JPS62221147A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS62221147A JPS62221147A JP61065098A JP6509886A JPS62221147A JP S62221147 A JPS62221147 A JP S62221147A JP 61065098 A JP61065098 A JP 61065098A JP 6509886 A JP6509886 A JP 6509886A JP S62221147 A JPS62221147 A JP S62221147A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像装置に関わる。
本発明は、固体撮像装置、特にその半導体基板上の受光
部周辺に、転送制御電極等の実質的に光透過性を有する
材料層が臨む構成を有する場合において、この部分から
入射する光を遮断しスミアの低減化をはかる。
部周辺に、転送制御電極等の実質的に光透過性を有する
材料層が臨む構成を有する場合において、この部分から
入射する光を遮断しスミアの低減化をはかる。
従来の電荷転送素子いわゆるＣＴＤ構成による固体撮像
装置の一例を第２図にボす。この例では第１導電型例え
ばｎ型の基体領域（２）上に第２導電型例えばｐ型の比
較的不純物濃度が晶い第１の領域（３）と、更に必要に
応じてこれと同導毒型でこれに比し低い不純物濃度を有
するか、若しくはこれとは異なる導電型で比較的低い不
純物濃度を有する第２の領域（４）とを順次例えば気相
エピタキシャル成長させた例えばシリコンより成る半導
体基板［１）を有して成る。この基板（１）の基体領域
（２）とは反対側の主面（１ａ）側には第１導電型の不
純物が選択された位置に導入された複数の′ｄ１前蓄積
領域（５）（図においては１個の電荷蓄積領域のみが示
されている）が、水平及び垂直方向に配列形成されて成
る受光部（１１）が構成される。そして、この例では各
電荷蓄積領域（５）の表向には、その基板表向の結晶欠
陥等に基づくノイズを防止するために電イ；ｉ蓄積のポ
テンシャル部を基板表向（１ａ）より微小の深さだけ入
り込んだ位置に形成するための浅い深さの第２導電型の
表１１１１領域（６）が設けられる。
装置の一例を第２図にボす。この例では第１導電型例え
ばｎ型の基体領域（２）上に第２導電型例えばｐ型の比
較的不純物濃度が晶い第１の領域（３）と、更に必要に
応じてこれと同導毒型でこれに比し低い不純物濃度を有
するか、若しくはこれとは異なる導電型で比較的低い不
純物濃度を有する第２の領域（４）とを順次例えば気相
エピタキシャル成長させた例えばシリコンより成る半導
体基板［１）を有して成る。この基板（１）の基体領域
（２）とは反対側の主面（１ａ）側には第１導電型の不
純物が選択された位置に導入された複数の′ｄ１前蓄積
領域（５）（図においては１個の電荷蓄積領域のみが示
されている）が、水平及び垂直方向に配列形成されて成
る受光部（１１）が構成される。そして、この例では各
電荷蓄積領域（５）の表向には、その基板表向の結晶欠
陥等に基づくノイズを防止するために電イ；ｉ蓄積のポ
テンシャル部を基板表向（１ａ）より微小の深さだけ入
り込んだ位置に形成するための浅い深さの第２導電型の
表１１１１領域（６）が設けられる。
そして、例えばこの固体撮像装置が、インターライント
ラスファ方式による場合は、例えば共通の垂直方向の列
上に配置された電荷蓄積領域（５）に対し、共通の垂直
シフトレジスタ（１２）を構成する転送領域（７）が並
置して設けられる。（８）は基板（１）の表面に形成さ
れたＳ ｉ０２等の絶縁層で、（９）は少なくとも原受
光１％（１１）の受光側に配置され例えば所定の固定電
位が与えられた光透過性の前方電極を示す。（１０）は
垂直シフトレジスタ（１２）と対応する電荷蓄積領域（
５１Ｊ：に差し渡って延在し、電荷蓄積領域（５）の信
号電荷をシフトレジスタ（１２）に移行させる転送ゲー
ト電極であって、成る場合は、シフトレジスタ（１２）
上に延在させてシフトレジスタ（１２）の一部の電極と
兼ねる構造とされている。Ｃ８はチャンネルストップ領
域を示す。この構成において、前方電極（９）は、光通
過性の電極によって構成されるが、転送電極（１０）等
に関しても、１ＩｒＩ當、その製造の簡略化などから低
比抵抗の多結晶シリコン１Ｈによって構成され、またこ
の転送電極（１０）の表面にはこの電極（１０）と前方
電極（９）とを電気的に分離するＳ ｉ０２等の絶縁層
（８ａ）が被着されるものであり、したがって、これら
転送電極（１０）及びこれの上の絶縁層（８ａ）は実質
的に光透過性を有する。したがってこの種の固体ｌＪ！
像装り：においては、受光部（１１）以外に、アルミニ
ウム蒸着膜等による遮光体（１３）の被着がなされる。
ラスファ方式による場合は、例えば共通の垂直方向の列
上に配置された電荷蓄積領域（５）に対し、共通の垂直
シフトレジスタ（１２）を構成する転送領域（７）が並
置して設けられる。（８）は基板（１）の表面に形成さ
れたＳ ｉ０２等の絶縁層で、（９）は少なくとも原受
光１％（１１）の受光側に配置され例えば所定の固定電
位が与えられた光透過性の前方電極を示す。（１０）は
垂直シフトレジスタ（１２）と対応する電荷蓄積領域（
５１Ｊ：に差し渡って延在し、電荷蓄積領域（５）の信
号電荷をシフトレジスタ（１２）に移行させる転送ゲー
ト電極であって、成る場合は、シフトレジスタ（１２）
上に延在させてシフトレジスタ（１２）の一部の電極と
兼ねる構造とされている。Ｃ８はチャンネルストップ領
域を示す。この構成において、前方電極（９）は、光通
過性の電極によって構成されるが、転送電極（１０）等
に関しても、１ＩｒＩ當、その製造の簡略化などから低
比抵抗の多結晶シリコン１Ｈによって構成され、またこ
の転送電極（１０）の表面にはこの電極（１０）と前方
電極（９）とを電気的に分離するＳ ｉ０２等の絶縁層
（８ａ）が被着されるものであり、したがって、これら
転送電極（１０）及びこれの上の絶縁層（８ａ）は実質
的に光透過性を有する。したがってこの種の固体ｌＪ！
像装り：においては、受光部（１１）以外に、アルミニ
ウム蒸着膜等による遮光体（１３）の被着がなされる。
しかしながら、このようにしても、実際上基板（１）の
主面（１ａ）と遮光体（１３）との間に、すなわら受光
部（１１）の周辺に、光透過性の絶縁１＃（８１（８ａ
） 。
主面（１ａ）と遮光体（１３）との間に、すなわら受光
部（１１）の周辺に、光透過性の絶縁１＃（８１（８ａ
） 。
転送電極（１０）、前方電極（９）等が臨み、これによ
って遮光体（１３）と基板（１）の面（１ａ） との間
には第３図に示すように光学的に１μｍにも及ぶ間隙ｄ
が存在し、ごの間隙ｄから光ｈνが、例えば転送電極（
１０）に入り込み、これが転送電極（１０）に沿って矢
印ａで示すように、例えば、この電極（１０）とこれに
接する絶縁ｒ＠（８１（８ａ）との光学的界面で全反射
するなどして転送領域（７）などの本来入射されるべき
所定の電荷蓄積領域（５）以外に入射して電荷を生成す
るなどしてスミア発生の原因を住じる。
って遮光体（１３）と基板（１）の面（１ａ） との間
には第３図に示すように光学的に１μｍにも及ぶ間隙ｄ
が存在し、ごの間隙ｄから光ｈνが、例えば転送電極（
１０）に入り込み、これが転送電極（１０）に沿って矢
印ａで示すように、例えば、この電極（１０）とこれに
接する絶縁ｒ＠（８１（８ａ）との光学的界面で全反射
するなどして転送領域（７）などの本来入射されるべき
所定の電荷蓄積領域（５）以外に入射して電荷を生成す
るなどしてスミア発生の原因を住じる。
本発明は、このようなスミア発生の一因となる受光部周
辺からの撮像光の入射の問題を解消する。
辺からの撮像光の入射の問題を解消する。
本発明は、第１図に示すように、受光部（１１）の周辺
に臨んで光透過層例えば転送電極（１０）、絶縁Ｊｉｍ
（ｇａ） 、前方電極（９）等の存在する固体撮像装
置において、受光部（１１）の周辺に臨む光透過層の段
部側面を覆って遮光Ｗ（１４）を被着する。
に臨んで光透過層例えば転送電極（１０）、絶縁Ｊｉｍ
（ｇａ） 、前方電極（９）等の存在する固体撮像装
置において、受光部（１１）の周辺に臨む光透過層の段
部側面を覆って遮光Ｗ（１４）を被着する。
この遮光ｍ（１４）には云うまでもなく受光部（１１）
の主要部上に受光窓（１４ａ）が穿設される。
の主要部上に受光窓（１４ａ）が穿設される。
遮光Ｉ＠（１４）は、光を実質的に遮断する光吸収層、
ないしは光反射ｊ−によって構成する。
ないしは光反射ｊ−によって構成する。
尚、第１図において第２図と対応する部分には同一符号
を付す。
を付す。
上述したように、本発明構成によれば、受光部周辺の光
透過層が臨む部分に光透過Ｔ＠（１４）を形成したこと
により、受光部（１１）の所定の電ｉ６ｊ ｆｔｉ積領
域（５）以外に入射する光を遮断することができ、これ
により不要部分に電荷を発生させてスミアの原因を生じ
る不都合を回避できる。
透過層が臨む部分に光透過Ｔ＠（１４）を形成したこと
により、受光部（１１）の所定の電ｉ６ｊ ｆｔｉ積領
域（５）以外に入射する光を遮断することができ、これ
により不要部分に電荷を発生させてスミアの原因を生じ
る不都合を回避できる。
第１図を参照して本発明の一例を更に詳述する。
第１図において第２図と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。この場合においても受光部（
１１）の表面の周辺部の一部には、例えば転送電極（１
０）の端縁が臨むことにより、これの上に絶縁Ｘ（８ａ
）を介して形成した前方電極（９）には股部（１５）が
生じているが、この段部（１５）の側面に、例えばＡｌ
蒸着膜による遮光体（１３）の形成と同時にＡｌ′＄着
膜による遮光層（１４）を形成する。これら遮光体（１
３）及び遮光１＃（１４）の形成は、例えば前方電極（
９）等を有する基板（１１上に上述した股部（１５）の
側面を含んで全面的にへβ蒸着を行い、受光窓（１４ａ
）をフォトエツチングによって穿設することによって遮
光体（１３）及び遮光Ｊｔｆ（１４）を同時に同一材料
Ｉ−のＡ１層によって形成し得る。このように遮光体（
１３）、遮光Ｊｍ（１４）が導電性材料によって構成さ
れる場合は、前方電極（９）上には、５ｉ０２等の絶縁
層が図示しないが被着形成される。前方電極（９）は、
例えば光透過性の不純物ドープのなされた低比抵抗の多
結晶シリコン、或いはりん（Ｐ） ドープトガラス等
によって形成される。
して重複説明を省略する。この場合においても受光部（
１１）の表面の周辺部の一部には、例えば転送電極（１
０）の端縁が臨むことにより、これの上に絶縁Ｘ（８ａ
）を介して形成した前方電極（９）には股部（１５）が
生じているが、この段部（１５）の側面に、例えばＡｌ
蒸着膜による遮光体（１３）の形成と同時にＡｌ′＄着
膜による遮光層（１４）を形成する。これら遮光体（１
３）及び遮光１＃（１４）の形成は、例えば前方電極（
９）等を有する基板（１１上に上述した股部（１５）の
側面を含んで全面的にへβ蒸着を行い、受光窓（１４ａ
）をフォトエツチングによって穿設することによって遮
光体（１３）及び遮光Ｊｔｆ（１４）を同時に同一材料
Ｉ−のＡ１層によって形成し得る。このように遮光体（
１３）、遮光Ｊｍ（１４）が導電性材料によって構成さ
れる場合は、前方電極（９）上には、５ｉ０２等の絶縁
層が図示しないが被着形成される。前方電極（９）は、
例えば光透過性の不純物ドープのなされた低比抵抗の多
結晶シリコン、或いはりん（Ｐ） ドープトガラス等
によって形成される。
尚、本発明を通用する固体撮像装置は、上述の例に限ら
れず、表面ＣＯＤ、埋込みＣＣＤ、ＢＢＤ構成等種々の
構成を採るものに適用し得るものであることは明らかで
ある。
れず、表面ＣＯＤ、埋込みＣＣＤ、ＢＢＤ構成等種々の
構成を採るものに適用し得るものであることは明らかで
ある。
上述したように本発明においては受光部周辺上に透明材
料層が段部を形成して臨むものにおいてその段部側面に
遮光層（１４）を被着したことにより、感度低−トを招
来することなく不要部分への光の入射を効果的に回避で
き、スミアの発生を効果的に回避ごきるので同品位の撮
像画像を得ることでき、実用に供してその利益は大であ
る。
料層が段部を形成して臨むものにおいてその段部側面に
遮光層（１４）を被着したことにより、感度低−トを招
来することなく不要部分への光の入射を効果的に回避で
き、スミアの発生を効果的に回避ごきるので同品位の撮
像画像を得ることでき、実用に供してその利益は大であ
る。
第１図は本発明による固体撮像装置の一例の要部の拡大
断面図、第２図は従来装置の要部の拡大断面図、第３図
はその説明のための更に要部の拡大断面図である。 （１）は基板、（１１）は受光部、（■２）はシフトレ
ジスタ、（９）は前方電極、（１０）は転送電極、（１
３）は遮光体、（１４）は遮光層である。
断面図、第２図は従来装置の要部の拡大断面図、第３図
はその説明のための更に要部の拡大断面図である。 （１）は基板、（１１）は受光部、（■２）はシフトレ
ジスタ、（９）は前方電極、（１０）は転送電極、（１
３）は遮光体、（１４）は遮光層である。
Claims (1)
- 受光部の周辺に臨んで光透過層が存在する固体撮像装
置において、上記受光部の周辺に臨む上記光透過層を覆
って遮光層が被着され、該遮光層の上記受光部上に受光
窓が穿設された固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065098A JPS62221147A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065098A JPS62221147A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221147A true JPS62221147A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13277097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065098A Pending JPS62221147A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416345A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with dark-current eliminator |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109825A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Sony Corp | Solid state pick up unit |
| JPS6124273A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065098A patent/JPS62221147A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109825A (en) * | 1976-03-11 | 1977-09-14 | Sony Corp | Solid state pick up unit |
| JPS6124273A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5416345A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with dark-current eliminator |
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