JPS6396924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6396924A JPS6396924A JP24344386A JP24344386A JPS6396924A JP S6396924 A JPS6396924 A JP S6396924A JP 24344386 A JP24344386 A JP 24344386A JP 24344386 A JP24344386 A JP 24344386A JP S6396924 A JPS6396924 A JP S6396924A
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- JP
- Japan
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- gas
- etching
- chamber
- plasma
- light
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微細パターンを低損傷で半導体を加工する半導
体装置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関する。
従来の技術
従来の元エツチングは光源として水銀灯の光を用いるも
のやレーザーを用いる方法があった(参考文献;キヨシ
オザワ、ドライプロセスシンポジウA (Kiyos
hi Ozawa、DRY PROCKSSSYMPO
8IUM ) 30 (1985) )。
のやレーザーを用いる方法があった(参考文献;キヨシ
オザワ、ドライプロセスシンポジウA (Kiyos
hi Ozawa、DRY PROCKSSSYMPO
8IUM ) 30 (1985) )。
発明が解決しようとする問題点
従来の元エツチングでは光源から発せられた光がエツチ
ングガスに充分吸収されていなかった。
ングガスに充分吸収されていなかった。
例えば水銀灯を用いる場合、光は水銀による励起光であ
りそのスペクトルは必ずしもエツチングガスの励起エネ
ルギーと一致しないため、ガスへの光吸収は効率が良く
ない。レーザーを用いる場合もこのことは同様である。
りそのスペクトルは必ずしもエツチングガスの励起エネ
ルギーと一致しないため、ガスへの光吸収は効率が良く
ない。レーザーを用いる場合もこのことは同様である。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明では光源にプラズマ
発生源をおき、このプラズマより発せられる光によシエ
ッチングガスを励起し光励起エツチングを行なうもので
ある。このプラズマにエツチングガスと同種あるいは同
系統のガスを用いると、プラズマ光はエツチングガスに
効率的に吸収され励起される。この励起されたエツチン
グガスによシ半導体装置をエツチングする。
発生源をおき、このプラズマより発せられる光によシエ
ッチングガスを励起し光励起エツチングを行なうもので
ある。このプラズマにエツチングガスと同種あるいは同
系統のガスを用いると、プラズマ光はエツチングガスに
効率的に吸収され励起される。この励起されたエツチン
グガスによシ半導体装置をエツチングする。
作用
光源にプラズマ光を用いることによりエツチングガスに
元エネルギーが有効に吸収される。またその際にプラズ
マ光に含まれる紫外光による照射損傷は窓材を適当に選
ぶことにより防げる。
元エネルギーが有効に吸収される。またその際にプラズ
マ光に含まれる紫外光による照射損傷は窓材を適当に選
ぶことにより防げる。
実施例
図に本発明の一実施例方法に用いるエツチング装置の例
を示す。この実施例ではプラズマをマイクロ波励起によ
って発生させ、その発光によりエツチングガスを励起す
るものである。マグネトロン1で発生したマイクロ波は
導波管2を通って反応室6に導かれる。プラズマ発光用
ガス(例えばCl2)はガス導入口3から反応室5に導
かれる。
を示す。この実施例ではプラズマをマイクロ波励起によ
って発生させ、その発光によりエツチングガスを励起す
るものである。マグネトロン1で発生したマイクロ波は
導波管2を通って反応室6に導かれる。プラズマ発光用
ガス(例えばCl2)はガス導入口3から反応室5に導
かれる。
反応室ではマイクロ波によりプラズマがおこる。
反応室5は真空ポンプ7により低圧力が保たれている。
ガス導入口8よシ入ったガス(例えばCl2)はエツチ
ングチャンバ1oに入る。チャンバ内にはステージ13
の上にエツチングすべきSi ウェハ12が置かれチ
ャンバ内圧力は真空ポンプ11により保たれている。反
応室6でおこったプラズマ光は、石英窓9全通してエツ
チングチャンバ10に入射する。マイクロ波がエツチン
グチャンバに漏れることを防ぐため金属網4がおかれて
いる。エツチングチャンバに導入されたエツチングガス
はプラズマ光により励起されSiウェハ12をエツチン
グする。
ングチャンバ1oに入る。チャンバ内にはステージ13
の上にエツチングすべきSi ウェハ12が置かれチ
ャンバ内圧力は真空ポンプ11により保たれている。反
応室6でおこったプラズマ光は、石英窓9全通してエツ
チングチャンバ10に入射する。マイクロ波がエツチン
グチャンバに漏れることを防ぐため金属網4がおかれて
いる。エツチングチャンバに導入されたエツチングガス
はプラズマ光により励起されSiウェハ12をエツチン
グする。
発明の効果
以上のように本発明によれば、無損傷のエツチングが高
効率で行えるため、高集積回路のパターン形成を必要と
するエツチング工程に寄与する。
効率で行えるため、高集積回路のパターン形成を必要と
するエツチング工程に寄与する。
図は本発明の一実施例方法に用いるエツチング装置の一
例を示す概略構成図である。 1・・・・・・マグネトロン、2・・・・・・導波管、
3・・・・・・ガス導入口、4・・・・・・金属網、5
・・・・・・(プラズマ)反応室、6・・・・・・マイ
クロ波出口、7・・・・・・真空ポンプ、8・・・・・
・ガス導入口、9・・・・・・石英窓、1o・・・・・
・エツチングチャンバ、11・・・・・・真空ポンプ、
12・・・・・・Si r)エバ、13・・・・・・ス
テージ。
例を示す概略構成図である。 1・・・・・・マグネトロン、2・・・・・・導波管、
3・・・・・・ガス導入口、4・・・・・・金属網、5
・・・・・・(プラズマ)反応室、6・・・・・・マイ
クロ波出口、7・・・・・・真空ポンプ、8・・・・・
・ガス導入口、9・・・・・・石英窓、1o・・・・・
・エツチングチャンバ、11・・・・・・真空ポンプ、
12・・・・・・Si r)エバ、13・・・・・・ス
テージ。
Claims (1)
- エッチング用ガスと同種のガスを少なくとも1つ含むガ
スのプラズマからの発光によりエッチング装置内の前記
エッチング用ガスを励起し、前記エッチング装置内の試
料を励起された前記エッチング用ガスにてエッチングす
るようにした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24344386A JPS6396924A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24344386A JPS6396924A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6396924A true JPS6396924A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17103954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24344386A Pending JPS6396924A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6396924A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283745A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP24344386A patent/JPS6396924A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283745A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
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