JPS62127467A - セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 - Google Patents
セラミツクスが被着された部材及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62127467A JPS62127467A JP60267748A JP26774885A JPS62127467A JP S62127467 A JPS62127467 A JP S62127467A JP 60267748 A JP60267748 A JP 60267748A JP 26774885 A JP26774885 A JP 26774885A JP S62127467 A JPS62127467 A JP S62127467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- plasma
- silicon
- boron
- ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、高速で開動する部材等に好適のセラミック
スが被着された部材及びその製造方法に関する。
スが被着された部材及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
例えば、コンプレッサのシャフト、エンジンのカムシャ
フト、レーザプリンタのレーザスキャナ、プリンタのガ
イドレール等のように、高速で摺動を受ける部材は、摩
耗しやすく、この高速被摺動部材の摩耗が装置の寿命及
び性能に大きな影響を及ぼしている。このため、このよ
うな高速被摺動部材には、高速度鋼及び超硬合金等の硬
くて摩耗し難い材料が使用されている。しかし、これら
の材料は、材料費及び加工費が高いために、コストが高
くなることを回避せざるを得ない場合には、鋳鉄又は快
削鋼等の比較的低廉な材料を使用し、その表面を硬化さ
せたり、潤′／Ｒ性を付与する等の対策がとられている
。また、ＴｉＮ及びＴｉＣ等の高硬度のセラミックスを
被覆して切削工具の耐摩耗性を向上させた技術も提案さ
れている。
フト、レーザプリンタのレーザスキャナ、プリンタのガ
イドレール等のように、高速で摺動を受ける部材は、摩
耗しやすく、この高速被摺動部材の摩耗が装置の寿命及
び性能に大きな影響を及ぼしている。このため、このよ
うな高速被摺動部材には、高速度鋼及び超硬合金等の硬
くて摩耗し難い材料が使用されている。しかし、これら
の材料は、材料費及び加工費が高いために、コストが高
くなることを回避せざるを得ない場合には、鋳鉄又は快
削鋼等の比較的低廉な材料を使用し、その表面を硬化さ
せたり、潤′／Ｒ性を付与する等の対策がとられている
。また、ＴｉＮ及びＴｉＣ等の高硬度のセラミックスを
被覆して切削工具の耐摩耗性を向上させた技術も提案さ
れている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、表面硬化処理には焼入れがあり、潤滑性
付与処理にはタフトライド処理、バーコ処理又は黒染め
二硫化モリブデ、ンの塗布処理等があるが、いずれの処
理も、＾加重が印加され、高速回転する苛酷な条件下で
は、充分な耐久性を得ることができない。
付与処理にはタフトライド処理、バーコ処理又は黒染め
二硫化モリブデ、ンの塗布処理等があるが、いずれの処
理も、＾加重が印加され、高速回転する苛酷な条件下で
は、充分な耐久性を得ることができない。
また、焼き入れ及びタフトライド処理においては、処Ｉ
Ｉ温度が５００℃以上と高いので、処理中に母材の変形
が生じるおそれがあり、高い寸法精度を要求される部材
にはこれらの処理を適用することができない。
Ｉ温度が５００℃以上と高いので、処理中に母材の変形
が生じるおそれがあり、高い寸法精度を要求される部材
にはこれらの処理を適用することができない。
更に、ＴｉＮ又はＴｉＣを高速被摺動部材に被覆すると
、これらのセラミックスの硬度が高いために、摺動する
相手方の摺動部材を研削してしまい、この研削屑がセラ
ミックス被膜の上に凝着して焼き付くという問題点があ
る。
、これらのセラミックスの硬度が高いために、摺動する
相手方の摺動部材を研削してしまい、この研削屑がセラ
ミックス被膜の上に凝着して焼き付くという問題点があ
る。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
母材に対する接着性が高く、耐摩耗性が優れていると共
に、摺動する相手方部材を研削してしまうことがなく、
焼付の発生が抑制されたセラミックスが被着された部材
及びその製造方法を提供することを目的とする。
母材に対する接着性が高く、耐摩耗性が優れていると共
に、摺動する相手方部材を研削してしまうことがなく、
焼付の発生が抑制されたセラミックスが被着された部材
及びその製造方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るセラミックスが被着された部材は、鉄を
主成分とする母材と、この母材の表面をアルゴン含有ガ
スによりプラズマ処理した後母材に被着され主成分が珪
素又は硼素のセラミックス層とを有することを特徴とす
る。
主成分とする母材と、この母材の表面をアルゴン含有ガ
スによりプラズマ処理した後母材に被着され主成分が珪
素又は硼素のセラミックス層とを有することを特徴とす
る。
また、その製造方法は、鉄を主成分とする母材との間に
アルゴン含有ガスによるプラズマを発生させてプラズマ
処理し、次いで、珪素又は硼素を主成分とするセラミッ
クス層を母材の上に形成することを特徴とする。
アルゴン含有ガスによるプラズマを発生させてプラズマ
処理し、次いで、珪素又は硼素を主成分とするセラミッ
クス層を母材の上に形成することを特徴とする。
［作用］
本願発明者は、硬度が高く、耐摩耗性が浸れていると共
に、相手方の虐勤材を研削してしまうことがないセラミ
ックス材料を開発すべく種々検討した結果、珪素又は硼
素を主成分とするセラミックスが、このような要求を充
分満足することを見出した。また、このようなセラミッ
クス材料は、スパッタリング、プラズマＣｖＤ、イオン
ブレーティング等により母材に被着させることができる
が、処理湿度が２００乃至３００℃と比較的低いため、
処理中の母材の変形を抑制することができ、高精度を要
求される部材にもこれらのセラミックスを被着させるこ
とができる。
に、相手方の虐勤材を研削してしまうことがないセラミ
ックス材料を開発すべく種々検討した結果、珪素又は硼
素を主成分とするセラミックスが、このような要求を充
分満足することを見出した。また、このようなセラミッ
クス材料は、スパッタリング、プラズマＣｖＤ、イオン
ブレーティング等により母材に被着させることができる
が、処理湿度が２００乃至３００℃と比較的低いため、
処理中の母材の変形を抑制することができ、高精度を要
求される部材にもこれらのセラミックスを被着させるこ
とができる。
しかしながら、これらのセラミックスは、母材との接着
性がＴｉＮ及びＴｉＣよりも劣るという欠点がある。特
に、母材がコンプレッサシャフト等のように鋳鉄である
場合に、これらのセラミックスを成膜することは事実上
困難である。
性がＴｉＮ及びＴｉＣよりも劣るという欠点がある。特
に、母材がコンプレッサシャフト等のように鋳鉄である
場合に、これらのセラミックスを成膜することは事実上
困難である。
本願発明者は、鉄を主成分とする母材に、これらのセラ
ミックスを安定して容易に被着させるべく種々実験研究
を繰返した結果、減圧下のＡｒ含有ガス雰囲気中で、母
材の表面と１！穫との間に、高周波電力又は直流電力を
印加してプラズマを生起させ、プラズマ処理しておくこ
とによって、これらのセラミックスを高接着性で母材に
被着させることができることを見出した。本願発明は、
このような研究結果に基いてなされたものである。
ミックスを安定して容易に被着させるべく種々実験研究
を繰返した結果、減圧下のＡｒ含有ガス雰囲気中で、母
材の表面と１！穫との間に、高周波電力又は直流電力を
印加してプラズマを生起させ、プラズマ処理しておくこ
とによって、これらのセラミックスを高接着性で母材に
被着させることができることを見出した。本願発明は、
このような研究結果に基いてなされたものである。
なお、耐摩耗性が高いと共に、相手方の摺動部材を研削
してしまうことがないセラミックスとしては、窒化珪素
（Ｓ ｉ Ｎ） 、窒化硼素（ＢＮ）、炭化珪素（Ｓ
ｉ Ｃ） 、炭化硼素（ＢＣ） 、酸化珪素（Ｓｉｎ）
、炭窒化珪素（Ｓ ｉ ＣＸ ＮＹ ） 、炭窒化硼素
（ＢＣｘ ＮＹ ） 、炭酸化珪素（Ｓ ！ Ｃｘ Ｏ
ｙ ） 、又は炭酸化硼素（ＢＣＸＯＹ）等がある。例
えば、ＳｉＮ及びＳｉＣはビッカース硬度が１８００乃
至２０００であり、ＳｉＣはビッカース硬度が２０００
乃至２５００であり、ＢＮのビッカース硬度は２５００
乃至３０００である。このようにこれらのセラミックス
は、硬度が高く、浸れた耐磨耗性を有していると共に、
相手方の摺動部材が鉄系のものである場合は、相手方を
研削してしまうことがない。このようなセラミックスは
、スパッタリング、イオンブレーティング、プラズマＣ
ＶＤ、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ、等の方法により製造するこ
とができるが、母材との接層性及び一層の低温処理が可
能という点を考慮すると、プラズマＣＶＤが好ましい。
してしまうことがないセラミックスとしては、窒化珪素
（Ｓ ｉ Ｎ） 、窒化硼素（ＢＮ）、炭化珪素（Ｓ
ｉ Ｃ） 、炭化硼素（ＢＣ） 、酸化珪素（Ｓｉｎ）
、炭窒化珪素（Ｓ ｉ ＣＸ ＮＹ ） 、炭窒化硼素
（ＢＣｘ ＮＹ ） 、炭酸化珪素（Ｓ ！ Ｃｘ Ｏ
ｙ ） 、又は炭酸化硼素（ＢＣＸＯＹ）等がある。例
えば、ＳｉＮ及びＳｉＣはビッカース硬度が１８００乃
至２０００であり、ＳｉＣはビッカース硬度が２０００
乃至２５００であり、ＢＮのビッカース硬度は２５００
乃至３０００である。このようにこれらのセラミックス
は、硬度が高く、浸れた耐磨耗性を有していると共に、
相手方の摺動部材が鉄系のものである場合は、相手方を
研削してしまうことがない。このようなセラミックスは
、スパッタリング、イオンブレーティング、プラズマＣ
ＶＤ、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ、等の方法により製造するこ
とができるが、母材との接層性及び一層の低温処理が可
能という点を考慮すると、プラズマＣＶＤが好ましい。
［実施例］
以下、添附の図面を参照してこの発明の実施例について
説明する。この実施例に係るセラミックスが被着された
部材は、以下のようにして製造される。先ず、鋳鉄又は
快削１等のブロックからロータリコンプレッサのシャツ
ｉ〜又はプリンタのキャリッジガイド等の所定の形状に
カロエ成形して母材を得る。次いで、この母材の表面を
Ａｒガスを含有するガス中でプラズマを発生させて処理
する。
説明する。この実施例に係るセラミックスが被着された
部材は、以下のようにして製造される。先ず、鋳鉄又は
快削１等のブロックからロータリコンプレッサのシャツ
ｉ〜又はプリンタのキャリッジガイド等の所定の形状に
カロエ成形して母材を得る。次いで、この母材の表面を
Ａｒガスを含有するガス中でプラズマを発生させて処理
する。
その侵、ＳｉＮ等のセラミックスを母材の表面にコーテ
ィングする。このようにして製造されたシャフト又はキ
ャリッジガイドは、鉄を主成分とする母材の表面がＳｉ
Ｎ等のセラミックスで被１されている。このため、この
ような部材に活動部材が＾速で活動しても、摩耗が抑制
されると共に、摺動部材を研削してしまうこともない。
ィングする。このようにして製造されたシャフト又はキ
ャリッジガイドは、鉄を主成分とする母材の表面がＳｉ
Ｎ等のセラミックスで被１されている。このため、この
ような部材に活動部材が＾速で活動しても、摩耗が抑制
されると共に、摺動部材を研削してしまうこともない。
次に、第１図及び第２図を参照して、この実施例に係る
セラミックスが被着された部材をプラズマＣＶＤ法によ
り製造する方法について説明する。
セラミックスが被着された部材をプラズマＣＶＤ法によ
り製造する方法について説明する。
円筒状の反応室１は適宜の支持台上にその軸り向を鉛直
にして支持されていると共に、絶縁体２を介して電気的
に浮かせである。反応室１内は、メカニカルブースタポ
ンプ及び油回転ポンプ（図示せず）等により排気され、
約１０−３ トルの真空度に保持されるようになってい
る。反応室１内には、ガス導入口３を介して種々の原料
ガスが導入される。円筒状の電極４が反応室１内にその
周壁に対して同軸的に設置されており、反応室１と同一
の電位に設定されている。この電極４には、複数個のガ
ス通流孔（図示せず）が開設されていて、ガス導入口３
を介して反応室１内に導入されたガスは、電極４のガス
通流孔を通過して反応！１の中心部にほぼ均一に供給さ
れる。円筒状のシールド５は接地されており、反応室１
を囲むように配設されている。
にして支持されていると共に、絶縁体２を介して電気的
に浮かせである。反応室１内は、メカニカルブースタポ
ンプ及び油回転ポンプ（図示せず）等により排気され、
約１０−３ トルの真空度に保持されるようになってい
る。反応室１内には、ガス導入口３を介して種々の原料
ガスが導入される。円筒状の電極４が反応室１内にその
周壁に対して同軸的に設置されており、反応室１と同一
の電位に設定されている。この電極４には、複数個のガ
ス通流孔（図示せず）が開設されていて、ガス導入口３
を介して反応室１内に導入されたガスは、電極４のガス
通流孔を通過して反応！１の中心部にほぼ均一に供給さ
れる。円筒状のシールド５は接地されており、反応室１
を囲むように配設されている。
反応室１の中心には、円筒状の母材１０が、その軸方向
を鉛直にして電極４の軸心に配設されている。反応″ｉ
！１の天板上には、絶縁体２を介して支持部材１１が設
置されており、母材１０はこの支持部材１１に懸架され
て反応室１内に装入されている。母材１０は、その中心
部に、抵抗発熱線のヒータ１２が挿入されている。この
ヒータ１２は電１１１１３に接続されており、電源１３
から給電されて発熱し、母材１０を加熱するようになっ
ている。第１図においては、母材１０及び支持部材１１
が、マツチングボックス１５を介して高周波１１１４が
接続されており、第２図においては、マツチングボック
ス１５が反応室１に接続されていて、反応室１に高周波
電力が印加されるようになっている。このように、第１
図及び第２図に示すように、母材１０又は反応室１に高
周波電力が印加され、母材１０と反応室１との間に、プ
ラズマ放電が生起される。
を鉛直にして電極４の軸心に配設されている。反応″ｉ
！１の天板上には、絶縁体２を介して支持部材１１が設
置されており、母材１０はこの支持部材１１に懸架され
て反応室１内に装入されている。母材１０は、その中心
部に、抵抗発熱線のヒータ１２が挿入されている。この
ヒータ１２は電１１１１３に接続されており、電源１３
から給電されて発熱し、母材１０を加熱するようになっ
ている。第１図においては、母材１０及び支持部材１１
が、マツチングボックス１５を介して高周波１１１４が
接続されており、第２図においては、マツチングボック
ス１５が反応室１に接続されていて、反応室１に高周波
電力が印加されるようになっている。このように、第１
図及び第２図に示すように、母材１０又は反応室１に高
周波電力が印加され、母材１０と反応室１との間に、プ
ラズマ放電が生起される。
このように構成される装置により、先ず、母材の表面を
Ａｒ含有ガス雰囲気下でプラズマ処理する。つまり、第
１図に示すように、マツチングボックス１５と支持部材
１１とを接続すると共に、反応室１内を約１０−］ ト
ルに排気する。そして、ポンプによる排気を継続しつつ
、ガス導入口３を介して２００ＳＣＣＭのＡｒガスを反
応室１内に導入し、反応フ１内を、例えば、１トルの圧
力に調節する。次いで、電＃ｉ１３からヒータ１２に電
力を供給してヒータ１２を発熱させ、母材１０を１５０
乃至３００℃に加熱する。その後、母材１０に３００Ｗ
の高周波電力を印加して、１！穫４と母材１０との間に
プラズマを生起させる。このプラズマ処理時間は、例え
ば、約３０分間である。
Ａｒ含有ガス雰囲気下でプラズマ処理する。つまり、第
１図に示すように、マツチングボックス１５と支持部材
１１とを接続すると共に、反応室１内を約１０−］ ト
ルに排気する。そして、ポンプによる排気を継続しつつ
、ガス導入口３を介して２００ＳＣＣＭのＡｒガスを反
応室１内に導入し、反応フ１内を、例えば、１トルの圧
力に調節する。次いで、電＃ｉ１３からヒータ１２に電
力を供給してヒータ１２を発熱させ、母材１０を１５０
乃至３００℃に加熱する。その後、母材１０に３００Ｗ
の高周波電力を印加して、１！穫４と母材１０との間に
プラズマを生起させる。このプラズマ処理時間は、例え
ば、約３０分間である。
この場合に、処理ガスはＡｒガス単体に限らず、Ａｒガ
スと、Ｈ２、Ｈｅ、又はＮ２等のガスとの混合ガスでも
よい。
スと、Ｈ２、Ｈｅ、又はＮ２等のガスとの混合ガスでも
よい。
なお、この実施例のように、母材を予め加熱しておいて
もよいが、プラズマが生起されると、このプラズマによ
って母材が加熱されるので、必ずしも格別の加熱手段を
設けることは必要ない。このように、ヒータ１２を使用
して母材１０を加熱しない場合には、母材１０等に印加
する高周波電力を大きくするか、又は処理時間を長くす
ればよい。
もよいが、プラズマが生起されると、このプラズマによ
って母材が加熱されるので、必ずしも格別の加熱手段を
設けることは必要ない。このように、ヒータ１２を使用
して母材１０を加熱しない場合には、母材１０等に印加
する高周波電力を大きくするか、又は処理時間を長くす
ればよい。
このプラズマ処理に続いて、反応室１内にコーティング
すべきセラミックスの構成元素を含有するガスを導入し
、表面がプラズマ処理された母材にセラミックスをコー
ティングする。コーティングすべきセラミックスが８１
を主成分とする場合には、Ｓ ｉ Ｈ４ガス又はＳｉ２
Ｈ６ガス等のＳｌを含有するガスに、窒化物であるとき
はＮ２ガス又はＮＨ３ガス等のＮを含有するガスを混合
し、炭化物であるときはＣＨ３ガス又はＣ２Ｈｓガス等
のＣを含有するガスを混合し、酸化物であるときは０２
ガス又はＮ２０ガス等のＯを含有するガスを混合する。
すべきセラミックスの構成元素を含有するガスを導入し
、表面がプラズマ処理された母材にセラミックスをコー
ティングする。コーティングすべきセラミックスが８１
を主成分とする場合には、Ｓ ｉ Ｈ４ガス又はＳｉ２
Ｈ６ガス等のＳｌを含有するガスに、窒化物であるとき
はＮ２ガス又はＮＨ３ガス等のＮを含有するガスを混合
し、炭化物であるときはＣＨ３ガス又はＣ２Ｈｓガス等
のＣを含有するガスを混合し、酸化物であるときは０２
ガス又はＮ２０ガス等のＯを含有するガスを混合する。
コーティングすべきセラミックスがＢを主成分とする場
合には、Ｓｉを含有するガスの替りに、ＢＦ３ガス又は
Ｂ２ Ｈ６ガス等のＢを含有するガスを使用すればよい
。このような原料ガスを反応室１内に導入すると共に、
マツチングボックスの接続を支持部材１１から反応室１
に切替え、シールド５の接続を反応室１から支持部材１
１に切替える。そして、高周波電源１４から反応室１及
び電極４にＡ周波電力を印加して、電極４と母材１０と
の簡にプラズマを生起させる。
合には、Ｓｉを含有するガスの替りに、ＢＦ３ガス又は
Ｂ２ Ｈ６ガス等のＢを含有するガスを使用すればよい
。このような原料ガスを反応室１内に導入すると共に、
マツチングボックスの接続を支持部材１１から反応室１
に切替え、シールド５の接続を反応室１から支持部材１
１に切替える。そして、高周波電源１４から反応室１及
び電極４にＡ周波電力を印加して、電極４と母材１０と
の簡にプラズマを生起させる。
これにより、原料ガス中の成分を構成元素とするセラミ
ックスが母材１０の表面にコーティングされる。
ックスが母材１０の表面にコーティングされる。
次ぎに、このセラミックスのコーティング条件及び成膜
されたセラミックスの層厚の代表例について説明する。
されたセラミックスの層厚の代表例について説明する。
（ａ）ＳｉＮの場合
ＳｉＨ＋ガス流１ｉ：５０ＳＣＣＭ
Ｎ ２ カスＲＪｌ ： ８００ Ｓ ＣＣＭ反応圧カ
ニ１．０トル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ （ｂ） Ｓ ｉ Ｃの場合 ＳｉＨ＋ガス流量：５０ＳＣＣＭ ＣＨ３ガス流量：３００ＳＣＣＭ 反応圧カニ１．０１−ル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ （ｃ）ＢＮの場合 Ｂ２ Ｈａガス流量： ５０ＳＣＣＭ Ｎ２ガス流ｆｆｉ：８００ＳＣＣＭ 反応圧カニ１．Ｏｔ−ル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間＝１時間 層厚：約４μｍ （ｄ）ＳｉＯの場合 Ｓ ｉ Ｈ４ｉスＰＥＩＩ ： ５０ＳＣＣＭＯ２ガス
ｌｌ：３００ｓｃｃＭ 反応圧カニ１．Ｏトル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ 上述の如くして製造されたセラミックスが被着された部
材は、セラミックスが高強度で被着されており、耐摩耗
性が高い。上述の各成膜条件で、ロータリコンプレッサ
用のシャフトを製造し、このシャフトに対し、１０００
０Ｒ，Ｐ、Ｍの回転数で３０分間連続運転し、次いで１
０分間停止した後、再度３０分間運転するというモード
で１０００時間の耐久試験を実施した。上記（ａ）乃至
（ｄ）に示す各セラミックスをコーティングしたシャフ
トは、いずれも、摩耗による焼付を発生させず、層が剥
離することもなく、極めて耐久性が高いことが実証され
た。
ニ１．０トル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ （ｂ） Ｓ ｉ Ｃの場合 ＳｉＨ＋ガス流量：５０ＳＣＣＭ ＣＨ３ガス流量：３００ＳＣＣＭ 反応圧カニ１．０１−ル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ （ｃ）ＢＮの場合 Ｂ２ Ｈａガス流量： ５０ＳＣＣＭ Ｎ２ガス流ｆｆｉ：８００ＳＣＣＭ 反応圧カニ１．Ｏｔ−ル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間＝１時間 層厚：約４μｍ （ｄ）ＳｉＯの場合 Ｓ ｉ Ｈ４ｉスＰＥＩＩ ： ５０ＳＣＣＭＯ２ガス
ｌｌ：３００ｓｃｃＭ 反応圧カニ１．Ｏトル 高周波筒カニ３００Ｗ 成膜時間：１時間 層厚：約４μｍ 上述の如くして製造されたセラミックスが被着された部
材は、セラミックスが高強度で被着されており、耐摩耗
性が高い。上述の各成膜条件で、ロータリコンプレッサ
用のシャフトを製造し、このシャフトに対し、１０００
０Ｒ，Ｐ、Ｍの回転数で３０分間連続運転し、次いで１
０分間停止した後、再度３０分間運転するというモード
で１０００時間の耐久試験を実施した。上記（ａ）乃至
（ｄ）に示す各セラミックスをコーティングしたシャフ
トは、いずれも、摩耗による焼付を発生させず、層が剥
離することもなく、極めて耐久性が高いことが実証され
た。
なお、この実施例は、母材表面の処理及びセラミックス
のコーティングをプラズマＣＶＤにより実施しているが
、これに限らず、前述の如く、スパッタリング、イオン
ブレーティング、熱ＣＶＤ又は光ＣＶ［）等の他の手段
を使用してもよい。更に、プラズマ生起用の電力は、上
記実施例のように高周波電力に限らず、直流電力を使用
してもよい。この場合には、マツチングボックスが不要
である。
のコーティングをプラズマＣＶＤにより実施しているが
、これに限らず、前述の如く、スパッタリング、イオン
ブレーティング、熱ＣＶＤ又は光ＣＶ［）等の他の手段
を使用してもよい。更に、プラズマ生起用の電力は、上
記実施例のように高周波電力に限らず、直流電力を使用
してもよい。この場合には、マツチングボックスが不要
である。
なお、このようにして成膜されたＳｉＮ。
ＳｉＣ，ＳｉＯ又はＢＮ等のセラミックス層は通常アモ
ルファスであるが、多結晶であったり、一部分で結晶化
していたり、微結晶の領域が存在することもある。しか
し、これらのいずれの場合であっても、耐摩耗性は良好
で同様の優れた効果を得ることができる。
ルファスであるが、多結晶であったり、一部分で結晶化
していたり、微結晶の領域が存在することもある。しか
し、これらのいずれの場合であっても、耐摩耗性は良好
で同様の優れた効果を得ることができる。
［発明の効果コ
この発明によれば、鉄を主成分とする母材に対してもセ
ラミックス層が高接着性で接着されており、耐摩耗性が
■れた部材を得ることができる。
ラミックス層が高接着性で接着されており、耐摩耗性が
■れた部材を得ることができる。
この部材は、摺動する相手部材を研削してしまうことが
なく、焼付の発生が防止される。
なく、焼付の発生が防止される。
第１図第２図はこの発明の実施例に係るセラミックスが
被着された部材の製造置型を示す断面図である。 １：反応室、２：絶縁体、４；？！情、５：シールド、
１０：母材、１２：ヒータ、１４１周波電源、１５；マ
ツチングボックス。
被着された部材の製造置型を示す断面図である。 １：反応室、２：絶縁体、４；？！情、５：シールド、
１０：母材、１２：ヒータ、１４１周波電源、１５；マ
ツチングボックス。
Claims (6)
- （１）鉄を主成分とする母材と、この母材の表面をアル
ゴン含有ガスによりプラズマ処理した後母材に被着され
主成分が珪素又は硼素のセラミックス層とを有すること
を特徴とするセラミックスが被着された部材。 - （２）前記セラミックスは、窒化珪素、窒化硼素、炭化
珪素、炭化硼素、酸化珪素、炭窒化珪素、炭窒化硼素、
炭酸化珪素、又は炭酸化硼素から選択されたものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のセラミ
ックスが被着された部材。 - （３）鉄を主成分とする母材との間にアルゴン含有ガス
によるプラズマを発生させてプラズマ処理し、次いで、
珪素又は硼素を主成分とするセラミックス層を母材の上
に形成することを特徴とするセラミックスが被着された
部材の製造方法。 - （４）前記セラミックス層は、その構成元素を含有する
ガスの雰囲気下でプラズマを生起させて形成することを
特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の製造方法。 - （５）前記セラミックスは、窒化珪素、窒化硼素、炭化
珪素、炭化硼素、酸化珪素、炭窒化珪素、炭窒化硼素、
炭酸化珪素、又は炭酸化硼素から選択されたものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載のセラミ
ックスが被着された部材の製造方法。 - （６）前記プラズマは、母材に高周波電力又は直流電力
を印加することにより形成することを特徴とする特許請
求の範囲第３項又は第４項に記載の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267748A JPS62127467A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 |
| KR1019860009820A KR890002162B1 (ko) | 1985-11-28 | 1986-11-20 | 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조 방법 |
| FR8616558A FR2590594B1 (fr) | 1985-11-28 | 1986-11-27 | Element mecanique portant un revetement ceramique anti-usure et sa fabrication. |
| DE19863640430 DE3640430A1 (de) | 1985-11-28 | 1986-11-27 | Mit einem keramischen material beschichtetes werkstueck und verfahren zu seiner herstellung |
| US08/064,749 US5300951A (en) | 1985-11-28 | 1993-05-18 | Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267748A JPS62127467A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127467A true JPS62127467A (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=17449026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267748A Pending JPS62127467A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62127467A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243767A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Ngk Insulators Ltd | 耐食性容器の製造方法 |
| JPH03243770A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Ngk Insulators Ltd | 複合部材およびその製造方法 |
| JPH04375A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法 |
| WO2006106716A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Kyushu Institute Of Technology | 表面処理金属製品 |
| JP2007232274A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気調和装置 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267748A patent/JPS62127467A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243767A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Ngk Insulators Ltd | 耐食性容器の製造方法 |
| JPH03243770A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-30 | Ngk Insulators Ltd | 複合部材およびその製造方法 |
| JPH04375A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法 |
| WO2006106716A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Kyushu Institute Of Technology | 表面処理金属製品 |
| JP5091667B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-12-05 | 国立大学法人九州工業大学 | 表面処理金属製品 |
| JP2007232274A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気調和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5300951A (en) | Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same | |
| JP4840655B2 (ja) | プラズマ処理装置及び基材の表面処理方法 | |
| JP4653964B2 (ja) | Ｄｌｃ膜の成膜方法およびｄｌｃ成膜物 | |
| JP2002504189A (ja) | 基板の真空被覆方法および装置 | |
| JP2011252179A (ja) | 被覆部材の製造方法 | |
| JP4122387B2 (ja) | 複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置 | |
| JPS62127467A (ja) | セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 | |
| KR890002162B1 (ko) | 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조 방법 | |
| JP5557011B2 (ja) | 被覆部材の製造方法 | |
| JP4612147B2 (ja) | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 | |
| JP2014125670A (ja) | プラズマｃｖｄ法による保護膜の形成方法 | |
| JPS62222071A (ja) | セラミツクスが被着された部材の製造方法 | |
| JPS62127468A (ja) | セラミツクスが被着された部材及びその製造方法 | |
| JPS62127466A (ja) | セラミツクスが被着された部材 | |
| JP2852380B2 (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 | |
| JPS62256964A (ja) | セラミツクスが被着された部材 | |
| JPS62222068A (ja) | セラミツクスが被着された部材の製造方法 | |
| JP5810462B2 (ja) | プラズマ処理装置及び基材の表面処理方法 | |
| JP4096373B2 (ja) | 硬質被膜とその製造方法 | |
| JPS62222070A (ja) | セラミツクスが被着された部材 | |
| JPS62222067A (ja) | セラミツクスが被着された部材の製造方法 | |
| JPH0753908B2 (ja) | 高速摺動部材の製造方法 | |
| JPS62222074A (ja) | セラミツクスが被着された部材の製造方法 | |
| JPH0111721Y2 (ja) | ||
| JPS624868A (ja) | セラミクスコ−テイング部材 |