JPS62224680A

JPS62224680A - セラミツクスが被着された部材

Info

Publication number: JPS62224680A
Application number: JP6792786A
Authority: JP
Inventors: Mutsuki Yamazaki; 六月山崎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-03-26
Filing date: 1986-03-26
Publication date: 1987-10-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は、高速で摺動する部材等に好適のセラミック
スが被着された部材に関する。

（従来の技術〉例えば、コンプレッサのシャフト、エンジンのカムシＶ
フト、レーザプリンタのレーザスキャナ及びプリンタの
ガイドレール等のように、高速で摺動を受ける部材は、
摩耗しやすく、この高速被摺動部Ｉ３の摩耗が装置の寿
命及び性能に大きな影響を及ぼしている。このため、こ
のような高速被摺動部材には、高速度鋼及び超硬合金等
の硬くて摩耗し難い材料が使用されている。しかし、こ
れらの材料は、材料費及び加工費が高いために、コスト
が高くなることを回避せざるを１ｑない場合には、鋳鉄
又は快削鋼等の比較的低廉な材料を使用し、その表面を
硬化させたり、潤滑性を付与する等の対策がとられてい
る。また、ＴｉＮ及びＴｉＣ等の高硬度のセラミックス
を被覆して切削工具の耐摩耗性を向上させた技術も提案
されている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、表面硬化処理には焼入れがあり、潤滑性
付与処理にはタフトライド処理、パーコ処理又は黒染め
二硫化モリブデンの塗布処理等があるが、いずれの処理
の場合でも、高加重が印加され、且つ、高速回転する苛
酷な条件下では、充分な耐久性をｊｑることができない
。

また、焼き入れ及びタフトライド処理においては、処理
温度が５００℃以上と高いので、処理中に母材の変形が
生じるおそれがあり、高い寸法精度を要求される部材に
はこれらの２１１埋を適用することができない。

更に、ＴｉＮ又はＴｉＣ等のセラミックスは、熱ＣｖＤ
又はプラズマ溶射等で金属製の母材に接着性よく被覆さ
れ得るが、熱ＣＶＤの場合には処理温度が８００℃以上
と高く、母材が変形する虞があり、プラズマ溶射の場合
には被覆層の表面が粗く、相手材を爆つけるので被覆層
を加工しなければならず、加工費が高いという不都合が
ある。

これに対し、プラズマＣＶＯ，スパッタリング又はイオ
ンブレーティング等の手段を使用した場合には、比較的
低温でセラミックスを被覆することができ、生産コスト
も低いという長所があるが、セラミックスの被覆層の接
着性が悪いという問題点がある。

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
母材に対する接着性が高く、母材の変形が抑制され、低
コストで生産することができ、耐摩耗性が優れているセ
ラミックスが被着された部材を提供することを目的とす
る。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）この発明に係るセラミックスがＭＷされた部材は、金属
製のｆｆｌ材と、この母材の上に被着され不純物として
不活性ガスと水素及びハロゲンから選択された少なくと
も一種の元素とを含有するセラミックス層とを有するこ
とを特徴とする。

（作用）本願発明者は、金属製の母材にセラミックス層を接臂性
良好に形成すべく種々検討した結果、セラミックス層に
不純物として不活性ガスと水素及びハロゲンから選択さ
れた少なくとも１種以上の元素を含有させることにより
、このような要求を十分満足することを見出した。本願
発明は、このような研究結果に基いてなされたものであ
る。

この場合に、セラミックス層の母材側に不活性ガスを高
濃度で含有する領域を形成したり、母材の母材とセラミ
ックス層との界面近傍に酸素、窒素及び炭素の中から選
択された少なくとも１種以上の元素が高濃度で含有され
る領域を形成することにより、セラミックス層と母材と
の接着性が一層向上する。また、母材としては、鉄を主
成分とし、ニッケル、アルミニウム、クロミウム及び炭
素の中から選択された少なくとも１種以上の元素を含有
するものを使用することにより、セラミックス層と母材
とを一層強固に接着することができる。

なお、耐摩耗性が高いセラミックスとしては、珪素、チ
タニウム、硼素、アルミニウム、タングステン及び炭素
から選択された少なくとも一種の元素を含有するものが
好ましく、このようなセラミックスとしては、窒化珪素
（ＳｉＮ＞、炭化珪素（Ｓ　ｉ　Ｃ）　、炭窒化珪素（
ＳｉＣＮ）、酸化珪素（Ｓ　ｉ　Ｏ）　、窒化チタン（
ＴｉＮ）、炭化チタン（Ｔ　ｉ　Ｃ）　、炭窒化チタン
（ＴｉＣＮ）、窒化硼素（ＢＮ＞、炭化硼素（Ｂ　Ｃ’
）　、炭窒化硼素（ＢＣＮ）、アルミナ（△Ｑ２０３　
）　、炭化タングステン（Ｗ　Ｃ）又は、ダイアモンド
（Ｃ）等がある。これらのセラミックスは、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、プラズマＣＶＤ等の方法
により製造することができるが、母材との接着性及び一
層の低温処理が可能という点を考慮すると、プラズマＣ
ＶＤが好ましい。

（実施１！ｉｌｌ　）以下、添附の図面を参照してこの発明の実施例について
説明する。この実施例に係るセラミックスが被着された
部材は、以下のようにして製造される。先ず、鋳鉄又は
快削鋼等のブロックからロータリコンプレッサのシャツ
１〜又はプリンタのキャリッジガイド等の所定の形状に
加工成形して母材を得る。次いで、この母材を例えばＡ
ｒのような不活性ガスを含有するガス雰囲気中でプラズ
マ処理して、ＳｉＮ等のセラミックスを母材の表面にコ
ーティングする。このようにして製造されたシャフト又
はキャリッジガイドは、鉄を主成分とする母材の表面が
ＳｉＮ等のセラミックスで被着されている。このため、
このような部材に摺動部材が高速で摺動しても、摩耗が
抑制される。

次に、第１図を参照して、この実施例に係るセラミック
スが被着された部材をプラズマＣＶＤ法により製造する
方法について説明する。円筒状の反応室１は適宜の支持
台上にその軸方向を鉛直にして支持されていると共に、
絶縁体２を介して電気的に浮かせである。反応室１内は
、メカニカルブースタポンプ及び油回転ポンプ（図示せ
ず）等により排気され、約１０−３トルの真空度に保持
されるようになっている。反応室１内には、ガス導入口
３を介して種々の原料ガスが導入される。

円筒状の電極４が反応室１内にその周壁に対して同軸的
に設置されており、反応室１と同一のＴｉ位に設定され
ている。このＮ極４には、複数個のガス通流孔（図示せ
ず）が開設されていて、ガス導入口３を介し反応室１内
に導入されたガスは、電極４のガス通流孔を通過して反
応室１の中心部にほぼ均一に供給される。円筒状のシー
ルド５は接地されており、反応室１を囲むように配設さ
れている。

反応室１の中心には、円筒状の母材１０が、その軸方向
を鉛直にして電極４の軸心に配設されている。反応室１
の天板上には、絶縁体２を介して支持部材１１が設置さ
れており、母材１０はこの支持部材１１に懸架されて反
応室１内に装入されている。母材１０は、その中心部に
、抵抗発熱線のヒータ１２が挿入されている。このヒー
タ１２は電源１３に接続されており、電源１３から給電
されて発熱し、母材１０を加熱するようになっている。

マツチングボックス１５は反応室１に接続されていて、
反応ｖ１に高周波電力が印加されるようになっている。

このように、Ｍ１図に示すように、母材１０と反応室１
との間に高周波電力が印加され、母材１０と反応室１と
の間に、プラズマ放電が生起される。

このように構成される装置により、先ず、反応室１内に
コーティングすべきセラミックスの構成元素を含有する
原料ガスに、Ａｒガス等の不活性ガス、及び、反応ガス
を混合する。このようなガスを反応ｖ１内に導入すると
共に、マツチングボックスの接続を支持部材１１から反
応ｖ１に切替え、シールド５の接続を反応室１から支持
部材１１に切替える。そして、高周波電源１４から反応
室１及び電極４に高周波電力を印加して、電極４と母材
１０との間にプラズマを生起させる。これにより、原料
ガス中の成分を構成元素とするセラミックスが母材１ｏ
の表面にコーティングされる。この場合に、原料ガスと
して、Ｓｌを含有するセラミックスのときにはＳ！Ｈ＋
、５ｉ２Ｈｓ、ＳｉＣｌ２又はＳ　ｉ　Ｈ２ＣＡ２等の
ガスを使用し、Ｔｉを含有するセラミックスの場合には
ＴｉＣβ４等のガスを使用し、Ｂを含有するセラミック
スのときにはＢ２　Ｈ６、ＢＦ３又はＢＣｆｆｉ３等の
ガス、Ａｎ２０３のときにはＡ℃（ＣＨ３）ｉ等のガス
、ＷＣのときにはＷ　Ｆ　ｓ等のガスを使用し、ダイア
モンドのときには炭化水素ガスを使用する。また、反応
ガスとしては、コーティングするセラミックスが窒化物
であるときにはＮ２ガス又はＮＨ３ガス等のＮを含有す
るガスを混合し、炭化物であるときにはＣＨ３カス又は
Ｃ２Ｈ６ガス等のＣを含有するガスを混合し、酸化物で
あるときには０２ガス又はＮ２０ガス等の０を含有する
ガスを混合する。

次に、この発明の具体的な実施例について説明する。

亙１」ＬＬ上記しラミックスをＡｒガスを）足台して母材にコーテ
ィングする際のコーティング条件及び層厚の代表例につ
いて説明する。

（ａ）ＳｉＮの場合Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流母：　１０ＳＣＣＭＮ２ガス流最：
　５０ＳＣＣＭＡｒガガスｆｆｉ　：　１００ＳＣＣＭ反応圧カニｉ、
ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：４０分層厚：３．０μｍ（ｂ）　Ｓ　ｉ　Ｃの場合Ｓ　ｉ　Ｈ４ｎスＲｍ　：　１０ＳＣＣＭＣＨ３ガス流
岳：３０ＳＣＣＭＡｒガガスｆｆｉ　：　１００ＳＣＣＭ反応圧カニ１．
Ｏ＋−ル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：４０分層厚：３．０μｍ（ｃ）ＳｉＯの場合ＳｉＨ＋ガス流ガス１０１０８ＣＣｓｉ　ｊｆ　ス流ｆｆｉ　：　３０　Ｓ　ＣＣＭＡｒ
ガス流ｆｆｉ：１１００５ＣＣ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：４０分層厚：３．０μｍ（ｄ）ＴｉＮの場合ＴｉＣβ４ガス流邑：　１０ＳＣＣＭＮ２ガス流量：５０ＳＣＣＭＨ２１１２ｍｍ　：　２００ＳＣＣＭＡｒガスｍｆｆ１：ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏｉ−ル高周波型カニ　１　ｋＷ成Ｉｌ！時間二６０分層厚：３．０μｍ（ｅ）　Ｔ　ｉ　Ｃの場合ＴｉＣｆｆ１４ガス流伍：１０ＳＣ１０５ＣＣガス流但
：３０ＳＣＣＭＨ２ガス流量：　２００ＳＣＣＭＡｒガス流量；１００　Ｓ　ＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ　１　ｋＷ成模時間二６０分層厚：３．０μｍ（ｆ）ＴｉＣＮの場合ＴｉＣΩ４ガス流量：１０ＳＣ１０５ＣＣガス流吊：　２０ＳＣＣＭＮ２ガス流量：５０ＳＣＣＭＨ２ｊｆカスｍ　：　２００ＳＣＣＭＡｒガス流ｆｆｉ：１１００５ＣＣ反応圧カニｉ、ｏｔ−ル高周波型カニ　１　ｋＷ成膜時間二６０分層Ｊ！Ｘ：３．０μｍ（Ｑ）ＢＮの場合Ｂ２　Ｈ６ガス流伍：１０１０５ＣＣ２カスａ　Ｊｆｌ　：　５０　Ｓ　ＣＣＭへｒガス流
ｆｆｉ　：　１００ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成１！！ｖＦｆｆｉ：３０分層厚：３．０μｍ（ｈ）ＢＣの場合Ｂ２　Ｈ６ガス流苗：ｉｏｓｃｃＭＣＨ４ガス流ｆｆｉ：３０ＳＣＣＭＡｒガス流ｍ　：　１００ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏｌ−ル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：３０分層厚：３．０μｍ（ｉ　）ＢＣＮの場合Ｂ２　Ｈｓガガス量：１０８Ｃ’ＣＭＣＨ４ガス流量：２０ＳＣＣＭＮ２ガス流ｊ：５０Ｓ　ＣＣＭＡｒガス流量：　１００８ＣＣＭ反応圧カニ１．０トル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：３０分層厚：３．０μｍ（ｊ）Ａｌ２Ｏ２の場合八β（ＣＨ３）３ガス流１：１１０５ｃｃ○２ガス流ｔ
Ａ　：　３０ＳＣＣＭＡｒガス流ｆｆｉ　：　１００ＳＣＣＭ反応圧カニｉ、
ｏトル高周波型カニ８００Ｗ成膜時間＝６０分層厚：３．０μｍ（ｋ）ＷＣの場合Ｗ　Ｆ　ｓガス流量：　１　Ｏ５ＣＣＭＣＨ４ガス流農
：５０ＳＣＣＭＡｒガガス昂：１１００５ＣＣ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ　１　ｋＷ成膜時間二６０分層厚：３．０μｍ以上のように、成膜時にＡｒガスを混合し、且つ、セラ
ミックス層に水素又はハロゲンが含有されるように比較
的低パワーのプラズマでセラミックス層を成膜した結果
、セラミックス層と母材との接着性を向上させることが
できた。この場合に、フーリエ変換赤外吸収（ＦＴ　Ｉ
Ｒ）、ラザフォード後方散乱スペクトル（ＲＢＳ）　、
二次電子貝母分析（ＳＩＭＳ）等によりセラミックス層
を分析したところ、このセラミックス層にＡｒ及び水素
又はハロゲンが含有されることがＶ’ｌ　Ｌ’ｌされた
。

！原料ガス導入前にＡｒガスのプラズマを形成して母材を
プラズマに接触させつつ原料ガス及び反応ガスを導入し
、セラミックス層を成膜する。この成膜中にＡｒガス流
口を徐々に減少させ、最終的にはＡｒ流己を０にする。

このようにして成膜することにより、母材とセラミック
ス層との間で、母材及びセラミックス層を構成する元素
とＡｒとが相互拡散することによって、セラミックス層
と母材との接着性が良好となる。この場合に、セラミッ
クス層の母材との界面近傍にはＡｒが含有される。なお
、以下に、各セラミックス材料につい゛て、他のコーテ
ィング条件及び層厚を示す。

（ａ）ＳｉＮの場合Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流１！ｉ　：　１０ＳＣＣＭＮ２ガス
流！ｊｌ　：　５０ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：４０分層厚：３．０μｍ（ｂ）ＳｉＣの場合Ｓ　ｉ　Ｈ４ｎ；１．流ｍ　：　１０ＳＣＣＭＣＨ３ガ
ス流ｍ　：　３０ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：４０分層厚：３．０μｍ（ｃ）ＳｉＯの場合ＳｉＨ＋ガス流量：　１０ＳＣＧＭＯ２ガスｉ％ｔＷｔ　：　３０ＳＣＣＭ反応圧カニ１．
Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜Ｒ間：４０分層ＦＪ：３．０μｍ（ｄ）ＴｉＮの場合Ｔ　ｆ　ＣＱ＜　ｊｊガス流：１０ｓ１０５ｃｃガス流
ｆｆｉ：５０ＳＣＣＭＨ２ガス流ｆｆｉ：２００ＳＣＣＩｖ１反応圧カニ１．
Ｏトル高周波型カニ　１　ｋＷ成膜時間二６０分層厚：３．０μｍ（ｅ）ＴｉＣの場合Ｔ　ｉ　Ｃｉｌ＋ガス流量：　１　Ｏ５ＣＣＭＣＨ４ガ
ス流１！ｌ：３０ＳＣＣＭＨ２カス流聞：　２００ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ１ｋＷ成膜時ＩＪＪ：６０分層厚：３．０μｍ（ｆ）ＴｉＣＮの場合ＴｉＣｆｆ１＋ガス流１　：　１０ＳＣ１０５ＣＣガス
流最：　２０ＳＣＣＭＮ２ガス流徂：５０ＳＣＣＭＨ２ｊｆガス流　：　２００ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ１ｋＷ成躾時間二６０分層厚：３，０μｍ（に１）ＢＮの場合８２　Ｈ６ガス流量：１０Ｓ１０５ＣＣガス流届：５０ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：３０分層厚：３．０μｍ（１１）ＢＣの場合８２１−１ｓガス流量コ１０８Ｃ１０８ＣＣガス流ｆｆｉ：３０ＳＣＣＭ反応圧カニｉ、ｏｔ−ル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間：３０分層厚：３．０μｍ（ｉ　）ＢＣＮの場合８２　Ｈ６ガス流量：　１　Ｏ５ＣＣＭＣＨ４ガス流聞
：２０ＳＣ０徂Ｎ２ガス流ｍ：５０ｓｃｃＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ５００Ｗ成膜時間２３０分層厚：３．０μｍ（ｊ）Ａβ２０３の場合Ａｎ　（ＣＨ３）３ガス流量：１０Ｓ１０５ＣＣｎスＲ
ｍ：　３０ＳＣＣｆｖ１反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ８００Ｗ成膜峙間＝６０分層厚：３．０ｕｍ（ｋ）ＷＣの場合Ｗ　Ｆ　６ガス流間：　１０ＳＣＣ〜ＩＣＨ４ガス流ｍ
　：　５０ＳＣＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ　１　ｋＷ成膜時間二６０分層厚：３．０μｍ（（）ダイアモンドの場合原料ガス：ＣＨ４反応圧力１０．Ｏトル高周波型カニ　３　ｋ　Ｗ成１１時間＝８０分層厚：２．ＯＬｌｍなお、ダイアモンドをコーティングした場合には、その
コーティング層はその母材側で不純物を含有し、不完全
な結晶状態であるが、プラズマ処理の途中から結晶化す
る。

友１」Ｌし母材表面をＡｒの他に酸素、窒素又は炭素等を含有する
プラズマ中で処理し、母材の表面に、酸素、窒素及び炭
素のうちいずれかを母材よりも高濃度で含有した層を形
成する。この層が形成された後、セラミックス層をコー
ティングする。れによりセラミックス層と母材とが一層
強固に接着される。この場合のプラズマ処理条件を以下
に示す。

Ａｒガガスｆｉ：１００１００５ｃｃガガスＮ２ガス又はＣＨ４ガスの流量：１００ＳＣ
ＣＭ反応圧カニ１．Ｏトル高周波型カニ４００Ｗ処理Ｒ間：２０分この場合に、セラミックスのコーティング条件及び層厚
は実施例２と同様にした。　なお、前述の母材処理によ
って母材表面に形成される層は、母材の成分によって異
なり、母材がＣｒを高濃度で含有する材料の場合には、
酸素を含有する層が強固に形成され、Ｎｉ又は八２を含
有する材料の場合には、窒素を含有する層が形成され易
く、炭素を高濃度で含有する材料の場合には、炭素を含
有する層が強固に形成される。この場合に、Ａｒは母材
の表面に形成される層及びセラミックス層の双方に拡散
される。

ＬＬ４− 母材に、鉄を主成分として炭素を０．０１重量％以上含
有したものを使用し、この母材をＡｒガスのプラズマで
たたく。これにより、母材表面に炭素を高濃度で含有す
る領域が形成される。この領域が形成された後、セラミ
ックス層をコーティングする。これによりセラミックス
層と母材とが良好に接着される。なお、この場合にも、
Ａｒは、炭素を高濃度で含有する領域及びセラミックス
層の双方に拡散する。

この場合に、セラミックスのコーティング条件及び層厚
は実施例２と同様にした。

なお、以上説明した実施例においては、不活性ガスとし
てＡｒを用いているが、これに限らず、Ｈｅ、Ｎｅ又は
Ｘｅを使用することもできる。しかし、Ａｒは他に比較
し、安価であり、イオン化エネルギが高く、寿命が長い
ので、Ａｒが最適である。

また、この実脂例においては、プラズマＣＶＤの場合に
ついて示すが、これに限らすスパックリング、イオンブ
レーティング等を使用することもできる。

上述の如くして製造されたセラミックスが被着された部
材は、セラミックスが高強度で被着されており、耐摩耗
性が高い。上述の成膜条件で、ロータリコンプレッサ用
のシャフトを製造し、このシャフトに対し、１００００
Ｒ，Ｐ、Ｍの回転数で３０分間連続運転し、次いで１０
分間停止した後、再度３０分間運転するというモードで
１０００時間の耐久試験を実施した。前述した各セラミ
ックスをコーティングしたシャフトは、Ｉ！Ｊ粍による
焼付を発生させず、層が剥離することもなく、極めて耐
久姓が高いことが実証された。

また、プラズマＣＶＤ等、低温で処理することができる
方法で上述のような接着性に侵れたセラミックス層を形
成することができるので、母材が変形する虞が少ない。

また、プラズマＣＶＤ等で形成したセラミックス層は、
その表面が粗いことがなく、表面を加工する必要がない
。

［発明の効果］この発明によれば、金属製の母材に対してセラミックス
層が高接着強度で接着されており、耐摩耗性が優れた部
材を得ることができる。この部材は、低温で製造するこ
とができるので母材の変形が抑制され、また表面を加工
する必要がないので低コストで生産することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係るセラミックスが被着さ
れた部材の製造装置を示す断面図である。１；反応至、２；絶縁体、４；電極、５；シールド、１
０；母材、１２：ヒータ、１４；高周波電源、１５；マ
ツチングボックス出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）金属製の母材と、この母材の上に被着され不純物
として不活性ガスと水素及びハロゲンから選択された少
なくとも一種の元素とを含有するセラミックス層とを有
することを特徴とするセラミックスが被着された部材。
（２）前記セラミックス層は、その母材側に不活性ガス
を高濃度で含有する領域を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のセラミックスが被着された部
材。
（３）前記母材は、前記セラミックス層との界面近傍に
酸素、窒素及び炭素の中から選択された少なくとも１種
の元素が高濃度で含有される領域を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のセラミッ
クスが被着された部材。
（４）前記母材は、鉄を主成分としニッケル、アルミニ
ウム、クロミウム及び炭素の中から選択された少なくと
も１種以上の元素を含有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第３項のうちいずれか１項に記載のセ
ラミックスが被着された部材。
（５）前記セラミックスは、珪素チタニウム、硼素、ア
ルミニウム、タングステン及び炭素の中から選択された
１種以上の元素を含有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第４項のうちいずれか１項に記載のセラ
ミックスが被着された部材。
（６）前記セラミックスは、減圧下でプラズマを生起さ
せて被着されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第５項に記載のセラミックスが被着された部材。