KR101029984B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101029984B1
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키요타카 이시바시
토시히사 노자와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 반송 아암(arm) 표면의 이물질을 제거하는 수단을 갖는 기판 처리 장치로서, 장치 구성을 간소화함과 함께 이물질 제거에 의해 장치의 스루풋(throughput)이 저하되지 않는 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치(11)는, 반도체 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 적어도 1개의 처리실(21)과, 처리실(21)에 인접하는 반송실(14)과, 반송실(14)의 내부를 감압하는 진공 펌프(16)와, 반송실(14) 및 처리실(21)의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(15)와, 반송 장치(15)에 부착한 이물질을 반송실(14) 내에서 제거하는 이물질 제거 수단을 구비한다.
이물질 제거, 반송 장치, 기판 처리

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래의 기판 처리 장치에는, 일본공개특허공보 평11-40642호(특허문헌 1) 및 일본공개특허공보 평8-327959호(특허문헌 2)에 개시되어 있는 바와 같이, 반송 아암의 표면에 부착한 이물질을 제거하는 장치를 갖는 것이 있다.
일 예로서, 일본공개특허공보 평11-40642호에 개시되어 있는 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 수납하는 카세트를 갖는 인덱서(indexer)와, 기판에 가열 처리 등을 행하는 열처리부와, 기판을 회전시키면서 레지스트 도포 처리를 행하는 스핀코터(spin coater)와, 노광 후의 기판에 현상 처리를 행하는 스핀 디벨로퍼(spin developer)와, 각 처리부간에서의 기판의 순환 반송을 행하는 반송 아암과, 자외선을 조사(照射)하여 반송 아암을 세정하는 자외선 조사부를 구비한다.
다른 예로서, 일본공개특허공보 평8-327959호에 개시되어 있는 스퍼터 장치는, 반도체 웨이퍼를 수납하는 카세트 로더와, 복수의 스퍼터실을 배치한 진공 챔버와, 카세트 로더 및 진공 챔버의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송 아암과, 반도체 웨이퍼의 반송 경로 중에 배치되는 표면 처리부를 구비한다.
[특허문헌 1] 일본공개특허공보 평11-40642호(단락 번호 0024, 도1)
[특허문헌 2] 일본공개특허공보 평8-327959호(단락 번호 0083, 도12)
일본공개특허공보 평11-40642호에 개시되어 있는 기판 처리 장치에 의하면, 반송 아암의 세정에만 사용되는 자외선 조사부를 형성했기 때문에, 장치의 풋 프린트(footprint)가 증대된다. 또한, 반송 아암의 세정 중에는 기판의 반송을 할 수 없기 때문에, 장치의 스루풋(throughput)이 저하된다.
또한, 일본공개특허공보 평8-327959호에 개시되어 있는 반송 경로 중에 형성된 표면 처리부는, 대기압 또는 그 근방의 압력하에서 기체 방전을 발생시켜 반송 아암을 드라이 세정한다. 이 때문에, 표면 처리부는 대규모의 것이 될 가능성이 있다. 또한, 기체 방전은 파티클(particle)의 발생원이 될 수 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 반송실 내에 형성된 반송 아암 표면의 이물질을 제거하는 수단을 갖는 기판 처리 장치로서, 풋 프린트를 증대시키지 않고, 간단한 구성으로 효율적으로 이물질 제거를 가능하게 하고, 또한, 반송의 자유도를 높게 유지하여, 장치의 스루풋을 저하시키는 일이 없는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 처리를 행하는 적어도 1개의 처리실과, 처리실에 인접하는 반송실과, 반송실의 내부를 감압하는 감압 수단과, 반송실 및 처리실의 사이에서 피처리 기판을 반송하는 반송 장치와, 반송 장치에 부착한 이물질을 반송실 내에서 제거하는 이물질 제거 수단을 구비한다.
상기 구성의 기판 처리 장치는, 감압 상태(「진공 상태」를 포함함)의 반송실 내에서 반송 장치에 부착한 이물질을 제거한다. 이에 따라, 풋 프린트를 증대시키는 일 없이, 반송실 내에 있어서 이물질 제거를 행하기 때문에, 고(高)스루풋을 유지한 상태에서 이물질 제거를 할 수 있다. 또한, 본 명세서 중의 「감압 상태」란, 반송실 내에 후술하는 오존 가스 등이 충전되어 있는 상태를 포함하는 것으로 한다.
일 실시 형태로서, 이물질 제거 수단은, 반송 장치에 빛을 조사하는 광조사부를 포함한다. 광조사부는, 광열에너지에 의해 이물질을 고상(solid phase)에서 기상(gas phase)으로 상전이(phase transition)시킨다. 이에 따라, 반송 장치의 표면으로부터 이물질을 제거할 수 있다.
바람직하게는, 이물질 제거 수단은, 반송실의 내부에서 오존 가스를 이용하여 이물질을 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 이물질의 제거 효율이 향상된다. 또한, 반송실의 내부에서 오존 가스를 생성해도 좋고, 외부에서 생성한 오존 가스를 반송실에 공급해도 좋다.
일 실시 형태로서, 이물질 제거 수단은, 반송실의 내부에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 수단을 포함한다. 다른 실시 형태로서, 이물질 제거 수단은, 반송 장치에 오존 가스를 분사하는 오존 가스 분사부를 포함한다. 이와 같이, 오존 가스를 반송실 분위기 중에 충전해도 좋고, 반송 장치에 선택적으로 분사해도 좋다.
바람직하게는, 반송 장치의 표면은, 산화 티탄막으로 덮여져 있다. 이에 따 라, 이물질의 제거 효율이 더욱 향상된다.
바람직하게는, 반송실은 빛을 투과하는 투광창을 갖는다. 그리고, 광조사부는, 반송실의 바깥으로부터 투광창을 통하여 반송 장치로 빛을 조사한다. 이에 따라, 반송 장치로부터 제거된 기상 상태의 이물질이 광조사부에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 반송 장치는, 그의 상면에 피처리 기판을 지지하는 복수의 돌기부를 갖는다. 그리고, 이물질 제거 수단은, 복수의 돌기부에 부착한 이물질을 선택적으로 제거한다. 반송 장치 전체에 이물질 제거 처리를 행해도 좋지만, 피처리 기판에 직접 접촉하는 돌기부에만 행하면, 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
바람직하게는, 반송실에는, 반송 장치로부터 분리된 이물질을 강제적으로 배출하는 흡인 수단이 형성되어 있다. 이에 따라, 반송실의 분위기 중에 떠돌아다니는 기상 상태의 이물질이 피처리 기판에 부착하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 처리를 행하는 적어도 1개의 처리실과, 처리실에 인접하는 반송실과, 반송실의 내부를 감압하는 감압 수단과, 반송실에 인접하는 로드락(load lock)실과, 반송실 내에 배치되어, 감압 분위기하에서 처리실과 로드락실에 피처리 기판을 반송하는 제1 반송 장치와, 피처리 기판을 수납하는 카세트 및, 로드락실과 상기 카세트 사이에서 피처리 기판을 반송하는 제2 반송 장치를 가지며, 로드락실에 인접하는 로더부와, 제1 반송 장치에 부착한 이물질을 반송실 내에서 제거하는 이물질 제거 수단을 구비한다.
상기 구성의 기판 처리 장치에 의하면, 제1 반송 장치와 제2 반송 장치가 독립하여 동작할 수 있기 때문에, 한쪽에 율속(律速; rate-determine)되는 일 없이 각각이 처리를 행할 수 있다. 그 결과, 반송이나 프로세스의 자유도가 높은 기판 처리 장치를 얻을 수 있다. 또한, 제1 반송 장치에 부착한 이물질이 세정되기 때문에, 기판이 수납된 카세트로의 이물질의 혼입을 억제할 수 있다.
본 발명에 의하면, 전용의 세정부를 형성하는 일 없이 반송실 내에서 이물질의 제거를 행할 수 있기 때문에, 장치 면적을 증대시키는 일이 없다. 또한, 감압 상태의 반송실 내에서 세정을 행할 수 있기 때문에, 처리 중에 발생하는 유독 가스의 누설을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 감압 상태를 유지한 반송실 내에서 이물질의 제거를 행할 수 있기 때문에, 스루풋의 저하를 방지한 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
도1∼도3 을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(11)를 설명한다. 또한, 도1 은 기판 처리 장치(11)를 나타내는 도면이며, 도2 는 처리실(21a)의 내부 구조를 나타내는 도면이며, 도3 은 반송실(14) 및 이물질 제거 수단의 구성을 나타내는 도면이다.
도1 을 참조하여, 기판 처리 장치(11)는, 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)를 감압 상태의 반송실(14)에 반입출하는 로드락실(12a, 12b)과, 반도체 웨이 퍼(W)를 로드락실(12a, 12b)로 반입출하는 로더부(13)와, 반도체 웨이퍼(W)에 각종 처리를 행하는 적어도 1개(이 실시 형태에서는 4개)의 처리실(21a, 21b, 21c, 21d)(총칭하여 「처리실(21)」이라고 함)과, 로드락실(12a, 12b) 및 처리실(21)에 인접하는 반송실(14)과, 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(15)(제1 반송 장치)와, 반송실(14) 및 로드락실(12a, 12b)의 내부를 감압하는 감압 수단으로서의 진공 펌프(16)와, 반송 장치(15)에 부착한 이물질을 반송실(14) 내에서 제거하는 이물질 제거 수단을 주로 구비하는 소위 클러스터 툴(cluster tool)이다.
로더부(13)는, 반도체 웨이퍼(W)를 수납하는 웨이퍼 카세트(13a, 13b)와, 웨이퍼 카세트(13a, 13b)와 로드락실(12a, 12b)과의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 아암(13c)(제2 반송 장치)을 구비한다. 반송 장치(15)는, 반송 아암(15a)과, 반송 아암(15a)의 상면에 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 복수의 돌기부(15b)를 포함하고, 기판 처리 장치(11) 내에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송한다.
상기의 기판 처리 장치(11)에 의하면, 로드락실(12a, 12b), 반송실(14) 및, 처리실(21)의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(15)(제1 반송 장치)와, 웨이퍼 카세트(13a, 13b)와 로드락실(12a, 12b)의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 아암(13c)(제2 반송 장치)이 독립되어 동작할 수 있기 때문에, 한쪽에 율속되는 일 없이 각각이 처리를 행할 수 있다. 그 결과, 반송이나 프로세스의 자유도가 높은 기판 처리 장치를 얻을 수 있다.
복수의 처리실(21) 중 적어도 처리실(21a)에서는, 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 적어도 탄소와 불소를 포함하는 막(예를 들면, CFx막)을 성막하는 처리가 행해 진다. 또한, 본 명세서 중「CFx」이란, CyFz(y, z는 정수로서, 복수의 조합이 있음)의 조성을 갖는 화합물의 총칭이다.
도2 를 참조하여, 처리실(21a)의 내부 구조를 설명한다. 처리실(21a)은, 처리 공간(S)을 구성하는 처리 용기(22) 및 유전체(25)와, 마이크로파 공급 장치(28)와, 배기 장치(38)를 주로 구비한다.
처리 용기(22)는, 상부 개구를 가지며 바닥이 있는 원통체로서, 측벽면에 반도체 웨이퍼(W)를 받아들이는 개구부(22a)와, 내부에 반도체 웨이퍼(W)를 지지하는 지지대로서의 서셉터(susceptor; 23)와, 처리 가스를 도입하는 가스 도입부(24)를 구비한다. 개구부(22a)에는 개폐문(도시 생략)이 형성되어 있어, 개폐문이 열리면 반도체 웨이퍼(W)의 출입이 가능해지고, 개폐문이 닫히면 처리 공간(S)이 밀폐 상태가 된다.
서셉터(23)는, 반도체 웨이퍼(W)의 표면 온도의 관리를 행함과 함께, 바이어스용의 고주파 신호를 발생시키는 교류 전원(23a)에 접속되어 있다. 처리 가스 도입부(24)는, 처리 용기(22)의 측벽면에 형성되어, 처리 가스 공급원(도시 생략)으로부터의 처리 가스를 처리 공간(S)에 공급한다. 처리 가스에는, 플라즈마 여기(excitation)용 가스(예를 들면, Ar 가스)와, 웨이퍼 처리용 가스(예를 들면, C5F8 가스)가 포함되어 있다.
유전체(25)는, 알루미나(Al2O3)나 석영(SiO2)에 의해 형성되는 원반 형상의 부재로서, 처리 용기(22)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치된다. 또한, 처리 용 기(22)와 유전체(25)와의 맞닿음면에는, 처리 공간(S)을 밀폐하기 위한 시일재(seal material; 22b)가 형성되어 있다.
마이크로파 공급 장치(28)는, 유전체(25)의 하면에 플라즈마를 발생시키기 위해, 유전체(25)에 마이크로파를 공급하는 장치로서, 소정의 주파수의 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원(29), 부하(負荷) 정합기(30), 동축 도파관(31), 지파판(wavelength-shortening plate; 32), 지파판(32)을 덮는 안테나 커버(33) 및, 슬롯 안테나(34)로 구성되어 있다.
동축 도파관(31)은, 내측도체(31a)와, 내측도체(31a)를 덮는 외관(31b)으로 구성되어 있다. 내측도체(31a)는, 그 일방측 단부가 부하 정합기(matching device; 30)를 통하여 마이크로파 발생원(29)에, 타방측 단부가 슬롯 안테나(34)에 접속되어 있어, 마이크로파 발생원(29)에서 발생한 마이크로파를 슬롯 안테나(34)에 공급한다.
슬롯 안테나(34)는, 도전성을 갖는 재질, 예를 들면, Ag, Au 등이 도금된 구리의 얇은 원판이며, 유전체(25)의 상면에 배치된다. 또한, 슬롯 안테나(34)에는, 두께 방향으로 관통하는 장공(long hole) 형상의 복수의 슬롯(34a)이 형성되어 있다. 마이크로파 발생원(29)에서 발생한 마이크로파는, 이 슬롯(34a) 및 유전체(25)를 지나 처리 용기(22) 내에 방사된다.
배기 장치(38)는, 처리 공간(S) 내의 처리 가스를 외부에 배출하기 위한 진공 펌프로서, 처리 용기(22)와 배기 장치를 접속하는 배기관(36, 37)을 통하여 처리 공간(S) 내로부터 처리 가스를 배출한다.
다음으로, 상기 구성의 기판 처리 장치(11)의 동작을 설명한다.
우선, 반송 장치(15)에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 처리실(21a)에 반입된다. 구체적으로는, 반송 장치(15)가 로드락실(12a)로부터 처리가 아직 끝나지 않은 웨이퍼를 취출한다. 그리고, 반송실(14)을 경유하여 처리실(21a)로 이동하고, 서셉터(23) 상에 처리가 아직 끝나지 않은 웨이퍼를 올려 놓는다.
다음으로, 반송 장치(15)가 처리실(21a)로부터 반송실(14)로 이동한 후, 개폐문을 닫아 처리 공간(S)을 밀폐 상태로 한다. 그리고, 가스 도입부(24)로부터 처리 가스(Ar 가스 및 C5F8 가스의 혼합 가스)를 처리 공간(S) 내에 공급함과 함께, 여분의 처리 가스를 배기 장치(38)에 의해 배출한다. 이들에 의해, 처리 공간(S) 내를 소정의 압력으로 할 수 있다.
다음으로, 마이크로파 발생원(29)에서 마이크로파를 발생시키고, 부하 정합기(30), 동축 도파관(31), 지파판(32) 및, 슬롯 안테나(34)를 통하여 유전체(25)에 마이크로파를 공급하면, 유전체(25)의 하면에 전계가 발생한다. 이에 따라, 처리 공간(S) 내의 플라즈마 여기용 가스가 전리(ionization)하여 플라즈마화된다.
플라즈마에 의해 웨이퍼 처리용 가스가 여기되면, 웨이퍼 처리용 가스가 해리(dissociation)되어 처리 공간(S)의 분위기 중에 떠돌아다닌다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)의 표면에서 고상으로 상전이함으로써, 적어도 탄소와 불소를 포함하는 막이 성막된다.
플라즈마 처리 종료 후에 처리실(21a)의 개폐문이 열리면, 반송 장치(15)에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 반출되어, 다음 공정의 처리실(21b)로 반입된다. 이하, 상기의 각 처리를 반복하여, 모든 처리가 종료된 처리가 끝난 웨이퍼는, 반송 장치(15)에 의해 로드락실(12b)로 반송된다.
상기의 처리 중, 반송 장치(15)의 표면에는, 처리실(21a)의 내부에서 반응 생성물(데포; deposition)이 퇴적된다. 구체적인 퇴적의 메커니즘으로서는, 예를 들면, 플라즈마 처리 후의 처리 공간(S)의 분위기 중에는 기상 상태의 CFx 가스가 떠돌아 다니고 있고, 반송 장치(15)의 표면에서 고상(데포)으로 상전이하는 것을 생각할 수 있다. 플라즈마 처리 후의 처리실(21a)의 내벽면은 고온(180℃ 정도)인 것에 대하여, 반송 장치(15)는 상대적으로 저온(상온)이기 때문에, 데포는 반송 장치(15)의 표면에 퇴적되기 쉽다. 또는, 서셉터(23)의 표면에도 데포가 퇴적되어 있어, 이것이 반도체 웨이퍼(W)의 이면(裏面)에 부착하고, 또한 반송 장치(15)(돌기부(15b))의 표면에 부착하는 것을 생각할 수 있다.
반송 장치(15), 특히 반송 아암(15a)의 돌기부(15b)에 이물질(데포)이 퇴적되면, 반송 중에 반도체 웨이퍼(W)가 미끄러져 떨어질 우려가 있다. 그래서, 이물질 제거 수단에 의해 반송 장치(15)에 퇴적된 데포를 제거할 필요가 있다.
다음으로, 도3 을 참조하여, 반송실(14) 및 이물질 제거 수단의 구성을 설명한다. 반송실(14)은, 천정에 빛을 투과하는 투광창(14a)과, 반송 장치(15)로부터 분리된 데포를 강제적으로 배출하는 흡인 장치(14b)를 갖고, 진공 펌프(16)에 의해 진공 상태로 유지되어 있다.
이물질 제거 수단은, 반송 장치(15)에 퇴적된 데포를 제거하기 위한 것으로 서, 이 실시 형태에 있어서는, 반송 장치(15)에 빛을 조사하는 광조사부(41)를 포함한다. 광조사부(41)는, 반송실(14)의 외측으로부터 투광창(14a)을 통하여 반송 장치(15)의 돌기부(15b)를 내려다보는 위치(연직 상방)에 배치되고, 광선이 돌기부(15b) 상에서 수렴하도록 초점 위치가 조정되어 있다.
그리고, 광조사부(41)는, 반송 장치(15)가 반송실(14)의 소정 위치에 왔을 때에, 돌기부(15b)를 향하여 빛을 조사한다. 이 광열에너지에 의해 돌기부(15b)에 퇴적된 고상(데포)을 분해할 수 있다.
상기 구성으로 하면, 반송실(14)의 내부를 진공 상태로 유지한 채로, 그리고 반송 장치(15)가 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고 있지 않을 때에 돌기부(15b)에 퇴적된 데포를 제거할 수 있기 때문에, 처리실(21)의 스루풋의 저하를 방지한 기판 처리 장치(11)를 얻을 수 있다. 또한, 전용의 세정부를 형성하는 일 없이 데포의 제거를 할 수 있기 때문에, 장치 면적이 증대되지 않는다. 또한, 반송실(14)의 내부를 진공 상태로 유지한 상태에서 처리를 행하기 때문에, 광조사부(41)로부터 조사되는 빛이 기체 분자 등에 흡수되는 일이 없다. 그 결과, 세정 처리의 효율이 향상된다. 또한, 상기의 처리는, 반송 장치(15)가 처리실(21)에 반도체 웨이퍼(W)를 반입할 때마다 행할 필요는 없고, 소정 횟수(예를 들면 1000회)에 1회 정도 행하면 좋다.
또한, 데포의 제거를 행할 때에, 반송실(14)을 진공 상태로 해도 좋지만, 오존 가스 공급 수단으로부터 반송실(14)의 내부에 오존 가스를 공급해도 좋다. 구체적으로는, 반송실(14)의 내부에 오존 가스를 충전해도 좋고, 후술하는 노즐(43) 로부터 돌기부(15b)에 오존 가스를 분사해도 좋다. 이 경우, 광열에너지에 의해 데포의 연쇄(chain)가 분해되어, 오존 가스와의 반응에 의해 CF4나 CO2 등이 생성된다.
돌기부(15b)로부터 분리된 데포는, 기상으로서 반송실(14)의 분위기 중을 떠돌아다닌다. 그래서, 반송 장치(15)가 소정 위치에 왔을 때에 돌기부(15b)의 근방에 위치하도록 흡인 장치(14b)를 배치해 두고, 돌기부(15b)로부터 분리된 기상 상태의 이물질을 강제적으로 배출하도록 하면 좋다. 이에 따라, 반송실(14)의 분위기 중에 떠돌아다니는 기상 상태의 이물질이 반도체 웨이퍼(W)에 재부착하는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
또한, 흡인 장치(14b)는 본 발명의 필수 구성 요소가 아니고, 생략할 수 있다. 이 경우, 돌기부(15b)로부터 분리된 기상 상태의 이물질은, 진공 펌프(16)에 의해 반송실(14)로부터 배출된다.
또한, 적어도 돌기부(15b)의 표면을 산화 티탄(TiO2)막으로 덮어 두어도 좋다. 산화 티탄은 광촉매로서 기능하기 때문에, 데포의 돌기부(15b)로부터의 분리를 촉진할 수 있다.
또한, 반송 장치(15)의 데포를 제거하는 처리(수십초간)는, 처리실(21)에서 반도체 웨이퍼(W)에 처리를 행하고 있는 동안(수분간)에 행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 기판 처리 장치(11)의 스루풋의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기의 실시 형태에 있어서는, 반송 아암(15a)의 돌기부(15b)에 선택 적으로 빛을 조사한 예를 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 반송 아암(15a) 전체에 빛을 조사해도 좋다. 단, 반도체 웨이퍼(W)에 직접 접촉하는 것은 돌기부(15b)만이기 때문에, 돌기부(15b)에 퇴적된 데포만을 제거하면, 반도체 웨이퍼(W)의 탈락 등을 방지할 수 있다. 또한, 돌기부(15b)의 표면 전체일 필요도 없고, 적어도 돌기부(15b)의 정상(頂上)을 중심으로 하는 반경 수십 ㎛의 범위에서 이물질을 제거하면, 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기의 실시 형태에 있어서의 광조사부(41)는, 돌기부(15b) 상에 초점 위치를 조정한 집광 램프의 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 지향성이 높은 레이저광을 조사하는 레이저 장치여도 좋다. 또한, 광조사부(41)로부터 조사되는 「빛」은, 가시광선이나 자외선(UV) 등을 포함하는 전자파(電磁波)로서 넓게 해석된다. 나아가서는, 광조사부(41)로부터 조사되는 빛은 1종류에 한하지 않고, 복수 종류의 빛을 선택적으로 조합하여 (예를 들면, 레이저광과 자외선의 조합) 조사할 수 있다.
또한, 광조사부(41)는 1개소여도 좋고, 복수의 돌기부(15b) 각각에 대응시켜 복수 개소(본 실시 형태에서는 3개소)에 형성해도 좋다. 광조사부(41)를 1개소에만 형성하는 경우, 반송 장치(15)가 이동하여, 복수의 돌기부(15b)를 순서대로 광조사부(41)의 초점 위치에서 정지시킨다. 한편, 광조사부(41)를 복수 개소(3개소)에 형성하는 경우, 반송 장치(15)가 대기 위치에서 정지했을 때의 돌기부(15b)의 위치에 미리 초점 위치를 조정해 두면 좋다.
또한, 상기의 실시 형태에 있어서는, 투광창(14a)을 돌기부(15b)의 연직 상 방에 형성한 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 임의의 위치에 형성할 수 있다. 예를 들면, 종래의 기판 처리 장치(11)에 형성되어 있는 들여다보는 창을 투광창(14a)으로 해도 좋다. 이 경우, 광조사부(41)로부터 돌기부(15b)를 향하여 비스듬히 빛을 조사하면 좋다.
또한, 광조사부(41)는, 반송실(14)의 외측에 배치하는 것이 바람직하다. 광조사부(41)를 반송실(14)의 내부에 배치하면, 돌기부(15b)로부터 분리한 데포가 광조사부(41)에 부착할 우려가 있기 때문이다.
다음에, 도4 를 참조하여, 이물질 제거 수단의 다른 실시 형태를 설명한다. 또한, 도3 과 공통되는 구성 요소에는 동일한 참조 번호를 붙여, 설명은 생략한다. 이 실시 형태에 있어서의 이물질 제거 수단은, 오존 가스를 발생시키는 오존 가스 발생부(42)와, 발생한 오존 가스를 돌기부(15b)에 선택적으로 분사하는 오존 가스 분사부로서의 노즐(43)을 포함한다. 이러한 구성으로서도, 돌기부(15b)에 퇴적된 데포를 제거할 수 있다.
또한, 노즐(43)로부터 분사되는 오존 가스는, 플라즈마에 의해 여기되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 데포의 제거 효율이 향상된다. 또한, 도3 및 도4 에 나타낸 실시 형태를 조합하여 이용함으로써, 데포의 제거 효율이 더욱 향상된다.
또한, 상기의 실시 형태에 있어서는, 오존 가스를 돌기부(15b)에 선택적으로 분사한 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 반송실(14)의 분위기 중에 오존 가스를 충전해도 좋다. 이 경우의 오존 가스의 생성 방법은 특별히 한정되지 않지 만, 예를 들면, 산소 등의 가스를 반송실(14)에 도입하여, 이 가스에 자외선을 조사함으로써 오존 가스를 생성해도 좋고, 반송실(14)의 외부에 형성된 오조나이저(ozonizer)에 의해 생성해도 좋다.
또한, 상기의 각 실시 형태에 있어서의 이물질 처리 수단은, CFx 화합물의 제거에 유효하다. 그러나, CFx 화합물에 한하지 않고, 다른 유기 화합물의 제거에도 이용할 수 있다는 것은 말할 필요도 없다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은, 도시한 실시 형태의 것에 한정되지 않는다. 도시한 실시 형태에 대하여, 본 발명과 동일한 범위 내에 있어서, 혹은 균등한 범위 내에 있어서, 여러 가지의 수정이나 변형을 가하는 것이 가능하다.
본 발명은, 기판 처리 장치에 유리하게 이용된다.
도1 은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도2 는 처리실의 내부 구조를 나타내는 도면이다.
도3 은 반송실 및 이물질 제거 수단의 구성을 나타내는 도면이다.
도4 는 도3 의 다른 실시 형태를 나타내는 도면이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
11 : 기판 처리 장치
12a, 12b : 로드락(load lock)실
13 : 로더부
13a, 13b : 웨이퍼 카세트
13c : 아암
14 : 반송실
14a : 투광창
14b : 흡인 장치
15 : 반송 장치
15a : 반송 아암
15b : 돌기부
16 : 진공 펌프
22 : 처리 용기
22a : 개구부
22b : 시일재(seal material)
23 : 서셉터(susceptor)
23a : 교류 전원
24 : 가스 도입부
25 : 유전체
28 : 마이크로파 공급 장치
29 : 마이크로파 발생원
30 : 부하(負荷) 정합기
31 : 동축 도파관
31a : 내측도체
31b : 외관
32 : 지파판(wavelength-shortening plate)
33 : 안테나 커버
34 : 슬롯 안테나
34a : 슬롯
36, 37 : 배기관
38 : 배기 장치
41 : 광조사부
42 : 오존 가스 발생부
43 : 노즐

Claims (11)

  1. 피처리 기판에 처리를 행하는 적어도 1개의 처리실과,
    상기 처리실에 인접하는 반송실과,
    상기 반송실의 내부를 감압하는 감압 수단과,
    상기 반송실 및 상기 처리실의 사이에서 피처리 기판을 반송하며, 그 상면에 피처리 기판을 지지하는 복수의 돌기부를 갖는 반송 장치와,
    적어도 상기 복수의 돌기부에 부착한 이물질을 상기 반송실 내에서 선택적으로 제거하는 이물질 제거 수단
    을 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이물질 제거 수단은, 상기 반송 장치에 빛을 조사하는 광조사부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이물질 제거 수단은, 상기 반송실의 내부에서 오존 가스를 이용하여 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이물질 제거 수단은, 상기 반송실의 내부에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 수단을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 이물질 제거 수단은, 상기 반송 장치에 오존 가스를 분사하는 오존 가스 분사부를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이물질 제거 수단은, 상기 반송 장치에 오존 가스를 분사하는 오존 가스 분사부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 장치의 표면은, 산화 티탄막으로 덮여져 있는 기판 처리 장치.
  8. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송실은, 빛을 투과하는 투광창을 갖고,
    상기 광조사부는, 상기 반송실의 바깥으로부터 상기 투광창을 통하여 상기 반송 장치에 빛을 조사하는 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송실에는, 상기 반송 장치로부터 분리된 이물질을 강제적으로 배출하는 흡인 수단이 형성되어 있는 기판 처리 장치.
  11. 피처리 기판에 처리를 행하는 적어도 1개의 처리실과,
    상기 처리실에 인접하는 반송실과,
    상기 반송실의 내부를 감압하는 감압 수단과,
    상기 반송실에 인접하는 로드락(load lock)실과,
    상기 반송실 내에 배치되어, 감압 분위기하에서 상기 처리실과 상기 로드락실에 피처리 기판을 반송하는 제1 반송 장치와,
    피처리 기판을 수납하는 카세트 및, 상기 로드락실과 상기 카세트 사이에서 피처리 기판을 반송하는 제2 반송 장치를 가지며, 상기 로드락실에 인접하는 로더부와,
    상기 제1 반송 장치에 부착한 이물질을 상기 반송실 내에서 제거하는 이물질 제거 수단
    을 구비하는 기판 처리 장치.
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