JPS6227910Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6227910Y2 JPS6227910Y2 JP1985041077U JP4107785U JPS6227910Y2 JP S6227910 Y2 JPS6227910 Y2 JP S6227910Y2 JP 1985041077 U JP1985041077 U JP 1985041077U JP 4107785 U JP4107785 U JP 4107785U JP S6227910 Y2 JPS6227910 Y2 JP S6227910Y2
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- Japan
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- effect transistor
- circuit
- oscillation
- voltage
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- Expired
Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 4
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
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- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、発振回路の電源を安定化した水晶発
振回路に関する。
振回路に関する。
本考案の目的は、消費電力をあまり増加するこ
となく発振器の電源を安定化することにより、発
振周波数を安定化し、高精度、高安定度の水晶発
振器を得ることにある。
となく発振器の電源を安定化することにより、発
振周波数を安定化し、高精度、高安定度の水晶発
振器を得ることにある。
現在、一般的な電子式腕時計においては、エネ
ルギー源として小型電池を用いている。従つて、
電池の特性上、放電時間に伴ない起電力は減少し
電圧は降下する。また周囲温度の変化によつても
電圧が変動する。
ルギー源として小型電池を用いている。従つて、
電池の特性上、放電時間に伴ない起電力は減少し
電圧は降下する。また周囲温度の変化によつても
電圧が変動する。
第1図に一例として銀電池の放電時間(横軸)
と電圧(縦軸)のグラフを示した。図から明らか
な様に放電開始後、急激に電圧が降下し、以後ほ
ぼ一定の値を保ち、ある時点でかなり急な勾配で
降下し寿命となる。発振器においては、基準振動
子に安定な水晶振動子を用いた水晶発振器におい
ても、発振器駆動電圧が変化した場合には発振周
波数の変動が起こる。従つて電源に電池を用いた
電子式時計においては、前記のような電池電圧の
変動に対して発振周波数の変動が起こることはさ
けられない。
と電圧(縦軸)のグラフを示した。図から明らか
な様に放電開始後、急激に電圧が降下し、以後ほ
ぼ一定の値を保ち、ある時点でかなり急な勾配で
降下し寿命となる。発振器においては、基準振動
子に安定な水晶振動子を用いた水晶発振器におい
ても、発振器駆動電圧が変化した場合には発振周
波数の変動が起こる。従つて電源に電池を用いた
電子式時計においては、前記のような電池電圧の
変動に対して発振周波数の変動が起こることはさ
けられない。
第2図に、現在広く用いられている発振回路の
一例を示した。1は水晶振動子、2は発振用イン
バーター、3は抵抗、4は緩急用可変コンデンサ
ー、5は固定コンデンサー、6は帰還抵抗であ
る。水晶振動子1の共振周波数には32KHzが多く
用いられ、駆動電圧の変動による発振周波数変動
に対しては、抵抗3によりある程度の制御が行な
われる。つまり抵抗3には電圧変動による発振条
件の変化をおさえる効果がある。しかし電子式時
計においては将来さらに高精度、高安定度の装置
が要求されており、従つて発振器に関しては発振
周波数の安定度がますます重要となる。前記要求
を満たすため発振器においては発振周波数変動要
因の1つである発振器駆動電圧の変動を解消する
必要がある。第2図の回路においては、前述のよ
うに抵抗3により、ある程度の安定化を得ている
が、抵抗3による制御は電圧を定電圧化している
のではないため、発振周波数の安定化には限度が
ある。また、将来温度特性の良いATカツト水晶
が使用された場合、発振周波数が高いため、第2
図のような抵抗値の大きい抵抗3を持つた発振回
路では十分な発振は行なわれない。つまり、抵抗
3により発振器駆動電圧の変動による発振周波数
変動の制御を行なうことは不可能になる。本考案
は上記の問題点を解決したもので半導体素子によ
り発振器の流入電流を安定化する回路を得、発振
周波数を安定化するものである。以下、図に従つ
て説明する。
一例を示した。1は水晶振動子、2は発振用イン
バーター、3は抵抗、4は緩急用可変コンデンサ
ー、5は固定コンデンサー、6は帰還抵抗であ
る。水晶振動子1の共振周波数には32KHzが多く
用いられ、駆動電圧の変動による発振周波数変動
に対しては、抵抗3によりある程度の制御が行な
われる。つまり抵抗3には電圧変動による発振条
件の変化をおさえる効果がある。しかし電子式時
計においては将来さらに高精度、高安定度の装置
が要求されており、従つて発振器に関しては発振
周波数の安定度がますます重要となる。前記要求
を満たすため発振器においては発振周波数変動要
因の1つである発振器駆動電圧の変動を解消する
必要がある。第2図の回路においては、前述のよ
うに抵抗3により、ある程度の安定化を得ている
が、抵抗3による制御は電圧を定電圧化している
のではないため、発振周波数の安定化には限度が
ある。また、将来温度特性の良いATカツト水晶
が使用された場合、発振周波数が高いため、第2
図のような抵抗値の大きい抵抗3を持つた発振回
路では十分な発振は行なわれない。つまり、抵抗
3により発振器駆動電圧の変動による発振周波数
変動の制御を行なうことは不可能になる。本考案
は上記の問題点を解決したもので半導体素子によ
り発振器の流入電流を安定化する回路を得、発振
周波数を安定化するものである。以下、図に従つ
て説明する。
第3図aはエンハンスメント型FETを用いた
電流安定回路である。図中8は負荷(発振用イン
バータ)、9,10はエンハンスメント型FET、
17はMOS抵抗として働らくFET、18はイン
バータ、19は回路の配線等による容量である。
FET17によるMOS抵抗とFET9はFET10の
ゲートバイアス電位を決めるためのバイアス回路
を構成1、クロツクパルスφによつてオン・オフ
される。クロツクパルスφがHiの状態の時(F
−G間)にFET9,17は両者ともオンし、そ
の時の状態は第3図cのようになる。7は第3図
aのFETによるMOS抵抗を表わしている。第3
図cの回路により電流安定化が行なわれる原理を
第4図を用いて説明する。第4図は、FET9,
10の動作特性を表わした図で、横軸にドレイン
電圧VD、縦軸にドレイン電流IDを表わしてい
る。図より明らかなようにIDは初期においては
VDの増大に従つて増加するが、ある点で飽和状
態になる非線形特性を有する。すなわちS点を過
ぎてからはVDに関係なく一定の値をもつ。また
ゲート電圧VGの増大に従つて増加する。ここで
第3図においてFET10の動作点を第4図のS
点より左側、すなわち不飽和領域に設定し、電池
電圧の低下によるドレイン電流IDの影響をみ
る。今、電池電圧VDDの低下を仮定すると、
FET9においてはゲート電圧VG′が低下するた
め第4図より明らかなようにドレイン電流が減少
する。したがつて、見かけ上FET9のソース、
ドレイン間の抵抗が増大した結果となり図中A点
のアース側より見た電位は高くなる。またFET
10についてはVDDの低下によるドレイン電圧V
Dの低下と同時に前記の結果からゲート電圧VGの
増大を受ける。つまりドレイン電流IDはVDDの
低下による減少とVGの増大による増加の和とし
て表わされる。
電流安定回路である。図中8は負荷(発振用イン
バータ)、9,10はエンハンスメント型FET、
17はMOS抵抗として働らくFET、18はイン
バータ、19は回路の配線等による容量である。
FET17によるMOS抵抗とFET9はFET10の
ゲートバイアス電位を決めるためのバイアス回路
を構成1、クロツクパルスφによつてオン・オフ
される。クロツクパルスφがHiの状態の時(F
−G間)にFET9,17は両者ともオンし、そ
の時の状態は第3図cのようになる。7は第3図
aのFETによるMOS抵抗を表わしている。第3
図cの回路により電流安定化が行なわれる原理を
第4図を用いて説明する。第4図は、FET9,
10の動作特性を表わした図で、横軸にドレイン
電圧VD、縦軸にドレイン電流IDを表わしてい
る。図より明らかなようにIDは初期においては
VDの増大に従つて増加するが、ある点で飽和状
態になる非線形特性を有する。すなわちS点を過
ぎてからはVDに関係なく一定の値をもつ。また
ゲート電圧VGの増大に従つて増加する。ここで
第3図においてFET10の動作点を第4図のS
点より左側、すなわち不飽和領域に設定し、電池
電圧の低下によるドレイン電流IDの影響をみ
る。今、電池電圧VDDの低下を仮定すると、
FET9においてはゲート電圧VG′が低下するた
め第4図より明らかなようにドレイン電流が減少
する。したがつて、見かけ上FET9のソース、
ドレイン間の抵抗が増大した結果となり図中A点
のアース側より見た電位は高くなる。またFET
10についてはVDDの低下によるドレイン電圧V
Dの低下と同時に前記の結果からゲート電圧VGの
増大を受ける。つまりドレイン電流IDはVDDの
低下による減少とVGの増大による増加の和とし
て表わされる。
従つて、前記の結果、ドレイン電流IDはVDD
の低下に対するゲート電圧VGの増大を調節する
ことにより、それぞれの変化量が相殺されたVDD
の低下に関係しない一定値を保つことが可能とな
る。なお、VDDの変化に対するVGの変化量を適
正値にするには、抵抗7の値、FET9,10の
特性、動作点を調節することにより可能である。
の低下に対するゲート電圧VGの増大を調節する
ことにより、それぞれの変化量が相殺されたVDD
の低下に関係しない一定値を保つことが可能とな
る。なお、VDDの変化に対するVGの変化量を適
正値にするには、抵抗7の値、FET9,10の
特性、動作点を調節することにより可能である。
次にクロツクパルスφがLowとなりFET17
と9がオフとなる状態を考えると、この時、
FET17と9がオンの時にコンデンサー19に
蓄えられたA点の電荷は時間とともに徐々に放電
して電位が低下していく。しかしFET10の入
力インピーダンスが極めて高いので放電は急激で
はなく、φがLowレベルにある期間をよほど長く
しない限り電圧が保持される。
と9がオフとなる状態を考えると、この時、
FET17と9がオンの時にコンデンサー19に
蓄えられたA点の電荷は時間とともに徐々に放電
して電位が低下していく。しかしFET10の入
力インピーダンスが極めて高いので放電は急激で
はなく、φがLowレベルにある期間をよほど長く
しない限り電圧が保持される。
従つて、コンデンサー19に関する時定数から
φのパルス波形のデユーテイを決定すれば第3a
図の回路は実質的に第3図cの回路と同じとみな
すことができ消費電流についてはφがHi状態の
時のみ電流を消費する結果となるので電流安定化
回路による電流消費は極めて小さくすることがで
きる(およそ1nA)。なお、クロツクパルスφの
成形は任意の分周器からの信号を合成することに
より容易に行なえる。
φのパルス波形のデユーテイを決定すれば第3a
図の回路は実質的に第3図cの回路と同じとみな
すことができ消費電流についてはφがHi状態の
時のみ電流を消費する結果となるので電流安定化
回路による電流消費は極めて小さくすることがで
きる(およそ1nA)。なお、クロツクパルスφの
成形は任意の分周器からの信号を合成することに
より容易に行なえる。
以上のクロツクパルスφによる間欠駆動ではな
く常時第3図cのような回路構成をとつた場合に
は、抵抗7、FET9を介して電流が常に流れ続
け、消費電流は極めて大きなものとなつてしま
う。
く常時第3図cのような回路構成をとつた場合に
は、抵抗7、FET9を介して電流が常に流れ続
け、消費電流は極めて大きなものとなつてしま
う。
なお第5図に第3図の回路の実測値の一例を示
した。横軸は電池電圧VDD、縦軸は負荷8の流入
電流である。図から明らかなように電流安定回路
を付加することにより、負荷8への流入電流の安
定化が行なわれていることがわかる。
した。横軸は電池電圧VDD、縦軸は負荷8の流入
電流である。図から明らかなように電流安定回路
を付加することにより、負荷8への流入電流の安
定化が行なわれていることがわかる。
以上詳述した電流安定回路を発振回路に付加す
ることにより、放電時間、周囲温度等による電池
電圧の変動に影響されない高安定な発振器が得ら
れる。また、将来使用が予想される過酸化銀電
池、リチウム電池等、電圧変動の激しい電池に対
しては発振周波数安定化のため特に有効な装置で
ある。また、これら抵抗、ダイオード、トランジ
スタはすべて現在のC/MOSを形成するプロセ
スをそのまま工程増なくモノリシツクに実現でき
る点で有利である。
ることにより、放電時間、周囲温度等による電池
電圧の変動に影響されない高安定な発振器が得ら
れる。また、将来使用が予想される過酸化銀電
池、リチウム電池等、電圧変動の激しい電池に対
しては発振周波数安定化のため特に有効な装置で
ある。また、これら抵抗、ダイオード、トランジ
スタはすべて現在のC/MOSを形成するプロセ
スをそのまま工程増なくモノリシツクに実現でき
る点で有利である。
また本考案では電流安定回路をクロノパルスφ
により駆動したため、電流安定回路による消費電
力が極めて少なくてよく、電池使用の電子機器に
最も適する。
により駆動したため、電流安定回路による消費電
力が極めて少なくてよく、電池使用の電子機器に
最も適する。
第1図は銀電池の電圧−放電時間特性線図。第
2図は従来の一般的な発振回路例。第3図はエン
ハンスメント型FETを用いた本考案の電流安定
化回路を有する液晶発振回路の例であり、aは回
路図、bはクロツクパルスφの波形図、cはクロ
ツクパルスがHiのときの等価回路図である。第
4図は第3図の動作を説明するためのドレイン電
圧−電流線図。第5図は第3図の回路を使用した
場合の測定値例。 1……水晶振動子、2……発振用インバータ
ー、3……ドレイン抵抗、4……可変コンデン
サ、5……固定コンデンサ、6……帰還抵抗、7
……抵抗、8……負荷(発振用インバーター)、
9,10……エンハンスメント型FET、17…
…MOS抵抗となるFET、18……インバータ
ー、19……コンデンサー。
2図は従来の一般的な発振回路例。第3図はエン
ハンスメント型FETを用いた本考案の電流安定
化回路を有する液晶発振回路の例であり、aは回
路図、bはクロツクパルスφの波形図、cはクロ
ツクパルスがHiのときの等価回路図である。第
4図は第3図の動作を説明するためのドレイン電
圧−電流線図。第5図は第3図の回路を使用した
場合の測定値例。 1……水晶振動子、2……発振用インバータ
ー、3……ドレイン抵抗、4……可変コンデン
サ、5……固定コンデンサ、6……帰還抵抗、7
……抵抗、8……負荷(発振用インバーター)、
9,10……エンハンスメント型FET、17…
…MOS抵抗となるFET、18……インバータ
ー、19……コンデンサー。
Claims (1)
- 水晶振動子、前記水晶振動子を入出力間に接続
した発振用インバータよりなる水晶発振回路にお
いて、前記発振用インバータと電源の間に電流安
定化用の第1の電界効果トランジスタを設けると
共に前記第1の電界効果トランジスタのゲート電
極の電位を制御するバイアス回路を設け、前記バ
イアス回路は抵抗成分と第2の電界効果トランジ
スタの直列接続回路及び前記抵抗成分と前記第2
の電界効果トランジスタの接続点と電源電位の間
の容量成分よりなり、前記接続点の電位は前記第
1の電界効果トランジスタのゲート電極に印加さ
れ、前記抵抗成分はMOS抵抗によつて構成され
ると共に前記MOS抵抗と前記第2の電界効果ト
ランジスタはクロツクパルスにより間欠的に駆動
されることを特徴とする水晶発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107785U JPS60165889U (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4107785U JPS60165889U (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 水晶発振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60165889U JPS60165889U (ja) | 1985-11-02 |
JPS6227910Y2 true JPS6227910Y2 (ja) | 1987-07-17 |
Family
ID=30550559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4107785U Granted JPS60165889U (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 水晶発振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60165889U (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5175269U (ja) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP4107785U patent/JPS60165889U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60165889U (ja) | 1985-11-02 |
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