JPH07283203A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPH07283203A JPH07283203A JP6073695A JP7369594A JPH07283203A JP H07283203 A JPH07283203 A JP H07283203A JP 6073695 A JP6073695 A JP 6073695A JP 7369594 A JP7369594 A JP 7369594A JP H07283203 A JPH07283203 A JP H07283203A
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- JP
- Japan
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- chamber
- excitation chamber
- excitation
- surface treatment
- plasma
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は反応性ガスをプラズマ状態にして
行う被処理物の処理速度を向上させることができるよう
にした表面処理装置を提供することにある。 【構成】 マイクロ波によって励起された反応性ガスに
よって被処理物１４の表面を処理する表面処理装置にお
いて、上記反応性ガスが供給される励起室２２と、この
励起室に上記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを
励起するマイクロ波発生源２７と、上記励起室に連設さ
れ内部に上記被処理物が設置される処理室１１と、上記
励起室と処理室とを隔別し上記励起室で反応性ガスを励
起することで発生したプラズマ中に含まれる上記被処理
物を表面処理するのに有効な成分だけを通過させるノズ
ル板２３とを具備したことを特徴とする。
行う被処理物の処理速度を向上させることができるよう
にした表面処理装置を提供することにある。 【構成】 マイクロ波によって励起された反応性ガスに
よって被処理物１４の表面を処理する表面処理装置にお
いて、上記反応性ガスが供給される励起室２２と、この
励起室に上記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを
励起するマイクロ波発生源２７と、上記励起室に連設さ
れ内部に上記被処理物が設置される処理室１１と、上記
励起室と処理室とを隔別し上記励起室で反応性ガスを励
起することで発生したプラズマ中に含まれる上記被処理
物を表面処理するのに有効な成分だけを通過させるノズ
ル板２３とを具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は反応性ガスを励起して
被処理物の表面処理を行う表面処理装置に関する。
被処理物の表面処理を行う表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、表面処理装置であるエッチン
グ装置は、反応性ガスをマイクロ波で励起してプラズマ
放電を発生させ、そのプラズマ中に含まれるラジカルに
よって被処理物の表面をエッチング加工するようになっ
ている。
グ装置は、反応性ガスをマイクロ波で励起してプラズマ
放電を発生させ、そのプラズマ中に含まれるラジカルに
よって被処理物の表面をエッチング加工するようになっ
ている。
【０００３】従来、そのようなエッチング装置は図３に
示すように構成されていた。すなわち、図中１は内部に
被処理物２が設置される処理室である。この処理室１の
上面には石英製の輸送管３の一端が接続されている。こ
の輸送管３の中途部には他の部分よりも大径な励起部４
が形成され、他端は図示しない反応性ガスの供給部５に
連通している。
示すように構成されていた。すなわち、図中１は内部に
被処理物２が設置される処理室である。この処理室１の
上面には石英製の輸送管３の一端が接続されている。こ
の輸送管３の中途部には他の部分よりも大径な励起部４
が形成され、他端は図示しない反応性ガスの供給部５に
連通している。
【０００４】上記励起部４の外周は導波管６によって包
囲されている。この導波管６にはマイクロ波の発生源７
が接続されている。この発生源７で発生したマイクロ波
は上記励起部４において反応性ガスを励起する。それに
よって、上記励起部４ではプラズマが発生し、そのプラ
ズマに含まれるラジカルやイオンは上記輸送管３を通じ
て処理室１に導入される。
囲されている。この導波管６にはマイクロ波の発生源７
が接続されている。この発生源７で発生したマイクロ波
は上記励起部４において反応性ガスを励起する。それに
よって、上記励起部４ではプラズマが発生し、そのプラ
ズマに含まれるラジカルやイオンは上記輸送管３を通じ
て処理室１に導入される。
【０００５】処理室１に導入されたラジカルやイオンは
ここに設置された上記被処理物２をエッチング加工する
ことになる。このような構成のエッチング装置において
は、上記励起部４で生じたプラズマが上記処理室１の被
処理物２にダメ−ジを与えるのを防止するため、上記輸
送管３に十分な長さを持たせるようにしている。
ここに設置された上記被処理物２をエッチング加工する
ことになる。このような構成のエッチング装置において
は、上記励起部４で生じたプラズマが上記処理室１の被
処理物２にダメ−ジを与えるのを防止するため、上記輸
送管３に十分な長さを持たせるようにしている。
【０００６】しかしながら、輸送管３を長くすると、励
起部４で発生したラジカルが処理室１に到達するまでに
時間が掛かるから、その活性状態が失われたり、輸送管
３の内面と反応して不活性の中性分子に変化してしまう
ことがある。その結果、被処理物２に対するエッチング
レ−トが大きく低下してしまうということがあり、とく
に液晶基板などのように大面積の被処理物をエッチング
する場合、エッチングレ−トの低下は生産性に大きな影
響を与えることになる。
起部４で発生したラジカルが処理室１に到達するまでに
時間が掛かるから、その活性状態が失われたり、輸送管
３の内面と反応して不活性の中性分子に変化してしまう
ことがある。その結果、被処理物２に対するエッチング
レ−トが大きく低下してしまうということがあり、とく
に液晶基板などのように大面積の被処理物をエッチング
する場合、エッチングレ−トの低下は生産性に大きな影
響を与えることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は励
起部で発生するプラズマが被処理物に悪影響を及ぼすの
を防止するために、上記励起部と処理室とを連通する輸
送管を長くしていたので、上記処理室に到達するラジカ
ルの活性状態が失われ、エッチングレ−トの低下を招く
ということがあった。
起部で発生するプラズマが被処理物に悪影響を及ぼすの
を防止するために、上記励起部と処理室とを連通する輸
送管を長くしていたので、上記処理室に到達するラジカ
ルの活性状態が失われ、エッチングレ−トの低下を招く
ということがあった。
【０００８】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、被処理物にプラズマの悪
影響を与えず、しかも被処理物に対する処理速度を低下
させることのない表面処理装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、被処理物にプラズマの悪
影響を与えず、しかも被処理物に対する処理速度を低下
させることのない表面処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、マイクロ波によって励起された反応性ガ
スによって被処理物の表面を処理する表面処理装置にお
いて、上記反応性ガスが供給される励起室と、この励起
室に上記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを励起
するマイクロ波発生手段と、上記励起室に連設され内部
に上記被処理物が設置される処理室と、上記励起室と処
理室とを隔別し上記励起室で反応性ガスを励起すること
で発生したプラズマ中に含まれる成分のうち、上記被処
理物を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規
制手段とを具備したことを特徴とする。
にこの発明は、マイクロ波によって励起された反応性ガ
スによって被処理物の表面を処理する表面処理装置にお
いて、上記反応性ガスが供給される励起室と、この励起
室に上記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを励起
するマイクロ波発生手段と、上記励起室に連設され内部
に上記被処理物が設置される処理室と、上記励起室と処
理室とを隔別し上記励起室で反応性ガスを励起すること
で発生したプラズマ中に含まれる成分のうち、上記被処
理物を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規
制手段とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】このような構成によれば、励起室と処理室とは
ノズル板を介して連設されているから、励起室で発生し
たラジカルは活性状態を失うことなく処理室に導入さ
れ、また励起室で発生したプラズマ中の被処理物にダメ
−ジを与える成分はノズル板によって除去される。
ノズル板を介して連設されているから、励起室で発生し
たラジカルは活性状態を失うことなく処理室に導入さ
れ、また励起室で発生したプラズマ中の被処理物にダメ
−ジを与える成分はノズル板によって除去される。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１と図２を参
照して説明する。図１は表面処理装置としてのエッチン
グ装置を示し、このエッチング装置は内部を処理室１１
とした下部本体１２を備えている。この下部本体１２は
上面に所定の大きさの開口１３が形成され、内部にはた
とえば液晶基板などの被処理物１４が載置される載置台
１５が設けられている。さらに、下部本体１２の周壁に
は周方向に均等に複数、この実施例では周方向に９０度
間隔４本の吸引管１６が接続され、各吸引管１６は排気
ポンプ１７に連通されている。
照して説明する。図１は表面処理装置としてのエッチン
グ装置を示し、このエッチング装置は内部を処理室１１
とした下部本体１２を備えている。この下部本体１２は
上面に所定の大きさの開口１３が形成され、内部にはた
とえば液晶基板などの被処理物１４が載置される載置台
１５が設けられている。さらに、下部本体１２の周壁に
は周方向に均等に複数、この実施例では周方向に９０度
間隔４本の吸引管１６が接続され、各吸引管１６は排気
ポンプ１７に連通されている。
【００１２】上記下部本体１２の上面には上部本体２１
が設置されている。この上部本体２１は中空柱状をなし
ていて、その中空部は励起室２２となっている。この励
起室２２の内径寸法Ｄは上記開口１３の内径寸法よりも
大きくなっている。この実施例では、上記内径寸法Ｄは
３００ｍｍ以上、好ましくは３００〜３５０ｍｍ程度に
設定されていて、高さ方向全長にわたって同一径となっ
ている。
が設置されている。この上部本体２１は中空柱状をなし
ていて、その中空部は励起室２２となっている。この励
起室２２の内径寸法Ｄは上記開口１３の内径寸法よりも
大きくなっている。この実施例では、上記内径寸法Ｄは
３００ｍｍ以上、好ましくは３００〜３５０ｍｍ程度に
設定されていて、高さ方向全長にわたって同一径となっ
ている。
【００１３】上記励起室２２の下端開口は、規制手段と
してのノズル板２３が設けられ、上端開口はマイクロ波
を透過させる材料、たとえば石英やアルミナなどからな
る窓部材２４によって閉塞されている。
してのノズル板２３が設けられ、上端開口はマイクロ波
を透過させる材料、たとえば石英やアルミナなどからな
る窓部材２４によって閉塞されている。
【００１４】つまり、上記ノズル板２３は、周辺部を上
記下部本体１２の上面の開口１３の外側の部分に係合さ
せて載置され、上記窓部材２４は、周縁部を上記上部本
体１２の上端面に形成された段部２５に気密に係合させ
て設けられている。上記ノズル板２３はアルマイト処理
を施したアルミニウムからなるとともに、直径が１〜２
ｍｍ程度の多数の小孔２６が穿設されている。さらに、
上記ノズル板２３はグランドＧにア−スされている。
記下部本体１２の上面の開口１３の外側の部分に係合さ
せて載置され、上記窓部材２４は、周縁部を上記上部本
体１２の上端面に形成された段部２５に気密に係合させ
て設けられている。上記ノズル板２３はアルマイト処理
を施したアルミニウムからなるとともに、直径が１〜２
ｍｍ程度の多数の小孔２６が穿設されている。さらに、
上記ノズル板２３はグランドＧにア−スされている。
【００１５】上記励起室２２には、マイクロ波電源２７
から発生したマイクロ波が導入される。つまり、マイク
ロ波電源２７にはアルミナ製の導波管２８の一端が接続
され、この導波管２８の他端は上記窓部材２４に接合さ
れた、この窓部材２４よりも大きな形状で、マイクロ波
が伝播し易いアルミニウムやステンレス（ＳＵＳ）など
の材料によって形成された拡散板２９に接続されてい
る。
から発生したマイクロ波が導入される。つまり、マイク
ロ波電源２７にはアルミナ製の導波管２８の一端が接続
され、この導波管２８の他端は上記窓部材２４に接合さ
れた、この窓部材２４よりも大きな形状で、マイクロ波
が伝播し易いアルミニウムやステンレス（ＳＵＳ）など
の材料によって形成された拡散板２９に接続されてい
る。
【００１６】したがって、上記マイクロ波電源２７から
出力されたマイクロ波は導波管２８を伝わり、拡散板２
９で拡散して窓部材２４の全体から励起室２２に入射す
るようになっている。
出力されたマイクロ波は導波管２８を伝わり、拡散板２
９で拡散して窓部材２４の全体から励起室２２に入射す
るようになっている。
【００１７】上記上部本体２１の周壁には、一端を上記
励起室２２に開口させた複数の導入口３１が周方向に等
間隔、たとえば９０度間隔で４つ形成されている。各導
入口３１の他端にはガス導入管３２の一端が接続されて
いる。各ガス導入管３２の他端は、上記被処理物１４を
エッチング加工する際に好適する反応性ガス、たとえば
ＣＦ4 、ＣＣｌ2 Ｆ2 などのガス供給源３３に接続され
ている。上記導入口３１は、上記窓部材２４の下面から
図１にＨで示す寸法だけ下方の箇所に形成されている。
この寸法Ｈは、２０ｍｍ以内であって、好ましくは１０
〜２０ｍｍがよい。
励起室２２に開口させた複数の導入口３１が周方向に等
間隔、たとえば９０度間隔で４つ形成されている。各導
入口３１の他端にはガス導入管３２の一端が接続されて
いる。各ガス導入管３２の他端は、上記被処理物１４を
エッチング加工する際に好適する反応性ガス、たとえば
ＣＦ4 、ＣＣｌ2 Ｆ2 などのガス供給源３３に接続され
ている。上記導入口３１は、上記窓部材２４の下面から
図１にＨで示す寸法だけ下方の箇所に形成されている。
この寸法Ｈは、２０ｍｍ以内であって、好ましくは１０
〜２０ｍｍがよい。
【００１８】なお、上記各吸引管１６とガス導入管３２
とは周方向において所定角度、たとえば４５度ずれて設
けられている。それによって、励起室２２に供給される
反応性ガスの供給位置と、処理室１１における吸引位置
とが一致せずにずれるから、励起室２２における反応性
ガスの分布状態や処理室におけるラジカルの分布状態の
均一化が計れれる。
とは周方向において所定角度、たとえば４５度ずれて設
けられている。それによって、励起室２２に供給される
反応性ガスの供給位置と、処理室１１における吸引位置
とが一致せずにずれるから、励起室２２における反応性
ガスの分布状態や処理室におけるラジカルの分布状態の
均一化が計れれる。
【００１９】上記構成のエッチング装置において、被処
理物１４をエッチング加工する場合について説明する。
排気ポンプ１７を作動させて処理室１１を減圧しながら
この処理室１１に連通する励起室２２に反応性ガスを供
給し、さらにマイクロ波発生源２７を作動させてマイク
ロ波を発生させる。
理物１４をエッチング加工する場合について説明する。
排気ポンプ１７を作動させて処理室１１を減圧しながら
この処理室１１に連通する励起室２２に反応性ガスを供
給し、さらにマイクロ波発生源２７を作動させてマイク
ロ波を発生させる。
【００２０】上記マイクロ波発生源２７で発生したマイ
クロ波は拡散板２９でその面積全体にわたって拡散さ
れ、窓部材２４を透過して励起室２２へ入射する。それ
によって、励起室２２において反応性ガスがマイクロ波
により励起されてプラズマ放電が発生する。プラズマ放
電が発生することで、そのプラズマ中に含まれる種々の
成分のうち、エッチング作用に有効であるラジカルはノ
ズル板２３の小孔２６を通過して処理室１１の被処理物
１４の表面をエッチングする。
クロ波は拡散板２９でその面積全体にわたって拡散さ
れ、窓部材２４を透過して励起室２２へ入射する。それ
によって、励起室２２において反応性ガスがマイクロ波
により励起されてプラズマ放電が発生する。プラズマ放
電が発生することで、そのプラズマ中に含まれる種々の
成分のうち、エッチング作用に有効であるラジカルはノ
ズル板２３の小孔２６を通過して処理室１１の被処理物
１４の表面をエッチングする。
【００２１】一方、プラズマ中に含まれ、エッチング加
工に悪影響を及ぼす成分、たとえばイオンは、上記ノズ
ル板２３が金属製でグランドＧにア−スされていること
により、このノズル板２３からグランドＧへ流れ、処理
室１１へ流入するのが阻止される。そのため、上記被処
理物１４をエッチング加工する際に、プラズマによりダ
メ−ジを受けることがない。
工に悪影響を及ぼす成分、たとえばイオンは、上記ノズ
ル板２３が金属製でグランドＧにア−スされていること
により、このノズル板２３からグランドＧへ流れ、処理
室１１へ流入するのが阻止される。そのため、上記被処
理物１４をエッチング加工する際に、プラズマによりダ
メ−ジを受けることがない。
【００２２】上記処理室１１はノズル板２３を介して励
起室２２と隣接しているから、励起室２２で発生したプ
ラズマ中の、とくにエッチングに有効な成分であるラジ
カルの輸送距離を短かくすることができる。そのため、
プラズマ中のラジカルは活性状態を失うことなく処理室
１１へ到達するから、エッチングレ−トの向上が計れ
る。
起室２２と隣接しているから、励起室２２で発生したプ
ラズマ中の、とくにエッチングに有効な成分であるラジ
カルの輸送距離を短かくすることができる。そのため、
プラズマ中のラジカルは活性状態を失うことなく処理室
１１へ到達するから、エッチングレ−トの向上が計れ
る。
【００２３】すなわち、処理室１１と励起室２２とを上
下方向に隣接させることで、ラジカルの輸送距離を短く
してエッチングレ−トを向上させても、上記励起室２２
で発生するプラズマによって被処理物１４がダメ−ジを
受けるのを、ノズル板２３で阻止することができる。
下方向に隣接させることで、ラジカルの輸送距離を短く
してエッチングレ−トを向上させても、上記励起室２２
で発生するプラズマによって被処理物１４がダメ−ジを
受けるのを、ノズル板２３で阻止することができる。
【００２４】上記励起室２２には、周方向に等間隔で複
数のガス導入管３２が接続さているから、その内部には
反応性ガスが均一に供給される。それによって、励起室
２２内におけるプラズマ状態も均一となる。また、処理
室１１の周壁には複数の吸引管１６が周方向に等間隔で
接続されているから、処理室１１内で発生する吸引力も
均一となる。
数のガス導入管３２が接続さているから、その内部には
反応性ガスが均一に供給される。それによって、励起室
２２内におけるプラズマ状態も均一となる。また、処理
室１１の周壁には複数の吸引管１６が周方向に等間隔で
接続されているから、処理室１１内で発生する吸引力も
均一となる。
【００２５】これらのことによって、励起室２２で発生
したプラズマ中のラジカルは、処理室１１内に均一に流
入するから、この処理室１１に設置された被処理物１４
に対してエッチングも均一に行われることになる。
したプラズマ中のラジカルは、処理室１１内に均一に流
入するから、この処理室１１に設置された被処理物１４
に対してエッチングも均一に行われることになる。
【００２６】さらに、励起室２２を３００ｍｍ以上の大
口径とし、さらに導入口３１を窓部材２４の下面側から
２０ｍｍ以内に接続したことで、反応ガスが効率よくマ
イクロ波のエネルギを吸収してプラズマを安定した状態
で発生させることができる。そのため、このことによっ
てもエッチングレ−トを向上させることができる。
口径とし、さらに導入口３１を窓部材２４の下面側から
２０ｍｍ以内に接続したことで、反応ガスが効率よくマ
イクロ波のエネルギを吸収してプラズマを安定した状態
で発生させることができる。そのため、このことによっ
てもエッチングレ−トを向上させることができる。
【００２７】図３に示す従来構造のエッチング装置と、
この発明の装置とでエッチングレ−トの差を実験により
比較した。被処理物１４の材料はＭｏ−Ｔａ、反応性ガ
スとしてはＣＦ4 ／Ｏ2 ＝400 ／600 、マイクロ波発生
源２７に印加する電力は600Ｗ、被処理物１４の温度は
３０℃とした。
この発明の装置とでエッチングレ−トの差を実験により
比較した。被処理物１４の材料はＭｏ−Ｔａ、反応性ガ
スとしてはＣＦ4 ／Ｏ2 ＝400 ／600 、マイクロ波発生
源２７に印加する電力は600Ｗ、被処理物１４の温度は
３０℃とした。
【００２８】その場合、従来構造のエッチング装置では
エッチングレ−トが250 オングストロ−ム／min であっ
たが、この発明の装置では550 オングストロ−ム／min
に向上することが確認された。
エッチングレ−トが250 オングストロ−ム／min であっ
たが、この発明の装置では550 オングストロ−ム／min
に向上することが確認された。
【００２９】なお、この発明は上記一実施例に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、この発明の装置の
用途はエッチング加工だけでなく、ＣＶＤやアッシング
などにも適用することができ、要はプラズマプロセスで
あればよい。
ず、種々変形可能である。たとえば、この発明の装置の
用途はエッチング加工だけでなく、ＣＶＤやアッシング
などにも適用することができ、要はプラズマプロセスで
あればよい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、反応性ガ
スを励起してプラズマ状態とする励起室と、被処理物が
設置される処理室とを連設し、上記処理室と励起室と
を、上記処理室で発生したプラズマ中の、上記被処理物
を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規制手
段によって隔別するようにした。
スを励起してプラズマ状態とする励起室と、被処理物が
設置される処理室とを連設し、上記処理室と励起室と
を、上記処理室で発生したプラズマ中の、上記被処理物
を表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規制手
段によって隔別するようにした。
【００３１】そのため、上記有効成分の輸送距離を短く
し被処理物に対して効率よく作用させることができるば
かりか、上記規制手段によって被処理物にダメ−ジを与
える成分が上記処理室へ入り込むのを阻止できるから、
これらのことにより、プラズマプロセスにおける処理速
度や処理性能の向上を計ることができる。
し被処理物に対して効率よく作用させることができるば
かりか、上記規制手段によって被処理物にダメ−ジを与
える成分が上記処理室へ入り込むのを阻止できるから、
これらのことにより、プラズマプロセスにおける処理速
度や処理性能の向上を計ることができる。
【図１】この発明の一実施例の全体構成図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】従来の装置の構成図。
１１…処理室、 １４…被処理物、 １６
…吸引管、１７…吸引ポンプ、 ２２…励起室、
２３…ノズル板、２４…窓部材、 ２７…マ
イクロ波発生源、 ２８…導波管、３３…ガス供給源。
…吸引管、１７…吸引ポンプ、 ２２…励起室、
２３…ノズル板、２４…窓部材、 ２７…マ
イクロ波発生源、 ２８…導波管、３３…ガス供給源。
Claims (6)
- 【請求項１】 マイクロ波によって励起された反応性ガ
スによって被処理物の表面を処理する表面処理装置にお
いて、 上記反応性ガスが供給される励起室と、この励起室に上
記マイクロ波を入射させて上記反応性ガスを励起するマ
イクロ波発生手段と、上記励起室に連設され内部に上記
被処理物が設置される処理室と、上記励起室と処理室と
を隔別し上記励起室で反応性ガスを励起することで発生
したプラズマ中に含まれる成分のうち、上記被処理物を
表面処理するのに有効な成分だけを通過させる規制手段
とを具備したことを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２】 上記励起室は、内径寸法が高さ方向の一
端から他端の全長にわたって同じに設定されていて、そ
の一端面は上記マイクロ波を導入する窓部材によって閉
塞され、他端面には上記規制手段が設けられていること
を特徴とする請求項１記載の表面処理装置。 - 【請求項３】 上記規制手段は、小孔が形成された仕切
板であることを特徴とする請求項１記載の表面処理装
置。 - 【請求項４】 上記励起室の内径寸法は３００ｍｍ以上
で、この励起室には上記窓部材から２０ｍｍ以内の箇所
に上記反応性ガスを導入する導入口が形成されていると
を特徴とする請求項２記載の表面処理装置。 - 【請求項５】 上記導入口は、上記励起室の周方向に所
定の間隔で複数設けられていることを特徴とする請求項
４記載の表面処理装置。 - 【請求項６】 上記処理室には、周方向に所定の間隔で
複数の吸引管が接続されていることを特徴とする請求項
１記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073695A JPH07283203A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073695A JPH07283203A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283203A true JPH07283203A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13525617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6073695A Pending JPH07283203A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076483A (en) * | 1997-03-27 | 2000-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus using a partition panel |
| US6167835B1 (en) | 1997-03-27 | 2001-01-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two chamber plasma processing apparatus |
| WO2003054949A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de substrats et dispositif de traitement de substrats |
| JP2008277773A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | ガス流拡散器 |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP6073695A patent/JPH07283203A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6076483A (en) * | 1997-03-27 | 2000-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus using a partition panel |
| US6167835B1 (en) | 1997-03-27 | 2001-01-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two chamber plasma processing apparatus |
| WO2003054949A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de substrats et dispositif de traitement de substrats |
| US7329609B2 (en) | 2001-12-13 | 2008-02-12 | Tadahiro Ohmi | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2008277773A (ja) * | 2007-03-21 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | ガス流拡散器 |
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