JPS6243751A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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Publication number
JPS6243751A
JPS6243751A JP60183319A JP18331985A JPS6243751A JP S6243751 A JPS6243751 A JP S6243751A JP 60183319 A JP60183319 A JP 60183319A JP 18331985 A JP18331985 A JP 18331985A JP S6243751 A JPS6243751 A JP S6243751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
error
signal
register
corrected
address signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60183319A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Nagahashi
長橋 靖彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6243751A publication Critical patent/JPS6243751A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体記憶装置に閃し、特に誤り訂正回路を有
する半導体記憶装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体記憶装置の集積度の高密度化にとらない、信頼度
向上対策として、誤り訂正回路を内蔵する提案が種種な
されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体記憶装置は、微細加工技術の進歩
とともに、セル領域が小さくなり、その蓄積部の静電谷
間も小さくなり、ケース等に大まれるアルファ線による
ソフト エラーが、近年問題とされてきている、 従−)て、従来の誤り=1正回路を有する半導体記憶装
置においては、訂正された誤りがソフ)〜 エラーて゛
あるか、磨耗等に3上るハード エラーかの141定か
て゛きないというx点がJ)る。
本発明の目的は、データ誤りがソフト 1ラーて′1ン
)るかハード・エラーであるかの判定が可能な°P導体
集積装置を提供することにある4、i片1題点を解決す
るための手段] 本発明は、行及び列状に配置された複数個のメモリセル
でル3成されるメモリセルアレイと、行選択アドレス(
(C号及び列選択アドレス信号により指定される前記メ
モリセルを前記メモリセルアレイから還釈する11及び
列のメモリセル選択回路と、前記行選択アトI/ス信号
によって選択された行に対Vる複数個の前記メモリセル
が保持するデータに誤りがないとき出力可能信号を出力
し誤りがあるとき誤りを訂正する誤り訂正f口1路とを
備lる゛V導体記憶装置において、前記誤り≦T jE
囲路が誤り訂正をを行−)なとき誤りデータを保持する
前記メモリセルに対する前記行選択アドレス信号及び列
μ択アドレス信号を保持する被−F正アトしスレジスタ
と、前記行選択アドレス信号及び列選択アドレス信号と
前記被訂正アドレスレジスタの内容とを比較し比較結果
が一致したとき一致信すを出力する比較器と、該比?!
2器からの前記一致で3りを記憶する比較結果L・ジス
タとを音んて′構成される、′J実施f@] 次に、本発明の実施例につり・て図面を参(療して説明
する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図でン)る9第1
図において、行選択7”ドレス信号A Xが行選択アド
レスバッファ20/\入力され、行選択アドレスバッフ
ァ20の出力が行選択デコーダ21へ人力される0行選
択デコーダ21の出力信号が、行及び列に配列された複
数個のメモリセルからなるメモリセルアレイ10へ印加
される。
行選択アドレス信号AXにより選択された行に接続され
たメモリセルからのデータは、センス増幅器40により
増幅され、データレジスタ41に格納される。これらの
格納されたデータが誤り訂正回路50へ入力される。誤
り訂正回路50は供給されるデータに誤りが有るか無い
かを判定し、誤りが無ければデータレジスタ41に出力
可能信号を出力し、もし誤りが有ればその訂正位置をデ
ータレジスタ41に指示して、対応するビットを訂正す
る。
列選択アドレス信号AYが列選択アドレスバッファ30
へ入力され、列選択アドレスバッファ30の出力が列選
択デコーダ31へ入力される6列選択デコーダ31の出
力はマルチプレクサ42へ入力され、選択された列に対
応するデータがマルチプレクサ42を経田して、出力デ
ータバッファ43へ伝達され、出力データバッファ43
が出力端子Dou7へデータを出力する。
この場合、誤り訂正回路50が初めて誤りを検出したと
きは、その誤りデータに対応する行選択アドレス信号A
X及び列選択アドレス信号AYをそれぞれ行選択アドレ
スバッファ20及び列選択アドレスバッファ30から、
被訂正アドレスレジスタ60へ転送・保持する。
被訂正アドレスレジスタ60に保持し、それ以降のアク
セス時には、被訂正アドレスレジスタ60の内容と行選
択アドレス信号AX及び列A択アドレス信号AYとを比
較器70で比較し、その比較結果が一致したとき一致信
号を比較結果レジスタ71に供給する。比較結果レジス
タ71は一致信号を格納する。また、比較結果が一致せ
ず、誤り訂正がなされなば合は、行選択アドレス信号A
X及び°列選択アドレス信号AYを被訂正アドレスレジ
スタ60へ転送指示する9 次に、本発明の他の実施例では、比較結果レジスタ71
は一致信号を受領し、誤り訂正が再度なされたとき、比
較結果レジスタ71をセ・ソトし、そのセット後は、被
訂正アドレスレジスタ60の内容の書替えを禁止する。
〔発明の効果〕
以ト説明したように本発明の半導体記憶装置は、被訂正
アドレスレジスタと、比較器と、比較結果しジスタとを
追加して、誤り訂正を行ったデータを保持するメモリセ
ルに対する行選択アドレス信号と列選択アドレス信号と
を保持し、その保持した内容と対応するメモリセルに対
する行選択アドレス信号及び列選択アドレス信号とを比
較することにより、メモリセルに格納されたデータの誤
りが繰返し発生するか否かを判断できるので、誤りの原
因がソフト エラーかハード・エラーかを判定できると
いう効果がある。
N而の簡単な説明 第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
10・・・メモリセルアレイ、20・・・行選択アドレ
スバッファ、21・・・行選択アドレスデコーダ、30
・・・列選択アドレスバッファ、31・・・列選択アド
レスデコーダ、40・・・センス増幅器、41・・デー
タしジスタ、42・・・マルチプレクサ、43・・・出
力データバッファ、50・・・誤り訂正回路、60・・
・被訂正アドレスレジスタ、70・・・比較器、71・
・・比較結果レジスタ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)行及び列状に配置された複数個のメモリセルで形
    成されるメモリセルアレイと、行選択アドレス信号及び
    列選択アドレス信号により指定される前記メモリセルを
    前記メモリセルアレイから選択する行及び列のメモリセ
    ル選択回路と、前記行選択アドレス信号によって選択さ
    れた行に対する複数個の前記メモリセルが保持するデー
    タに誤りがないとき出力可能信号を出力し誤りがあると
    き誤りを訂正する誤り訂正回路とを備える半導体記憶装
    置において、前記誤り訂正回路が誤り訂正をを行つたと
    き誤りデータを保持する前記メモリセルに対する前記行
    選択アドレス信号及び列選択アドレス信号を保持する被
    訂正アドレスレジスタと前記行選択アドレス信号及び列
    選択アドレス信号と前記被訂正アドレスレジスタの内容
    とを比較し比較結果が一致したとき一致信号を出力する
    比較器と、該比較器からの前記一致信号を記憶する比較
    結果レジスタとを含むことを特徴とする半導体記憶装置
  2. (2)比較結果レジスタが一致信号を記憶した時間以降
    は被訂正アドレスレジスタの内容の書替えを禁止する特
    許請求の範囲第(1)項記載の半導体記憶装置。
JP60183319A 1985-08-20 1985-08-20 半導体記憶装置 Pending JPS6243751A (ja)

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JP60183319A JPS6243751A (ja) 1985-08-20 1985-08-20 半導体記憶装置

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JP60183319A JPS6243751A (ja) 1985-08-20 1985-08-20 半導体記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6243751A true JPS6243751A (ja) 1987-02-25

Family

ID=16133619

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60183319A Pending JPS6243751A (ja) 1985-08-20 1985-08-20 半導体記憶装置

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JP (1) JPS6243751A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06209154A (ja) * 1993-12-21 1994-07-26 Seikosha Co Ltd ポッティング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06209154A (ja) * 1993-12-21 1994-07-26 Seikosha Co Ltd ポッティング装置

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