JP3207560B2 - 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 - Google Patents
光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。Info
- Publication number
- JP3207560B2 JP3207560B2 JP29206992A JP29206992A JP3207560B2 JP 3207560 B2 JP3207560 B2 JP 3207560B2 JP 29206992 A JP29206992 A JP 29206992A JP 29206992 A JP29206992 A JP 29206992A JP 3207560 B2 JP3207560 B2 JP 3207560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- polishing
- adhesive
- photoresist
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はCD、VD等に使用され
る光ディスク用基板の複製工程で用いられるスタンパの
裏面研摩方法に関する。
る光ディスク用基板の複製工程で用いられるスタンパの
裏面研摩方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスク用基板の複製用スタンパを作
成するには、一般に図1に示すような方法が行われてい
る。
成するには、一般に図1に示すような方法が行われてい
る。
【0003】図1(a)に示すように、まず平坦なガラ
ス円盤1の表面にスピンコート法等によりフォトレジス
トを一様に塗布し、乾燥させてフォトレジストの薄膜2
を形成させる。次にこのフォトレジスト膜2を坦持した
ガラス円盤1を、いわゆるカッティング装置に装着して
信号に応じたレーザービーム3を対物レンズ4を介して
回転するフォトレジスト膜2上に照射する(図1
(b))。このようにして所定信号を坦持した同心円上
のピット列をフォトレジスト膜2上に潜像として形成
し、現像によりピット5の列を有するガラス原盤が作成
される(図1(c))。
ス円盤1の表面にスピンコート法等によりフォトレジス
トを一様に塗布し、乾燥させてフォトレジストの薄膜2
を形成させる。次にこのフォトレジスト膜2を坦持した
ガラス円盤1を、いわゆるカッティング装置に装着して
信号に応じたレーザービーム3を対物レンズ4を介して
回転するフォトレジスト膜2上に照射する(図1
(b))。このようにして所定信号を坦持した同心円上
のピット列をフォトレジスト膜2上に潜像として形成
し、現像によりピット5の列を有するガラス原盤が作成
される(図1(c))。
【0004】次に図1(d)に示すように、フォトレジ
スト膜2上に銀、ニッケル等の導電膜7をスパッタリン
グ等により形成してガラス原盤のピット表面を導電化す
る。このような導電膜7を有するガラス原盤1を電鋳槽
に浸漬して導電膜7上に膜厚約0.3mmのニッケルメッ
キ膜8を形成する(図1(e))。電鋳されたニッケル
メッキ膜8をガラス円盤1から剥離しニッケルメッキ膜
上に残留するフォトレジスト2を洗浄して除去しマスタ
ー原盤(マスタースタンパ)8を得る(図1(f))。
スト膜2上に銀、ニッケル等の導電膜7をスパッタリン
グ等により形成してガラス原盤のピット表面を導電化す
る。このような導電膜7を有するガラス原盤1を電鋳槽
に浸漬して導電膜7上に膜厚約0.3mmのニッケルメッ
キ膜8を形成する(図1(e))。電鋳されたニッケル
メッキ膜8をガラス円盤1から剥離しニッケルメッキ膜
上に残留するフォトレジスト2を洗浄して除去しマスタ
ー原盤(マスタースタンパ)8を得る(図1(f))。
【0005】次に図1(g)に示すようにマスタースタ
ンパ8の表面にクロム酸による剥離皮膜を形成した後、
電鋳槽に浸してマスタースタンパ8のピット表面上に膜
厚0.3mmのニッケルメッキ膜9を形成する。このニッ
ケルメッキ膜9の裏面に裏打ち板10を設け(図1
(h))、次いでマスタースタンパ8からニッケルメッ
キ膜9を剥離し、マザー原盤(マザースタンパ)9を得
る(図1(i))。
ンパ8の表面にクロム酸による剥離皮膜を形成した後、
電鋳槽に浸してマスタースタンパ8のピット表面上に膜
厚0.3mmのニッケルメッキ膜9を形成する。このニッ
ケルメッキ膜9の裏面に裏打ち板10を設け(図1
(h))、次いでマスタースタンパ8からニッケルメッ
キ膜9を剥離し、マザー原盤(マザースタンパ)9を得
る(図1(i))。
【0006】次に図1(j)に示すように、このような
マザースタンパ9の表面にクロム酸による剥離皮膜を形
成した後、電鋳槽に浸漬してマザースタンパ9のピット
表面上に膜厚0.3mmのニッケルメッキ膜11を形成す
る。このニッケルメッキ膜11をマザースタンパ9から
剥離しサンスタンパ11を得る(図1(h))。
マザースタンパ9の表面にクロム酸による剥離皮膜を形
成した後、電鋳槽に浸漬してマザースタンパ9のピット
表面上に膜厚0.3mmのニッケルメッキ膜11を形成す
る。このニッケルメッキ膜11をマザースタンパ9から
剥離しサンスタンパ11を得る(図1(h))。
【0007】次に図1(l)で示すようにサンスタンパ
11の上に保護膜12を塗布して裏面研摩機用治具に装
置し、裏面を研摩して研摩済みのサンスタンパ13を得
る。
11の上に保護膜12を塗布して裏面研摩機用治具に装
置し、裏面を研摩して研摩済みのサンスタンパ13を得
る。
【0008】しかしながら、上述したような裏面研摩法
によると、サンスタンパ11と保護膜12との間に研摩
液が浸入して水や研摩粒子がピット上に付着したりスタ
ンパ表面を腐食したりする。そしてこのようにして形成
された研摩済みのスタンパ13を用いて成形した光ディ
スク基板には正常なピットが転写されず、最終的には光
ディスクの信号欠落の原因となるという欠点があった。
によると、サンスタンパ11と保護膜12との間に研摩
液が浸入して水や研摩粒子がピット上に付着したりスタ
ンパ表面を腐食したりする。そしてこのようにして形成
された研摩済みのスタンパ13を用いて成形した光ディ
スク基板には正常なピットが転写されず、最終的には光
ディスクの信号欠落の原因となるという欠点があった。
【0009】特開昭60-251536号公報にはマスタースタ
ンパを研摩する際、ガラス基盤とニッケル膜の界面への
冷却水の浸入を防止するため、フォトレジスト膜を形成
したガラス原盤の信号形成範囲よりも内側にダミーのピ
ットを形成することによりガラス基盤とフォトレジスト
膜との間、フォトレジスト膜とニッケル導電膜との間な
どの付着力を大きくする方法が記載される。
ンパを研摩する際、ガラス基盤とニッケル膜の界面への
冷却水の浸入を防止するため、フォトレジスト膜を形成
したガラス原盤の信号形成範囲よりも内側にダミーのピ
ットを形成することによりガラス基盤とフォトレジスト
膜との間、フォトレジスト膜とニッケル導電膜との間な
どの付着力を大きくする方法が記載される。
【0010】又、特公昭60-48051号公報にはピット形成
後のガラス基盤の内周及び外周に同心円状の溝を多数形
成する、いわゆる面粗したガラス基板に金属を付着する
前にヤスリがけを行い、剥離防止効果を向上させる方法
が記載されている。
後のガラス基盤の内周及び外周に同心円状の溝を多数形
成する、いわゆる面粗したガラス基板に金属を付着する
前にヤスリがけを行い、剥離防止効果を向上させる方法
が記載されている。
【0011】しかしながら、上記ダミーのピットによる
方法は信号形成範囲の近傍にしかピットの作成は困難で
あり、且つピットによる密着力は弱く剥離防止効果は不
十分である。又、上記ヤスリがけによる面粗しでは面粗
し時に微細粒子が発生し原盤表面を汚し易く、且つ原盤
表面を保護する方法にも困難が伴い実際的でない。更に
いずれも電鋳までの工程を考慮したものに過ぎない。
方法は信号形成範囲の近傍にしかピットの作成は困難で
あり、且つピットによる密着力は弱く剥離防止効果は不
十分である。又、上記ヤスリがけによる面粗しでは面粗
し時に微細粒子が発生し原盤表面を汚し易く、且つ原盤
表面を保護する方法にも困難が伴い実際的でない。更に
いずれも電鋳までの工程を考慮したものに過ぎない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、保護
膜のスタンパへの密着性を向上し、研摩液からスタンパ
の表面を保護することが可能なスタンパ裏面の研摩方法
を得ることにある。
膜のスタンパへの密着性を向上し、研摩液からスタンパ
の表面を保護することが可能なスタンパ裏面の研摩方法
を得ることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、スタン
パの表面上(ピット形成側)に保護膜を設けた後、裏面
を研摩する方法において、スタンパ表面の外周部に密着
剤を塗布し、加温した後、又は加温することなく保護膜
を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する方法が提供され
る。
パの表面上(ピット形成側)に保護膜を設けた後、裏面
を研摩する方法において、スタンパ表面の外周部に密着
剤を塗布し、加温した後、又は加温することなく保護膜
を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する方法が提供され
る。
【0014】上記密着剤としては、フォトレジストある
いは瞬間接着剤等の接着剤が好ましい。
いは瞬間接着剤等の接着剤が好ましい。
【0015】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【0016】〔実施例1〕常法により作成したサンスタ
ンパ(Ni材、外径:160mm、板厚:0.3mm)の外周部
(半径75mm以上)にフォトレジスト2CP(東京応化
社製OFPR−800)をベンコットンに含ませて約5mm幅
で円周状に塗布した。次に70℃のオーブンで10分間
保温した後、シンナー80ml、クリヤー60mlを調
合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。再び
70℃のオーブンで10分間保温した後、スタンパ裏面
を常法により(研磨機にスタンパセッティング治具を取
り付けて)研摩した。なお、CP=centi poi
seを示す。
ンパ(Ni材、外径:160mm、板厚:0.3mm)の外周部
(半径75mm以上)にフォトレジスト2CP(東京応化
社製OFPR−800)をベンコットンに含ませて約5mm幅
で円周状に塗布した。次に70℃のオーブンで10分間
保温した後、シンナー80ml、クリヤー60mlを調
合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。再び
70℃のオーブンで10分間保温した後、スタンパ裏面
を常法により(研磨機にスタンパセッティング治具を取
り付けて)研摩した。なお、CP=centi poi
seを示す。
【0017】〔実施例2〕実施例1と同様にしてサンス
タンパ外周部にフォトレジストを円周状に塗布した後、
その内周側に約3mm幅を置いて再度5mm幅に塗布し
た。次いで実施例1と同様に加温、保護膜塗布、再加温
し、裏面を研摩した。
タンパ外周部にフォトレジストを円周状に塗布した後、
その内周側に約3mm幅を置いて再度5mm幅に塗布し
た。次いで実施例1と同様に加温、保護膜塗布、再加温
し、裏面を研摩した。
【0018】〔実施例3〕フォトレジスト2CP(東京
応化社製OFPR−800)をシンナーにて希釈して0.5CPと
し、実施例1と同じサンスタンパの外周部(半径75mm
以上のところ)にディスペンサーにより10mm幅に塗
布し、スピナーにて毎分300回転で回転させ余分なフォ
トレジストを飛散させた。次いで90℃のオーブンで3
0分間保温した後、シンナー80ml,クリヤ60ml
を調合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。
次いで70℃のオーブンで10分間保温した後、常法に
より裏面研摩を行った。
応化社製OFPR−800)をシンナーにて希釈して0.5CPと
し、実施例1と同じサンスタンパの外周部(半径75mm
以上のところ)にディスペンサーにより10mm幅に塗
布し、スピナーにて毎分300回転で回転させ余分なフォ
トレジストを飛散させた。次いで90℃のオーブンで3
0分間保温した後、シンナー80ml,クリヤ60ml
を調合し、上記フォトレジスト上にスプレー塗布した。
次いで70℃のオーブンで10分間保温した後、常法に
より裏面研摩を行った。
【0019】〔実施例4〕実施例1と同じサンスタンパ
の外周部(半径75mm以上)にα−シアノアクリレ−
ト系瞬間接着剤(アルファ技研社製アルテコ)を2mm
幅にディスペンサーで塗布し、実施例3と同様にスピナ
ーにて余分な接着剤を飛散させ、接着剤を円周状に塗布
した。接着剤が半乾燥状態のとき、シンナー80ml、
クリヤー60mlを調合し、接着剤上にスプレー塗布し
た。次いで70℃のオーブンで10分間保温した後、常
法により裏面研摩を行った。
の外周部(半径75mm以上)にα−シアノアクリレ−
ト系瞬間接着剤(アルファ技研社製アルテコ)を2mm
幅にディスペンサーで塗布し、実施例3と同様にスピナ
ーにて余分な接着剤を飛散させ、接着剤を円周状に塗布
した。接着剤が半乾燥状態のとき、シンナー80ml、
クリヤー60mlを調合し、接着剤上にスプレー塗布し
た。次いで70℃のオーブンで10分間保温した後、常
法により裏面研摩を行った。
【0020】〔実施例5〕実施例4で用いた接着剤の代
わりにエポキシ系接着剤(セメダイン社製セメダイEP−
171)を用い、サンスタンパ外周部に5mm幅にて塗布
し、80℃で20分間硬化させた。次いで実施例4と同
様、保護膜をスプレー塗布し、オーブンで保温後、裏面
研摩を行った。
わりにエポキシ系接着剤(セメダイン社製セメダイEP−
171)を用い、サンスタンパ外周部に5mm幅にて塗布
し、80℃で20分間硬化させた。次いで実施例4と同
様、保護膜をスプレー塗布し、オーブンで保温後、裏面
研摩を行った。
【0021】以上の実施例1〜実施例5で得たサンスタ
ンパの目視検査結果を表1に示す。
ンパの目視検査結果を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】(注)目視検査:研磨後、直ちに保護膜を
剥がし研磨液(材)の浸入の有無を観察する。研磨液が
浸入すると浸入した部分の表面が白く見える。しかも時
間が経つと研磨材中に含有されている酸により腐食して
くる。
剥がし研磨液(材)の浸入の有無を観察する。研磨液が
浸入すると浸入した部分の表面が白く見える。しかも時
間が経つと研磨材中に含有されている酸により腐食して
くる。
【0024】表1より明らかなように、実施例によれば
いずれも研摩時の研摩液の浸入は発生しない。なお、実
施例4及び実施例5で用いた接着剤の場合は、スタンパ
と保護膜との間の研摩液の浸入は防止できるが、研摩後
接着剤をスタンパから剥離することは困難である。しか
しながらスタンパの外周近傍にのみ塗布するため、最終
的にはスタンパの外径仕上げを行うとき切断されてしま
うため支障はない。
いずれも研摩時の研摩液の浸入は発生しない。なお、実
施例4及び実施例5で用いた接着剤の場合は、スタンパ
と保護膜との間の研摩液の浸入は防止できるが、研摩後
接着剤をスタンパから剥離することは困難である。しか
しながらスタンパの外周近傍にのみ塗布するため、最終
的にはスタンパの外径仕上げを行うとき切断されてしま
うため支障はない。
【0025】
【発明の効果】以上のように本発明によればサンスタン
パの裏面研摩時の研摩液の浸入を完全に防止することが
できる。又、密着剤としてフォトレジストを用いている
ため、マスタリング工程で用いるフォトレジストと共有
できるだけでなく、マスタリング工程で使用されるレジ
スト付着物の洗浄液等も転用できるため、生産コスト上
極めて有利である。
パの裏面研摩時の研摩液の浸入を完全に防止することが
できる。又、密着剤としてフォトレジストを用いている
ため、マスタリング工程で用いるフォトレジストと共有
できるだけでなく、マスタリング工程で使用されるレジ
スト付着物の洗浄液等も転用できるため、生産コスト上
極めて有利である。
【図1】スタンパの作成工程を説明するための工程図。
8 マスタースタンパ 9 マザースタンパ 11 サンスタンパ 12 保護膜 13 研摩済みサンスタンパ
Claims (3)
- 【請求項1】 スタンパ表面に保護膜を設けて裏面を研
摩するスタンパの裏面研摩方法において、スタンパ表面
の外周部に密着剤を塗布し、加温した後、又は加温する
ことなく保護膜を塗布、乾燥し、次いで裏面を研摩する
ことを特徴とする光ディスク用スタンパの裏面研摩方
法。 - 【請求項2】 密着剤としてフォトレジスト又は接着剤
を用いることを特徴とする請求項1記載の光ディスク用
スタンパの裏面研摩方法。 - 【請求項3】 接着剤として瞬間接着剤を用いることで
特徴とする請求項2記載の光ディスク用スタンパの裏面
研摩方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29206992A JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29206992A JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06119663A JPH06119663A (ja) | 1994-04-28 |
JP3207560B2 true JP3207560B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=17777137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29206992A Expired - Fee Related JP3207560B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3207560B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP29206992A patent/JP3207560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06119663A (ja) | 1994-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3207560B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの裏面研摩方法。 | |
JP3221627B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
JP2916542B2 (ja) | 電鋳原版電鋳方法及び電鋳原版 | |
JPH09262733A (ja) | 原盤の保持装置 | |
JPH052779A (ja) | スタンパーの製造方法 | |
JPH02149952A (ja) | スタンパー製造方法 | |
JPH10222878A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
JPH05144094A (ja) | 光デイスクスタンパーの製造方法 | |
JP2517161B2 (ja) | 光ディスク原盤およびマスタ―スタンパ―の製造方法 | |
JPS6339161A (ja) | 光デイスク用スタンパ | |
JP2683118B2 (ja) | 光ディスク複製用スタンパの製造方法 | |
JPH02303819A (ja) | 光記録媒体用スタンパーの製造方法 | |
JPH0273987A (ja) | スタンパの複製方法 | |
JPS60226043A (ja) | 情報記録担体の複製用原盤の製造装置 | |
JPH09180270A (ja) | 光ディスク用スタンパの保護方法 | |
JPH09274744A (ja) | 金属原盤製造方法 | |
JPH01127265A (ja) | 光ディスク成形用スタンパの裏面研摩装置 | |
JPH08129782A (ja) | スタンパ複製用電鋳装置 | |
JPS62232733A (ja) | スタンパの製造方法 | |
JPS61275839A (ja) | フオトレジスト膜の形成方法 | |
JPS61163342A (ja) | フオトレジスト除去方法 | |
JPS62270037A (ja) | 光デイスク原盤 | |
JPH03170690A (ja) | 光ディスク複製用スタンパの電鋳装置及びその電鋳方法 | |
JPS59114032A (ja) | デイスクスタンプ盤の製造方法 | |
JPS6055533A (ja) | 微細形状転写型の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070706 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090706 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |