JPH06252318A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH06252318A JPH06252318A JP5038725A JP3872593A JPH06252318A JP H06252318 A JPH06252318 A JP H06252318A JP 5038725 A JP5038725 A JP 5038725A JP 3872593 A JP3872593 A JP 3872593A JP H06252318 A JPH06252318 A JP H06252318A
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- resin
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はステージの下面が露出している超薄
型の半導体装置に関し、ステージが樹脂パッケージ本体
から剥離することを防止することを目的とする。 【構成】 ステージ2の周縁の位置から斜上方に延出す
るアンカー腕部22,22A及びアンカー兼押付け腕部
23,23A,24,24Aを有する。この腕部22,
22A,23,23A,24,24Aが、樹脂パッケー
ジ本体16内に延出し、アンカーとして機能するよう構
成する。
型の半導体装置に関し、ステージが樹脂パッケージ本体
から剥離することを防止することを目的とする。 【構成】 ステージ2の周縁の位置から斜上方に延出す
るアンカー腕部22,22A及びアンカー兼押付け腕部
23,23A,24,24Aを有する。この腕部22,
22A,23,23A,24,24Aが、樹脂パッケー
ジ本体16内に延出し、アンカーとして機能するよう構
成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
樹脂封止構造であって、超薄型の半導体装置に関する。
樹脂封止構造であって、超薄型の半導体装置に関する。
【0002】近年、電子機器の小型化に対応すべく樹脂
封止構造の半導体装置は、厚さを1mm以下にまで超薄型
にすることが要求されている。
封止構造の半導体装置は、厚さを1mm以下にまで超薄型
にすることが要求されている。
【0003】
【従来の技術】図11は従来の半導体装置1を示す。
【0004】2はステージ、3は半導体素子、4はリー
ド、5はワイヤ、6は樹脂パッケージ本体である。7は
接着層である。
ド、5はワイヤ、6は樹脂パッケージ本体である。7は
接着層である。
【0005】半導体装置1にあっては、厚さt1 をでき
るだけ薄くするために、ステージ2の高さ位置を最大に
低くしてある。
るだけ薄くするために、ステージ2の高さ位置を最大に
低くしてある。
【0006】即ち、ステージ2は、その下面2aが樹脂
パッケージ本体6の下面6aと同じ面となるようにして
あり、ステージ2の下面2aが樹脂パッケージ本体6の
下面6aに露出している。
パッケージ本体6の下面6aと同じ面となるようにして
あり、ステージ2の下面2aが樹脂パッケージ本体6の
下面6aに露出している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の半導体装置
1は、超薄型にできるけれども、以下の問題があった。
1は、超薄型にできるけれども、以下の問題があった。
【0008】 ステージ2の剥離 半導体装置1をプリント板に実装するときに、熱により
接着層7が膨れる力によってステージ2が樹脂パッケー
ジ本体6から剥がれてしまうことがある。
接着層7が膨れる力によってステージ2が樹脂パッケー
ジ本体6から剥がれてしまうことがある。
【0009】また、ステージ2の剥離は、半導体装置1
の取扱い中の衝撃によっても起こりうる。
の取扱い中の衝撃によっても起こりうる。
【0010】ステージ2が剥離すると、半導体素子3の
封止が不完全となってしまう。
封止が不完全となってしまう。
【0011】 ステージ下面への樹脂のまわり込み 樹脂成形時に、樹脂がステージの下側に回り込み、図1
1に符号8で示すように薄い樹脂層(バリ)が形成さ
れ、封止不良となる。
1に符号8で示すように薄い樹脂層(バリ)が形成さ
れ、封止不良となる。
【0012】また、このバリは欠けてゴミとなり、他の
障害の原因ともなる。
障害の原因ともなる。
【0013】そこで、本発明は上記課題を解決した半導
体装置を提供することを目的とする。
体装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ステ
ージと、該ステージ上に固定された半導体素子と、該半
導体素子を封止する樹脂パッケージ本体とよりなり、該
ステージの下面が該樹脂パッケージ本体の下面に露出し
た構成の半導体装置において、上記ステージの周縁の位
置から上記樹脂パッケージ本体内に延出した腕部を有す
る構成としたものである。
ージと、該ステージ上に固定された半導体素子と、該半
導体素子を封止する樹脂パッケージ本体とよりなり、該
ステージの下面が該樹脂パッケージ本体の下面に露出し
た構成の半導体装置において、上記ステージの周縁の位
置から上記樹脂パッケージ本体内に延出した腕部を有す
る構成としたものである。
【0015】請求項2の発明は、ステージと、該ステー
ジ上に固定された半導体素子と、該半導体素子を封止す
る樹脂パッケージ本体とよりなり、該ステージの下面が
該樹脂パッケージ本体の下面に露出した構成の半導体装
置において、上記ステージの周縁の位置から上記樹脂パ
ッケージ本体内に延出しており、先端アンカー部が上記
樹脂パッケージ本体の上面に露出している腕部を有する
構成としたものである。
ジ上に固定された半導体素子と、該半導体素子を封止す
る樹脂パッケージ本体とよりなり、該ステージの下面が
該樹脂パッケージ本体の下面に露出した構成の半導体装
置において、上記ステージの周縁の位置から上記樹脂パ
ッケージ本体内に延出しており、先端アンカー部が上記
樹脂パッケージ本体の上面に露出している腕部を有する
構成としたものである。
【0016】請求項3の発明は、突き合わせた上下金型
内のキャビティに樹脂を流入させて、ステージ上に固定
された半導体素子を、該ステージの下面が露出した状態
で樹脂封止する半導体装置の製造方法において、上記上
金型の天井面が、上記ステージの周縁より斜め上方に延
出して形成してある腕部の先端を押し、該腕部を介して
上記ステージを上記下金型の底面に押し付けた状態で、
上記樹脂をキャビティ内に流入させる構成としたもので
ある。
内のキャビティに樹脂を流入させて、ステージ上に固定
された半導体素子を、該ステージの下面が露出した状態
で樹脂封止する半導体装置の製造方法において、上記上
金型の天井面が、上記ステージの周縁より斜め上方に延
出して形成してある腕部の先端を押し、該腕部を介して
上記ステージを上記下金型の底面に押し付けた状態で、
上記樹脂をキャビティ内に流入させる構成としたもので
ある。
【0017】
【作用】請求項1及び2の腕部は、アンカー効果を効果
的に発揮するように作用する。請求項3の腕部は、樹脂
成形時に、ステージを下金型に押し付ける力を加えるよ
うに作用する。
的に発揮するように作用する。請求項3の腕部は、樹脂
成形時に、ステージを下金型に押し付ける力を加えるよ
うに作用する。
【0018】
【実施例】図1乃至図7は本発明の一実施例の半導体装
置10を示す。
置10を示す。
【0019】各図中、11は長方形状のステージであ
り、この上面に半導体素子12が接着層13によって固
定してある。
り、この上面に半導体素子12が接着層13によって固
定してある。
【0020】14はリードである。
【0021】各リード14と半導体素子12上のパッド
とがワイヤ15により接続されている。
とがワイヤ15により接続されている。
【0022】16は樹脂パッケージであり、半導体素子
12を封止している。
12を封止している。
【0023】図5に示すように、ステージ11の下面1
1aは、樹脂パッケージ本体16の下面16aと同じ高
さであり、図4に示すようにステージ11の下面11a
は、樹脂パッケージ16の下面16aに露出している。
1aは、樹脂パッケージ本体16の下面16aと同じ高
さであり、図4に示すようにステージ11の下面11a
は、樹脂パッケージ16の下面16aに露出している。
【0024】半導体装置10の厚さt2 は1mm弱であ
る。
る。
【0025】ステージ11の一の長辺11bより、一対
のサポートバー20,21,及びアンカー手段としての
一のアンカー腕部22及び同じくアンカー手段としての
一対のアンカー兼押付け腕部23,24が樹脂パッケー
ジ本体16内に延出している。
のサポートバー20,21,及びアンカー手段としての
一のアンカー腕部22及び同じくアンカー手段としての
一対のアンカー兼押付け腕部23,24が樹脂パッケー
ジ本体16内に延出している。
【0026】上記のサポートバー20,21,一のアン
カー腕部22,及び腕部23,24と対称に、ステージ
11の別の長辺11cより、一対のサポートバー20
A,21A,一のアンカー腕部22A,一対のアンカー
兼押付け腕部23A,24Aが樹脂パッケージ本体16
内に延出している。
カー腕部22,及び腕部23,24と対称に、ステージ
11の別の長辺11cより、一対のサポートバー20
A,21A,一のアンカー腕部22A,一対のアンカー
兼押付け腕部23A,24Aが樹脂パッケージ本体16
内に延出している。
【0027】サポートバー20,21,20A,21A
は、図5に示すように、樹脂パッケージ本体16の周側
面16bにまで延出している。
は、図5に示すように、樹脂パッケージ本体16の周側
面16bにまで延出している。
【0028】アンカー腕部22,22Aは、図1,図2
及び図6に示すように、ステージ11に対して斜上方に
延在する斜上方延在部22a,22Aaと、この先端側
のアンカー部22b,22Abとよりなる。
及び図6に示すように、ステージ11に対して斜上方に
延在する斜上方延在部22a,22Aaと、この先端側
のアンカー部22b,22Abとよりなる。
【0029】アンカー部22b,22Abは、斜上方延
在部22a,22Aaに対して屈曲して水平状態にあ
り、且つ斜上方延在部22a,22Aaの幅W1 より広
い幅W 2 を有する。
在部22a,22Aaに対して屈曲して水平状態にあ
り、且つ斜上方延在部22a,22Aaの幅W1 より広
い幅W 2 を有する。
【0030】アンカー腕部22,22Aは、第1には斜
上方延在部22a,22Aa及びアンカー部22b,2
2Abが樹脂パッケージ本体16を形成している樹脂と
密着していることにより、第2には、アンカー部22
b,22Abが斜上方延在部22a,22Aaに対して
曲がっていることにより、第3には、アンカー部22
b,22Abのうち斜上方延在部22a,22Aaより
両側に拡がっている拡がり部分22b-1,22b-2,2
2Ab-1 ,22Ab-2 が樹脂パッケージ本体16とに引
っ掛かった状態にあることにより、アンカー効果を発揮
している。
上方延在部22a,22Aa及びアンカー部22b,2
2Abが樹脂パッケージ本体16を形成している樹脂と
密着していることにより、第2には、アンカー部22
b,22Abが斜上方延在部22a,22Aaに対して
曲がっていることにより、第3には、アンカー部22
b,22Abのうち斜上方延在部22a,22Aaより
両側に拡がっている拡がり部分22b-1,22b-2,2
2Ab-1 ,22Ab-2 が樹脂パッケージ本体16とに引
っ掛かった状態にあることにより、アンカー効果を発揮
している。
【0031】腕部23,23A,24,24Aは、図
1,図3,図7に示すように、樹脂パッケージ本体16
内を斜上方に樹脂パッケージ本体16の上面16cに達
するまで延在する斜上方延在部23a,23Aa,24
a,24Aaと、この斜上方延在部の先端にあって、斜
上方延在部に対して屈曲しており、水平とされて、樹脂
パッケージ本体16の上面16cに露出している、先端
アンカー部23b,23Ab,24b,24Abとより
なる。
1,図3,図7に示すように、樹脂パッケージ本体16
内を斜上方に樹脂パッケージ本体16の上面16cに達
するまで延在する斜上方延在部23a,23Aa,24
a,24Aaと、この斜上方延在部の先端にあって、斜
上方延在部に対して屈曲しており、水平とされて、樹脂
パッケージ本体16の上面16cに露出している、先端
アンカー部23b,23Ab,24b,24Abとより
なる。
【0032】腕部23,23A,24,24Aは、第1
には比較的長い斜上方延在部23a,23Aaが樹脂パ
ッケージ本体16を形成している樹脂と密着しているこ
とにより、第2には先端アンカー部23b,23Ab,
24b,24Abが斜上方延在部に対して屈曲している
ことによって、アンカー効果を発揮している。
には比較的長い斜上方延在部23a,23Aaが樹脂パ
ッケージ本体16を形成している樹脂と密着しているこ
とにより、第2には先端アンカー部23b,23Ab,
24b,24Abが斜上方延在部に対して屈曲している
ことによって、アンカー効果を発揮している。
【0033】これにより、ステージ11は、図4中、長
辺11bに沿う三個所,,で、且つ長辺11cに
沿う三個所,,で樹脂パッケージ本体16に対し
てアンカー固定されている。
辺11bに沿う三個所,,で、且つ長辺11cに
沿う三個所,,で樹脂パッケージ本体16に対し
てアンカー固定されている。
【0034】このため、半導体装置10をプリント基板
上に実装する場合において接着層13の膨張力によって
ステージ11に強い剥離力が作用したときにも、また、
取り扱い時に衝撃が加わったときにも、ステージ11が
樹脂パッケージ本体16より浮き上がったり剥離するこ
とは起きない。
上に実装する場合において接着層13の膨張力によって
ステージ11に強い剥離力が作用したときにも、また、
取り扱い時に衝撃が加わったときにも、ステージ11が
樹脂パッケージ本体16より浮き上がったり剥離するこ
とは起きない。
【0035】次に、上記樹脂パッケージ本体16の成形
について説明する。
について説明する。
【0036】図8に示すように、リードフレーム30を
下金型31上にセットし、上金型32を高さH2 まで下
げてセットする。
下金型31上にセットし、上金型32を高さH2 まで下
げてセットする。
【0037】上金型32及び下金型31は、従来から使
用されている一般の構造の金型である。
用されている一般の構造の金型である。
【0038】上記のセットにより、サポートバー20,
20A,21,21Aが上下金型30,31の間にクラ
ンプされ、半導体素子12が固定されたステージ11
が、サポートバー20,20A,21,21Aにより支
えられて、上下金型31,32により形成されたキャビ
ティ33内に支持される。
20A,21,21Aが上下金型30,31の間にクラ
ンプされ、半導体素子12が固定されたステージ11
が、サポートバー20,20A,21,21Aにより支
えられて、上下金型31,32により形成されたキャビ
ティ33内に支持される。
【0039】キャビティ33は高さ寸法hを有する。
【0040】図9に示すように、リードフレーム30を
下金型31上にセットした状態で前記の腕部23(2
4),23A(24A)は、ステージ11に対して垂直
な面35に対してステージ11の外側の方向に角度θ
(約15度)傾斜しており、且つ上記キャビティ高さh
より若干高い高さ寸法h1 を有する。
下金型31上にセットした状態で前記の腕部23(2
4),23A(24A)は、ステージ11に対して垂直
な面35に対してステージ11の外側の方向に角度θ
(約15度)傾斜しており、且つ上記キャビティ高さh
より若干高い高さ寸法h1 を有する。
【0041】上金型32が、図9中、下動し、下金型3
1に当接する直前に、上金型32の凹部32aの天井面
32bが先端アンカー部23b,23Ab,24b,2
4Abに当接する。このときの上金型32の高さをH1
とする。
1に当接する直前に、上金型32の凹部32aの天井面
32bが先端アンカー部23b,23Ab,24b,2
4Abに当接する。このときの上金型32の高さをH1
とする。
【0042】上金型32が高さH1 から最終高さH2 ま
で下降する最終段階の下降の過程において、天井面32
bが先端アンカー部23b,23Ab,24b,24A
bを下方に押し、腕部23,23A,24,24Aは、
図10中、実線で示すように、上記角度θが増す方向に
強制的に弾性変形せしめられる。
で下降する最終段階の下降の過程において、天井面32
bが先端アンカー部23b,23Ab,24b,24A
bを下方に押し、腕部23,23A,24,24Aは、
図10中、実線で示すように、上記角度θが増す方向に
強制的に弾性変形せしめられる。
【0043】これにより、腕部23,23A,24,2
4Aには、弾撥力が蓄勢される。
4Aには、弾撥力が蓄勢される。
【0044】この弾撥力により、第1には、ステージ1
1が力F1 で、下金型31の凹部31aの底面31bに
押し付けられ、第2には先端アンカー部23b,23A
b,24b,24Abが、力F2 で上金型32の天井面
32bに押し付けられる。
1が力F1 で、下金型31の凹部31aの底面31bに
押し付けられ、第2には先端アンカー部23b,23A
b,24b,24Abが、力F2 で上金型32の天井面
32bに押し付けられる。
【0045】この状態で、樹脂をキャビティ33内に流
入させて成形を行う。
入させて成形を行う。
【0046】このとき、ステージ11が,,,
のコーナ付近の4個所を底面30bに押し付けられてい
るため、樹脂がステージ11の下側に回り込むことはな
い。従って、図4に示すように、ステージ11の底面1
1aにバリが形成されない状態で、樹脂パッケージ本体
16が成形される。
のコーナ付近の4個所を底面30bに押し付けられてい
るため、樹脂がステージ11の下側に回り込むことはな
い。従って、図4に示すように、ステージ11の底面1
1aにバリが形成されない状態で、樹脂パッケージ本体
16が成形される。
【0047】また、先端アンカー部23b,23Ab,
24b,24Abも天井面32bに押し付けられてお
り、樹脂が先端アンカー部23b等の上側に回り込むこ
ともない。
24b,24Abも天井面32bに押し付けられてお
り、樹脂が先端アンカー部23b等の上側に回り込むこ
ともない。
【0048】これにより、樹脂パッケージ本体16は、
図3に示すように、先端アンカー部23b等の上面に樹
脂が回り込んでいない状態で成形される。
図3に示すように、先端アンカー部23b等の上面に樹
脂が回り込んでいない状態で成形される。
【0049】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項1及び2の発
明によれば、特別の部材を使用することなく、ステージ
が樹脂パッケージから浮き上がったり剥離することを防
止することが出来る。
明によれば、特別の部材を使用することなく、ステージ
が樹脂パッケージから浮き上がったり剥離することを防
止することが出来る。
【0050】請求項3の発明によれば、通常の金型を使
用して、ステージ下面側への樹脂の回り込みを防止し
て、樹脂成形することが出来る。
用して、ステージ下面側への樹脂の回り込みを防止し
て、樹脂成形することが出来る。
【図1】本発明の一実施例の半導体装置を樹脂パッケー
ジ本体を省略して示す斜視図である。
ジ本体を省略して示す斜視図である。
【図2】図1の半導体装置を樹脂パッケージ本体を省略
して示す平面図である。
して示す平面図である。
【図3】本発明の一実施例の半導体装置の斜視図であ
る。
る。
【図4】図3の半導体装置を下面側からみた斜視図であ
る。
る。
【図5】図1及び図2中、V−V線に沿う断面図であ
る。
る。
【図6】図1及び図2中、VI−VI線に沿う断面図であ
る。
る。
【図7】図1及び図2中、VII −VII 線に沿う断面図で
ある。
ある。
【図8】樹脂パッケージ本体の成形を説明する図であ
る。
る。
【図9】上金型がセットされる前の状態を示す図であ
る。
る。
【図10】上金型のセットが完了した状態を示す図であ
る。
る。
【図11】従来の半導体装置の1例を示す図である。
10 半導体装置 11 ステージ 11a,16a 下面 11b,11c 長辺 12 半導体素子 13 接着層 14 リード 15 ワイヤ 16 樹脂パッケージ本体 16b 周側面 16c 上面 20,21,20A,21A サポートバー 22,22A アンカー腕部 22a,22Aa,23a,24a,23Aa,24A
a 斜上方延在部 22b,22Ab アンカー部 22b-1,22b-2,22Ab-1 ,22Ab-2 ,拡がり
部 23,24,23A,24A アンカー兼押付け腕部 23b,24b,23Ab,24Ab 先端アンカー部 30 リードフレーム 31 下金型 31a,32a 凹部 31b 底面 32 上金型 32b 天井面 33 キャビティ 35 ステージ11に垂直な面
a 斜上方延在部 22b,22Ab アンカー部 22b-1,22b-2,22Ab-1 ,22Ab-2 ,拡がり
部 23,24,23A,24A アンカー兼押付け腕部 23b,24b,23Ab,24Ab 先端アンカー部 30 リードフレーム 31 下金型 31a,32a 凹部 31b 底面 32 上金型 32b 天井面 33 キャビティ 35 ステージ11に垂直な面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/28 B 8617−4M (72)発明者 吉本 正則 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小島 功 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 竹中 正司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 ステージ(11)と、 該ステージ上に固定された半導体素子(12)と、 該半導体素子を封止する樹脂パッケージ本体(16)と
よりなり、該ステージの下面(11a)が該樹脂パッケ
ージ本体の下面(16a)に露出した構成の半導体装置
において、 上記ステージの周縁の位置から上記樹脂パッケージ本体
内に延出した腕部(22,22A,23,24,23
A,24A)を有する構成としたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】 ステージ(11)と、 該ステージ上に固定された半導体素子(12)と、 該半導体素子を封止する樹脂パッケージ本体(16)と
よりなり、該ステージの下面が該樹脂パッケージ本体の
下面に露出した構成の半導体装置において、 上記ステージの周縁の位置から上記樹脂パッケージ本体
内に延出しており、先端アンカー部(23b,24b,
23Ab,24Ab)が上記樹脂パッケージ本体の上面
(16c)に露出している腕部(23,24,23A,
24A)を有する構成としたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項3】 突き合わせた上下金型(31,32)内
のキャビティ(33)に樹脂を流入させて、ステージ上
に固定された半導体素子を、該ステージの下面が露出し
た状態で樹脂封止する半導体装置の製造方法において、 上記上金型(32)の天井面(32a)が、上記ステー
ジの周縁より斜め上方に延出して形成してある腕部(2
3,24,23A,24A)の先端(23b,24b,
23Ab,24Ab)を押し、該腕部を介して上記ステ
ージを上記下金型(31)の底面(31b)に押し付け
た状態で、上記樹脂をキャビティ内に流入させる構成と
したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5038725A JPH06252318A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5038725A JPH06252318A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252318A true JPH06252318A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12533309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5038725A Withdrawn JPH06252318A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06252318A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199639A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその成形方法 |
US6150715A (en) * | 1997-08-05 | 2000-11-21 | Nec Corporation | Semiconductor device with radiation plate for high radiation character and method of manufacturing the same |
US9812388B2 (en) | 2016-01-27 | 2017-11-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2019087708A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5038725A patent/JPH06252318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199639A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその成形方法 |
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US9812388B2 (en) | 2016-01-27 | 2017-11-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10090237B2 (en) | 2016-01-27 | 2018-10-02 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2019087708A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | エイブリック株式会社 | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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