JPH0567069B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0567069B2 JPH0567069B2 JP62192832A JP19283287A JPH0567069B2 JP H0567069 B2 JPH0567069 B2 JP H0567069B2 JP 62192832 A JP62192832 A JP 62192832A JP 19283287 A JP19283287 A JP 19283287A JP H0567069 B2 JPH0567069 B2 JP H0567069B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- resin body
- metal layer
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に耐
湿性を有する樹脂封止型半導体装置に関する。
湿性を有する樹脂封止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置は、量産性にすぐれ、材
料費が安い等の利点がある反面耐湿性については
やや難点がある。
料費が安い等の利点がある反面耐湿性については
やや難点がある。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
第２図に示すように、リードフレームのアイラ
ンド１の上に半導体チツプ２と搭載し、半導体チ
ツプ２の電極と前記リードフレームのリード３の
内側先端部との間をボンデイング線４で電気的に
接続する。次に、アイランド１及びリード３の内
側先端部を含んでトランスフアモールド法により
樹脂体５が封止し樹脂封止型半導体装置を構成す
る。
ンド１の上に半導体チツプ２と搭載し、半導体チ
ツプ２の電極と前記リードフレームのリード３の
内側先端部との間をボンデイング線４で電気的に
接続する。次に、アイランド１及びリード３の内
側先端部を含んでトランスフアモールド法により
樹脂体５が封止し樹脂封止型半導体装置を構成す
る。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、樹脂
が本来もつている性質の、水の透過のために、実
装時の半田付けによる熱衝撃によつて樹脂中に含
まれた水分の急激な気化を生じ局部的（リード先
端、半導体チツプの角など）に樹脂の弾性限度を
超える応力がかかり、樹脂割れを起こし、半導体
の耐湿性を低下させたり、樹脂を透過した水分が
樹脂中に含まれる微量の塩素と反応して半導体チ
ツプ上のアルミニウム配線を腐食し、アルミニウ
ム配線を断線を引き起すことなどの問題点があ
る。
が本来もつている性質の、水の透過のために、実
装時の半田付けによる熱衝撃によつて樹脂中に含
まれた水分の急激な気化を生じ局部的（リード先
端、半導体チツプの角など）に樹脂の弾性限度を
超える応力がかかり、樹脂割れを起こし、半導体
の耐湿性を低下させたり、樹脂を透過した水分が
樹脂中に含まれる微量の塩素と反応して半導体チ
ツプ上のアルミニウム配線を腐食し、アルミニウ
ム配線を断線を引き起すことなどの問題点があ
る。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレ
ームのアイランド上に搭載した半導体チツプと、
前記半導体チツプの電極と前記リードフレームの
リードの内側先端部との間を電気的に接続するボ
ンデイング線と、前記アイランド及び前記リード
の内側の先端部を含んで封止する第１の樹脂体
と、前記第１の樹脂体表面の前記リードの導出部
の近傍以外の全表面を被覆する金属層と、前記金
属層を含む表面を被覆して封止する第２の樹脂体
とを含んで構成される。
ームのアイランド上に搭載した半導体チツプと、
前記半導体チツプの電極と前記リードフレームの
リードの内側先端部との間を電気的に接続するボ
ンデイング線と、前記アイランド及び前記リード
の内側の先端部を含んで封止する第１の樹脂体
と、前記第１の樹脂体表面の前記リードの導出部
の近傍以外の全表面を被覆する金属層と、前記金
属層を含む表面を被覆して封止する第２の樹脂体
とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ〜ｃは本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した半導体装置の断面
図である。
説明するための工程順に示した半導体装置の断面
図である。
まず、第１図ａに示すように、リードフレーム
のアイランド１の上に半導体チツプ２を搭載し、
半導体チツプ２の電極と前記リードフレームのリ
ード３の内側先端部との間をボンデイング線４で
電気的に接続する。次に、アイランド１及びリー
ド３の内側の先端部を含んでトランスフアモール
ド法により樹脂体５で封止する。
のアイランド１の上に半導体チツプ２を搭載し、
半導体チツプ２の電極と前記リードフレームのリ
ード３の内側先端部との間をボンデイング線４で
電気的に接続する。次に、アイランド１及びリー
ド３の内側の先端部を含んでトランスフアモール
ド法により樹脂体５で封止する。
次に、第１図ｂに示すように、樹脂体５のリー
ド３と導出部近傍及び外部へ導出さたリード３を
樹脂等で作られたマスク６で被覆し、スパツタリ
ング法により樹脂体５の表面に金又はアルミニウ
ム等の金属層を１ｍμ程度の厚さに堆積させ、前
記金属層を電極としてイオンプレーテイング法に
より前記金属層と同じ金属を100ｍμの厚さに堆
積し、金属層７を形成する。
ド３と導出部近傍及び外部へ導出さたリード３を
樹脂等で作られたマスク６で被覆し、スパツタリ
ング法により樹脂体５の表面に金又はアルミニウ
ム等の金属層を１ｍμ程度の厚さに堆積させ、前
記金属層を電極としてイオンプレーテイング法に
より前記金属層と同じ金属を100ｍμの厚さに堆
積し、金属層７を形成する。
次に、第１図ｃに示すように、マスク６を除
き、トランスフアモールド法により樹脂体８で金
属膜７を被多して封止し、前記リードフレームの
タイバーの切断、リードを整形を行い半導体装置
を完成する。
き、トランスフアモールド法により樹脂体８で金
属膜７を被多して封止し、前記リードフレームの
タイバーの切断、リードを整形を行い半導体装置
を完成する。
以上説明したように本発明は、半導体チツプを
搭載してアイランドを第１の樹脂体で封止し、第
１の樹脂体のリード導出部近傍以外の全表面を金
属層で被覆し、更に金属層を含む表面を被覆する
第２の樹脂体で封止することにより、樹脂表面か
らの水の侵入を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上
させるという効果を有する。
搭載してアイランドを第１の樹脂体で封止し、第
１の樹脂体のリード導出部近傍以外の全表面を金
属層で被覆し、更に金属層を含む表面を被覆する
第２の樹脂体で封止することにより、樹脂表面か
らの水の侵入を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上
させるという効果を有する。
第１図ａ〜ｃは本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例
を示す断面図である。 １……アイランド、２……半導体チツプ、３…
…リード、４……ボンデイング線、５……樹脂
体、６……マスク、７……金属層、８……樹脂
体。
説明するための工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例
を示す断面図である。 １……アイランド、２……半導体チツプ、３…
…リード、４……ボンデイング線、５……樹脂
体、６……マスク、７……金属層、８……樹脂
体。
Claims (1)
- １ リードフレームのアイランド上に搭載した半
導体チツプと、前記半導体チツプの電極と前記リ
ードフレームのリードの内側先端部との間を電気
的に接続するボンデイング線と、前記アイランド
及び前記リードの内側に先端部を含んで封止する
第１の樹脂体と、前記第１の樹脂体表面の前記リ
ードの導出部の近傍以外の全表面を被覆する金属
層と、前記金属層を含む表面を被覆して封止する
第２の樹脂体とを含むことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19283287A JPS6437043A (en) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19283287A JPS6437043A (en) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6437043A JPS6437043A (en) | 1989-02-07 |
| JPH0567069B2 true JPH0567069B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=16297720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19283287A Granted JPS6437043A (en) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | Resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6437043A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600181A (en) * | 1995-05-24 | 1997-02-04 | Lockheed Martin Corporation | Hermetically sealed high density multi-chip package |
| JP2002058172A (ja) | 2000-08-11 | 2002-02-22 | Denso Corp | 車両用交流発電機の電圧制御装置 |
| TWI540698B (zh) | 2010-08-02 | 2016-07-01 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 半導體封裝件與其製造方法 |
| WO2016067930A1 (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子機器及び電子機器の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972748A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165664U (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-24 | ||
| JPS59151446U (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP19283287A patent/JPS6437043A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972748A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6437043A (en) | 1989-02-07 |
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