JP3225556B2 - 光ディスクスタンパーの製造方法 - Google Patents
光ディスクスタンパーの製造方法Info
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- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2017/00—Carriers for sound or information
- B29L2017/001—Carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records
- B29L2017/003—Records or discs
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクスタンパーの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク用スタンパーの製造方
法は次の通りである。即ち、ガラス等からなる原盤を精
密研磨した後に、精密洗浄、表面処理を施し、このガラ
ス原盤上にポジ型フォトレジスト層を形成し、レーザ光
をディスク内周から外周に一定速度で照射して所定の情
報記録パターンを露光し、このレジスト層を現像して微
細な情報記録パターンを形成する。この情報記録パター
ンを有する基材原盤上に例えばニッケルをスパッタして
導電膜（電極）を形成し、その後電鋳して、情報記録パ
ターンが転写されたニッケルのスタンパーが製造され
る。
法は次の通りである。即ち、ガラス等からなる原盤を精
密研磨した後に、精密洗浄、表面処理を施し、このガラ
ス原盤上にポジ型フォトレジスト層を形成し、レーザ光
をディスク内周から外周に一定速度で照射して所定の情
報記録パターンを露光し、このレジスト層を現像して微
細な情報記録パターンを形成する。この情報記録パター
ンを有する基材原盤上に例えばニッケルをスパッタして
導電膜（電極）を形成し、その後電鋳して、情報記録パ
ターンが転写されたニッケルのスタンパーが製造され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記の方法では、ガラ
ス原盤とレジスト層との密着性が不十分であるため、電
鋳、例えばニッケル電鋳する際にしばしばスタンパーが
ポジ型フォトレジストとガラス原盤の間で剥がれてしま
うことがある。このため電鋳液がその間に侵入したり、
裏面研磨の際に研磨剤が侵入したりすることによるスタ
ンパー表面の汚染、或いは電鋳の際に電鋳層とガラス原
盤の間に浮きが生じるため、電鋳厚みの精度の悪化等様
々な問題が生じる。
ス原盤とレジスト層との密着性が不十分であるため、電
鋳、例えばニッケル電鋳する際にしばしばスタンパーが
ポジ型フォトレジストとガラス原盤の間で剥がれてしま
うことがある。このため電鋳液がその間に侵入したり、
裏面研磨の際に研磨剤が侵入したりすることによるスタ
ンパー表面の汚染、或いは電鋳の際に電鋳層とガラス原
盤の間に浮きが生じるため、電鋳厚みの精度の悪化等様
々な問題が生じる。
【０００４】また、ガラス原盤全体を特別に処理するこ
とにより、表面粗度を大きくさせてレジスト層との密着
性を向上させることが出来るが、ガラス原盤表面粗度の
悪化はレジスト表面の荒れ、ひいてはスタンパー表面の
荒れ、更にこのスタンパーから製造される基板表面の荒
れにつながり、基板のノイズレベルの増大が生じる。
とにより、表面粗度を大きくさせてレジスト層との密着
性を向上させることが出来るが、ガラス原盤表面粗度の
悪化はレジスト表面の荒れ、ひいてはスタンパー表面の
荒れ、更にこのスタンパーから製造される基板表面の荒
れにつながり、基板のノイズレベルの増大が生じる。
【０００５】本発明は上記従来技術の実状に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、表面の荒れが小
さい良質のスタンパーを歩留まり良く安定して得られる
製造方法を提供することである。
れたもので、その目的とするところは、表面の荒れが小
さい良質のスタンパーを歩留まり良く安定して得られる
製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、光ディス
クスタンパーの製造に際して、基材原盤上のポジ型フォ
トレジスト面に導電膜を形成する前に、同表面の一部を
エッチングにより基材原盤を露出させ、その後基材原盤
表面の表面粗度を大きくさせたものを用いると、結果的
に表面の荒れが少ない良質のスタンパーを歩留まり良く
安定して得ることができることを見出し、本発明を完成
するに至った。
クスタンパーの製造に際して、基材原盤上のポジ型フォ
トレジスト面に導電膜を形成する前に、同表面の一部を
エッチングにより基材原盤を露出させ、その後基材原盤
表面の表面粗度を大きくさせたものを用いると、結果的
に表面の荒れが少ない良質のスタンパーを歩留まり良く
安定して得ることができることを見出し、本発明を完成
するに至った。
【０００７】即ち、本発明は、基材原盤にポジ型フォト
レジストを塗布し、露光、現像して記録部を生じさせた
後、導電膜を形成し、電鋳、裏面研磨により光ディスク
スタンパーを製造する方法において、現像後に基材原盤
表面上に存する記録部以外の領域を、導電膜形成前にエ
ッチングにより処理することを特徴とする光ディスクス
タンパーの製造方法である。
レジストを塗布し、露光、現像して記録部を生じさせた
後、導電膜を形成し、電鋳、裏面研磨により光ディスク
スタンパーを製造する方法において、現像後に基材原盤
表面上に存する記録部以外の領域を、導電膜形成前にエ
ッチングにより処理することを特徴とする光ディスクス
タンパーの製造方法である。
【０００８】以下、本発明を更に詳細に説明する。
【０００９】本発明は、前記したエッチング処理以外
は、通常の方法を用いることができる。例えば、基材原
盤としてはガラス、セラミックス、シリコン等通常原盤
として使用されているものならば特に制限なく使用可能
である。
は、通常の方法を用いることができる。例えば、基材原
盤としてはガラス、セラミックス、シリコン等通常原盤
として使用されているものならば特に制限なく使用可能
である。
【００１０】本発明の特徴であるエッチング処理は次の
ようにして実施することができる。即ち、本発明でのエ
ッチング処理は、基材原盤にポジ型フォトレジストを塗
布し、露光、現像した後であって、導電膜を形成前に行
う。その際のエッチング処理としては、酸素プラズマ、
水素プラズマ、テトラフルオロメタンプラズマなどで行
うものである。好ましくは、エッチングを酸素プラズマ
で行った後、水素プラズマ又はテトラフルオロメタンプ
ラズマで行うことである。
ようにして実施することができる。即ち、本発明でのエ
ッチング処理は、基材原盤にポジ型フォトレジストを塗
布し、露光、現像した後であって、導電膜を形成前に行
う。その際のエッチング処理としては、酸素プラズマ、
水素プラズマ、テトラフルオロメタンプラズマなどで行
うものである。好ましくは、エッチングを酸素プラズマ
で行った後、水素プラズマ又はテトラフルオロメタンプ
ラズマで行うことである。
【００１１】このような方法で行うと初めに酸素プラズ
マがポジ型フォトレジストを選択的にエッチングしてし
まうことから、ポジ型フォトレジスト厚み、又は厚みバ
ラツキに係わらず、基材表面に一定かつ均一なエッチン
グを施すことができ、表面粗度をより均一にすることが
でき好ましい。
マがポジ型フォトレジストを選択的にエッチングしてし
まうことから、ポジ型フォトレジスト厚み、又は厚みバ
ラツキに係わらず、基材表面に一定かつ均一なエッチン
グを施すことができ、表面粗度をより均一にすることが
でき好ましい。
【００１２】又、本発明でエッチングを行う基材原盤表
面の場所は、記録部以外の領域である。具体的には、一
般に同心円状に形成される記録部分のより外周側及び／
又はより内周側の部分であり、この部分の表面粗度を記
録部分より粗くすることが特徴である。表面粗度として
は０．００５〜０．０１μｍ（Ｒｍａｘ）が望ましい。
また、その際の処理方法としては、まず、基材表面の情
報記録パターン部のみをカバーで覆う。カバーの素材と
してはガラス、セラミック、シリコン、アルミニウムな
どの金属等が可能である。
面の場所は、記録部以外の領域である。具体的には、一
般に同心円状に形成される記録部分のより外周側及び／
又はより内周側の部分であり、この部分の表面粗度を記
録部分より粗くすることが特徴である。表面粗度として
は０．００５〜０．０１μｍ（Ｒｍａｘ）が望ましい。
また、その際の処理方法としては、まず、基材表面の情
報記録パターン部のみをカバーで覆う。カバーの素材と
してはガラス、セラミック、シリコン、アルミニウムな
どの金属等が可能である。
【００１３】エッチングに酸素プラズマのみを用いた場
合、酸素はガラス等の無機物に対しエッチング力が弱い
ため、１００〜１０００ワットで１０分〜６０分エッチ
ングを行うことが望ましい。エッチングに水素プラズ
マ、テトラフルオロメタンプラズマなどを用いた場合、
水素、テトラフルオロメタンなどはガラス等の無機物に
対しエッチング力が強いため、１００〜１０００ワット
で５分〜１０分エッチングを行うことが望ましい。
合、酸素はガラス等の無機物に対しエッチング力が弱い
ため、１００〜１０００ワットで１０分〜６０分エッチ
ングを行うことが望ましい。エッチングに水素プラズ
マ、テトラフルオロメタンプラズマなどを用いた場合、
水素、テトラフルオロメタンなどはガラス等の無機物に
対しエッチング力が強いため、１００〜１０００ワット
で５分〜１０分エッチングを行うことが望ましい。
【００１４】また、エッチングに酸素プラズマを用い、
ガラス等の基材表面のポジ型フォトレジストを取り除い
た後に水素プラズマ、テトラフルオロメタンプラズマな
どを用い、基材表面をエッチングする場合、酸素はレジ
スト等の有機物に対しエッチング力が強く、水素、テト
ラフルオロメタンなどはガラス等の無機物に対しエッチ
ング力が強いため、各々１００〜１０００ワットで５分
〜１０分エッチングを行うことが望ましい。
ガラス等の基材表面のポジ型フォトレジストを取り除い
た後に水素プラズマ、テトラフルオロメタンプラズマな
どを用い、基材表面をエッチングする場合、酸素はレジ
スト等の有機物に対しエッチング力が強く、水素、テト
ラフルオロメタンなどはガラス等の無機物に対しエッチ
ング力が強いため、各々１００〜１０００ワットで５分
〜１０分エッチングを行うことが望ましい。
【００１５】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、基材原盤の
記録部以外の領域を導電膜形成前にエッチング処理する
ことにより、この後に形成される導電膜と基材原盤との
密着性を向上させ、これを電鋳することによってスタン
パーの表面を荒らすこと無く、良質のスタンパーを歩留
まり良く安定して得ることができる。
記録部以外の領域を導電膜形成前にエッチング処理する
ことにより、この後に形成される導電膜と基材原盤との
密着性を向上させ、これを電鋳することによってスタン
パーの表面を荒らすこと無く、良質のスタンパーを歩留
まり良く安定して得ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】実施例１ 図１は本実施例の各工程をａ）からｇ）へと段階的に示
した図である。まず、表面が精密に研磨された外径２０
０φｍｍ、厚み６ｍｍｔのガラス原盤１の全面を、ヘキ
サメチルジシラザンで表面処理を施した後、ポジ型フォ
トレジスト（シップレイ社製、商品名「ＡＺ−１３５
０」）２を約１５０ｎｍの厚さで塗布した。これを９０
℃、３０分間加熱後、中心より半径３０ｍｍ〜６０ｍｍ
まで露光を施し、アルカリ現像液（シップレイ社製、マ
イクロポジットディベロッパー）にてスピン現像を行
い、レジスト表面に記録部分を作成した。次いでこの記
録部分にカバー３を被せ、イオンエッチング装置にて酸
素プラズマで記録部分の内周、外周部のエッチングを下
記の条件で行い、表面粗度を変化させた。図１中、６の
点線はエッチングによって表面粗度が大きくなった部分
を示す。 ベース圧力 ： １×１０−３Ｐａ以下 ガス圧力 ： ５．０ Ｐａ エッチングパワー ： ３００Ｗ エッチング時間 ： １５分 回転数 ： １０ｒｐｍ また、各種条件でエッチングを行った後の表面粗度の結
果について表１に示す。尚、表面粗度はタリステップ
（ランクテーラホプソンン社製）で測定した。
した図である。まず、表面が精密に研磨された外径２０
０φｍｍ、厚み６ｍｍｔのガラス原盤１の全面を、ヘキ
サメチルジシラザンで表面処理を施した後、ポジ型フォ
トレジスト（シップレイ社製、商品名「ＡＺ−１３５
０」）２を約１５０ｎｍの厚さで塗布した。これを９０
℃、３０分間加熱後、中心より半径３０ｍｍ〜６０ｍｍ
まで露光を施し、アルカリ現像液（シップレイ社製、マ
イクロポジットディベロッパー）にてスピン現像を行
い、レジスト表面に記録部分を作成した。次いでこの記
録部分にカバー３を被せ、イオンエッチング装置にて酸
素プラズマで記録部分の内周、外周部のエッチングを下
記の条件で行い、表面粗度を変化させた。図１中、６の
点線はエッチングによって表面粗度が大きくなった部分
を示す。 ベース圧力 ： １×１０−３Ｐａ以下 ガス圧力 ： ５．０ Ｐａ エッチングパワー ： ３００Ｗ エッチング時間 ： １５分 回転数 ： １０ｒｐｍ また、各種条件でエッチングを行った後の表面粗度の結
果について表１に示す。尚、表面粗度はタリステップ
（ランクテーラホプソンン社製）で測定した。
【００１８】
【表１】 次いで、酸素プラズマでエッチングした試料のカバー３
を取り去り、１００℃、１時間加熱の後、スパッタ法に
よりニッケル導電膜４を約１００ｎｍ付着させた。次い
で下記に示すニッケルメッキ槽条件及びメッキ条件にて
厚みが２９５〜３００μｍとなるように電鋳を行ったと
ころ、ガラス原盤とニッケル電鋳層５との剥がれによる
歩留まりを９０％以上にすることができた。 メッキ槽条件 スルファミンサンニッケル濃度 ：
４５０ｇ／ｌ ホウ酸 ： ３０ｇ／ｌ 塩化ニッケル ： ５ｇ／ｌ メッキ条件 ｐＨ ：
４．０ 電流密度 ： １０Ａ／ｄｍ２ 液温度 ： ５５℃ 実施例２ まず、表面が精密に研磨された外径２００φｍｍ、厚み
６ｍｍｔのガラス原盤の全面にヘキサメチルジシラザン
で表面処理を施した後、ポジ型フォトレジスト（シップ
レイ社製、商品名「ＡＺ−１３５０」）を約１５０ｎｍ
の厚さで塗布した。９０℃、３０分間加熱の後、中心よ
り半径３０ｍｍ〜６０ｍｍまで露光を施し、アルッカリ
現像液（シップレイ社製、マイクロポジットディベロッ
パー）にてスピン現像を行い、レジスト表面に記録部分
を作成した。次いでこの記録部分にカバーを被せ、イオ
ンエッチング装置にて酸素プラズマ、次いで、テトラフ
ルオロメタンプラズマでガラス記録部分の内周、外周部
のエッチングを下記の条件で行い、表面粗度を変化させ
た。 ベース圧力 ： １×１０−３Ｐａ以下 ガス圧力 ： ５．０ Ｐａ エッチングパワー ： ３００Ｗ（酸素） ： ３００Ｗ（テトラフルオロメタン） エッチング時間 ： ５分（酸素） ： ５分（テトラフルオロメタン） 回転数 ： １０ｒｐｍ また、各種条件でエッチングを行った後の表面粗度の結
果について表２に示す。
を取り去り、１００℃、１時間加熱の後、スパッタ法に
よりニッケル導電膜４を約１００ｎｍ付着させた。次い
で下記に示すニッケルメッキ槽条件及びメッキ条件にて
厚みが２９５〜３００μｍとなるように電鋳を行ったと
ころ、ガラス原盤とニッケル電鋳層５との剥がれによる
歩留まりを９０％以上にすることができた。 メッキ槽条件 スルファミンサンニッケル濃度 ：
４５０ｇ／ｌ ホウ酸 ： ３０ｇ／ｌ 塩化ニッケル ： ５ｇ／ｌ メッキ条件 ｐＨ ：
４．０ 電流密度 ： １０Ａ／ｄｍ２ 液温度 ： ５５℃ 実施例２ まず、表面が精密に研磨された外径２００φｍｍ、厚み
６ｍｍｔのガラス原盤の全面にヘキサメチルジシラザン
で表面処理を施した後、ポジ型フォトレジスト（シップ
レイ社製、商品名「ＡＺ−１３５０」）を約１５０ｎｍ
の厚さで塗布した。９０℃、３０分間加熱の後、中心よ
り半径３０ｍｍ〜６０ｍｍまで露光を施し、アルッカリ
現像液（シップレイ社製、マイクロポジットディベロッ
パー）にてスピン現像を行い、レジスト表面に記録部分
を作成した。次いでこの記録部分にカバーを被せ、イオ
ンエッチング装置にて酸素プラズマ、次いで、テトラフ
ルオロメタンプラズマでガラス記録部分の内周、外周部
のエッチングを下記の条件で行い、表面粗度を変化させ
た。 ベース圧力 ： １×１０−３Ｐａ以下 ガス圧力 ： ５．０ Ｐａ エッチングパワー ： ３００Ｗ（酸素） ： ３００Ｗ（テトラフルオロメタン） エッチング時間 ： ５分（酸素） ： ５分（テトラフルオロメタン） 回転数 ： １０ｒｐｍ また、各種条件でエッチングを行った後の表面粗度の結
果について表２に示す。
【００１９】
【表２】 次いで酸素プラズマ、続いてテトラフルオロメタンプラ
ズマでエッチングした試料のカバーを取り去り、１００
℃、１時間加熱の後、スパッタ法によりニッケル導電膜
を約１００ｎｍ付着させた。その後、実施例１と同一の
ニッケルメッキ槽条件及びメッキ条件にて厚みが２９５
〜３００μｍとなるように電鋳を行ったところ、ガラス
原盤とニッケル電鋳層との剥がれによる歩留まりを９９
％以上にすることができた。
ズマでエッチングした試料のカバーを取り去り、１００
℃、１時間加熱の後、スパッタ法によりニッケル導電膜
を約１００ｎｍ付着させた。その後、実施例１と同一の
ニッケルメッキ槽条件及びメッキ条件にて厚みが２９５
〜３００μｍとなるように電鋳を行ったところ、ガラス
原盤とニッケル電鋳層との剥がれによる歩留まりを９９
％以上にすることができた。
【００２０】比較例 図２は従来の方法での各工程をａ）からｆ）へと段階的
に示した図である。まず、表面が精密に研磨された外径
２００φｍｍ、厚み６ｍｍｔのガラス原盤１の全面にヘ
キサメチルジシラザンで表面処理を施した後、ポジ型フ
ォトレジスト（シップレイ社製、商品名「ＡＺ−１３５
０」）２を約１５０ｎｍの厚さで塗布した。９０℃、３
０分間加熱後、中心より半径３０ｍｍ〜６０ｍｍまで露
光を施し、アルッカリ現像液（シップレイ社製：マイク
ロポジットディベロッパー）にてスピン現像を行い、レ
ジスト表面に記録部分を作成した。次いで１００℃、１
時間加熱の後、スパッタ法によりニッケル導電膜を約１
００ｎｍ付着させた。その後、実施例１と同一のニッケ
ルメッキ槽条件及びメッキ条件にて厚みが２９５〜３０
０μｍとなるように電鋳を行ったところ、ガラス原盤と
ニッケル電鋳層４との剥がれによる歩留まりは５５％で
あった。
に示した図である。まず、表面が精密に研磨された外径
２００φｍｍ、厚み６ｍｍｔのガラス原盤１の全面にヘ
キサメチルジシラザンで表面処理を施した後、ポジ型フ
ォトレジスト（シップレイ社製、商品名「ＡＺ−１３５
０」）２を約１５０ｎｍの厚さで塗布した。９０℃、３
０分間加熱後、中心より半径３０ｍｍ〜６０ｍｍまで露
光を施し、アルッカリ現像液（シップレイ社製：マイク
ロポジットディベロッパー）にてスピン現像を行い、レ
ジスト表面に記録部分を作成した。次いで１００℃、１
時間加熱の後、スパッタ法によりニッケル導電膜を約１
００ｎｍ付着させた。その後、実施例１と同一のニッケ
ルメッキ槽条件及びメッキ条件にて厚みが２９５〜３０
０μｍとなるように電鋳を行ったところ、ガラス原盤と
ニッケル電鋳層４との剥がれによる歩留まりは５５％で
あった。
【図１】本発明の実施例によるスタンパーの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図２】従来のスタンパーの製造工程を示す図である。
１ ： ガラス原盤 ２ ： ポジ型フォトレジスト ３ ： エッチング防止用カバー ４ ： ニッケル導電膜 ５ ： ニッケルスタンパー ６ ： エッチングにより表面粗度が大きくなった部分
Claims (1)
- 【請求項１】 基材原盤にポジ型フォトレジストを塗布
し、露光、現像して記録部を生じさせた後、その表面に
導電膜を形成し、電鋳、裏面研磨により光ディスクスタ
ンパーを製造する方法において、現像後に基材原盤表面
上に存する記録部以外の領域を、導電膜形成前に、酸素
プラズマでエッチングを行った後、水素プラズマ又はテ
トラフルオロメタンプラズマでエッチングを行うことに
より、前記領域の基材原盤を露出させることを特徴とす
る光ディスクスタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27613691A JP3225556B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光ディスクスタンパーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27613691A JP3225556B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光ディスクスタンパーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589534A JPH0589534A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3225556B2 true JP3225556B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=17565283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27613691A Expired - Fee Related JP3225556B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光ディスクスタンパーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225556B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27613691A patent/JP3225556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0589534A (ja) | 1993-04-09 |
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