JPS6240852U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6240852U JPS6240852U JP13229585U JP13229585U JPS6240852U JP S6240852 U JPS6240852 U JP S6240852U JP 13229585 U JP13229585 U JP 13229585U JP 13229585 U JP13229585 U JP 13229585U JP S6240852 U JPS6240852 U JP S6240852U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- semiconductor thin
- interlayer insulating
- insulating film
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
2図a〜eはその製造工程を工程順に示す断面図
、第3図a〜eは従来例をその製造工程を工程順
に示す断面図である。 6…基板、8…ブロツキング層兼用層間絶縁膜
、9…a―Si薄膜(半導体薄膜)。
2図a〜eはその製造工程を工程順に示す断面図
、第3図a〜eは従来例をその製造工程を工程順
に示す断面図である。 6…基板、8…ブロツキング層兼用層間絶縁膜
、9…a―Si薄膜(半導体薄膜)。
Claims (1)
- 基板上に半導体薄膜を形成するとともに多層配
線用の層間絶縁膜を形成する半導体薄膜デバイス
において、前記基板からの不純物イオンに対する
ブロツクキング層を兼用する層間絶縁膜をこの基
板上に設けたことを特徴とする半導体薄膜デバイ
ス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13229585U JPS6240852U (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13229585U JPS6240852U (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6240852U true JPS6240852U (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=31031541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13229585U Pending JPS6240852U (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6240852U (ja) |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP13229585U patent/JPS6240852U/ja active Pending