JPS62223838A - 光メモリ用スタンパの製造方法 - Google Patents
光メモリ用スタンパの製造方法Info
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- JPS62223838A JPS62223838A JP6640386A JP6640386A JPS62223838A JP S62223838 A JPS62223838 A JP S62223838A JP 6640386 A JP6640386 A JP 6640386A JP 6640386 A JP6640386 A JP 6640386A JP S62223838 A JPS62223838 A JP S62223838A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は元メモリー用スタンパの製造方法に関する。
従来の光メモリー用スタンバの製造方法は、まず鏡面に
研磨された中心穴付のガラス原盤に所望の厚みにホトレ
ジストをガラス全面に塗布し、露光・現像してグループ
、ピットを形成する。
研磨された中心穴付のガラス原盤に所望の厚みにホトレ
ジストをガラス全面に塗布し、露光・現像してグループ
、ピットを形成する。
次に、Ｎｉスパッタして導体化皮膜をノヒ成した後およ
そ３００μｍの厚みにＮｉ電鋳なする。Ｎ１電鋳する除
の陰極の導通はガラス原盤の中心部からとる。
そ３００μｍの厚みにＮｉ電鋳なする。Ｎ１電鋳する除
の陰極の導通はガラス原盤の中心部からとる。
次に、ガラス原盤付の状態で、Ｎ１電鋳した裏面を研磨
し、ガラス原盤からはがして内・外径加工を施してスタ
ンバが完成する。
し、ガラス原盤からはがして内・外径加工を施してスタ
ンバが完成する。
しかし、前述の従来技術では、ガラス原盤とホトレジス
トの密着性が充分でないために、Ｎｌｋ鋳すると中心部
分がガラス原盤とホトレジストの間ではがれてしまう。
トの密着性が充分でないために、Ｎｌｋ鋳すると中心部
分がガラス原盤とホトレジストの間ではがれてしまう。
このはがれは後工程で問題になる。まず、Ｎｉ電鋳の裏
面研磨の際に、はがれた部分に研磨剤が入ってしまいス
タンバの外観を損ねてしまう。また、はがれた部分はＮ
１電鋳層とガラスが浮いて数ミクロン以上のすき間が発
生しているので厚みが精度良くだせない。また、裏面研
磨後スタンパをガラス原盤からはがした後スタンパ側に
付着したホトレジストを化学的に溶解除去する工程にお
いて、はがれた部分のレジストが非常に溶解しにくくな
る等の問題点を有する。そこで本発明はこのような問題
点を解決するもので、その目的とするところは品質の良
い元メモリー用スタンパを歩留りが良く安定して作れる
製造方法を提供するところである。
面研磨の際に、はがれた部分に研磨剤が入ってしまいス
タンバの外観を損ねてしまう。また、はがれた部分はＮ
１電鋳層とガラスが浮いて数ミクロン以上のすき間が発
生しているので厚みが精度良くだせない。また、裏面研
磨後スタンパをガラス原盤からはがした後スタンパ側に
付着したホトレジストを化学的に溶解除去する工程にお
いて、はがれた部分のレジストが非常に溶解しにくくな
る等の問題点を有する。そこで本発明はこのような問題
点を解決するもので、その目的とするところは品質の良
い元メモリー用スタンパを歩留りが良く安定して作れる
製造方法を提供するところである。
本発明の元メモリー用スタンバの製造方法は、ガラス原
盤にホトレジス）Ｅ−塗布して部分的に露光、現像し、
次に導体化皮膜を形成し、Ｎｉ電鋳して、次にＮｉ電鋳
の裏面をバックポリッシュする元メモリー用スタンパの
製造方法において、ホトレジストは記録部のみに形成す
ることを特徴とする。
盤にホトレジス）Ｅ−塗布して部分的に露光、現像し、
次に導体化皮膜を形成し、Ｎｉ電鋳して、次にＮｉ電鋳
の裏面をバックポリッシュする元メモリー用スタンパの
製造方法において、ホトレジストは記録部のみに形成す
ることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、記録部のみにレジストが
形成されており、中心部及び外周部はガラス原盤と直接
に接している皮膜は導体化皮膜である。例えば、等体化
処理膜として従来一般的に行なわれているＮｉｉスパッ
タ法で作成した場合、ガラスとＮ１スパッタ膜は蕃漸性
が良好である。密着性の悪い記録部のレジストは、中心
部と外周部が密着性の良いＮ１スパッタ膜にはさまれた
状態になっているので記録部のレジストがはがれてしま
うという現像が起きなくなる。
形成されており、中心部及び外周部はガラス原盤と直接
に接している皮膜は導体化皮膜である。例えば、等体化
処理膜として従来一般的に行なわれているＮｉｉスパッ
タ法で作成した場合、ガラスとＮ１スパッタ膜は蕃漸性
が良好である。密着性の悪い記録部のレジストは、中心
部と外周部が密着性の良いＮ１スパッタ膜にはさまれた
状態になっているので記録部のレジストがはがれてしま
うという現像が起きなくなる。
外径２００φ問。内径１０φ圓、厚み６圏１の鏡面に磨
かれたガラス原盤１を用意する。
かれたガラス原盤１を用意する。
次に、上記ガラス原盤の全面にホトレジスト２ご１ｏｏ
ｏＸ前後の厚みにスピンコード法で塗布する。次に９０
℃、３０分のプレベーク後鱈光する。この露光に際し、
２つの作業が必要になる。１つは記録部のビットやグル
ープを形成するための露光であり、この露光は専用のレ
ーザー力ツテングＭ／Ｃで行う。
ｏＸ前後の厚みにスピンコード法で塗布する。次に９０
℃、３０分のプレベーク後鱈光する。この露光に際し、
２つの作業が必要になる。１つは記録部のビットやグル
ープを形成するための露光であり、この露光は専用のレ
ーザー力ツテングＭ／Ｃで行う。
２つは記録部以外の部分のホトレジスト？取り除くため
の露光である。この作業は、記録部が黒抜きのマスクを
用意し、ガラス基盤とマスクを重ね合わせて、紫外線を
照射してやれば良いので非常に簡単である。
の露光である。この作業は、記録部が黒抜きのマスクを
用意し、ガラス基盤とマスクを重ね合わせて、紫外線を
照射してやれば良いので非常に簡単である。
次に、専用の現像液で、記録部屋、び中心部、外周部の
レジストを現像する。現像方法は品物ご一定運度で回転
させるスプレー現像゛が適している。
レジストを現像する。現像方法は品物ご一定運度で回転
させるスプレー現像゛が適している。
上記現像作業によって、記録部のホトレジストはピッチ
及びグループがりし成され、記録部以外の中心部と外周
部のホトレジストは全て取り除かれてしまう。
及びグループがりし成され、記録部以外の中心部と外周
部のホトレジストは全て取り除かれてしまう。
次に、１００℃、３０分のホストヘークを行う。
次に、ガラス原盤１０表面の全面に導電化処理膜［１５
！３を形成する。この導体化処理皮膜３は次のＮ１電鋳
を行うために必要となるものである。
！３を形成する。この導体化処理皮膜３は次のＮ１電鋳
を行うために必要となるものである。
本発明の目的のために使用できる導体化処理皮膜３は、
ガラス原盤１またはガラス原盤上に施されたブライマー
処理層に対して密着性の良いものでなければならない。
ガラス原盤１またはガラス原盤上に施されたブライマー
処理層に対して密着性の良いものでなければならない。
上記、目的にかなうものとしてＡｇ、Ｎｉの単相スパッ
タ膜、ＩＪ帝目ｃｒスパッタ膜２層目Ｎ１スパッタ膜の
２層構造膜、無電解Ｎ１めりき（Ｅ１本カニゼン社製Ｓ
−６８０）が望ましい。
タ膜、ＩＪ帝目ｃｒスパッタ膜２層目Ｎ１スパッタ膜の
２層構造膜、無電解Ｎ１めりき（Ｅ１本カニゼン社製Ｓ
−６８０）が望ましい。
導電化処理膜５の厚みは７００〜１０００久が望ましい
。
。
次に、ｙｉ［鋳めっさを行う。めっき浴組成、めっき条
件は下記の通りである。
件は下記の通りである。
めっき浴組成
スルファミン酸Ｎｉ、 ４５０１／を御１ ば
３０ 〃臭化ニッケル
１０ 〃 界面活性剤 １ ｒｔ、／ｌめっき条件 ＰＨ４・ ０ 電流密度 １０Ａ／７ 液温度 ５０〜５５℃ 電鋳層４の厚みは３００〜３１０μｍ範囲に入るよう′
にする。
３０ 〃臭化ニッケル
１０ 〃 界面活性剤 １ ｒｔ、／ｌめっき条件 ＰＨ４・ ０ 電流密度 １０Ａ／７ 液温度 ５０〜５５℃ 電鋳層４の厚みは３００〜３１０μｍ範囲に入るよう′
にする。
上記Ｎｌ５ｔ鋳後のガラス原盤付Ｎ１電鋳層の外観はガ
ラス原盤１とＮ１電鋳層４とのはがれの現像は全りくみ
られない。
ラス原盤１とＮ１電鋳層４とのはがれの現像は全りくみ
られない。
次に、専用のポリッシング ／。でＮ１′Ｔ４を錆層４
の裏面を研磨する。表面粗さが０．０５μｍ、厚み公差
が±５μ以内に入るように研磨する。
の裏面を研磨する。表面粗さが０．０５μｍ、厚み公差
が±５μ以内に入るように研磨する。
研磨剤は不二見研磨材社製ポリブラフ００ （アルミナ
と硝酸アルミニウム含有）を使用する。この研磨剤はメ
カノ・ケミカル両方の機能を有している。もし、外１４
部、内周部にガラス原盤とＮ１電鋳１？ｌｊ４との間に
はがれがあると、研磨剤が内周部、外周部のはがれた端
面から入り、Ｎｉと反応してスタンバの記録面の外観を
そこねてしまう。
と硝酸アルミニウム含有）を使用する。この研磨剤はメ
カノ・ケミカル両方の機能を有している。もし、外１４
部、内周部にガラス原盤とＮ１電鋳１？ｌｊ４との間に
はがれがあると、研磨剤が内周部、外周部のはがれた端
面から入り、Ｎｉと反応してスタンバの記録面の外観を
そこねてしまう。
また、はがれた部分はガラス原盤１から浮いた状態にな
っているので、ポリッシング時に浮かない部分よりも余
分に研磨されてし゛まい厚み規格からはずれてしまう。
っているので、ポリッシング時に浮かない部分よりも余
分に研磨されてし゛まい厚み規格からはずれてしまう。
本発明の元メモリー用スタンパは、ガラス原盤１とＮｉ
’４Ｈ層４が密着しているのでこのようなことは解犬さ
れている。
’４Ｈ層４が密着しているのでこのようなことは解犬さ
れている。
次に、Ｎ ｌ ’ｎ電鋳層をガラス原盤１からはがし、
Ｎｉ嵐制スタンバ表面に付着しているレジストを取り除
いて、内、外径加工すると本発明の元メモリー用スタン
バが完成すり。
Ｎｉ嵐制スタンバ表面に付着しているレジストを取り除
いて、内、外径加工すると本発明の元メモリー用スタン
バが完成すり。
上記実ｈ１例はガラス原盤１に、ｆ接ホトレジスト２を
塗布した場合の例であるが、ガラス原盤にＨＭＤＳ（ヘ
キサメチレンジシラサン）のブライマー処理してレジス
トをコートした場合においても同様の効果が期待できる
。
塗布した場合の例であるが、ガラス原盤にＨＭＤＳ（ヘ
キサメチレンジシラサン）のブライマー処理してレジス
トをコートした場合においても同様の効果が期待できる
。
以上述べたように本発明により、ガラス原！Ａ１にホト
レジスト２を塗布して部分的にｂ′ＳゲＣ９現像し、次
に導体化皮膜３を形成し、Ｎｉ寛鋳して最後にＮｉ電鋳
層４の裏面をバックポリッシュする元メモリー用スタン
バの製造方法において、ホトレジスト２は記録部のみに
形成することにより、密着性の悪い記録部のホトレジス
ト２は、ガラス原盤１の外周部及び内周部の直接ガラス
と接している密着性の良い導電性皮膜３にはさまれた状
雇になっているので、密着性の悪い記録部のホトレジス
ト２がはがれてしまうという現像は起きなくなる。
レジスト２を塗布して部分的にｂ′ＳゲＣ９現像し、次
に導体化皮膜３を形成し、Ｎｉ寛鋳して最後にＮｉ電鋳
層４の裏面をバックポリッシュする元メモリー用スタン
バの製造方法において、ホトレジスト２は記録部のみに
形成することにより、密着性の悪い記録部のホトレジス
ト２は、ガラス原盤１の外周部及び内周部の直接ガラス
と接している密着性の良い導電性皮膜３にはさまれた状
雇になっているので、密着性の悪い記録部のホトレジス
ト２がはがれてしまうという現像は起きなくなる。
もし、ＮＮ１１Ｕ時にはがれてしまうと後工程の裏面研
磨の際に、ガラス原盤１とＮ１電鋳層４の間に研磨剤が
入り記録部のＮ１スタンバの外観すそこねてしまうとか
、ポリッシング時でのはがれた部分のＮ１スタンバのＪ
ｌみ精度が規格に入らないとか、また、はがれた部分の
スタンバに付着したホトレジスト２が化学的に除去しに
くくなるとかの問題がなくなり、品質の良い元メモリー
用スタンパを歩留り良く安定して作れる製造方法を提供
するものである。
磨の際に、ガラス原盤１とＮ１電鋳層４の間に研磨剤が
入り記録部のＮ１スタンバの外観すそこねてしまうとか
、ポリッシング時でのはがれた部分のＮ１スタンバのＪ
ｌみ精度が規格に入らないとか、また、はがれた部分の
スタンバに付着したホトレジスト２が化学的に除去しに
くくなるとかの問題がなくなり、品質の良い元メモリー
用スタンパを歩留り良く安定して作れる製造方法を提供
するものである。
第１図〜第５図は本発明の元メモリー用スタンバの製造
方法を示す工程断面図である。 以 上
方法を示す工程断面図である。 以 上
Claims (1)
- ガラス原盤にホトレジストを塗布して部分的に露光、現
像し次に導体化皮膜を形成し、Ｎｉ電鋳して、最後にＮ
ｉ電鋳の裏面をバックポリッシュする光メモリー用スタ
ンパの製造方法において、ホトレジストは記録部分のみ
に形成することを特徴とする光メモリー用スタンパの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6640386A JPS62223838A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6640386A JPS62223838A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223838A true JPS62223838A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13314803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6640386A Pending JPS62223838A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62223838A (ja) |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6640386A patent/JPS62223838A/ja active Pending
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