KR870002747A - 프라자마 처리장치 - Google Patents

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KR870002747A
KR870002747A KR1019860006615A KR860006615A KR870002747A KR 870002747 A KR870002747 A KR 870002747A KR 1019860006615 A KR1019860006615 A KR 1019860006615A KR 860006615 A KR860006615 A KR 860006615A KR 870002747 A KR870002747 A KR 870002747A
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KR
South Korea
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processing apparatus
plasma
processing
wafer
light source
Prior art date
Application number
KR1019860006615A
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English (en)
Inventor
다게요시 오오사가야
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

프라자마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예인 포토 레지스트 제거장치의 중요부를 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 반응용기 내에 위치되는 피처리물에 공급되는 처리유체를 프라즈마화하는 것에 의해서, 처리를 촉진시키는 프라즈마 처리장치로서, 상기 처리유체와 피처리물에 광여기를 행하는 광선속을 조사하는 광원부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 프라즈마 처리장치.
  2. 상기 처리유체의 프라즈마화가 마이크로파 에너지에 의해서 행하여지고, 상기 광원부가 그 마이크로파 에너지에 의해서, 자외선을 방사하는 무전극 방전관인 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제1항 기제의 프라즈마 처리 장치.
  3. 상기 처리유체와 상기 피처리물이 각각 산소까스와 웨이퍼이며, 상기 처리장치가 포토 레지스트 제거 장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 기제의 프라즈마 처리장치.
  4. 상기 처리유체와 상기 피처리물이 각각 O2, CF4, CCl4동의 반응까스와 웨이퍼이며, 상기 처리장치가 프라즈마 에칭장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 기재의 프라즈마 처리장치.
  5. 상기 처리유체와 상기 피처리물이, 각각 CVD반응 까스와 웨이퍼이며, 상기 처리장치가 프라즈마 CVD 장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항 기재의 프라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860006615A 1985-08-23 1986-08-12 프라자마 처리장치 KR870002747A (ko)

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JP60-184146 1985-08-23
JP60184146A JPS6245122A (ja) 1985-08-23 1985-08-23 処理装置

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EP0212924A2 (en) 1987-03-04
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