ｂ）に示すＺ方向に進む従って、図
２および図４に示すようにＸ軸方向およびＹ軸方向にビ
ーム径が拡大されて光ファイバの発散角を同程度で出射
され、光ファイバ束１０３の約８μｍ程度の径を有する
各コア１０３ａに入射されて最適化された光結合を実現
することができる。即ち、各光素子１０１で発光された
光を損失を少なくして光ファイバ１０３の束を用いて伝
送することができる。また、逆に、光ファイバ束１０３
の各コア１０３ａによって伝送されてきた光を、最適化
された光結合でもって光ビームスポット変換器１０１の
約１０μｍ程度以下のコア１１ａ、３１に入射させ、光
ビームスポット変換器１０１を進むに従ってビーム径を
縮小して出射して各光素子（受光素子）１０１で受光す
ることができる。
で発光された光は、光ビームスポット変換器１０１の約
１０μｍ程度以下のコア１１ａ、３１に入射され、図１
（ｂ）および図３（ｂ）に示すＺ方向に進む従って、図
２および図４に示すようにＸ軸方向およびＹ軸方向にビ
ーム径が拡大されて光ファイバの発散角を同程度で出射
され、光ファイバ束１０３の約８μｍ程度の径を有する
各コア１０３ａに入射されて最適化された光結合を実現
することができる。即ち、各光素子１０１で発光された
光を損失を少なくして光ファイバ１０３の束を用いて伝
送することができる。また、逆に、光ファイバ束１０３
の各コア１０３ａによって伝送されてきた光を、最適化
された光結合でもって光ビームスポット変換器１０１の
約１０μｍ程度以下のコア１１ａ、３１に入射させ、光
ビームスポット変換器１０１を進むに従ってビーム径を
縮小して出射して各光素子（受光素子）１０１で受光す
ることができる。
【００２４】図７は、本発明に係るアレー型光素子を用
いた並列光伝送モジュールの第２の実施例を示す概念図
である。第１の実施例と異なるのは、Ｖ溝１０７を形成
した基板５５上に光ビームスポット変換器１０１を例え
ば図５に示す製造プロセスを用いて作製し、光素子１０
２を搭載して並列光伝送モジュール１００ｂを構成した
点である。Ｖ溝１０７を形成した基板５５を用いるた
め、光ビームスポット変換器１０１は有機材料を使用し
て作製するのが容易である。光導波路用の有機材料を用
いれば、スピンコートとベークで成膜することができ
る。但し、Ｖ溝があるため平坦な膜を作製するのは困難
なため、本実施例ではレジストを厚く塗布し、これを基
板表面までエッチングで除去して先ずＶ溝部を埋めて平
坦化しておくことが好ましい。Ｖ溝近傍部にはアライメ
ントマークを形成しておき、これを基準に光ビームスポ
ット変換器１０１を作製し、素子搭載用メタライズを形
成すれば、マスク合せの精度で相互の位置精度が決まる
パターニングができ、極めて効率の高い光結合が実現で
きる。光素子１０２は、パッシブアライメントで位置合
せし、はんだで接続する。その後光ファイバ束１０３の
コア１０３ａをＶ溝１０７に挿入し、接着剤を塗布し保
護板で蓋をするとともにＵＶ照射または加熱により硬化
させ接着し、光ファイバ束のブロック（多芯光コネクタ
部分）１０５ｂを光ビームスポット変換器１０１および
光素子１０２と一体で構成する。モジュールとしては、
さらに電気的接合をとり素子の封止等も必要であるが、
これは公知の方法を適用すればよいので、あるいは、本
発明に直接関わらないので、説明を省略する。
いた並列光伝送モジュールの第２の実施例を示す概念図
である。第１の実施例と異なるのは、Ｖ溝１０７を形成
した基板５５上に光ビームスポット変換器１０１を例え
ば図５に示す製造プロセスを用いて作製し、光素子１０
２を搭載して並列光伝送モジュール１００ｂを構成した
点である。Ｖ溝１０７を形成した基板５５を用いるた
め、光ビームスポット変換器１０１は有機材料を使用し
て作製するのが容易である。光導波路用の有機材料を用
いれば、スピンコートとベークで成膜することができ
る。但し、Ｖ溝があるため平坦な膜を作製するのは困難
なため、本実施例ではレジストを厚く塗布し、これを基
板表面までエッチングで除去して先ずＶ溝部を埋めて平
坦化しておくことが好ましい。Ｖ溝近傍部にはアライメ
ントマークを形成しておき、これを基準に光ビームスポ
ット変換器１０１を作製し、素子搭載用メタライズを形
成すれば、マスク合せの精度で相互の位置精度が決まる
パターニングができ、極めて効率の高い光結合が実現で
きる。光素子１０２は、パッシブアライメントで位置合
せし、はんだで接続する。その後光ファイバ束１０３の
コア１０３ａをＶ溝１０７に挿入し、接着剤を塗布し保
護板で蓋をするとともにＵＶ照射または加熱により硬化
させ接着し、光ファイバ束のブロック（多芯光コネクタ
部分）１０５ｂを光ビームスポット変換器１０１および
光素子１０２と一体で構成する。モジュールとしては、
さらに電気的接合をとり素子の封止等も必要であるが、
これは公知の方法を適用すればよいので、あるいは、本
発明に直接関わらないので、説明を省略する。
【００２５】以上説明したように、光伝送モジュール１
００における第１の実施例においても第２の実施例にお
いても、光ビームスポット変換器１０１の設計は、光素
子１０２が発光素子か受光素子かにより異なるが、ビー
ム発散型の発光素子の場合には、ビームスポット拡大と
縮小を組合せて凸レンズ機能を持たせたとき、結合効率
とトレランス両者の拡大を特に顕著に改善することが可
能となる。なお、光ビームスポット変換器を備えた光伝
送モジュールとして、波長多重送受信モジュールへも適
用することができる。
００における第１の実施例においても第２の実施例にお
いても、光ビームスポット変換器１０１の設計は、光素
子１０２が発光素子か受光素子かにより異なるが、ビー
ム発散型の発光素子の場合には、ビームスポット拡大と
縮小を組合せて凸レンズ機能を持たせたとき、結合効率
とトレランス両者の拡大を特に顕著に改善することが可
能となる。なお、光ビームスポット変換器を備えた光伝
送モジュールとして、波長多重送受信モジュールへも適
用することができる。
【００２６】次に、本発明に係る並列光伝送モジュール
１００を用いた交換機または計算機からなる光伝送シス
テムの実施例について図面を用いて説明する。図８は、
本発明に係る並列光伝送モジュールを用いた交換機また
は計算機からなる光伝送システムの実施例における信号
接続の関係を示す概念図である。大形計算機のプロセッ
サ間や、プロセッサ・記憶装置間等での高速信号伝送、
高密度な信号配線の軽量化、細径化、耐ノイズ性向上等
の目的で用いられる。即ち、光伝送システムの基本構成
は、情報源からの電気信号を送信端において光信号に変
換し、光ファイバを介して伝送し、受信端で再び光信号
を電気信号に戻す構成になっている。なお、光伝送シス
テムとして、情報源からの信号の符号化の段階から直接
光が用いられ、伝送系全体に亘って光信号が増幅、伝
送、処理される構成でもよい。また、電気信号を光信号
に変換する変調方式としては、光電力を変調する強度変
調が用いられる。また、信号の符号としては、デジタル
伝送方式の場合、光源の直線性を考慮して２値伝送が用
いられる。
１００を用いた交換機または計算機からなる光伝送シス
テムの実施例について図面を用いて説明する。図８は、
本発明に係る並列光伝送モジュールを用いた交換機また
は計算機からなる光伝送システムの実施例における信号
接続の関係を示す概念図である。大形計算機のプロセッ
サ間や、プロセッサ・記憶装置間等での高速信号伝送、
高密度な信号配線の軽量化、細径化、耐ノイズ性向上等
の目的で用いられる。即ち、光伝送システムの基本構成
は、情報源からの電気信号を送信端において光信号に変
換し、光ファイバを介して伝送し、受信端で再び光信号
を電気信号に戻す構成になっている。なお、光伝送シス
テムとして、情報源からの信号の符号化の段階から直接
光が用いられ、伝送系全体に亘って光信号が増幅、伝
送、処理される構成でもよい。また、電気信号を光信号
に変換する変調方式としては、光電力を変調する強度変
調が用いられる。また、信号の符号としては、デジタル
伝送方式の場合、光源の直線性を考慮して２値伝送が用
いられる。
【００２７】そして、装置２０１、２０２には、装置間
の信号接続用基板２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２５
３ｄ等が内臓され、それぞれの信号接続用基板２５３ａ
（５５ａ）、２５３ｂ（５５ｂ）、２５３ｃ（５５
ｃ）、２５３ｄ（５５ｄ）上には、複数個の前述の並列
光伝送モジュール２５１ａ（１００）等とＬＳＩ部品２
５２等が搭載されている。並列光伝送モジュール２５１
ａ（１００）では、情報は電気信号から光信号へ変換さ
れ、多芯光コネクタ２５４ａ（１０５）を介して光ファ
イバアレイ２５５ａ（１０３ａ）に伝送される。装置間
は、同様な光ファイバアレイをまとめた光ファイバアレ
イ束２５６（１０３）を介して信号が伝送される。光フ
ァイバアレイ２５５ａ（１０３）に接続される他方の装
置の信号接続用基板２５３ｂ（５５ｂ）上の並列光伝送
モジュール２５１ｂ（１００）では、光信号から電気信
号へ変換され、装置間の光による信号伝送が可能にな
る。
の信号接続用基板２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、２５
３ｄ等が内臓され、それぞれの信号接続用基板２５３ａ
（５５ａ）、２５３ｂ（５５ｂ）、２５３ｃ（５５
ｃ）、２５３ｄ（５５ｄ）上には、複数個の前述の並列
光伝送モジュール２５１ａ（１００）等とＬＳＩ部品２
５２等が搭載されている。並列光伝送モジュール２５１
ａ（１００）では、情報は電気信号から光信号へ変換さ
れ、多芯光コネクタ２５４ａ（１０５）を介して光ファ
イバアレイ２５５ａ（１０３ａ）に伝送される。装置間
は、同様な光ファイバアレイをまとめた光ファイバアレ
イ束２５６（１０３）を介して信号が伝送される。光フ
ァイバアレイ２５５ａ（１０３）に接続される他方の装
置の信号接続用基板２５３ｂ（５５ｂ）上の並列光伝送
モジュール２５１ｂ（１００）では、光信号から電気信
号へ変換され、装置間の光による信号伝送が可能にな
る。
【００２８】なお、上記の説明では、並列光伝送モジュ
ール２５１（１００）等とＬＳＩ部品２５２等が搭載さ
れる信号接続用基板２５３と並列光伝送モジュール２５
１（１００）を構成する基板５５とを同一基板で構成す
るように説明したが、並列光伝送モジュール２５１（１
００）を構成する基板５５を、信号接続用基板２５３上
に搭載して実装することが可能となる。その場合、信号
接続用基板２５３上のＬＳＩ部品２５２に接続される配
線と、基板５５における光素子１０２に接続される配線
とを接続する必要がある。
ール２５１（１００）等とＬＳＩ部品２５２等が搭載さ
れる信号接続用基板２５３と並列光伝送モジュール２５
１（１００）を構成する基板５５とを同一基板で構成す
るように説明したが、並列光伝送モジュール２５１（１
００）を構成する基板５５を、信号接続用基板２５３上
に搭載して実装することが可能となる。その場合、信号
接続用基板２５３上のＬＳＩ部品２５２に接続される配
線と、基板５５における光素子１０２に接続される配線
とを接続する必要がある。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、光ビームスポット変換
器をコア形状の設計でビーム拡大率を可変できるように
構成することによって、例えば光素子と光ファイバおよ
びその間に光導波路から成る光回路とで構成される光伝
送モジュールにおける光回路の両端と光素子および光フ
ァイバ個別との間において最適な光結合を実現でき、光
伝送モジュールの光利用効率向上と製造の容易化に大き
な効果を発揮することができる。また、本発明によれ
ば、光ビームスポット変換器を容易に製造することがで
きるため、光伝送モジュールとして低価格化にも大きく
寄与することができる。
器をコア形状の設計でビーム拡大率を可変できるように
構成することによって、例えば光素子と光ファイバおよ
びその間に光導波路から成る光回路とで構成される光伝
送モジュールにおける光回路の両端と光素子および光フ
ァイバ個別との間において最適な光結合を実現でき、光
伝送モジュールの光利用効率向上と製造の容易化に大き
な効果を発揮することができる。また、本発明によれ
ば、光ビームスポット変換器を容易に製造することがで
きるため、光伝送モジュールとして低価格化にも大きく
寄与することができる。
【００３０】また、本発明によれば、光ビームスポット
変換器を、光回路や光素子を搭載する基板上に作製でき
るため、光伝送モジュールの構成が簡素で実装が容易に
なり、光伝送モジュールの低価格化にこの点からも効果
を大きくすることができる。また、本発明によれば、
ｘ、ｙ両方向にビームスポット変換が可能な光ビームス
ポット変換器を、極めて単純なプロセスで実現するもの
であるため、選択結晶成長のような方法を必要とするも
のに比べて光ビームスポット変換器自体の低コスト化が
可能である。また、本発明によれば、光ビームスポット
変換器をセグメント状のコアで構成することにより、光
ビームスポット変換器の小形化（素子長の短縮）を実現
することができる効果を奏する。
変換器を、光回路や光素子を搭載する基板上に作製でき
るため、光伝送モジュールの構成が簡素で実装が容易に
なり、光伝送モジュールの低価格化にこの点からも効果
を大きくすることができる。また、本発明によれば、
ｘ、ｙ両方向にビームスポット変換が可能な光ビームス
ポット変換器を、極めて単純なプロセスで実現するもの
であるため、選択結晶成長のような方法を必要とするも
のに比べて光ビームスポット変換器自体の低コスト化が
可能である。また、本発明によれば、光ビームスポット
変換器をセグメント状のコアで構成することにより、光
ビームスポット変換器の小形化（素子長の短縮）を実現
することができる効果を奏する。
【図１】本発明に係る光ビームスポット変換器（光導波
路）の第１の実施例を示す断面図と平面図。
路）の第１の実施例を示す断面図と平面図。
【図２】本発明に係る光ビームスポット変換器（光導波
路）の第１の実施例における作用を示す光強度等高線
図。
路）の第１の実施例における作用を示す光強度等高線
図。
【図３】本発明に係る光ビームスポット変換器（光導波
路）の第２の実施例を示す断面図と平面図。
路）の第２の実施例を示す断面図と平面図。
【図４】本発明に係る光ビームスポット変換器（光導波
路）の第２の実施例における作用を示す光強度等高線
図。
路）の第２の実施例における作用を示す光強度等高線
図。
【図５】本発明に係る光ビームスポット変換器（光導波
路）の第１の実施例の製造プロセスを説明する断面図。
路）の第１の実施例の製造プロセスを説明する断面図。
【図６】本発明に係る並列光伝送モジュールの第１の実
施例を示す斜視図。
施例を示す斜視図。
【図７】本発明に係る並列光伝送モジュールの第２の実
施例を示す斜視図。
施例を示す斜視図。
【図８】本発明に係る光伝送システムの一実施例を説明
する図。
する図。
１１、１１ａ、１１ｂ、３１…コア、１２、３２…第１
のクラッド、１３、３３…第２のクラッド、３４…コア
材（高屈折率層）、２１、４１…光強度等高線、５５…
シリコン等の基板、１００、１００ａ、１００ｂ、２５
１ａ、２５１ｂ…光伝送モジュール、１０１…光ビーム
スポット変換器（光導波路）、１０２…アレイ型光素
子、１０３、２５６…光ファイバ束、１０３ａ、２５５
ａ…光ファイバのコア、１０４…基板、１０５、１０５
ａ、１０５ｂ、２５４ａ…光ファイバブロック（多芯光
コネクタ）、１０６…接着剤、１０７…Ｖ溝、２０１、
２０２…装置。
のクラッド、１３、３３…第２のクラッド、３４…コア
材（高屈折率層）、２１、４１…光強度等高線、５５…
シリコン等の基板、１００、１００ａ、１００ｂ、２５
１ａ、２５１ｂ…光伝送モジュール、１０１…光ビーム
スポット変換器（光導波路）、１０２…アレイ型光素
子、１０３、２５６…光ファイバ束、１０３ａ、２５５
ａ…光ファイバのコア、１０４…基板、１０５、１０５
ａ、１０５ｂ、２５４ａ…光ファイバブロック（多芯光
コネクタ）、１０６…接着剤、１０７…Ｖ溝、２０１、
２０２…装置。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA24 CA34 2H047 KA04 KA11 MA05 PA02 PA03 PA05 PA24 QA04 QA05 RA08 TA43 TA44
Claims (15)
- 【請求項１】光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直交
する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸と
する光導波路であって、 前記ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に
光を伝搬するように形成されたコア部と、 該コア部を囲みコア部より低屈折率であり、ｘ座標が原
点でない正または負領域において境界を有して互いに接
する屈折率の異なる少なくとも２層で構成されたクラッ
ド層とを有し、 前記コア部を前記光軸方向に不連続で形成したことを特
徴とする光導波路。 - 【請求項２】光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直交
する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸と
する光導波路であって、 前記ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に
光を伝搬するように形成されたコア部と、 該コア部を囲みコア部より低屈折率であり、ｘ座標が原
点でない正または負領域において境界を有して互いに接
する屈折率の異なる少なくとも２層で構成されたクラッ
ド層とを有し、 前記コア部を、コアの幅およびコアの光軸方向の長さ、
並びにコアの１部を除去した部分の長さを非周期的に変
化させて光軸方向に不連続で形成したことを特徴とする
光導波路。 - 【請求項３】光軸断面において、コア部の一部をｙ軸方
向に広げてコア部をリブ型で形成したことを特徴とする
請求項１または２記載の光導波路。 - 【請求項４】光軸断面において、コア部の下部をｙ軸方
向に広げてコア部をリブ型で形成し、コア部の下部側に
位置する下部クラッド層の屈折率をコア部の上部側に位
置する上部クラッド層の屈折率より小さくしたことを特
徴とする請求項１または２記載の光導波路。 - 【請求項５】光軸断面において、コア部と同一材料また
はほぼ同一屈折率の材料から成り、コア部の厚さより薄
くしてｙ軸方向に広げて形成されたコア材をコア部に近
接して設けたことを特徴とする請求項１または２記載の
光導波路。 - 【請求項６】光軸断面において、コア部の下部側に位置
する下部クラッド層の屈折率をコア部の上部側に位置す
る上部クラッド層の屈折率より小さくし、コア部と同一
材料またはほぼ同一屈折率の材料から成り、コア部の厚
さより薄くしてｙ軸方向に広げて形成されたコア材をコ
ア部に近接して前記下部クラッド層に埋設したことを特
徴とする請求項１または２記載の光導波路。 - 【請求項７】光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直交
する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸と
する光導波路であって、 前記ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に
光を伝搬するように形成されたコア部と、 該コア部を囲みコア部より低屈折率であり、ｘ座標が原
点でない正または負領域において境界を有して互いに接
する屈折率の異なる少なくとも２層で構成されたクラッ
ド層とを有し、 前記コア部を前記光軸方向に不連続で形成して光ビーム
スポットを変化させるように構成したことを特徴とする
光ビームスポット変換器。 - 【請求項８】光伝搬方向である光軸をｚ軸、これに直交
する断面で垂直方向の軸をｘ軸、水平方向の軸をｙ軸と
する光導波路であって、 前記ｘ軸およびｙ軸の原点をほぼ中心としてｚ軸方向に
光を伝搬するように形成されたコア部と、 該コア部を囲みコア部より低屈折率であり、ｘ座標が原
点でない正または負領域において境界を有して互いに接
する屈折率の異なる少なくとも２層で構成されたクラッ
ド層とを有し、 前記コア部を、コアの幅およびコアの光軸方向の長さ、
並びにコアの１部を除去した部分の長さを非周期的に変
化させて光軸方向に不連続で形成して光ビームスポット
を変化させるように構成したことを特徴とする光ビーム
スポット変換器。 - 【請求項９】光軸断面において、コア部の一部をｙ軸方
向に広げてコア部をリブ型で形成したことを特徴とする
請求項７または８記載の光ビームスポット変換器。 - 【請求項１０】光軸断面において、コア部の下部をｙ軸
方向に広げてコア部をリブ型で形成し、コア部の下部側
に位置する下部クラッド層の屈折率をコア部の上部側に
位置する上部クラッド層の屈折率より小さくしたことを
特徴とする請求項７または８記載の光ビームスポット変
換器。 - 【請求項１１】光軸断面において、コア部と同一材料ま
たはほぼ同一屈折率の材料から成り、コア部の厚さより
薄くしてｙ軸方向に広げて形成されたコア材をコア部に
近接して設けたことを特徴とする請求項７または８記載
の光ビームスポット変換器。 - 【請求項１２】光軸断面において、コア部の下部側に位
置する下部クラッド層の屈折率をコア部の上部側に位置
する上部クラッド層の屈折率より小さくし、コア部と同
一材料またはほぼ同一屈折率の材料から成り、コア部の
厚さより薄くしてｙ軸方向に広げて形成されたコア材を
コア部に近接して前記下部クラッド層に埋設したことを
特徴とする請求項７または８記載の光ビームスポット変
換器。 - 【請求項１３】発光素子または受光素子と、光ファイバ
とを備え、発光素子または受光素子と光ファイバとの間
に請求項１〜６の何れかに記載された光導波路を備えて
構成したことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項１４】発光素子または受光素子と、光ファイバ
とを備え、発光素子または受光素子と光ファイバとの間
に請求項７〜１２の何れかに記載された光ビームスポッ
ト変換器を備えて構成したことを特徴とする光伝送モジ
ュール。 - 【請求項１５】請求項１３または１４記載の光伝送モジ
ュールを備え、該光伝送モジュールにより情報を伝送す
るように構成したことを特徴とする光伝送システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01658899A JP3663310B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 光ビームスポット変換器及びこれを用いた光伝送モジュール並びに光伝送システム |
| US09/492,084 US6289157B1 (en) | 1999-01-26 | 2000-01-27 | Optical wave-guide, light-beam spot converter and optical transmission module |
| US09/911,574 US6501891B2 (en) | 1999-01-26 | 2001-07-25 | Optical wave-guide, light-beam spot converter and optical transmission module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01658899A JP3663310B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 光ビームスポット変換器及びこれを用いた光伝送モジュール並びに光伝送システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214340A true JP2000214340A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3663310B2 JP3663310B2 (ja) | 2005-06-22 |
Family
ID=11920447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01658899A Expired - Fee Related JP3663310B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 光ビームスポット変換器及びこれを用いた光伝送モジュール並びに光伝送システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6289157B1 (ja) |
| JP (1) | JP3663310B2 (ja) |
Cited By (3)
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| WO2002044776A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Guide d'ondes lumineuses et procede de fabrication |
| US6937799B2 (en) | 2000-04-20 | 2005-08-30 | Hitachi, Ltd. | Optical transmission module and optical communication system using the same |
| CN104516052A (zh) * | 2013-09-29 | 2015-04-15 | 北京邮电大学 | 一种微环谐振滤波器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7444669B1 (en) * | 2000-05-05 | 2008-10-28 | Microsoft Corporation | Methods and systems for providing variable rates of service for accessing networks, methods and systems for accessing the internet |
| JP3941368B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 光伝送モジュールおよびそれを用いた光通信システム |
| US8285092B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-10-09 | Nec Corporation | Optical waveguide and spot size converter using the same |
| JP2010091863A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 送受信モジュール |
| FR2965939B1 (fr) * | 2010-10-12 | 2013-08-02 | Commissariat Energie Atomique | Duplexeur optique nanophotonique |
| US11409040B1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-08-09 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical couplers for ridge-to-rib waveguide core transitions |
| US11971572B2 (en) * | 2022-02-18 | 2024-04-30 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical waveguide with stacked cladding material layers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293326A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Pioneer Electron Corp | ファイバー型光波長変換装置 |
| JPH03288102A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-18 | Fujitsu Ltd | 光ビーム形状変換素子 |
| US6289151B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-09-11 | Lucent Technologies Inc. | All-pass optical filters |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP01658899A patent/JP3663310B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-27 US US09/492,084 patent/US6289157B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-25 US US09/911,574 patent/US6501891B2/en not_active Expired - Lifetime
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