JP2009133008A - 多層構造体 - Google Patents
多層構造体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009133008A JP2009133008A JP2008327799A JP2008327799A JP2009133008A JP 2009133008 A JP2009133008 A JP 2009133008A JP 2008327799 A JP2008327799 A JP 2008327799A JP 2008327799 A JP2008327799 A JP 2008327799A JP 2009133008 A JP2009133008 A JP 2009133008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carbon
- multilayer structure
- silicon
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
【解決手段】硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物、金属ケイ化窒化物、金属炭化物含有炭素、金属ケイ化物含有シリコン、または前記物質の少なくとも2つからなる含有物であり、前記金属は、タングステン、クロム、チタン、ニオブおよびモリブデンの群から選択され、前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素、非結晶水素無含有炭素、シリコン含有炭素、または金属含有炭素からなる、ことを特徴とする多層構造体。
【選択図】図1
Description
多層構造体は金属炭化物(MeC)および金属含有炭素(C-(MeC))からなる。有利には金属はタングステン(W)、クロム(Cr)、チタン(Ti)である。個別層の厚さは約3から5nmであり、層全体の厚さは約2から3μmである。多層構造体はスチール基板または硬質材料基板、例えば構成部材または工具に被覆される。
多層システムは、硬質材料としてのC-(MeC)と、無金属非結晶水素含有炭素(a-C:H)からなり、ここで金属は有利にはタングステンである。層厚は第1の実施例と同じ領域にある。C-(MeC)層は反応スパッタリングにより、例えばWCターゲットのスパッタリングにより形成される。ここでは付加的に炭素がアセチレンまたはメタンから送出される。a-C:H層は上に記載したプラズマ源の1つ、例えばRF源、MW源(図3参照)または中空カソード源(図4参照)によって、アセチレンまたはメタン含有雰囲気中で得ることができる。多層構造体のデポジットは図3に示した装置により、または図4に示した装置(付加的なスパッタカソードの点で異なる)により行われる。
多層システムは、硬質材料としての金属(Me)とa-C:Hからなる。金属は有利には例1で上げたものから選択される。層厚は第1実施例と同じ領域にある。層を被覆するために相互に別個の2つのガス室が必要である。これにより金属をスパッタリングまたは金属蒸着により炭素不含有雰囲気中で被覆し、a-C:Hをメタンまたはアセチレン含有雰囲気中で被覆することができる。多層構造体を作製するには、図6と図7に示したように動作する装置を用いて行う。ここでガス室の分離は、図示されていないが、図6に示した装置においても可能である。各層に対して多数の源を必要としないようにするため、試料を最初に2つの層を被覆した後、再び装置の始端部に戻し、それからさらに2つの層を繰り返し被覆するとよい。
多層システムにおいては、交互の層は硬質材料として金属炭化物(MeC)からなる層とa-C:H層のとからなる。金属は有利には例1で上げたものから選択される。層厚は第1の実施例と同じように選択される。Mec層は反応スパッタリングによりMeからなるターゲットからアセチレンを含む雰囲気中でデポジットされる。a-C:H層は上に述べたプラズマ源の1つによって、例えばRF源、MW源(図3参照)、または中空カソード源(図4参照)によってアセチレン含有雰囲気中で得られる。多層構造体のデポジットは図3に示した装置、または図4に示し、付加的にスパッタカソードを有する装置によって形成することができる。
多層システムは硬質材料としての金属窒化物(MeN)とa-C:Hからなり、ここで金属は有利にはチタンまたはクロムである。MeCN層を形成するためにとりわけ2つの選択肢がある:Meターゲットから反応スパッタリングする。ここで反応ガスは窒素含有ガスおよび炭素含有ガスの混合ガスである。またMeNからの反応スパッタリングが行われ、炭素含有ガスは反応ガスとして使用される。a-C:H層をデポジットするために炭素含有ガスが使用される。このようなものとして第2の選択肢では反応スパッタリングの際に使用される反応ガスが共に使用される。第1の選択肢では、a-C:H層のデポジットはスパッタリング雰囲気とは別のガス室で行われ、このガス室は炭素含有するが、窒素は含有しない反応ガスを含む。第1の選択肢に相応するデポジットは、例3のように図6と図7に示したように動作する装置によって行われる。ここで詳細については例3を参照されたい。第2の選択肢に相応するデポジットは図3に示した装置によって実行される。
例3,4,5および6に記載した多層システムの変形では、炭素層はa-C:Hではなくa-Cからなる。硬質材料層は有利には、硬質材料層の所望の組成に応じてMe, MeC, MeNないしはMeCNからなるターゲットからスパッタリングされ、a-C層はグラファイトターゲットからスパッタリングされるか、または炭素アークを用いて形成される。多層構造体は、a-C層の形成と同じように図5に示した装置により、または図5に示し炭素ターゲット19の代わりにグラファイトターゲットが設けられた装置によって形成される。
Claims (13)
- 硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、
前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物(MeC)、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物(Me(CSi))、金属ケイ化窒化物(Me(SiN))、金属炭化物含有炭素(C-(MeC))、金属ケイ化物含有シリコン(Si-(MeSi))、または前記物質の少なくとも2つからなる含有物であり、
前記金属は、タングステン(W)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)およびモリブデン(Mo)の群から選択され、
前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素(a-C:H)、非結晶水素無含有炭素(a-C)、シリコン含有(水素含有または水素無含有)炭素、または金属含有(水素含有または水素無含有)炭素(C-(MeC))からなる、ことを特徴とする多層構造体。 - 前記シリコン個別層は、非結晶水素含有シリコン(a-Si:H)、非結晶水素無含有シリコン(a-Si)、炭素含有(水素含有または水素無含有)シリコン、または金属含有(水素含有または水素無含有)シリコン(Si-(MeSi))からなる、請求項1記載の多層構造体。
- 前記硬質材料個別層は1つまたは複数の硬質材料層からなり、
前記炭素個別層は1つまたは複数の炭素層からなり、
前記シリコン個別層は1つまたは複数のシリコン層からなる、請求項1記載の多層構造体。 - 硬質材料個別層、炭素個別層およびシリコン個別層の厚さは、1 nmから10 nmである、請求項1から3までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 硬質材料個別層、炭素個別層およびシリコン個別層の厚さは、2nmから5nmである、請求項1から3までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 多層構造体の全体厚は、1μmから10μmである、請求項1から5までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 多層構造体の全体厚は、1μmから4μmである、請求項1から5までのいずれか一項の多層構造体。
- 硬質材料層は、Me、MeC、MeSi、Me(CSi)、またはMe(SiN)からなり、炭素層はa-C:Hまたはa-Cからなる、請求項3から7までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 多層構造体は、C-(WC)層とa-C:H層との交互の層からなる、請求項1から8までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 多層構造体は、MeC層とC-(MeC)層との交互の層からなる、請求項1から9までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 硬質材料層はMe、MeC、MeN、MeSi、Me(CN)、Me(CSi)またはMe(SiN)からなり、シリコン層はa-Si:Hまたはa-Siからなる、請求項3から10までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 硬質材料個別層、炭素個別層またはシリコン個別層は付加的に、シリコン、ボロン、窒素、酸素、炭素および金属の群から少なくとも1つの元素を、ボロンと炭素とは同時に存在しないことを前提に含む、請求項1から11までのいずれか一項記載の多層構造体。
- 工具、とりわけ切削工具または変形工具に被覆する、請求項1から12までのいずれか一項記載の多層構造体の使用法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19725383 | 1997-06-16 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50355499A Division JP2002504189A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 基板の真空被覆方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009133008A true JP2009133008A (ja) | 2009-06-18 |
Family
ID=7832611
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50355499A Ceased JP2002504189A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 基板の真空被覆方法および装置 |
JP2008327799A Pending JP2009133008A (ja) | 1997-06-16 | 2008-12-24 | 多層構造体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50355499A Ceased JP2002504189A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 基板の真空被覆方法および装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6372303B1 (ja) |
EP (1) | EP0990061B1 (ja) |
JP (2) | JP2002504189A (ja) |
CN (1) | CN1264432A (ja) |
AU (1) | AU734809B2 (ja) |
DE (2) | DE19826259A1 (ja) |
ES (1) | ES2256948T3 (ja) |
WO (1) | WO1998058100A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533937A (ja) * | 2012-09-10 | 2015-11-26 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・トリューバッハ | 基板上に金属ホウ炭化物層を製造する方法 |
JP2016084495A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | 金属膜と保護膜とを形成する成膜方法および成膜装置 |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000017457A (ja) † | 1998-07-03 | 2000-01-18 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
DE10005612A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Hauzer Techno Coating Europ B | Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes und Gegenstand |
DE10005614A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Hauzer Techno Coating Europ B | Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen sowie Gegenstand |
JP2001279455A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Canon Inc | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
JP2003231203A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-08-19 | Toshiba Corp | 炭素膜被覆部材 |
DE10159907B4 (de) * | 2001-12-06 | 2008-04-24 | Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co. | Beschichtungsverfahren |
ATE396287T1 (de) * | 2002-07-08 | 2008-06-15 | Galileo Vacuum Systems S R L | Vorrichtung zur chargenweisen vakuumbeschichtung von gegenständen |
DE10242475B3 (de) * | 2002-09-11 | 2004-06-17 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verschleißschutzschicht |
FR2853418B1 (fr) * | 2003-04-01 | 2005-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optique a stabilite mecanique renforcee fonctionnant dans l'extreme ultraviolet et masque de lithographie comportant un tel dispositif |
US7138180B2 (en) * | 2003-10-16 | 2006-11-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hard carbon films formed from plasma treated polymer surfaces |
NL1025096C2 (nl) * | 2003-12-21 | 2005-06-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
DE102004004177B4 (de) * | 2004-01-28 | 2006-03-02 | AxynTeC Dünnschichttechnik GmbH | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten sowie dessen Verwendung |
PL1580299T5 (pl) | 2004-03-25 | 2020-12-28 | Whirlpool Corporation | Powłoka ochronna dla sprzętu gospodarstwa domowego |
US7498062B2 (en) * | 2004-05-26 | 2009-03-03 | Wd Media, Inc. | Method and apparatus for applying a voltage to a substrate during plating |
JP5133057B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2013-01-30 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | Me−DLC硬質材料コーティングを備えた銅含有導電性材料 |
WO2006011028A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Element Six Limited | Orthopaedic implants |
DE102004036170B4 (de) * | 2004-07-26 | 2007-10-11 | Schott Ag | Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Vakuumbeschichtung und deren Verwendung |
DE102004041234A1 (de) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Ina-Schaeffler Kg | Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE102004041235A1 (de) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Ina-Schaeffler Kg | Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
ES2565165T3 (es) * | 2004-09-08 | 2016-03-31 | Bic Violex S.A. | Método para deposición de una capa sobre un filo de cuchilla de afeitar y cuchilla de afeitar |
JP4517791B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-08-04 | 凸版印刷株式会社 | 窒化シリコン膜を用いたパターン形成方法 |
US7244493B2 (en) * | 2004-11-12 | 2007-07-17 | Delphi Technologies, Inc. | Coated article |
US7459188B2 (en) * | 2004-12-02 | 2008-12-02 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Method and apparatus for making diamond-like carbon films |
EP1878039B1 (de) | 2005-05-04 | 2009-03-04 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Plasmaverstärker für plasmabehandlungsanlage |
JP4853857B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法,コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置 |
WO2006134781A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Kyocera Corporation | 堆積膜形成方法、堆積膜形成装置、堆積膜およびこれを用いた感光体 |
ATE452218T1 (de) * | 2005-09-10 | 2010-01-15 | Schaeffler Kg | VERSCHLEIßFESTE BESCHICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN |
US8664124B2 (en) | 2005-10-31 | 2014-03-04 | Novellus Systems, Inc. | Method for etching organic hardmasks |
US8110493B1 (en) | 2005-12-23 | 2012-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask |
JP4735309B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法 |
JP4704950B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-06-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系硬質多層膜及びこの膜を表面に備えた硬質表面部材 |
US7981810B1 (en) | 2006-06-08 | 2011-07-19 | Novellus Systems, Inc. | Methods of depositing highly selective transparent ashable hardmask films |
US20080014466A1 (en) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Ronghua Wei | Glass with scratch-resistant coating |
EP1918967B1 (en) * | 2006-11-02 | 2013-12-25 | Dow Corning Corporation | Method of forming a film by deposition from a plasma |
US7915166B1 (en) | 2007-02-22 | 2011-03-29 | Novellus Systems, Inc. | Diffusion barrier and etch stop films |
US7981777B1 (en) | 2007-02-22 | 2011-07-19 | Novellus Systems, Inc. | Methods of depositing stable and hermetic ashable hardmask films |
JP2007160506A (ja) * | 2007-02-23 | 2007-06-28 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 非晶質カーボン被覆工具 |
WO2008145459A1 (de) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren |
US8962101B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-02-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for plasma-based deposition |
US7820556B2 (en) * | 2008-06-04 | 2010-10-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for purifying acetylene gas for use in semiconductor processes |
US8435608B1 (en) | 2008-06-27 | 2013-05-07 | Novellus Systems, Inc. | Methods of depositing smooth and conformal ashable hard mask films |
CH699109A1 (fr) * | 2008-07-10 | 2010-01-15 | Swatch Group Res & Dev Ltd | Procédé de fabrication d'une pièce micromécanique. |
EP2145857B1 (fr) * | 2008-07-10 | 2014-03-19 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Procédé de fabrication d'une pièce micromécanique |
TW201020336A (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-01 | Yu-Hsueh Lin | Method for plating film on surface of heat dissipation module and film-plated heat dissipation module |
KR101496149B1 (ko) * | 2008-12-08 | 2015-02-26 | 삼성전자주식회사 | 결정질 실리콘 제조 방법 |
US7955990B2 (en) * | 2008-12-12 | 2011-06-07 | Novellus Systems, Inc. | Method for improved thickness repeatability of PECVD deposited carbon films |
US8267831B1 (en) | 2009-05-19 | 2012-09-18 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and apparatus for washing, etching, rinsing, and plating substrates |
KR20120092545A (ko) * | 2009-06-26 | 2012-08-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 비정질 탄소의 도핑에 의해 불화탄소(cfx) 막의 접착성을 향상시키는 방법 |
CN107359103A (zh) * | 2009-10-28 | 2017-11-17 | 应用材料公司 | 用于等离子体增强化学气相沉积的腔室 |
DE102010002686A1 (de) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, und Verfahren zur Beschichtung eines Gleitelements |
DE102010002688C5 (de) * | 2010-03-09 | 2014-03-06 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Schraubendruckfeder für einen Ölabstreifring eines Kolbens in einem Verbrennungsmotor und Verfahren zur Beschichtung einer Schraubendruckfeder |
US8563414B1 (en) | 2010-04-23 | 2013-10-22 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming conductive carbon films by PECVD |
DE102010033543A1 (de) * | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Beschichtung von Stahl-Bauteilen |
DE102010052971A1 (de) | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
EP2628817B1 (en) | 2012-02-15 | 2016-11-02 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel |
EP2628822B1 (en) * | 2012-02-15 | 2015-05-20 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Current insulated bearing components and bearings |
JP2012125923A (ja) * | 2012-03-19 | 2012-07-05 | Okouchi Kinzoku Co Ltd | Dlc被覆を有する切削工具の製造方法 |
DE102012007796A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Amg Coating Technologies Gmbh | Beschichtung enthaltend Si-DLC, DLC und Me-DLC und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
DE102012007763A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Ulrich Schmidt | Modularer Rahmen für Steckdosen und Schalter |
SG195494A1 (en) | 2012-05-18 | 2013-12-30 | Novellus Systems Inc | Carbon deposition-etch-ash gap fill process |
US9362133B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-06-07 | Lam Research Corporation | Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask |
JP2014125670A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Kobe Steel Ltd | プラズマcvd法による保護膜の形成方法 |
US9304396B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | PECVD films for EUV lithography |
JP6060016B2 (ja) | 2013-03-28 | 2017-01-11 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム |
US9320387B2 (en) | 2013-09-30 | 2016-04-26 | Lam Research Corporation | Sulfur doped carbon hard masks |
US9589799B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-03-07 | Lam Research Corporation | High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power |
US9523146B1 (en) | 2015-06-17 | 2016-12-20 | Southwest Research Institute | Ti—Si—C—N piston ring coatings |
DE102015115167B4 (de) * | 2015-09-09 | 2017-03-30 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Formkörper aufweisend eine Funktionsschicht, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US10368939B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-08-06 | Covidien Lp | Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same |
US10441349B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-10-15 | Covidien Lp | Non-stick coated electrosurgical instruments and method for manufacturing the same |
RU2742325C2 (ru) * | 2016-04-22 | 2021-02-04 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | TiCN С СОКРАЩЕННЫМИ ДЕФЕКТАМИ РОСТА С ПОМОЩЬЮ HiPIMS |
KR102451440B1 (ko) | 2016-06-15 | 2022-10-05 | 이스트만 케미칼 컴파니 | 물리적 증착된 바이오센서 컴포넌트 |
US10249495B2 (en) * | 2016-06-28 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process |
DE102016213951A1 (de) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Robert Bosch Gmbh | Verbesserte Lenkung von Ionen aus einem Plasma auf ein zu beschichtendes Substrat |
JP7111698B2 (ja) | 2016-09-16 | 2022-08-02 | イーストマン ケミカル カンパニー | 物理蒸着によって製造されるバイオセンサー電極 |
EP3512957B1 (en) | 2016-09-16 | 2022-03-09 | Eastman Chemical Company | Biosensor electrodes prepared by physical vapor deposition |
DE102017205028A1 (de) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Verschleißschutzbeschichtetes metallisches Bauteil hieraus bestehende Bauteilanordnung |
EP3642605A1 (en) | 2017-06-22 | 2020-04-29 | Eastman Chemical Company | Physical vapor deposited electrode for electrochemical sensors |
US11043375B2 (en) | 2017-08-16 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma deposition of carbon hardmask |
EP3669014A1 (de) | 2017-08-18 | 2020-06-24 | Gühring KG | Verfahren zum beschichten temperaturempfindlicher substrate mit polykristallinem diamant |
DE102017217464A1 (de) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Gühring KG | Verfahren zum Beschichten temperaturempfindlicher Substrate mit polykristallinem Diamant |
DE102017214432A1 (de) | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Gühring KG | Verfahren zum beschichten temperaturempfindlicher substrate mit polykristallinem diamant |
US10973569B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-04-13 | Covidien Lp | Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating |
US10709497B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-07-14 | Covidien Lp | Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating |
JP7005367B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ボロン系膜の成膜方法および成膜装置 |
WO2019199681A1 (en) | 2018-04-09 | 2019-10-17 | Applied Materials, Inc. | Carbon hard masks for patterning applications and methods related thereto |
CN109536858A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-29 | 深圳大学 | 锁杆及其制备方法 |
KR20220002748A (ko) | 2019-05-29 | 2022-01-06 | 램 리써치 코포레이션 | 고 전력 펄싱된 저 주파수 rf에 의한 고 선택도, 저 응력, 및 저 수소 다이아몬드-유사 탄소 하드 마스크들 |
KR20220037456A (ko) | 2019-07-01 | 2022-03-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 결합 재료들을 최적화하는 것에 의한 막 특성들의 조절 |
US11207124B2 (en) | 2019-07-08 | 2021-12-28 | Covidien Lp | Electrosurgical system for use with non-stick coated electrodes |
US11369427B2 (en) | 2019-12-17 | 2022-06-28 | Covidien Lp | System and method of manufacturing non-stick coated electrodes |
US11664226B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications |
US11664214B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications |
CN111893455B (zh) * | 2020-09-08 | 2023-10-03 | 河北美普兰地环保科技有限公司 | 金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法 |
CN113215537A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-08-06 | 合肥波林新材料股份有限公司 | 一种连杆用防护涂层的制备方法及其应用 |
RU2762426C1 (ru) * | 2021-09-06 | 2021-12-21 | Общество с ограниченной ответственностью "Вириал" (ООО "Вириал") | Установка модифицирования поверхности заготовок для режущих пластин |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126786A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-06 | ダイヤモンド・ブラツク・テクノロジーズ・インコーポレイテツド | 多層被覆膜及び被覆法 |
JPH08134629A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超微粒積層膜と、それを有する工具用複合高硬度材料 |
WO1997021033A1 (en) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Carrier Corporation | Rotary compressor with reduced lubrication sensitivity |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4727000A (en) * | 1983-06-06 | 1988-02-23 | Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. | X-ray dispersive and reflective structures |
JPS6091629A (ja) | 1983-10-25 | 1985-05-23 | Nec Corp | プラズマ気相成長装置 |
US4785470A (en) * | 1983-10-31 | 1988-11-15 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Reflectivity and resolution X-ray dispersive and reflective structures for carbon, beryllium and boron analysis |
EP0221531A3 (en) * | 1985-11-06 | 1992-02-19 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | High heat conductive insulated substrate and method of manufacturing the same |
JPS6393861A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-25 | Nec Corp | 低応力薄膜の堆積方法 |
DE3733135C1 (de) * | 1987-10-01 | 1988-09-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten oder AEtzen mittels eines Plasmas |
US4963239A (en) | 1988-01-29 | 1990-10-16 | Hitachi, Ltd. | Sputtering process and an apparatus for carrying out the same |
FR2639363B1 (fr) * | 1988-11-23 | 1991-02-22 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de traitement de surface par plasma, pour un substrat porte par une electrode |
JPH02205666A (ja) | 1989-02-01 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | スパッタ膜の形成方法 |
EP0395415B1 (en) | 1989-04-27 | 1995-03-15 | Fujitsu Limited | Apparatus for and method of processing a semiconductor device using microwave-generated plasma |
JP2538691B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1996-09-25 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JPH03114234A (ja) | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
FR2653234A1 (fr) * | 1989-10-13 | 1991-04-19 | Philips Electronique Lab | Dispositif du type miroir dans le domaine des rayons x-uv. |
JPH0430900A (ja) | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Kosaku Ono | 物干し乾燥機 |
JP3384490B2 (ja) | 1990-06-04 | 2003-03-10 | ティーディーケイ株式会社 | 高周波プラズマcvd法による炭素膜の形成法 |
US5268217A (en) * | 1990-09-27 | 1993-12-07 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
US5268216A (en) * | 1990-12-21 | 1993-12-07 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Multilayer solid lubricant composite structures and method of making same |
JP3106528B2 (ja) | 1991-03-12 | 2000-11-06 | 株式会社島津製作所 | 硬質カーボン膜形成方法及び形成装置 |
JPH07109034B2 (ja) | 1991-04-08 | 1995-11-22 | ワイケイケイ株式会社 | 硬質多層膜形成体およびその製造方法 |
US5786068A (en) * | 1991-05-03 | 1998-07-28 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Electrically tunable coatings |
DE9109503U1 (de) * | 1991-07-31 | 1991-10-17 | Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier | Schaltungsanordnung für ein Stromversorgungsgerät für Geräte und Anlagen der Plasma- und Oberflächentechnik |
DE4127317C2 (de) * | 1991-08-17 | 1999-09-02 | Leybold Ag | Einrichtung zum Behandeln von Substraten |
DE69216218T2 (de) * | 1991-10-14 | 1997-06-19 | Commissariat Energie Atomique | Erosionsbeständiges und abrasionsbeständiges Mehrschichtenmaterial |
JP3263499B2 (ja) * | 1993-10-19 | 2002-03-04 | 三洋電機株式会社 | ダイヤモンド状被膜形成方法及び装置 |
US5900103A (en) | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
US5593719A (en) * | 1994-03-29 | 1997-01-14 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce frictional wear between components made of ultra-high molecular weight polyethylene and metal alloys |
NZ283189A (en) * | 1994-04-01 | 1997-12-19 | Mobil Oil Corp | Polymeric film comprising amorphous nylon layer coated with carbon by plasma vapour deposition |
EP0701982B1 (en) | 1994-09-16 | 2002-07-03 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Layered film made of ultrafine particles and a hard composite material for tools possessing the film |
US5500312A (en) * | 1994-10-11 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Masks with low stress multilayer films and a process for controlling the stress of multilayer films |
DE19500262C1 (de) | 1995-01-06 | 1995-09-28 | Metaplas Oberflaechenveredelun | Verfahren zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
US5569487A (en) * | 1995-01-23 | 1996-10-29 | General Electric Company | Capacitor dielectrics of silicon-doped amorphous hydrogenated carbon |
JPH08255782A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | プラズマ表面処理装置 |
DE19513614C1 (de) | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
DE19515565B4 (de) | 1995-04-27 | 2005-08-04 | Hyundai Motor Co. | Hinterradaufhängung für Kraftfahrzeuge |
US5593234A (en) * | 1995-05-16 | 1997-01-14 | Ntn Corporation | Bearing assembly with polycrystalline superlattice coating |
US5693376A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method for plasma source ion implantation and deposition for cylindrical surfaces |
JPH09106899A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
JPH09111458A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
DE19609804C1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Einrichtung, ihre Verwendung und ihr Betrieb zum Vakuumbeschichten von Schüttgut |
JPH1079372A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
EP0827817A1 (en) * | 1996-09-06 | 1998-03-11 | Sandvik Aktiebolag | Coated chain saw nose sprocket |
-
1998
- 1998-06-15 AU AU85315/98A patent/AU734809B2/en not_active Ceased
- 1998-06-15 WO PCT/DE1998/001610 patent/WO1998058100A1/de active IP Right Grant
- 1998-06-15 DE DE19826259A patent/DE19826259A1/de not_active Ceased
- 1998-06-15 US US09/446,054 patent/US6372303B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-15 CN CN98806256.9A patent/CN1264432A/zh active Pending
- 1998-06-15 EP EP98936157A patent/EP0990061B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-15 DE DE59813331T patent/DE59813331D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-15 ES ES98936157T patent/ES2256948T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-15 JP JP50355499A patent/JP2002504189A/ja not_active Ceased
-
2001
- 2001-12-21 US US10/026,259 patent/US6869676B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-09 US US11/008,413 patent/US7942111B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-12-24 JP JP2008327799A patent/JP2009133008A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126786A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-06 | ダイヤモンド・ブラツク・テクノロジーズ・インコーポレイテツド | 多層被覆膜及び被覆法 |
JPH08134629A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超微粒積層膜と、それを有する工具用複合高硬度材料 |
WO1997021033A1 (en) * | 1995-12-07 | 1997-06-12 | Carrier Corporation | Rotary compressor with reduced lubrication sensitivity |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533937A (ja) * | 2012-09-10 | 2015-11-26 | エーリコン・サーフェス・ソリューションズ・アーゲー・トリューバッハ | 基板上に金属ホウ炭化物層を製造する方法 |
JP2016084495A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | 金属膜と保護膜とを形成する成膜方法および成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0990061A1 (de) | 2000-04-05 |
CN1264432A (zh) | 2000-08-23 |
ES2256948T3 (es) | 2006-07-16 |
DE59813331D1 (de) | 2006-03-30 |
JP2002504189A (ja) | 2002-02-05 |
AU734809B2 (en) | 2001-06-21 |
WO1998058100A1 (de) | 1998-12-23 |
EP0990061B1 (de) | 2006-01-04 |
US7942111B2 (en) | 2011-05-17 |
DE19826259A1 (de) | 1998-12-17 |
US20020100420A1 (en) | 2002-08-01 |
US6372303B1 (en) | 2002-04-16 |
US20050098119A1 (en) | 2005-05-12 |
US6869676B2 (en) | 2005-03-22 |
AU8531598A (en) | 1999-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009133008A (ja) | 多層構造体 | |
US6740393B1 (en) | DLC coating system and process and apparatus for making coating system | |
KR101948013B1 (ko) | 전류 절연 베어링 부품 및 베어링 | |
CN100467664C (zh) | 一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件 | |
KR102078308B1 (ko) | 마르텐사이트 스틸 재질의 코팅된 물품 및 스필 재질의 코팅된 물품을 형성하는 방법 | |
US6835414B2 (en) | Method for producing coated substrates | |
CN110983300A (zh) | 镀膜设备及其应用 | |
WO2014103318A1 (ja) | プラズマcvd法による保護膜の形成方法 | |
JP2006161075A (ja) | 硬質炭素膜およびその形成方法 | |
Deshpandey et al. | Plasma assisted deposition techniques and synthesis of novel materials | |
WO2010073518A1 (ja) | スパッタリング装置 | |
TWI431138B (zh) | 感應耦合電漿輔助蒸鍍方法及其系統 | |
CN114703458B (zh) | CoCrFeNi高熵合金掺杂非晶碳薄膜在制备重载工况下材料中的应用 | |
KR970001005B1 (ko) | 입자상 다이아몬드함유 경질 세라믹 코팅층을 갖는 내마모 제품 및 그의 제조 방법 | |
JP2001192825A (ja) | Rfバイアス式ecrスパッタリング金型離型処理方法 | |
JP2001342565A (ja) | 炭素被膜形成基体及び回転圧縮機 | |
JPH06340973A (ja) | 窒化物含有膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120718 |