JP3207560B2 - 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 - Google Patents
光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。Info
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- JP3207560B2 JP3207560B2 JP29206992A JP29206992A JP3207560B2 JP 3207560 B2 JP3207560 B2 JP 3207560B2 JP 29206992 A JP29206992 A JP 29206992A JP 29206992 A JP29206992 A JP 29206992A JP 3207560 B2 JP3207560 B2 JP 3207560B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＤ、ＶＤ等に使用され
る光ディスク用基板の複製工程で用いられるスタンパの
裏面研摩方法に関する。
る光ディスク用基板の複製工程で用いられるスタンパの
裏面研摩方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用基板の複製用スタンパを作
成するには、一般に図１に示すような方法が行われてい
る。
成するには、一般に図１に示すような方法が行われてい
る。
【０００３】図１（ａ）に示すように、まず平坦なガラ
ス円盤１の表面にスピンコート法等によりフォトレジス
トを一様に塗布し、乾燥させてフォトレジストの薄膜２
を形成させる。次にこのフォトレジスト膜２を坦持した
ガラス円盤１を、いわゆるカッティング装置に装着して
信号に応じたレーザービーム３を対物レンズ４を介して
回転するフォトレジスト膜２上に照射する（図１
（ｂ））。このようにして所定信号を坦持した同心円上
のピット列をフォトレジスト膜２上に潜像として形成
し、現像によりピット５の列を有するガラス原盤が作成
される（図１（ｃ））。
ス円盤１の表面にスピンコート法等によりフォトレジス
トを一様に塗布し、乾燥させてフォトレジストの薄膜２
を形成させる。次にこのフォトレジスト膜２を坦持した
ガラス円盤１を、いわゆるカッティング装置に装着して
信号に応じたレーザービーム３を対物レンズ４を介して
回転するフォトレジスト膜２上に照射する（図１
（ｂ））。このようにして所定信号を坦持した同心円上
のピット列をフォトレジスト膜２上に潜像として形成
し、現像によりピット５の列を有するガラス原盤が作成
される（図１（ｃ））。
【０００４】次に図１（ｄ）に示すように、フォトレジ
スト膜２上に銀、ニッケル等の導電膜７をスパッタリン
グ等により形成してガラス原盤のピット表面を導電化す
る。このような導電膜７を有するガラス原盤１を電鋳槽
に浸漬して導電膜７上に膜厚約0.3ｍｍのニッケルメッ
キ膜８を形成する（図１（ｅ））。電鋳されたニッケル
メッキ膜８をガラス円盤１から剥離しニッケルメッキ膜
上に残留するフォトレジスト２を洗浄して除去しマスタ
ー原盤（マスタースタンパ）８を得る（図１（ｆ））。
スト膜２上に銀、ニッケル等の導電膜７をスパッタリン
グ等により形成してガラス原盤のピット表面を導電化す
る。このような導電膜７を有するガラス原盤１を電鋳槽
に浸漬して導電膜７上に膜厚約0.3ｍｍのニッケルメッ
キ膜８を形成する（図１（ｅ））。電鋳されたニッケル
メッキ膜８をガラス円盤１から剥離しニッケルメッキ膜
上に残留するフォトレジスト２を洗浄して除去しマスタ
ー原盤（マスタースタンパ）８を得る（図１（ｆ））。
【０００５】次に図１（ｇ）に示すようにマスタースタ
ンパ８の表面にクロム酸による剥離皮膜を形成した後、
電鋳槽に浸してマスタースタンパ８のピット表面上に膜
厚0.3ｍｍのニッケルメッキ膜９を形成する。このニッ
ケルメッキ膜９の裏面に裏打ち板10を設け（図１
（ｈ））、次いでマスタースタンパ８からニッケルメッ
キ膜９を剥離し、マザー原盤（マザースタンパ）９を得
る（図１（ｉ））。
ンパ８の表面にクロム酸による剥離皮膜を形成した後、
電鋳槽に浸してマスタースタンパ８のピット表面上に膜
厚0.3ｍｍのニッケルメッキ膜９を形成する。このニッ
ケルメッキ膜９の裏面に裏打ち板10を設け（図１
（ｈ））、次いでマスタースタンパ８からニッケルメッ
キ膜９を剥離し、マザー原盤（マザースタンパ）９を得
る（図１（ｉ））。
【０００６】次に図１（ｊ）に示すように、このような
マザースタンパ９の表面にクロム酸による剥離皮膜を形
成した後、電鋳槽に浸漬してマザースタンパ９のピット
表面上に膜厚0.3ｍｍのニッケルメッキ膜１１を形成す
る。このニッケルメッキ膜１１をマザースタンパ９から
剥離しサンスタンパ１１を得る（図１（ｈ））。
マザースタンパ９の表面にクロム酸による剥離皮膜を形
成した後、電鋳槽に浸漬してマザースタンパ９のピット
表面上に膜厚0.3ｍｍのニッケルメッキ膜１１を形成す
る。このニッケルメッキ膜１１をマザースタンパ９から
剥離しサンスタンパ１１を得る（図１（ｈ））。
【０００７】次に図１（ｌ）で示すようにサンスタンパ
１１の上に保護膜１２を塗布して裏面研摩機用治具に装
置し、裏面を研摩して研摩済みのサンスタンパ１３を得
る。
１１の上に保護膜１２を塗布して裏面研摩機用治具に装
置し、裏面を研摩して研摩済みのサンスタンパ１３を得
る。
【０００８】しかしながら、上述したような裏面研摩法
によると、サンスタンパ１１と保護膜１２との間に研摩
液が浸入して水や研摩粒子がピット上に付着したりスタ
ンパ表面を腐食したりする。そしてこのようにして形成
された研摩済みのスタンパ１３を用いて成形した光ディ
スク基板には正常なピットが転写されず、最終的には光
ディスクの信号欠落の原因となるという欠点があった。
によると、サンスタンパ１１と保護膜１２との間に研摩
液が浸入して水や研摩粒子がピット上に付着したりスタ
ンパ表面を腐食したりする。そしてこのようにして形成
された研摩済みのスタンパ１３を用いて成形した光ディ
スク基板には正常なピットが転写されず、最終的には光
ディスクの信号欠落の原因となるという欠点があった。
【０００９】特開昭60-251536号公報にはマスタースタ
ンパを研摩する際、ガラス基盤とニッケル膜の界面への
冷却水の浸入を防止するため、フォトレジスト膜を形成
したガラス原盤の信号形成範囲よりも内側にダミーのピ
ットを形成することによりガラス基盤とフォトレジスト
膜との間、フォトレジスト膜とニッケル導電膜との間な
どの付着力を大きくする方法が記載される。
ンパを研摩する際、ガラス基盤とニッケル膜の界面への
冷却水の浸入を防止するため、フォトレジスト膜を形成
したガラス原盤の信号形成範囲よりも内側にダミーのピ
ットを形成することによりガラス基盤とフォトレジスト
膜との間、フォトレジスト膜とニッケル導電膜との間な
どの付着力を大きくする方法が記載される。
【００１０】又、特公昭60-48051号公報にはピット形成
後のガラス基盤の内周及び外周に同心円状の溝を多数形
成する、いわゆる面粗したガラス基板に金属を付着する
前にヤスリがけを行い、剥離防止効果を向上させる方法
が記載されている。
後のガラス基盤の内周及び外周に同心円状の溝を多数形
成する、いわゆる面粗したガラス基板に金属を付着する
前にヤスリがけを行い、剥離防止効果を向上させる方法
が記載されている。
【００１１】しかしながら、上記ダミーのピットによる
方法は信号形成範囲の近傍にしかピットの作成は困難で
あり、且つピットによる密着力は弱く剥離防止効果は不
十分である。又、上記ヤスリがけによる面粗しでは面粗
し時に微細粒子が発生し原盤表面を汚し易く、且つ原盤
表面を保護する方法にも困難が伴い実際的でない。更に
いずれも電鋳までの工程を考慮したものに過ぎない。
方法は信号形成範囲の近傍にしかピットの作成は困難で
あり、且つピットによる密着力は弱く剥離防止効果は不
十分である。又、上記ヤスリがけによる面粗しでは面粗
し時に微細粒子が発生し原盤表面を汚し易く、且つ原盤
表面を保護する方法にも困難が伴い実際的でない。更に
いずれも電鋳までの工程を考慮したものに過ぎない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、保護
膜のスタンパへの密着性を向上し、研摩液からスタンパ
の表面を保護することが可能なスタンパ裏面の研摩方法
を得ることにある。
膜のスタンパへの密着性を向上し、研摩液からスタンパ
の表面を保護することが可能なスタンパ裏面の研摩方法
を得ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スタン
パの表面上（ピット形成側）に保護膜を設けた後、裏面
を研摩する方法において、スタンパ表面の外周部に密着
剤を塗布し、加温した後、又は加温することなく保護膜
を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する方法が提供され
る。
パの表面上（ピット形成側）に保護膜を設けた後、裏面
を研摩する方法において、スタンパ表面の外周部に密着
剤を塗布し、加温した後、又は加温することなく保護膜
を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する方法が提供され
る。
【００１４】上記密着剤としては、フォトレジストある
いは瞬間接着剤等の接着剤が好ましい。
いは瞬間接着剤等の接着剤が好ましい。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１６】〔実施例１〕常法により作成したサンスタ
ンパ（Ｎｉ材、外径：160mm、板厚：0.3mm）の外周部
(半径75ｍｍ以上）にフォトレジスト２ＣＰ（東京応化
社製OFPR−800）をベンコットンに含ませて約５ｍｍ幅
で円周状に塗布した。次に７０℃のオーブンで１０分間
保温した後、シンナー８０ｍｌ、クリヤー６０ｍｌを調
合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。再び
７０℃のオーブンで１０分間保温した後、スタンパ裏面
を常法により（研磨機にスタンパセッティング治具を取
り付けて）研摩した。なお、ＣＰ＝ｃｅｎｔｉ ｐｏｉ
ｓｅを示す。
ンパ（Ｎｉ材、外径：160mm、板厚：0.3mm）の外周部
(半径75ｍｍ以上）にフォトレジスト２ＣＰ（東京応化
社製OFPR−800）をベンコットンに含ませて約５ｍｍ幅
で円周状に塗布した。次に７０℃のオーブンで１０分間
保温した後、シンナー８０ｍｌ、クリヤー６０ｍｌを調
合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。再び
７０℃のオーブンで１０分間保温した後、スタンパ裏面
を常法により（研磨機にスタンパセッティング治具を取
り付けて）研摩した。なお、ＣＰ＝ｃｅｎｔｉ ｐｏｉ
ｓｅを示す。
【００１７】〔実施例２〕実施例１と同様にしてサンス
タンパ外周部にフォトレジストを円周状に塗布した後、
その内周側に約３ｍｍ幅を置いて再度５ｍｍ幅に塗布し
た。次いで実施例１と同様に加温、保護膜塗布、再加温
し、裏面を研摩した。
タンパ外周部にフォトレジストを円周状に塗布した後、
その内周側に約３ｍｍ幅を置いて再度５ｍｍ幅に塗布し
た。次いで実施例１と同様に加温、保護膜塗布、再加温
し、裏面を研摩した。
【００１８】〔実施例３〕フォトレジスト２ＣＰ（東京
応化社製OFPR−800）をシンナーにて希釈して0.5ＣＰと
し、実施例１と同じサンスタンパの外周部（半径75ｍｍ
以上のところ）にディスペンサーにより１０ｍｍ幅に塗
布し、スピナーにて毎分300回転で回転させ余分なフォ
トレジストを飛散させた。次いで９０℃のオーブンで３
０分間保温した後、シンナー８０ｍｌ，クリヤ６０ｍｌ
を調合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。
次いで７０℃のオーブンで１０分間保温した後、常法に
より裏面研摩を行った。
応化社製OFPR−800）をシンナーにて希釈して0.5ＣＰと
し、実施例１と同じサンスタンパの外周部（半径75ｍｍ
以上のところ）にディスペンサーにより１０ｍｍ幅に塗
布し、スピナーにて毎分300回転で回転させ余分なフォ
トレジストを飛散させた。次いで９０℃のオーブンで３
０分間保温した後、シンナー８０ｍｌ，クリヤ６０ｍｌ
を調合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。
次いで７０℃のオーブンで１０分間保温した後、常法に
より裏面研摩を行った。
【００１９】〔実施例４〕実施例１と同じサンスタンパ
の外周部（半径７５ｍｍ以上）にα−シアノアクリレ−
ト系瞬間接着剤（アルファ技研社製アルテコ）を２ｍｍ
幅にディスペンサーで塗布し、実施例３と同様にスピナ
ーにて余分な接着剤を飛散させ、接着剤を円周状に塗布
した。接着剤が半乾燥状態のとき、シンナー８０ｍｌ、
クリヤー６０ｍｌを調合し、接着剤上にスプレー塗布し
た。次いで７０℃のオーブンで１０分間保温した後、常
法により裏面研摩を行った。
の外周部（半径７５ｍｍ以上）にα−シアノアクリレ−
ト系瞬間接着剤（アルファ技研社製アルテコ）を２ｍｍ
幅にディスペンサーで塗布し、実施例３と同様にスピナ
ーにて余分な接着剤を飛散させ、接着剤を円周状に塗布
した。接着剤が半乾燥状態のとき、シンナー８０ｍｌ、
クリヤー６０ｍｌを調合し、接着剤上にスプレー塗布し
た。次いで７０℃のオーブンで１０分間保温した後、常
法により裏面研摩を行った。
【００２０】〔実施例５〕実施例４で用いた接着剤の代
わりにエポキシ系接着剤（セメダイン社製セメダイEP−
171)を用い、サンスタンパ外周部に５ｍｍ幅にて塗布
し、８０℃で２０分間硬化させた。次いで実施例４と同
様、保護膜をスプレー塗布し、オーブンで保温後、裏面
研摩を行った。
わりにエポキシ系接着剤（セメダイン社製セメダイEP−
171)を用い、サンスタンパ外周部に５ｍｍ幅にて塗布
し、８０℃で２０分間硬化させた。次いで実施例４と同
様、保護膜をスプレー塗布し、オーブンで保温後、裏面
研摩を行った。
【００２１】以上の実施例１〜実施例５で得たサンスタ
ンパの目視検査結果を表１に示す。
ンパの目視検査結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】（注）目視検査：研磨後、直ちに保護膜を
剥がし研磨液（材）の浸入の有無を観察する。研磨液が
浸入すると浸入した部分の表面が白く見える。しかも時
間が経つと研磨材中に含有されている酸により腐食して
くる。
剥がし研磨液（材）の浸入の有無を観察する。研磨液が
浸入すると浸入した部分の表面が白く見える。しかも時
間が経つと研磨材中に含有されている酸により腐食して
くる。
【００２４】表１より明らかなように、実施例によれば
いずれも研摩時の研摩液の浸入は発生しない。なお、実
施例４及び実施例５で用いた接着剤の場合は、スタンパ
と保護膜との間の研摩液の浸入は防止できるが、研摩後
接着剤をスタンパから剥離することは困難である。しか
しながらスタンパの外周近傍にのみ塗布するため、最終
的にはスタンパの外径仕上げを行うとき切断されてしま
うため支障はない。
いずれも研摩時の研摩液の浸入は発生しない。なお、実
施例４及び実施例５で用いた接着剤の場合は、スタンパ
と保護膜との間の研摩液の浸入は防止できるが、研摩後
接着剤をスタンパから剥離することは困難である。しか
しながらスタンパの外周近傍にのみ塗布するため、最終
的にはスタンパの外径仕上げを行うとき切断されてしま
うため支障はない。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によればサンスタン
パの裏面研摩時の研摩液の浸入を完全に防止することが
できる。又、密着剤としてフォトレジストを用いている
ため、マスタリング工程で用いるフォトレジストと共有
できるだけでなく、マスタリング工程で使用されるレジ
スト付着物の洗浄液等も転用できるため、生産コスト上
極めて有利である。
パの裏面研摩時の研摩液の浸入を完全に防止することが
できる。又、密着剤としてフォトレジストを用いている
ため、マスタリング工程で用いるフォトレジストと共有
できるだけでなく、マスタリング工程で使用されるレジ
スト付着物の洗浄液等も転用できるため、生産コスト上
極めて有利である。
【図１】スタンパの作成工程を説明するための工程図。
８ マスタースタンパ ９ マザースタンパ 11 サンスタンパ 12 保護膜 13 研摩済みサンスタンパ
Claims (3)
- 【請求項１】 スタンパ表面に保護膜を設けて裏面を研
摩するスタンパの裏面研摩方法において、スタンパ表面
の外周部に密着剤を塗布し、加温した後、又は加温する
ことなく保護膜を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する
ことを特徴とする光ディスク用スタンパの裏面研摩方
法。 - 【請求項２】 密着剤としてフォトレジスト又は接着剤
を用いることを特徴とする請求項１記載の光ディスク用
スタンパの裏面研摩方法。 - 【請求項３】 接着剤として瞬間接着剤を用いることで
特徴とする請求項２記載の光ディスク用スタンパの裏面
研摩方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29206992A JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29206992A JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119663A JPH06119663A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3207560B2 true JP3207560B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17777137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29206992A Expired - Fee Related JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3207560B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP29206992A patent/JP3207560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06119663A (ja) | 1994-04-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
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