JPS6243585A - Ｘ線ｃｔ用検出器 - Google Patents
Ｘ線ｃｔ用検出器Info
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- JPS6243585A JPS6243585A JP60181854A JP18185485A JPS6243585A JP S6243585 A JPS6243585 A JP S6243585A JP 60181854 A JP60181854 A JP 60181854A JP 18185485 A JP18185485 A JP 18185485A JP S6243585 A JPS6243585 A JP S6243585A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、Ｘ線により被写体の断層像（ＣＴ像ｃｏｍｐ
ｕｔｅｄ ｔｏｍｏｇｒａｍ ）を得るためのＸ ＆？
Ｉ ＣＴ用検出器に関する。
ｕｔｅｄ ｔｏｍｏｇｒａｍ ）を得るためのＸ ＆？
Ｉ ＣＴ用検出器に関する。
近時、Ｘ線を用いて人体各部の断層構造を観察するため
の種々のタイプの装置が開発された。例えば、第３世代
ＸｖＡＣＴ装置は、第４図（ａ）。
の種々のタイプの装置が開発された。例えば、第３世代
ＸｖＡＣＴ装置は、第４図（ａ）。
（ｂ）に示すように偏平な開角θの拡がりをもつ扇状の
ファンビームＸ線ＦＸを被写体Ｐに曝射するＸ線源１と
、このＸ線源１から発生して被写体Ｐを透過したＸ線の
強度を検出するため、Ｘ線検出素子を複数個並設してな
るＸ線検出器２とを備え、前記＞ｎｉｌと検出器２を被
写体Ｐを挟んで対峙させると共に、これらＸ線源１と検
出器２を被写体Ｐの回りに任意な円に沿って同一角速度
で同方向に回転移動させ、且つＸ線を被写体Ｐの任意切
面に沿って種々の方向より照射して各方向のＸ線投影デ
ータを収集し、これをコンピュータに送って上記任意切
面に仮定した仮想マトリックス各点のＸ線吸収率の相対
値を求め、体軸断層像として表示しようとするものであ
る。
ファンビームＸ線ＦＸを被写体Ｐに曝射するＸ線源１と
、このＸ線源１から発生して被写体Ｐを透過したＸ線の
強度を検出するため、Ｘ線検出素子を複数個並設してな
るＸ線検出器２とを備え、前記＞ｎｉｌと検出器２を被
写体Ｐを挟んで対峙させると共に、これらＸ線源１と検
出器２を被写体Ｐの回りに任意な円に沿って同一角速度
で同方向に回転移動させ、且つＸ線を被写体Ｐの任意切
面に沿って種々の方向より照射して各方向のＸ線投影デ
ータを収集し、これをコンピュータに送って上記任意切
面に仮定した仮想マトリックス各点のＸ線吸収率の相対
値を求め、体軸断層像として表示しようとするものであ
る。
而して、このようなＸ線ＣＴ装置用の検出器としては、
従来から固体シンチレータと光半導体素子とを接合した
ものの開発が行われて来たが、次のような問題点、即ち Ｑ） シンチレータの光出力が素子間で均一なものがな
い。
従来から固体シンチレータと光半導体素子とを接合した
ものの開発が行われて来たが、次のような問題点、即ち Ｑ） シンチレータの光出力が素子間で均一なものがな
い。
（２） シンチレータの光出力が温度上昇に伴って低
下する。
下する。
（３） シンチレータが高価である。
（４）光半導体素子は、主にシリコン単結晶を用いるた
め、複数チャンネル（例えば５１２ｃｈ）を一体化する
ような大面積のものはでき難い。
め、複数チャンネル（例えば５１２ｃｈ）を一体化する
ような大面積のものはでき難い。
（５）光半導体素子は平坦な板状であり、円弧状に形成
し難い。
し難い。
等があるため、その実用化が遅れていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、固体シ
ンチレータと光半導体素子を接合した構造をもち、上記
問題を可及的に解決できるＸ線ＣＴ用検出器を提供する
ことにある。
ンチレータと光半導体素子を接合した構造をもち、上記
問題を可及的に解決できるＸ線ＣＴ用検出器を提供する
ことにある。
本発明は上記目的を達成する為に、Ｘ線ＣＴ用検出器に
おいて、多チャンネルシンチレータ素子と、多チャンネ
ル光半導体素子とを重ね合せて円弧状に接合してなるこ
とを特徴とする。
おいて、多チャンネルシンチレータ素子と、多チャンネ
ル光半導体素子とを重ね合せて円弧状に接合してなるこ
とを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図において、１１は円弧状に並設した多チャンネル
のシンチレータ素子であり、そのシンチレータ素子１１
の後面部に円弧状に並設した多チャンネルの光半導体素
子１２が透明接着材１３により接合され、さらに、その
光半導体素子１２の後面部には円弧状に形成された絶縁
基板１４が接合されている。
のシンチレータ素子であり、そのシンチレータ素子１１
の後面部に円弧状に並設した多チャンネルの光半導体素
子１２が透明接着材１３により接合され、さらに、その
光半導体素子１２の後面部には円弧状に形成された絶縁
基板１４が接合されている。
さらに詳細に言えば、第２図において、シンチレータ素
子１１は、プラセオジミウム付活硫酸化ガドリニウムを
熱間静水圧加圧法で多結晶体として形成され、各シンチ
レータ素子１１間の側面にはＸ線吸収物質である鉛薄板
又はタングステンあるいはモリブデンからなるコリメー
タ１５が介在し、円弧状に並設したシンチレータ素子１
１の前面部には光反射層１６が形成されている。光半導
体素子１２は、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン
膜を用いて形成され、シンチレータ素子１１の後面部に
接合した例えば酸化インジウムスズ膜からなる接地用透
明電極１７の後面部に透明接着材１３により接合されて
おり、光半導体素子１２内には例えばクロム膜からなる
信号取り出し用電極１８が各シンチレータ素子１１に対
応して配置されている。光半導体素子１２の後面部には
円弧状に形成された基板１４が接合されている。
子１１は、プラセオジミウム付活硫酸化ガドリニウムを
熱間静水圧加圧法で多結晶体として形成され、各シンチ
レータ素子１１間の側面にはＸ線吸収物質である鉛薄板
又はタングステンあるいはモリブデンからなるコリメー
タ１５が介在し、円弧状に並設したシンチレータ素子１
１の前面部には光反射層１６が形成されている。光半導
体素子１２は、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン
膜を用いて形成され、シンチレータ素子１１の後面部に
接合した例えば酸化インジウムスズ膜からなる接地用透
明電極１７の後面部に透明接着材１３により接合されて
おり、光半導体素子１２内には例えばクロム膜からなる
信号取り出し用電極１８が各シンチレータ素子１１に対
応して配置されている。光半導体素子１２の後面部には
円弧状に形成された基板１４が接合されている。
この場合、上記の円弧部は、第４図において、Ｘ線源１
に対峙させた検出器２を被写体Ｐの回りに回転させる装
置の回転円周の一部である。
に対峙させた検出器２を被写体Ｐの回りに回転させる装
置の回転円周の一部である。
次に、上記のように構成された検出器の作用について説
明すると、Ｘ線の扇形展開において所定角度の放射線だ
けがシンチレータ素子１１を照射し、入射放射線に応じ
てシンチレータ素子１１が放出する光の強度は光半導体
素子１２で測定され、電極１７から得られた検出信号は
処理装置に送られて処理され断層像が得られる。
明すると、Ｘ線の扇形展開において所定角度の放射線だ
けがシンチレータ素子１１を照射し、入射放射線に応じ
てシンチレータ素子１１が放出する光の強度は光半導体
素子１２で測定され、電極１７から得られた検出信号は
処理装置に送られて処理され断層像が得られる。
本発明は上記の通りであるため、次の利点が得られる。
（１） Ｘ線吸収効率が高められ、低コントラスト分
解能が向上する。
解能が向上する。
（２） シンチレータ素子として、プラセオジミウム
付活硫酸化ガドリニウムを熱間静水圧加圧法で多結晶体
として形成した場合には、感度の温度依存が小さいため
安定した検出信号が得られ、特に第３世代用に適する。
付活硫酸化ガドリニウムを熱間静水圧加圧法で多結晶体
として形成した場合には、感度の温度依存が小さいため
安定した検出信号が得られ、特に第３世代用に適する。
（３） 多チャンネル型検出器が小型、軽量でかつ安
価に得られる。
価に得られる。
（４）経時変化に対する安定性が高められる。
（５）マイクロッオニツクノイズが除去される。
等である。
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明
の要旨の範囲内で種々の変形例を包含することは言うま
でもない。例えば、第３図のように、シンチレータ素子
１１の後面部に各シンチレータ素子１１に対応して分割
された信号取り出し用透明電極１８ａを接合し、光半導
体素子１２内には共通の接地用電極１７ａを接合しても
よい。また、光半導体素子は、可とう性のある絶縁フィ
ルム例えば、ポリイミド樹脂フィルム１ポリエステル樹
脂フィルム、テフロン樹脂フィルムなどの上に形成すれ
ば、製造工程において、非晶質シリコン膜や電極を形成
する工程と、できた光半導体素子とシンチレータ素子を
接合する工程が容易になる。
の要旨の範囲内で種々の変形例を包含することは言うま
でもない。例えば、第３図のように、シンチレータ素子
１１の後面部に各シンチレータ素子１１に対応して分割
された信号取り出し用透明電極１８ａを接合し、光半導
体素子１２内には共通の接地用電極１７ａを接合しても
よい。また、光半導体素子は、可とう性のある絶縁フィ
ルム例えば、ポリイミド樹脂フィルム１ポリエステル樹
脂フィルム、テフロン樹脂フィルムなどの上に形成すれ
ば、製造工程において、非晶質シリコン膜や電極を形成
する工程と、できた光半導体素子とシンチレータ素子を
接合する工程が容易になる。
この他に光半導体素子は、表面障壁型について述べたが
、ｐ−１−ｎ型でも良く、この場合は光感度が高く、応
答の速いものが得られる。ｐ−１−ｎ型の構造を第５図
に示す。同図において１９はｐ型非晶買シリコン層、２
０はｎ型非晶質シリコン層、１２はｉ型非晶質シリコン
層である。また、Ｘ線ＣＴ装置は第４図に示す型式のも
のに限らず、種々のもの例えば被写体を中心とする円周
上に検出器を複数個密着して並設し、Ｘ線管だけが被写
体を中心に回転するようにしたいわゆる第４世代ＣＴ装
置や、特公昭５５−３９４０号公報で提案されているよ
うな装置、すなわち、被写体の周囲を取り巻く様に環状
ターゲットを配置し、このターゲ。
、ｐ−１−ｎ型でも良く、この場合は光感度が高く、応
答の速いものが得られる。ｐ−１−ｎ型の構造を第５図
に示す。同図において１９はｐ型非晶買シリコン層、２
０はｎ型非晶質シリコン層、１２はｉ型非晶質シリコン
層である。また、Ｘ線ＣＴ装置は第４図に示す型式のも
のに限らず、種々のもの例えば被写体を中心とする円周
上に検出器を複数個密着して並設し、Ｘ線管だけが被写
体を中心に回転するようにしたいわゆる第４世代ＣＴ装
置や、特公昭５５−３９４０号公報で提案されているよ
うな装置、すなわち、被写体の周囲を取り巻く様に環状
ターゲットを配置し、このターゲ。
トに電子線を投射して得られたＸ線をターゲットの中心
方向に取り出して被写体に照射すると共に、ターゲット
に沿って電子線を移動させて被写体へのＸ線照射方向を
高速度で変える様にしたもの等にも用いられる。
方向に取り出して被写体に照射すると共に、ターゲット
に沿って電子線を移動させて被写体へのＸ線照射方向を
高速度で変える様にしたもの等にも用いられる。
以上述べた通り、本発明を用いるときは、多チャンネル
の固体シンチレータと多チャンネル光半導体素子を円弧
状に接合した構造をもち、分解能の高く、安定性の良好
なＸ ′４１ＡＣＴ用検出器を小型で安価に提供できる
という効果が得られる。
の固体シンチレータと多チャンネル光半導体素子を円弧
状に接合した構造をもち、分解能の高く、安定性の良好
なＸ ′４１ＡＣＴ用検出器を小型で安価に提供できる
という効果が得られる。
第１図は本発明に係る一実施例の全体断面図、第２図は
同要部の拡大断面図、第３図は他の実施例を示す同断面
図、第４図（ａ）（ｂ）はＸ線ＣＴ装置の概要説明図、
第５図は他の実施例の要部断面図である。 １・・・Ｘ’！ｔｌＡＲ１２・・・検出器、１１・・・
多チャンネルシンチレータ素子、１２・・・多チャンネ
ル光半導体素子。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図
同要部の拡大断面図、第３図は他の実施例を示す同断面
図、第４図（ａ）（ｂ）はＸ線ＣＴ装置の概要説明図、
第５図は他の実施例の要部断面図である。 １・・・Ｘ’！ｔｌＡＲ１２・・・検出器、１１・・・
多チャンネルシンチレータ素子、１２・・・多チャンネ
ル光半導体素子。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図 第３図 第 ４ 図
Claims (3)
- （１）多チャンネルシンチレータ素子と、多チャンネル
光半導体素子とを重ね合せて円弧状に接合してなること
を特徴とするＸ線ＣＴ用検出器。 - （２）前記円弧状の部分が、Ｘ線管及びそれに対向させ
た検出器を被写体の回りに回転させる装置におけるその
回転円周の一部である特許請求の範囲第１項記載のＸ線
ＣＴ用検出器。 - （３）多チャンネル光半導体素子はプラズマＣＶＤ法に
より非晶質シリコン膜を用いて形成され、多チャンネル
シンチレータ素子はプラセオジミウム付活硫酸化ガドリ
ニウムを熱間静水圧加圧法により多結晶としたものを用
いて形成された特許請求の範囲第１項記載のＸ線ＣＴ用
検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181854A JPS6243585A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | Ｘ線ｃｔ用検出器 |
| US06/898,393 US4734588A (en) | 1985-08-21 | 1986-08-20 | X-ray computed tomograph detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181854A JPS6243585A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | Ｘ線ｃｔ用検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243585A true JPS6243585A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16107989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181854A Pending JPS6243585A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | Ｘ線ｃｔ用検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4734588A (ja) |
| JP (1) | JPS6243585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361402A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線及びｃｔ画像検出器 |
| JP2015065433A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2606207B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1997-04-30 | 株式会社島津製作所 | 画像撮影装置 |
| US5066861A (en) * | 1987-07-22 | 1991-11-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | X ray detecting device |
| US4870279A (en) * | 1988-06-20 | 1989-09-26 | General Electric Company | High resolution X-ray detector |
| EP0360886A1 (de) * | 1988-09-26 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
| EP0416147B1 (de) * | 1989-09-06 | 1992-12-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
| US5057692A (en) * | 1990-06-29 | 1991-10-15 | General Electric Company | High speed, radiation tolerant, CT scintillator system employing garnet structure scintillators |
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| US5585638A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | General Electric Company | X-ray detector for automatic exposure control of an imaging apparatus |
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