JPS62270037A - 光デイスク原盤 - Google Patents
光デイスク原盤Info
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- JPS62270037A JPS62270037A JP11280486A JP11280486A JPS62270037A JP S62270037 A JPS62270037 A JP S62270037A JP 11280486 A JP11280486 A JP 11280486A JP 11280486 A JP11280486 A JP 11280486A JP S62270037 A JPS62270037 A JP S62270037A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は光情報記録ディスクのもとになる光ディスクｒ
ｓｍに関する。
ｓｍに関する。
第２ Ｆｉ （ａ ）〜（ｈ）に従来知られている光情
報記録ディスクの製造工程の一例を示す。
報記録ディスクの製造工程の一例を示す。
まず、第２図（ａ）に示すように、鏡面仕上げしこ研摩
され、高度に洗浄されたガラス円！Ａ１１の表面にシラ
ンカップリング剤の単分子層１２を形成する。
され、高度に洗浄されたガラス円！Ａ１１の表面にシラ
ンカップリング剤の単分子層１２を形成する。
次いで、第２図（ｂ）に示すように、シランカップリン
グ剤の単分子Ｊ！ｙ１２上にホトレジスト１３を均一に
塗布して光デイスク原盤１４を作製する。
グ剤の単分子Ｊ！ｙ１２上にホトレジスト１３を均一に
塗布して光デイスク原盤１４を作製する。
次いで、第２図（ｃ）に示すように、上記ガラス円盤を
回転部１！ｊｒ しつつ上記ホトレジスト層１３に記録
しようとする情報信号によって変調されたレーザ光１５
を照射する。
回転部１！ｊｒ しつつ上記ホトレジスト層１３に記録
しようとする情報信号によって変調されたレーザ光１５
を照射する。
次いで、上記露光済み円盤を現像処理し、第２図（ｄ）
に示すように、上記ホトレジス）ＪＦ１３のレーザ光照
射部分に情報信号に対応した配列のビット列及びグルー
プ等１６を形成する。
に示すように、上記ホトレジス）ＪＦ１３のレーザ光照
射部分に情報信号に対応した配列のビット列及びグルー
プ等１６を形成する。
次いで、第２１Ｂ （ｅ ）に示すように、上記のよう
にして情＠信号がピット列やグループ等の形で記録され
た記録済み原盤１７の記録面に、真空蒸着やスパッタリ
ング等によって５００ス〜１５００人のニッケル導ｆｌ
！［１１８を形成する。
にして情＠信号がピット列やグループ等の形で記録され
た記録済み原盤１７の記録面に、真空蒸着やスパッタリ
ング等によって５００ス〜１５００人のニッケル導ｆｌ
！［１１８を形成する。
次いで、第２図（ｆ）に示すように、このニッケル導ｆ
ｔ膜１８を陰極としてニッケルを約０．２ｍｍの厚さに
電気めっきし、ニッケルスタンパ１９を形成する。
ｔ膜１８を陰極としてニッケルを約０．２ｍｍの厚さに
電気めっきし、ニッケルスタンパ１９を形成する。
次いで、第２図（ｇ）に示すように、上記ニッケル導電
ｖｉ１８とホトレジスト層１３の界面を剥離し、上記記
録済み原ｇ１１７と凹凸パターンが逆になったニッケル
スタンパ１９を取り出す。
ｖｉ１８とホトレジスト層１３の界面を剥離し、上記記
録済み原ｇ１１７と凹凸パターンが逆になったニッケル
スタンパ１９を取り出す。
Ｍｆ＆に、上記のようにして取り出されたニッケルスタ
ンパ１９に残存ホトレジストの灰化処理や所要の機械加
工を施したのち、第２図（ｈ）に示すように、このニッ
ケルスタンパ１９を金型として凹凸パターンを転写し、
上記記録済みｇ盤１７と同一の凹凸パターンを有する光
情報記録ディスク２０をａ製する。
ンパ１９に残存ホトレジストの灰化処理や所要の機械加
工を施したのち、第２図（ｈ）に示すように、このニッ
ケルスタンパ１９を金型として凹凸パターンを転写し、
上記記録済みｇ盤１７と同一の凹凸パターンを有する光
情報記録ディスク２０をａ製する。
従来より、上記ガラス円１１１１ ”ａ−構成するガラ
ス材料としてはソーダガラスが用いられ、ホトレジスト
１３としてはフェノールノボラック系樹脂を主成分とす
るポジ型ホトレジストが用いらハている。また１両者１
１．１３の密着性を改善するためのシランカップリング
剤１２としては、γ−メタアクリロキシプロピルトリメ
トキシシランが用いられている。
ス材料としてはソーダガラスが用いられ、ホトレジスト
１３としてはフェノールノボラック系樹脂を主成分とす
るポジ型ホトレジストが用いらハている。また１両者１
１．１３の密着性を改善するためのシランカップリング
剤１２としては、γ−メタアクリロキシプロピルトリメ
トキシシランが用いられている。
（発明が解決しようとする問題点〕
然るに、上記の物質をシランカップリング剤１２として
用いた従来の光ディスク原盤工４は、ニッケルスタンパ
１９の形成時めっき応力によってホトレジス８層１３が
ガラス円盤１１から剥れ易く、スタンパ１９、ひいては
光情報記録ディスクの生産性が悪いという問題があった
。また、この光デイスク原盤１４から形成したニッケル
スタンパ１９には、信号面に直径が数μｍ程度の微小な
凹面状欠陥を生じ易く、そのためスタンパ１９、ひいて
は光情報記録ディスクの高品質化を図ることが着しいと
いう問題がある。
用いた従来の光ディスク原盤工４は、ニッケルスタンパ
１９の形成時めっき応力によってホトレジス８層１３が
ガラス円盤１１から剥れ易く、スタンパ１９、ひいては
光情報記録ディスクの生産性が悪いという問題があった
。また、この光デイスク原盤１４から形成したニッケル
スタンパ１９には、信号面に直径が数μｍ程度の微小な
凹面状欠陥を生じ易く、そのためスタンパ１９、ひいて
は光情報記録ディスクの高品質化を図ることが着しいと
いう問題がある。
本願発明者らは、上記したスタンパの信号面に呪われる
微小な凹面状欠陥の発生原因について研究した結果、上
記ガラス円盤１１とホトレジスト層１３との密着性が低
いために、主として上記露光済み円盤の現像工程におい
てホトレジスト層１３がガラス円盤１１から局部的に浮
き上がり。
微小な凹面状欠陥の発生原因について研究した結果、上
記ガラス円盤１１とホトレジスト層１３との密着性が低
いために、主として上記露光済み円盤の現像工程におい
てホトレジスト層１３がガラス円盤１１から局部的に浮
き上がり。
これがニッケルスタンパ１９に転写されろためであると
いう事実を知得した。そして、ガラス円盤１１とホトレ
ジスト層１３との密着性が低い原因の１つとして、従来
使用していたシランカップリング剤が！＆善のものでは
なかったということが判った。
いう事実を知得した。そして、ガラス円盤１１とホトレ
ジスト層１３との密着性が低い原因の１つとして、従来
使用していたシランカップリング剤が！＆善のものでは
なかったということが判った。
木光明はかかる知見に基づいてなさ九たものであって、
ガラス円盤の片面にシランカップリング剤としてビニル
１〜リクロルシランの単分子層を形成し、該ビニルトリ
クロルシランの単分子層上にフェノールボラック系樹脂
を主成分とするポジ型ホトレジスト層を形成したことを
特徴とするものである。
ガラス円盤の片面にシランカップリング剤としてビニル
１〜リクロルシランの単分子層を形成し、該ビニルトリ
クロルシランの単分子層上にフェノールボラック系樹脂
を主成分とするポジ型ホトレジスト層を形成したことを
特徴とするものである。
本発明に係る光デイスク原盤の基本的構造については、
第２図（ｂ）に示した従来の光デイスク原盤と全く同じ
であり、第１図に示すように、ガラス円盤ｌの片面にシ
ランカップリング剤の単分子層２を介してホトレジスト
層３が形成される。
第２図（ｂ）に示した従来の光デイスク原盤と全く同じ
であり、第１図に示すように、ガラス円盤ｌの片面にシ
ランカップリング剤の単分子層２を介してホトレジスト
層３が形成される。
ガラス円盤１は１表面を鏡面仕上げに研摩され。
高度な洗浄工程を経て適用される。このガラス円！１１
を形成する原料ガラスとしては、ソーダガラス、釦ガラ
スなど公知に属する任意のガラス材料を用いることがで
きる。
を形成する原料ガラスとしては、ソーダガラス、釦ガラ
スなど公知に属する任意のガラス材料を用いることがで
きる。
シランカップリング剤としては、ビニルトリクロルシラ
ンが用いられる。光デイスク原盤への適用に当ってはビ
ニルトリクロルシラン１％のアセトン溶液を作成し、こ
の溶液を０．２μｍのフィルタでろ過し、混在した異物
を除去して用いる。
ンが用いられる。光デイスク原盤への適用に当ってはビ
ニルトリクロルシラン１％のアセトン溶液を作成し、こ
の溶液を０．２μｍのフィルタでろ過し、混在した異物
を除去して用いる。
上記ガラス円盤１への塗布手段としてはスピン塗布法が
用いられる。シランカップリング剤の単分子Ｍ２は、上
記のようにして塗布された上記溶液を自然乾燥したのち
１５０’ｃの雰囲気内での６０分間ベーキングすること
によって形成される。
用いられる。シランカップリング剤の単分子Ｍ２は、上
記のようにして塗布された上記溶液を自然乾燥したのち
１５０’ｃの雰囲気内での６０分間ベーキングすること
によって形成される。
ホトレジスト層３は、フェノールノボラック系樹脂を主
成分とするポジ型のホトレジストによって形成される。
成分とするポジ型のホトレジストによって形成される。
ホトレジスト層３の形成手段としてはスピン塗布法が用
いられ、約５００人〜１５００人の厚さに形成される。
いられ、約５００人〜１５００人の厚さに形成される。
シランカップリング剤としてビニルトリクロルシランを
用いた本発明の光デイスク原盤から作製されるスタンパ
と、シランカップリング剤としてγ−メタアクリロキシ
プロピルトリメトキシシランを用いた従来の光デイスク
原盤から作製されるスタンパの良品率の比較を下表に示
す。
用いた本発明の光デイスク原盤から作製されるスタンパ
と、シランカップリング剤としてγ−メタアクリロキシ
プロピルトリメトキシシランを用いた従来の光デイスク
原盤から作製されるスタンパの良品率の比較を下表に示
す。
この結果から明らかなように、シランカップリング剤と
してビニルトリクロルシランを用いた本発明の光デイス
ク原盤から作製されるスタンパは、従来の光デイスク原
盤から作製されるスタンパに比べて歩留り（良品率）が
１．５倍も向上し、生産性の向上及びスタンパの高品質
化に顕著なる効果があることが判った。シランカップリ
ング剤としてビニルトリクロルシランを用いろとなぜガ
ラスとフェノールノボラック系樹脂を主成分とするポジ
型ホトレジストの密着性が改善されるのかについては理
論上明確にされていないが、ホトレジストに対するビニ
ルトリクロルシランの化学的適合性、あるいはビニルト
リクロルシランの保存安定性が優れていることに起因す
るものと推定される。
してビニルトリクロルシランを用いた本発明の光デイス
ク原盤から作製されるスタンパは、従来の光デイスク原
盤から作製されるスタンパに比べて歩留り（良品率）が
１．５倍も向上し、生産性の向上及びスタンパの高品質
化に顕著なる効果があることが判った。シランカップリ
ング剤としてビニルトリクロルシランを用いろとなぜガ
ラスとフェノールノボラック系樹脂を主成分とするポジ
型ホトレジストの密着性が改善されるのかについては理
論上明確にされていないが、ホトレジストに対するビニ
ルトリクロルシランの化学的適合性、あるいはビニルト
リクロルシランの保存安定性が優れていることに起因す
るものと推定される。
尚１本発明の要旨はシランカップリング剤としてビニル
トリクロルシランを用いた点にあるのであって、シラン
カップリング剤やホトレジスト層の塗布厚、それにシラ
ンカップリング剤のベーキング条件等が、上記実施例に
おいて示した数値に限定されるものではない。
トリクロルシランを用いた点にあるのであって、シラン
カップリング剤やホトレジスト層の塗布厚、それにシラ
ンカップリング剤のベーキング条件等が、上記実施例に
おいて示した数値に限定されるものではない。
以上説明したように、本発明の光デイスク原盤は、シラ
ンカップリング剤としてビニルトリクロルシランを用い
たのでガラス円盤とフェノールノボラック系樹脂を主成
分とするポジ型ホトレジストの密着性が向上し、これか
ら作成されるスタンパが高品質化されて歩留りが向上す
る。
ンカップリング剤としてビニルトリクロルシランを用い
たのでガラス円盤とフェノールノボラック系樹脂を主成
分とするポジ型ホトレジストの密着性が向上し、これか
ら作成されるスタンパが高品質化されて歩留りが向上す
る。
第１図は本発明に係る光デイスク原盤の断面図。
第２図（ａ）〜Ｃｈ）は従来知られているスタンパの製
造工程を示す工程説明図である。 １・・・・・・ガラス円盤、２・・・・・・ビニルトリ
クロルシランの単分子層、３・・・・・・フェノールノ
ボラック系樹脂を主成分とするポジ型フォトレジストべ 第１図 １：／７’ラス円さ ２：ごニノしトリフ０ルシランの単分子層３：ポジ゛型
ネトレジ“又ト
造工程を示す工程説明図である。 １・・・・・・ガラス円盤、２・・・・・・ビニルトリ
クロルシランの単分子層、３・・・・・・フェノールノ
ボラック系樹脂を主成分とするポジ型フォトレジストべ 第１図 １：／７’ラス円さ ２：ごニノしトリフ０ルシランの単分子層３：ポジ゛型
ネトレジ“又ト
Claims (1)
- ガラス円盤の片面にシランカップリング剤としてビニル
トリクロルシランの単分子層を形成し、該ビニルトリク
ロルシランの単分子層上にフェノールノボラック系樹脂
を主成分とするポジ型ホトレジスト層を形成したことを
特徴とする光デイスク原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11280486A JPS62270037A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク原盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11280486A JPS62270037A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク原盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270037A true JPS62270037A (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=14595944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11280486A Pending JPS62270037A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 光デイスク原盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005075978A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | カップリング剤およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11280486A patent/JPS62270037A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005075978A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | カップリング剤およびその製造方法 |
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