JPS62127466A - セラミツクスが被着された部材 - Google Patents
セラミツクスが被着された部材Info
- Publication number
- JPS62127466A JPS62127466A JP60267745A JP26774585A JPS62127466A JP S62127466 A JPS62127466 A JP S62127466A JP 60267745 A JP60267745 A JP 60267745A JP 26774585 A JP26774585 A JP 26774585A JP S62127466 A JPS62127466 A JP S62127466A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- gas
- ceramics
- ceramic
- reaction chamber
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、高速で摺動する部材等に好適のセラミック
スが被着された部材に関する。
スが被着された部材に関する。
〔従来の技術]
例えば、コンプレッサのシャフト、エンジンのカムシャ
フト、レーザプリンタのレーザスキャナ、及びプリンタ
のガイドロッド等のように、高速で摺動を受ける部材は
、摩耗しやすく、この8速被摺動部材の摩耗が装置の寿
命及び性能に大きな影響を及ぼしている。このため、こ
のような^速波摺動部材には、高速度鋼及び超硬合金等
の硬くて摩耗し難い材料が使用されている。しかし、こ
れらの材料は、材料費及び加工費が高いために、コスト
が高くなることを回避せざるを得ない場合には、鋳鉄又
は快削鋼等の比較的低廉な材料を使用し、その表面を硬
化させたり、潤滑性を付与する等の対策がとられている
。また、TiN及びTIC等の高硬度のセラミックスを
被覆して切削工具の耐摩耗性を向上させた技術も提案さ
れている。
フト、レーザプリンタのレーザスキャナ、及びプリンタ
のガイドロッド等のように、高速で摺動を受ける部材は
、摩耗しやすく、この8速被摺動部材の摩耗が装置の寿
命及び性能に大きな影響を及ぼしている。このため、こ
のような^速波摺動部材には、高速度鋼及び超硬合金等
の硬くて摩耗し難い材料が使用されている。しかし、こ
れらの材料は、材料費及び加工費が高いために、コスト
が高くなることを回避せざるを得ない場合には、鋳鉄又
は快削鋼等の比較的低廉な材料を使用し、その表面を硬
化させたり、潤滑性を付与する等の対策がとられている
。また、TiN及びTIC等の高硬度のセラミックスを
被覆して切削工具の耐摩耗性を向上させた技術も提案さ
れている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、表面硬化処理には焼入れがあり、11!
l1fl性付与処理にはタフトライド処理、バーコ処理
又は黒染め二硫化モリブデンの塗布処理等があるが、い
ずれの処理も、高加重が印加され、高速回転する苛酷な
条件下では、充分な耐久性を得ることができない。
l1fl性付与処理にはタフトライド処理、バーコ処理
又は黒染め二硫化モリブデンの塗布処理等があるが、い
ずれの処理も、高加重が印加され、高速回転する苛酷な
条件下では、充分な耐久性を得ることができない。
また、焼き入れ及びタフトライド処理においては、処理
温度が500℃以上と高いので、処理中に母材の変形が
生じるおそれがあり、高い寸法精度を要求される部材に
はこれらの処理を適用することができない。
温度が500℃以上と高いので、処理中に母材の変形が
生じるおそれがあり、高い寸法精度を要求される部材に
はこれらの処理を適用することができない。
更に、TiN又はTICを高速被摺動部材に被覆すると
、これらのセラミックスの硬度が高いために、摺動する
相手方の摺動部材を研削してしまい、この研削屑がセラ
ミックス被膜の上に凝着して焼き付くという問題点があ
る。
、これらのセラミックスの硬度が高いために、摺動する
相手方の摺動部材を研削してしまい、この研削屑がセラ
ミックス被膜の上に凝着して焼き付くという問題点があ
る。
この発明はかかる事情に鳳みてなされたものであって、
母材に対する接着性が轟く、耐摩耗性が優れていると共
に、摺動する相手方部材を研削してしまうことがなく、
焼付の発生が抑制されたセラミックスが被着された部材
を提供することを目的とする。
母材に対する接着性が轟く、耐摩耗性が優れていると共
に、摺動する相手方部材を研削してしまうことがなく、
焼付の発生が抑制されたセラミックスが被着された部材
を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段1
この発明に係るセラミックスが被着された部材は、鉄を
主成分とする母材と、この母材の表面に炭素を^濃度で
含有する鉄の層を形成した後母材に被着され主成分が珪
素又は硼素のセラミックス層とを有することを特徴とす
る。
主成分とする母材と、この母材の表面に炭素を^濃度で
含有する鉄の層を形成した後母材に被着され主成分が珪
素又は硼素のセラミックス層とを有することを特徴とす
る。
[作用〕
本願発明者は、硬度が高く、耐摩耗性が優れていると共
に、相手方の摺動材を研削してしまうことがないセラミ
ックス材料を開発すべく種々検討した結果、珪素又は硼
素を主成分とするセラミックスが、このような要求を充
分満足することを見出した。また、このようなセラミッ
クス材料は、スパッタリング、プラズマCVD、イオン
ブレーティング等により母材に被着させることができる
が、処理温度が200乃至300℃と比較的低いため、
処理中の母材の変形を抑制することができ、高精度を要
求される部材にもこれらのセラミックスを被着させるこ
とができる。
に、相手方の摺動材を研削してしまうことがないセラミ
ックス材料を開発すべく種々検討した結果、珪素又は硼
素を主成分とするセラミックスが、このような要求を充
分満足することを見出した。また、このようなセラミッ
クス材料は、スパッタリング、プラズマCVD、イオン
ブレーティング等により母材に被着させることができる
が、処理温度が200乃至300℃と比較的低いため、
処理中の母材の変形を抑制することができ、高精度を要
求される部材にもこれらのセラミックスを被着させるこ
とができる。
しかしながら、これらのセラミックスは、母材との接着
性がTiN及びTiCよりも劣るという欠点がある。特
に、母材がコンプレッサシャフト等のように鋳鉄である
場合に、これらのセラミックスを成膜することは事実上
困難である。
性がTiN及びTiCよりも劣るという欠点がある。特
に、母材がコンプレッサシャフト等のように鋳鉄である
場合に、これらのセラミックスを成膜することは事実上
困難である。
本願発明者は、鉄を主成分とする母材に、これらのセラ
ミックスを安定して容易に被着させるべく種々実験研究
を繰返した結果、母材の表面に炭素濃度が高い高炭素濃
度領域を形成しておくことによって、これらのセラミッ
クスを高接着性で被着させることができることを見出し
た。本願発明は、このような研究結果に基いてなされた
ものである。
ミックスを安定して容易に被着させるべく種々実験研究
を繰返した結果、母材の表面に炭素濃度が高い高炭素濃
度領域を形成しておくことによって、これらのセラミッ
クスを高接着性で被着させることができることを見出し
た。本願発明は、このような研究結果に基いてなされた
ものである。
なお、耐摩耗性が高いと共に、相手方の摺動部材を研削
してしまうことがないセラミックスとしては、窒化珪素
(SiN)、窒化硼素(BN)、炭化珪素(S + C
) 、炭化硼素(BC) 、酸化珪素(Sin)、炭窒
化珪素(S i CX NY ) 、炭窒化硼素(BC
X NY ) 、又は炭酸化珪素(S i CX OY
)等がある。これらのセラミックスは、スパッタリン
グ、イオンブレーティング、プラズマCvD、熱CVO
,光CVD、等の方法により製造することができるが、
母材との接着性及び一層の低温処理が可能という点を考
慮すると、プラズマCVDが好ましい。
してしまうことがないセラミックスとしては、窒化珪素
(SiN)、窒化硼素(BN)、炭化珪素(S + C
) 、炭化硼素(BC) 、酸化珪素(Sin)、炭窒
化珪素(S i CX NY ) 、炭窒化硼素(BC
X NY ) 、又は炭酸化珪素(S i CX OY
)等がある。これらのセラミックスは、スパッタリン
グ、イオンブレーティング、プラズマCvD、熱CVO
,光CVD、等の方法により製造することができるが、
母材との接着性及び一層の低温処理が可能という点を考
慮すると、プラズマCVDが好ましい。
[実施例]
以下、添附の図面を参照してこの発明の実施例について
説明する。この実施例に係るセラミックスが被着された
部材は、以下のようにして製造される。先ず、鋳鉄又は
快削鋼等のブロックからロータリコンプレッサのシャフ
ト又はプリンタのキャリッジガイド等の所定の形状に加
工成形して母材を得る。次いで、この母材の表面を炭化
処理して表層部に炭素を高濃度で含有する領域を形成す
る。その後、SiN等のセラミックスをffl材の表面
にコーティングする。このようにして製造されたシャフ
ト又はキャリッジガイドは、鉄を主成分とする母材の表
面がSiN等のセラミックスで被1されている。このた
め、このような部材に摺動部材が高速で摺動しても、摩
耗が抑制されると共に、摺動部材を研削してしまうこと
もない。
説明する。この実施例に係るセラミックスが被着された
部材は、以下のようにして製造される。先ず、鋳鉄又は
快削鋼等のブロックからロータリコンプレッサのシャフ
ト又はプリンタのキャリッジガイド等の所定の形状に加
工成形して母材を得る。次いで、この母材の表面を炭化
処理して表層部に炭素を高濃度で含有する領域を形成す
る。その後、SiN等のセラミックスをffl材の表面
にコーティングする。このようにして製造されたシャフ
ト又はキャリッジガイドは、鉄を主成分とする母材の表
面がSiN等のセラミックスで被1されている。このた
め、このような部材に摺動部材が高速で摺動しても、摩
耗が抑制されると共に、摺動部材を研削してしまうこと
もない。
次ぎに、第1図を参照して、この実施例に係るセラミッ
クスが被着された部材をプラズマCVD法により製造す
る方法について説明する。円筒状の反応室1は適宜の支
持台上にその軸方向を鉛直にして支持されていると共に
、絶縁体2を介して電気的に浮かせである。反応室1内
は、メカニカルブースタポンプ及び油回転ポンプ(図示
せず)等により排気され、約10−3 トルの真空度に
保持されるようになっている。反応室1内には、ガス導
入口3を介して種々の原料ガスが導入される。
クスが被着された部材をプラズマCVD法により製造す
る方法について説明する。円筒状の反応室1は適宜の支
持台上にその軸方向を鉛直にして支持されていると共に
、絶縁体2を介して電気的に浮かせである。反応室1内
は、メカニカルブースタポンプ及び油回転ポンプ(図示
せず)等により排気され、約10−3 トルの真空度に
保持されるようになっている。反応室1内には、ガス導
入口3を介して種々の原料ガスが導入される。
円筒状の1!1fI4が反応v1内にその周壁に対して
同軸的に設置されており、この電極4と反応室1の周壁
との間に円筒状の拡散部材5が電極4に同軸的に設置さ
れている。この11fi4及び拡散部材5には、夫々複
数個のガス通流孔6及び7が開設されており、ガス導入
口3を介して反応室1内に導入されたガスは、拡散部材
5のガス通流孔7及び電極4のガス通流孔6を通過して
反応室1の中心部に供給される。これにより、ガスは反
応室1の中心部に均一に拡散して供給される。電極4及
び拡散部材5は反応室1と同一の電位にあり、電極4等
は高周波型[8に接続されていて、電極4に高周波電力
が印加されるようになっている。
同軸的に設置されており、この電極4と反応室1の周壁
との間に円筒状の拡散部材5が電極4に同軸的に設置さ
れている。この11fi4及び拡散部材5には、夫々複
数個のガス通流孔6及び7が開設されており、ガス導入
口3を介して反応室1内に導入されたガスは、拡散部材
5のガス通流孔7及び電極4のガス通流孔6を通過して
反応室1の中心部に供給される。これにより、ガスは反
応室1の中心部に均一に拡散して供給される。電極4及
び拡散部材5は反応室1と同一の電位にあり、電極4等
は高周波型[8に接続されていて、電極4に高周波電力
が印加されるようになっている。
反応室1の中心には、母材1oが、その軸方向を鉛直に
して電極4の軸心に配設されている。反応室1の天板上
には、絶縁体2を介して支持部材11が設置されており
、この支持部材11は接地されている。母材10はこの
、支持部材11に懸架されて反応室1内に装入されてい
る。母材10も支持部材11と同様に接地されているか
ら、高周波1a8から電極4に高周波電力が印加される
と、1fffi4と母材10との間に、プラズマ放電が
生起される。
して電極4の軸心に配設されている。反応室1の天板上
には、絶縁体2を介して支持部材11が設置されており
、この支持部材11は接地されている。母材10はこの
、支持部材11に懸架されて反応室1内に装入されてい
る。母材10も支持部材11と同様に接地されているか
ら、高周波1a8から電極4に高周波電力が印加される
と、1fffi4と母材10との間に、プラズマ放電が
生起される。
このように構成される装置により、先ず、母材の表面を
炭化させ、表層部に炭素を高濃度で含有する領域を形成
する。つまり、反応室1内を約10−3トルに排気した
後、ポンプによる排気を継続しつつ、ガス導入口3を介
してCF4ガス又はCH4ガス等の炭素を含有するガス
を反応室1内に導入し、反応室1内を、例えば、1トル
の圧力に調節する。次いで、電極4と母材10との間に
高周波電力を印加してプラズマを生起すると、母材10
の表面が炭化する。この場合に、炭素を含有するガスの
みでプラズマを生起すると、プラズマにより炭素が重合
して形成される膜が母材の表面に何者するおそれがある
。この膜が柔かいものであると、次順の工程で形成され
るセラミックスの層が剥離しやすくなり好ましくない。
炭化させ、表層部に炭素を高濃度で含有する領域を形成
する。つまり、反応室1内を約10−3トルに排気した
後、ポンプによる排気を継続しつつ、ガス導入口3を介
してCF4ガス又はCH4ガス等の炭素を含有するガス
を反応室1内に導入し、反応室1内を、例えば、1トル
の圧力に調節する。次いで、電極4と母材10との間に
高周波電力を印加してプラズマを生起すると、母材10
の表面が炭化する。この場合に、炭素を含有するガスの
みでプラズマを生起すると、プラズマにより炭素が重合
して形成される膜が母材の表面に何者するおそれがある
。この膜が柔かいものであると、次順の工程で形成され
るセラミックスの層が剥離しやすくなり好ましくない。
このため、反応空白に、炭素を含有するガスの外に、A
rガス、Heガス、又はN2ガス等のガスを導入し、こ
れらの混合ガスによりプラズマを生起することが好まし
い。このArガス等の混合により、炭素の重合が生じ難
くなり、炭素と鉄との間の反応が進行しやすくなるから
である。この混合ガスとしては、特に、不活性であり、
イオン化エネルギが大きいという点で、Arガスが好ま
しい。一般的な炭化処理条件の一例を下記に示す。
rガス、Heガス、又はN2ガス等のガスを導入し、こ
れらの混合ガスによりプラズマを生起することが好まし
い。このArガス等の混合により、炭素の重合が生じ難
くなり、炭素と鉄との間の反応が進行しやすくなるから
である。この混合ガスとしては、特に、不活性であり、
イオン化エネルギが大きいという点で、Arガスが好ま
しい。一般的な炭化処理条件の一例を下記に示す。
CH4ガス流量: 50SCCM
Arガス流量:300SCCM
反応圧力(真空度):1.Oトル
高周波型カニ500W
処理笥間:30分
なお、この炭化処理において、母材を予め加熱しておい
てもよいが、プラズマが生起されると、このプラズマに
よって母材が加熱されるので、必ずしも格別の加熱手段
を設けることは必要ない。
てもよいが、プラズマが生起されると、このプラズマに
よって母材が加熱されるので、必ずしも格別の加熱手段
を設けることは必要ない。
また、炭素の供給源としては、上述のガスに限らず、固
体を使用してもよい。この場合には、この炭素を含有す
る固体から、Arのプラズマで炭素をたたき出すように
すればよい。
体を使用してもよい。この場合には、この炭素を含有す
る固体から、Arのプラズマで炭素をたたき出すように
すればよい。
この炭化処理に続いて、反応室1内にコーティングすべ
きセラミックスの構成元素を含有するガスを導入し、表
面が炭化した母材にセラミックスをコーティングする。
きセラミックスの構成元素を含有するガスを導入し、表
面が炭化した母材にセラミックスをコーティングする。
コーティングすべきセラミックスがSiを主成分とする
場合には、S i H4ガス又は5i2Hsガス等の3
iを含有するガスに、窒化物であるときはN2ガス又は
NH3ガス等のNを含有するガスを混合し、炭化物であ
るときはCH4ガス又はC2H6ガス等のCを含有する
ガスを混合し、酸化物であるときは02ガス又はN20
ガス等のOを含有するガスを混合する。
場合には、S i H4ガス又は5i2Hsガス等の3
iを含有するガスに、窒化物であるときはN2ガス又は
NH3ガス等のNを含有するガスを混合し、炭化物であ
るときはCH4ガス又はC2H6ガス等のCを含有する
ガスを混合し、酸化物であるときは02ガス又はN20
ガス等のOを含有するガスを混合する。
コーティングすべきセラミックスが8を主成分とする場
合には、Slを含有するガスの替りに、BF3ガス又は
82 H6ガス等の8を含有するガスを使用すればよい
。5iCxNyを成膜するためには、S i H4ガス
とN2ガスの外に、CH4ガスを適量加える。また、S
i CX OYを成膜するためには、SiH4ガスと
02ガス又はN20ガスとの混合ガスにCH4ガスを加
えればよい。
合には、Slを含有するガスの替りに、BF3ガス又は
82 H6ガス等の8を含有するガスを使用すればよい
。5iCxNyを成膜するためには、S i H4ガス
とN2ガスの外に、CH4ガスを適量加える。また、S
i CX OYを成膜するためには、SiH4ガスと
02ガス又はN20ガスとの混合ガスにCH4ガスを加
えればよい。
次ぎに、このセラミックスのコーティング条件及び成膜
されたセラミックスの層厚の代表例について説明する。
されたセラミックスの層厚の代表例について説明する。
(a)SiNの場合
S i H4ガス8m: 100SCCMN2ガス流量
:300SCCM 反応圧カニi、oトル 高周波筒カニ 500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm (b) S i Cの場合 SiH+ガス流量: 100SCCM CH4ガス流量:300SCCM 反応圧カニi、oトル 高周波筒カニ500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm (C)BNの場合 8F3ガス流量: 100SCCM N2ガス流鳳: 300SCCM 反応圧カニ1.Oトル 高周波筒カニ500W 成膜時III:30分 層厚:約3μm (d)SiOの場合 S+H4ガス流1:1001005 ccガス流1300sccM 反応圧カニ1.Oトル 高周波筒カニ500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm 上述の如くして製造されたセラミックスが被着された部
材は、セラミックスが高強度で被着されており、耐摩耗
性が^い。上述の各成膜条件で、ロータリコンプレッサ
用のシャフトを製造し、このシャフトに対し、1000
0R,P、Mの回転数で30分間連続運転し、次いで1
0分間停止した後、再度30分間運転するというモード
で1000時間の耐久試験を実施した。上記(a)乃至
(d)に示す各セラミックスをコーティングしたシャフ
トは、いずれも、摩耗による焼付を発生させず、層が剥
離することもなく、極めて耐久性が高いことが実証され
た。
:300SCCM 反応圧カニi、oトル 高周波筒カニ 500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm (b) S i Cの場合 SiH+ガス流量: 100SCCM CH4ガス流量:300SCCM 反応圧カニi、oトル 高周波筒カニ500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm (C)BNの場合 8F3ガス流量: 100SCCM N2ガス流鳳: 300SCCM 反応圧カニ1.Oトル 高周波筒カニ500W 成膜時III:30分 層厚:約3μm (d)SiOの場合 S+H4ガス流1:1001005 ccガス流1300sccM 反応圧カニ1.Oトル 高周波筒カニ500W 成膜時間:30分 層厚:約3μm 上述の如くして製造されたセラミックスが被着された部
材は、セラミックスが高強度で被着されており、耐摩耗
性が^い。上述の各成膜条件で、ロータリコンプレッサ
用のシャフトを製造し、このシャフトに対し、1000
0R,P、Mの回転数で30分間連続運転し、次いで1
0分間停止した後、再度30分間運転するというモード
で1000時間の耐久試験を実施した。上記(a)乃至
(d)に示す各セラミックスをコーティングしたシャフ
トは、いずれも、摩耗による焼付を発生させず、層が剥
離することもなく、極めて耐久性が高いことが実証され
た。
なお、この実施例は、母材表面の炭化及びセラミックス
のコーティングをプラズマCVDにより実施しているが
、これに限らず、前述の如く、スパッタリング又はイオ
ンブレーティング等の他の手段を使用してもよい。
のコーティングをプラズマCVDにより実施しているが
、これに限らず、前述の如く、スパッタリング又はイオ
ンブレーティング等の他の手段を使用してもよい。
[発明の効果]
この発明によれば、鉄を主成分とする母材に対してもセ
ラミックス層が高接着性で接着されており、耐摩耗性が
優れた部材を得ることができる。
ラミックス層が高接着性で接着されており、耐摩耗性が
優れた部材を得ることができる。
この部材は、摺動する相手部材を研削してしまうことが
なく、焼付の発生が防止される。
なく、焼付の発生が防止される。
第1図はこの発明の実施例に係るセラミックスが被着さ
れた部材の製造装置を示す断面口である。 1;反応室、2:絶縁体、4;電極、8;高周波電源、
10;母材
れた部材の製造装置を示す断面口である。 1;反応室、2:絶縁体、4;電極、8;高周波電源、
10;母材
Claims (5)
- (1)鉄を主成分とする母材と、この母材の表面に炭素
を高濃度で含有する鉄の層を形成した後母材に被着され
主成分が珪素又は硼素のセラミックス層とを有すること
を特徴とするセラミックスが被着された部材。 - (2)前記炭素を高濃度に含有する鉄の層は、グロー放
電により形成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載のセラミックスが被着された部材。 - (3)前記セラミックス層は、グロー放電により形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のセラ
ミックスが被着された部材。 - (4)前記セラミックスは、窒化珪素、窒化硼素、炭化
珪素、炭化硼素、酸化珪素、炭窒化珪素、炭窒化硼素、
又は炭酸化珪素から選択されたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載のセラミックスが被着
された部材。 - (5)前記セラミックスは、水素又はハロゲン元素の少
なくとも一方を含有することを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のセラミックスが被着された部材。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60267745A JPS62127466A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材 |
KR1019860009820A KR890002162B1 (ko) | 1985-11-28 | 1986-11-20 | 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조 방법 |
FR8616558A FR2590594B1 (fr) | 1985-11-28 | 1986-11-27 | Element mecanique portant un revetement ceramique anti-usure et sa fabrication. |
DE19863640430 DE3640430A1 (de) | 1985-11-28 | 1986-11-27 | Mit einem keramischen material beschichtetes werkstueck und verfahren zu seiner herstellung |
US08/064,749 US5300951A (en) | 1985-11-28 | 1993-05-18 | Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60267745A JPS62127466A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62127466A true JPS62127466A (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=17448982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60267745A Pending JPS62127466A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62127466A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997049600A1 (de) * | 1996-06-21 | 1997-12-31 | Walter Hunger | Kupplungsvorrichtung zum verbinden eines zugfahrzeuges mit einem auflieger-anhänger und verfahren zum umbauen von kupplungsvorrichtungen |
JP2009084579A (ja) * | 2001-09-27 | 2009-04-23 | Toyota Central R&D Labs Inc | 高摩擦摺動部材 |
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- 1985-11-28 JP JP60267745A patent/JPS62127466A/ja active Pending
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