JPH059775A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JPH059775A JPH059775A JP15704091A JP15704091A JPH059775A JP H059775 A JPH059775 A JP H059775A JP 15704091 A JP15704091 A JP 15704091A JP 15704091 A JP15704091 A JP 15704091A JP H059775 A JPH059775 A JP H059775A
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- Japan
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- nickel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 板厚の均一なスタンパを容易に得ることがで
きる、スタンパの製造方法を提供する。 【構成】 ニッケルからなる基板1上にフォトレジスト
層2を塗布し(図1の(A))、レーザ露光装置を用い
て微細パターン2’を形成する。これによって、微細パ
ターン2’を有する原盤3が形成される(図1の
(B))。つづいて、微細パターン2’上に絶縁層4を
積層し(図1の(C))、さらに、ニッケルからなる導
電化膜5を成膜して前記原盤3を導電化する(図1の
(D))。その後、電鋳法により、導電化膜5上にニッ
ケルの金属膜6を形成する(図1の(E))。次に、前
記金属膜6の板厚を均一にする研磨工程を経た後、導電
化膜5および金属膜6を一体として原盤3から剥離する
ことでスタンパが形成される。
きる、スタンパの製造方法を提供する。 【構成】 ニッケルからなる基板1上にフォトレジスト
層2を塗布し(図1の(A))、レーザ露光装置を用い
て微細パターン2’を形成する。これによって、微細パ
ターン2’を有する原盤3が形成される(図1の
(B))。つづいて、微細パターン2’上に絶縁層4を
積層し(図1の(C))、さらに、ニッケルからなる導
電化膜5を成膜して前記原盤3を導電化する(図1の
(D))。その後、電鋳法により、導電化膜5上にニッ
ケルの金属膜6を形成する(図1の(E))。次に、前
記金属膜6の板厚を均一にする研磨工程を経た後、導電
化膜5および金属膜6を一体として原盤3から剥離する
ことでスタンパが形成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスタンパの製造方法に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】従来、スタンパとしては、レーザ光等の
光学的手段によって情報の記録再生が行なわれる光記録
媒体の成型用スタンパが知られている。この光記録媒体
成形用のスタンパには、前記光記録媒体のトラッキング
用溝、情報用ピット等に対応する凹凸パターンが形成さ
れており、該凹凸パターンを、熱可塑性樹脂であるポリ
カーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂に転写す
ることで前記光記録媒体の溝部を形成する。
光学的手段によって情報の記録再生が行なわれる光記録
媒体の成型用スタンパが知られている。この光記録媒体
成形用のスタンパには、前記光記録媒体のトラッキング
用溝、情報用ピット等に対応する凹凸パターンが形成さ
れており、該凹凸パターンを、熱可塑性樹脂であるポリ
カーボネート樹脂やポリメチルメタクリル樹脂に転写す
ることで前記光記録媒体の溝部を形成する。
【0003】このような光記録媒体成型用のスタンパ
は、例えば、公開特許公報昭61−284843、公開
実用新案昭58−141435、および、日本工業技術
センター発行の「光ディスクプロセス技術の要点No
5」(昭和60年3月15日発行)に記載されているよ
うな方法で製造されている。前記光記録媒体成型用スタ
ンパの従来の製造方法について、図2に沿って説明す
る。
は、例えば、公開特許公報昭61−284843、公開
実用新案昭58−141435、および、日本工業技術
センター発行の「光ディスクプロセス技術の要点No
5」(昭和60年3月15日発行)に記載されているよ
うな方法で製造されている。前記光記録媒体成型用スタ
ンパの従来の製造方法について、図2に沿って説明す
る。
【0004】一般的には、まずガラス基板11の表面に
フォトレジスト層12を塗布形成し(図2の(A))、
この上に、トラッキング用溝、情報用ピットに対応する
凹凸の微細パターン12’を形成することによりガラス
原盤13を得る(図2の(B))。次に、ガラス原盤1
3の表面に導電化膜14を形成し(図2の(C))、そ
の後、電鋳法により金属膜15を形成する(図2の
(D))。さらにスタンパの板厚を均一にするため研磨
した後、これら導電化膜14および金属膜15を一体と
して同時にガラス原盤13から剥離させ、光記録媒体成
型用スタンパ16を製造している(図2の(E))。
フォトレジスト層12を塗布形成し(図2の(A))、
この上に、トラッキング用溝、情報用ピットに対応する
凹凸の微細パターン12’を形成することによりガラス
原盤13を得る(図2の(B))。次に、ガラス原盤1
3の表面に導電化膜14を形成し(図2の(C))、そ
の後、電鋳法により金属膜15を形成する(図2の
(D))。さらにスタンパの板厚を均一にするため研磨
した後、これら導電化膜14および金属膜15を一体と
して同時にガラス原盤13から剥離させ、光記録媒体成
型用スタンパ16を製造している(図2の(E))。
【0005】電鋳法による一般的な光記録媒体成型用ス
タンパの製造プロセスは上述した通りであり、特に電鋳
工程の(C)〜(D)を詳しく説明すると、(C)にお
ける導電化膜14は、真空中での金属の蒸着、もしく
は、スパッタリング等の方法により成膜され、材料には
銀、多くはニッケルがよく用いられている。例えばスパ
ッタリング法によりニッケル膜を500Å〜1000Å
厚で、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細
パターン12’上に成膜する。
タンパの製造プロセスは上述した通りであり、特に電鋳
工程の(C)〜(D)を詳しく説明すると、(C)にお
ける導電化膜14は、真空中での金属の蒸着、もしく
は、スパッタリング等の方法により成膜され、材料には
銀、多くはニッケルがよく用いられている。例えばスパ
ッタリング法によりニッケル膜を500Å〜1000Å
厚で、トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細
パターン12’上に成膜する。
【0006】次に、電鋳工程(D)では、前記導電化膜
14を形成したガラス原盤13を原盤ホルダーで保持し
て20〜30rpm の回転速度で回転させながら、スルフ
ァミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、ガラス原盤13
の導電化膜14上にニッケル金属(金属膜15)を析出
させて電鋳を行なう。
14を形成したガラス原盤13を原盤ホルダーで保持し
て20〜30rpm の回転速度で回転させながら、スルフ
ァミン酸ニッケル電鋳液中で通電させ、ガラス原盤13
の導電化膜14上にニッケル金属(金属膜15)を析出
させて電鋳を行なう。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、下記のような問題点がある。電鋳工程での
電鋳温度は、内部応力や限界電流密度を考慮して設定さ
れており、標準的には45〜50℃であるが、前記電鋳
工程で金属膜が形成された原盤を、例えば25℃の室温
に取り出す時、20℃〜25℃の温度差が生じる。この
とき、原盤を形成するガラスからなる基板とニッケルか
らなる金属膜との熱膨張率の違い(ガラスは9〜10×
10-6/℃、ニッケルは12.8×10-6/℃)によ
り、図3に示すようなバイメタル状の反りを生ずる。そ
のため、電鋳後の研磨工程において、スタンパの板厚が
均一となるように研磨を行なうことが非常に困難であ
る。また、上述のような反りを抑えるためには、ガラス
原盤を厚いものにしなくてはならず、作業性、コスト等
に問題があった。
来技術では、下記のような問題点がある。電鋳工程での
電鋳温度は、内部応力や限界電流密度を考慮して設定さ
れており、標準的には45〜50℃であるが、前記電鋳
工程で金属膜が形成された原盤を、例えば25℃の室温
に取り出す時、20℃〜25℃の温度差が生じる。この
とき、原盤を形成するガラスからなる基板とニッケルか
らなる金属膜との熱膨張率の違い(ガラスは9〜10×
10-6/℃、ニッケルは12.8×10-6/℃)によ
り、図3に示すようなバイメタル状の反りを生ずる。そ
のため、電鋳後の研磨工程において、スタンパの板厚が
均一となるように研磨を行なうことが非常に困難であ
る。また、上述のような反りを抑えるためには、ガラス
原盤を厚いものにしなくてはならず、作業性、コスト等
に問題があった。
【0008】本発明は、上記従来の技術が有する問題点
に鑑みてなされたものであり、板厚の均一なスタンパを
容易に得ることができる、スタンパの製造方法を提供す
ることを目的としている。
に鑑みてなされたものであり、板厚の均一なスタンパを
容易に得ることができる、スタンパの製造方法を提供す
ることを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に微細な
凹凸パターンを有する原盤上に導電化膜を成膜する導電
化工程と、前記導電化膜上に、電鋳法によりニッケル膜
を成膜する電鋳工程と、前記ニッケル膜の膜厚を均一に
するための研磨工程と、前記導電化膜とニッケル膜とを
一体として前記原盤から剥離する剥離工程とを有する、
スタンパの製造方法において、前記原盤を、その熱膨張
係数が前記ニッケル膜の熱膨張係数と略等しい材料で形
成するものであり、前記原盤を形成する材料の熱膨張係
数αが12×10-6≦α≦18×10-6/℃である場合
と、前記導電化工程で、原盤の表面に絶縁膜を成膜した
後、導電化膜を成膜する場合とがある。
凹凸パターンを有する原盤上に導電化膜を成膜する導電
化工程と、前記導電化膜上に、電鋳法によりニッケル膜
を成膜する電鋳工程と、前記ニッケル膜の膜厚を均一に
するための研磨工程と、前記導電化膜とニッケル膜とを
一体として前記原盤から剥離する剥離工程とを有する、
スタンパの製造方法において、前記原盤を、その熱膨張
係数が前記ニッケル膜の熱膨張係数と略等しい材料で形
成するものであり、前記原盤を形成する材料の熱膨張係
数αが12×10-6≦α≦18×10-6/℃である場合
と、前記導電化工程で、原盤の表面に絶縁膜を成膜した
後、導電化膜を成膜する場合とがある。
【0010】
【作用】本発明の、スタンパの製造方法によれば、原盤
を、電鋳工程にて成膜するニッケル膜と熱膨張係数が略
等しい材料で形成するので、前記電鋳工程から研磨工程
へ移動する際の温度変化に対して、導電化膜およびニッ
ケル膜が成膜された原盤の反りがなくなる。前記電鋳工
程から研磨工程への移行の際の温度変化は20〜25℃
程度であり、その温度変化にともなうニッケル膜の熱膨
張係数の変化が12×10-6〜18×10-6/℃と考え
られるので、その範囲内の熱膨張係数を有する材料を原
盤材料として選択することができる。
を、電鋳工程にて成膜するニッケル膜と熱膨張係数が略
等しい材料で形成するので、前記電鋳工程から研磨工程
へ移動する際の温度変化に対して、導電化膜およびニッ
ケル膜が成膜された原盤の反りがなくなる。前記電鋳工
程から研磨工程への移行の際の温度変化は20〜25℃
程度であり、その温度変化にともなうニッケル膜の熱膨
張係数の変化が12×10-6〜18×10-6/℃と考え
られるので、その範囲内の熱膨張係数を有する材料を原
盤材料として選択することができる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の、スタンパの製造方法の一
実施例における製造工程を示す図である。本実施例のス
タンパの製造方法では、基板1表面に、光記録媒体のト
ラッキング用溝、情報用ピットに対応する微細パターン
を形成してなる原盤3上に、導電化膜としてスパッタ法
によりニッケル膜を成膜し、さらに、該導電化膜上に、
金属膜として電鋳法によりニッケルを析出させる。その
後、前記導電化膜と金属膜とを一体として前記原盤3か
ら剥離することで光記録媒体成形用のスタンパ7を作製
する。
て説明する。図1は本発明の、スタンパの製造方法の一
実施例における製造工程を示す図である。本実施例のス
タンパの製造方法では、基板1表面に、光記録媒体のト
ラッキング用溝、情報用ピットに対応する微細パターン
を形成してなる原盤3上に、導電化膜としてスパッタ法
によりニッケル膜を成膜し、さらに、該導電化膜上に、
金属膜として電鋳法によりニッケルを析出させる。その
後、前記導電化膜と金属膜とを一体として前記原盤3か
ら剥離することで光記録媒体成形用のスタンパ7を作製
する。
【0012】本実施例で用いる原盤3の基板1は、前記
金属膜と同じニッケル板(熱膨張係数:12.8×10
-6/℃)(300×340×10mm)からなるもので、
その表面は鏡面研磨によって表面粗さ0.1μm以下と
なっている。ここで、本実施例における、光記録媒体成
形用スタンパの製造工程について説明する。
金属膜と同じニッケル板(熱膨張係数:12.8×10
-6/℃)(300×340×10mm)からなるもので、
その表面は鏡面研磨によって表面粗さ0.1μm以下と
なっている。ここで、本実施例における、光記録媒体成
形用スタンパの製造工程について説明する。
【0013】まず、前記基板1上に、スピナー塗布によ
り、フォトレジスト層2としてAz1370(ヘキスト
ジャパン社製)を約3000Åの膜厚に塗布する(図1
の(A))。その後、30℃、30min の条件でプレベ
ークを行なった。つづいて、レーザ露光装置MPA−1
500(キャノン(株)製)を用いて前記フォトレジス
ト層2上に、例えば4個の光記録媒体のストライプ状の
プリフォーマットパターンを露光し、現像液Az312
MIF(ヘキストジャパン社製)で現像する。これによ
って、前記基板1上に微細パターン2’が形成されてな
る原盤3ができあがる(図1の(B))。
り、フォトレジスト層2としてAz1370(ヘキスト
ジャパン社製)を約3000Åの膜厚に塗布する(図1
の(A))。その後、30℃、30min の条件でプレベ
ークを行なった。つづいて、レーザ露光装置MPA−1
500(キャノン(株)製)を用いて前記フォトレジス
ト層2上に、例えば4個の光記録媒体のストライプ状の
プリフォーマットパターンを露光し、現像液Az312
MIF(ヘキストジャパン社製)で現像する。これによ
って、前記基板1上に微細パターン2’が形成されてな
る原盤3ができあがる(図1の(B))。
【0014】つづいて、前記微細パターン2’上に、絶
縁層4としてスパッタ法により500Å厚のSiO2 を
積層し(図1の(C))、その後、電鋳法により金属膜
を形成するための前処理として、膜厚1000〜200
0Åのニッケルからなる導電化膜5をスパッタ法により
成膜して、原盤3を導電化した(図1の(D))。次
に、前記導電化膜5上に、電鋳法により金属膜6を形成
する(図1の(E))。
縁層4としてスパッタ法により500Å厚のSiO2 を
積層し(図1の(C))、その後、電鋳法により金属膜
を形成するための前処理として、膜厚1000〜200
0Åのニッケルからなる導電化膜5をスパッタ法により
成膜して、原盤3を導電化した(図1の(D))。次
に、前記導電化膜5上に、電鋳法により金属膜6を形成
する(図1の(E))。
【0015】この電鋳法について説明する。まず、不図
示の電鋳槽内のニッケルチップを+側電極、導電化され
た原盤3を−側電極にセットする。次に、前記電鋳槽内
のスルファミン酸ニッケル電鋳液中で、導電化膜5の施
された原盤3を20〜30rpm で回転させながら、通電
電流の時間積分値160〜240AH(アンペア・アワ
ー)の条件で200〜300μmのニッケル金属を析出
させ、金属膜6を形成した。電鋳時の液温は50℃とし
た。
示の電鋳槽内のニッケルチップを+側電極、導電化され
た原盤3を−側電極にセットする。次に、前記電鋳槽内
のスルファミン酸ニッケル電鋳液中で、導電化膜5の施
された原盤3を20〜30rpm で回転させながら、通電
電流の時間積分値160〜240AH(アンペア・アワ
ー)の条件で200〜300μmのニッケル金属を析出
させ、金属膜6を形成した。電鋳時の液温は50℃とし
た。
【0016】ここで使用した電鋳液は、以下のごとき組
成のものである。 スルファミン酸ニッケル・4水塩[Ni(NH2 SO3 )2・4H3 ] 500g/l 硼酸[H3 BO3 ] 35〜38g/l ピット防止剤 2.5ml/l こうして金属膜6が形成された原盤3を、前記電鋳槽か
ら取り出し、水洗して常温に戻した後、スタンパの板厚
を均一にするために研磨した。反りは全くなく、研磨時
にも全く問題はなかった。
成のものである。 スルファミン酸ニッケル・4水塩[Ni(NH2 SO3 )2・4H3 ] 500g/l 硼酸[H3 BO3 ] 35〜38g/l ピット防止剤 2.5ml/l こうして金属膜6が形成された原盤3を、前記電鋳槽か
ら取り出し、水洗して常温に戻した後、スタンパの板厚
を均一にするために研磨した。反りは全くなく、研磨時
にも全く問題はなかった。
【0017】その後、導電化膜5と金属膜6とを一体と
して原盤3から剥離することで、光記録媒体成形用のス
タンパ7ができあがる(図1の(E))。本実施例にお
いて、金属膜6が形成された原盤3を電鋳槽から取り出
して常温に戻した際、基板1に金属膜6とは共にニッケ
ルであり熱膨張係数が等しいため、反りは全く発生せ
ず、研磨も容易に行なえ均一な板厚のスタンパ7を得る
ことができた。また、基板1と導電化膜5とが同じニッ
ケルで形成されているが、導電化膜5を成膜する以前
に、基板1上に絶縁層(SiO2 )4を積層しているの
で、原盤3からの導電化膜5および金属膜6の剥離は容
易におこなえる。
して原盤3から剥離することで、光記録媒体成形用のス
タンパ7ができあがる(図1の(E))。本実施例にお
いて、金属膜6が形成された原盤3を電鋳槽から取り出
して常温に戻した際、基板1に金属膜6とは共にニッケ
ルであり熱膨張係数が等しいため、反りは全く発生せ
ず、研磨も容易に行なえ均一な板厚のスタンパ7を得る
ことができた。また、基板1と導電化膜5とが同じニッ
ケルで形成されているが、導電化膜5を成膜する以前
に、基板1上に絶縁層(SiO2 )4を積層しているの
で、原盤3からの導電化膜5および金属膜6の剥離は容
易におこなえる。
【0018】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。本実施例では、原盤を形成する基板の材料として1
8−8ステンレス鋼板(熱膨張係数:16.4×10-6
/℃)を用い、前述と同様に図1の(A)〜(F)に示
した工程に沿って、微細パターン、絶縁層、導電化膜お
よび金属膜を形成した。
る。本実施例では、原盤を形成する基板の材料として1
8−8ステンレス鋼板(熱膨張係数:16.4×10-6
/℃)を用い、前述と同様に図1の(A)〜(F)に示
した工程に沿って、微細パターン、絶縁層、導電化膜お
よび金属膜を形成した。
【0019】金属膜形成後、原盤を電鋳槽から取り出し
て水洗後、常温に戻したが、温度変化に伴なう反りはm
ax10μmで研磨時に全く問題はなかった。次に、本
発明の第3実施例について説明する。本実施例では、原
盤を形成する基板の材料として鉛カリソーダガラス(熱
膨張係数:12.3×10-6/℃)(コーニングジャパ
ン社製)を用いる。
て水洗後、常温に戻したが、温度変化に伴なう反りはm
ax10μmで研磨時に全く問題はなかった。次に、本
発明の第3実施例について説明する。本実施例では、原
盤を形成する基板の材料として鉛カリソーダガラス(熱
膨張係数:12.3×10-6/℃)(コーニングジャパ
ン社製)を用いる。
【0020】前記基板の形状を300×340×10mm
とし、前述の第1実施例と同様にして、微細パターンお
よび導電化膜を形成した。その後、前述と同様に電鋳法
により導電化膜上に200〜300μmのニッケル金属
膜を析出させた。本実施例では、電鋳時の電鋳液(スル
ファミン酸ニッケル)を45℃とした。
とし、前述の第1実施例と同様にして、微細パターンお
よび導電化膜を形成した。その後、前述と同様に電鋳法
により導電化膜上に200〜300μmのニッケル金属
膜を析出させた。本実施例では、電鋳時の電鋳液(スル
ファミン酸ニッケル)を45℃とした。
【0021】このようにして、金属膜が形成された原盤
を電鋳槽内から取出し、水洗後常温に戻して反りを測定
すると、max35μmであり、研磨時も問題はなかっ
た。つづいて、比較例として、原盤の基板に青板ガラス
(熱膨張係数:9.2×10-6/℃)を用いた場合を説
明する。この場合、前記第3実施例の場合と同様にして
前記基板上に微細パターン、導電化膜および金属膜を形
成し、原盤を電鋳槽から取出した後、水洗して常温に戻
した。このとき、反りを測定するとmax90μmであ
り、研磨時に前記反りを戻して研磨を行なったところ、
導電化膜が原盤から剥離して研磨が困難であった。
を電鋳槽内から取出し、水洗後常温に戻して反りを測定
すると、max35μmであり、研磨時も問題はなかっ
た。つづいて、比較例として、原盤の基板に青板ガラス
(熱膨張係数:9.2×10-6/℃)を用いた場合を説
明する。この場合、前記第3実施例の場合と同様にして
前記基板上に微細パターン、導電化膜および金属膜を形
成し、原盤を電鋳槽から取出した後、水洗して常温に戻
した。このとき、反りを測定するとmax90μmであ
り、研磨時に前記反りを戻して研磨を行なったところ、
導電化膜が原盤から剥離して研磨が困難であった。
【0022】上述した第1ないし第3の各実施例では、
原盤の基板材料としてニッケル、18−8ステンレス鋼
板、鉛カリソーダガラスを用いた例を示したが、その他
に、熱膨張係数αが12×10-6≦α≦18×10-6/
℃を満足するものとしては、コバルト、金、鉄、銅、パ
ラジウム、アルミニウムブロンズ、炭素鋼、黄、コンス
タンタン、青銅、砲金、モネルメタル、リン青銅や高膨
張率をもつセラミックス等を用いることができる。ま
た、上述した金属や合金のうち、耐酸性のないものや、
ニッケルよりイオン化しやすいものについては、その表
面を、プラスチックやセラミックス等の薄い膜で覆った
り、不働態化処理を施しても良い。この場合、被覆膜が
保護膜としても作用するので電鋳液の汚染防止の効果も
ある。
原盤の基板材料としてニッケル、18−8ステンレス鋼
板、鉛カリソーダガラスを用いた例を示したが、その他
に、熱膨張係数αが12×10-6≦α≦18×10-6/
℃を満足するものとしては、コバルト、金、鉄、銅、パ
ラジウム、アルミニウムブロンズ、炭素鋼、黄、コンス
タンタン、青銅、砲金、モネルメタル、リン青銅や高膨
張率をもつセラミックス等を用いることができる。ま
た、上述した金属や合金のうち、耐酸性のないものや、
ニッケルよりイオン化しやすいものについては、その表
面を、プラスチックやセラミックス等の薄い膜で覆った
り、不働態化処理を施しても良い。この場合、被覆膜が
保護膜としても作用するので電鋳液の汚染防止の効果も
ある。
【0023】微細パターンの形成方法としては、レーザ
露光装置を用いる他に、マスク露光あるいはエッチング
によるものがある。また、レジストを用いずに、紫外線
硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等に形成したパターンを原
盤上に転写してパターニングすることも考えられる。さ
らに、上記各実施例では、光記録媒体成形用のスタンパ
を例にして説明したが本発明はそれに限定されるもので
はない。
露光装置を用いる他に、マスク露光あるいはエッチング
によるものがある。また、レジストを用いずに、紫外線
硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等に形成したパターンを原
盤上に転写してパターニングすることも考えられる。さ
らに、上記各実施例では、光記録媒体成形用のスタンパ
を例にして説明したが本発明はそれに限定されるもので
はない。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記のような効果を奏する。 (1)原盤を、電鋳によって成膜されるニッケル膜と熱
膨張係数が略等しい材料で形成するので、電鋳工程から
研磨工程へ移行する際の温度変化にともなう原盤の反り
が無視できる程度に抑えられ、作業性とともにスタンパ
の厚さの均一化が向上する。また、原盤の厚さを厚くす
ることなく反りを抑えることができるので経済的にも有
利である。
記のような効果を奏する。 (1)原盤を、電鋳によって成膜されるニッケル膜と熱
膨張係数が略等しい材料で形成するので、電鋳工程から
研磨工程へ移行する際の温度変化にともなう原盤の反り
が無視できる程度に抑えられ、作業性とともにスタンパ
の厚さの均一化が向上する。また、原盤の厚さを厚くす
ることなく反りを抑えることができるので経済的にも有
利である。
【0025】(2)原盤材料として前記ニッケル膜と熱
膨張係数が略等しい金属を用いた場合、搬送時あるいは
据付け時等の衝撃に対する強度が向上する。 (3)導電化工程で、原盤表面に絶縁膜を成膜した後、
導電化膜を成膜することにより、原盤と導電化膜とが等
しい材料の場合であっても剥離工程における原盤からの
導電化膜およびニッケル膜の剥離を容易に行なうことが
できる。
膨張係数が略等しい金属を用いた場合、搬送時あるいは
据付け時等の衝撃に対する強度が向上する。 (3)導電化工程で、原盤表面に絶縁膜を成膜した後、
導電化膜を成膜することにより、原盤と導電化膜とが等
しい材料の場合であっても剥離工程における原盤からの
導電化膜およびニッケル膜の剥離を容易に行なうことが
できる。
【図1】本発明の、スタンパの製造方法の一実施例にお
ける工程を示す図である。
ける工程を示す図である。
【図2】従来の、スタンパの製造方法の一例における工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図3】従来の、導電化膜および金属膜が形成された原
盤の一例を示す断面図である。
盤の一例を示す断面図である。
1 基板
2 フォトレジスト層
3 原盤
4 絶縁層
5 導電化膜
6 金属膜
7 スタンパ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 湯浅 俊哉
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 林 久範
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 上高原 弘文
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 串田 直樹
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 表面に微細な凹凸パターンを有する原盤
上に導電化膜を成膜する導電化工程と、前記導電化膜上
に、電鋳法によりニッケル膜を成膜する電鋳工程と、前
記ニッケル膜の膜厚を均一にするための研磨工程と、前
記導電化膜とニッケル膜とを一体として前記原盤から剥
離する剥離工程とを有する、スタンパの製造方法におい
て、前記原盤を、その熱膨張係数が前記ニッケル膜の熱
膨張係数と略等しい材料で形成することを特徴とする、
スタンパの製造方法。 - 【請求項2】 原盤を形成する材料の熱膨張係数αが1
2×10-6≦α≦18×10-6/℃であることを特徴と
する請求項1記載の、スタンパの製造方法。 - 【請求項3】 導電化工程で、原盤の表面に絶縁膜を成
膜した後、導電化膜を成膜することを特徴とする請求項
1あるいは2記載の、スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15704091A JPH059775A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15704091A JPH059775A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH059775A true JPH059775A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15640883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15704091A Pending JPH059775A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH059775A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1009106C2 (nl) * | 1998-05-08 | 1999-11-09 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een stamper, stamper verkregen volgens een dergelijke werkwijze alsmede optische schijf verkregen onder toepassing van een dergelijke stamper. |
CN101973092A (zh) * | 2010-11-08 | 2011-02-16 | 新疆水利水电科学研究院 | 用电铸法生产叠片过滤器叠片模具的工艺 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15704091A patent/JPH059775A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1009106C2 (nl) * | 1998-05-08 | 1999-11-09 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een stamper, stamper verkregen volgens een dergelijke werkwijze alsmede optische schijf verkregen onder toepassing van een dergelijke stamper. |
EP0955632A1 (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-10 | ODME International B.V. | A method of manufacturing a stamper, a stamper obtained by carrying out such a method as well as an optical disc obtained by using such a stamper |
US6238846B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-05-29 | Odme International B.V. | Method of manufacturing a stamper suitable for producing optical discs |
CN101973092A (zh) * | 2010-11-08 | 2011-02-16 | 新疆水利水电科学研究院 | 用电铸法生产叠片过滤器叠片模具的工艺 |
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