JPS61166528U - - Google Patents
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- JPS61166528U JPS61166528U JP5056185U JP5056185U JPS61166528U JP S61166528 U JPS61166528 U JP S61166528U JP 5056185 U JP5056185 U JP 5056185U JP 5056185 U JP5056185 U JP 5056185U JP S61166528 U JPS61166528 U JP S61166528U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- seed crystal
- insulating layer
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
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- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
第1図は本考案半導体装置の一実施例を示す断
面図、第2図及び第3図は夫々本考案の他の実施
例を示す断面図、第4図は従来の半導体装置の例
を示す断面図である。 1は半導体基板、1aは種結晶部、1bはメタ
ルシリサイド部、2は絶縁層、3は半導体層であ
る。
面図、第2図及び第3図は夫々本考案の他の実施
例を示す断面図、第4図は従来の半導体装置の例
を示す断面図である。 1は半導体基板、1aは種結晶部、1bはメタ
ルシリサイド部、2は絶縁層、3は半導体層であ
る。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の一部を種結晶として、該半導体基
板上の絶縁層上に単結晶薄膜を形成してなる半導
体装置に於いて、 上記種結晶部の少なくとも一部に上記半導体基
板と高融点金属との化合物を有することを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5056185U JPS61166528U (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5056185U JPS61166528U (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61166528U true JPS61166528U (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=30568811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5056185U Pending JPS61166528U (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61166528U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745519A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP5056185U patent/JPS61166528U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745519A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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