JPS6258551B2 - - Google Patents
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- JPS6258551B2 JPS6258551B2 JP56002111A JP211181A JPS6258551B2 JP S6258551 B2 JPS6258551 B2 JP S6258551B2 JP 56002111 A JP56002111 A JP 56002111A JP 211181 A JP211181 A JP 211181A JP S6258551 B2 JPS6258551 B2 JP S6258551B2
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
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- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/02805—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a two-dimensional array
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フアクシミリ等に使用される二次元
薄膜撮像装置に関するものである。
薄膜撮像装置に関するものである。
従来、二次元の撮像装置としてはCCD等が用
いられていた。また、Si単結晶ウエハ内のMOS
FETの上側に、アモルフアス半導体を重ねて、
二次元撮像装置を構成したものも用いられてい
た。
いられていた。また、Si単結晶ウエハ内のMOS
FETの上側に、アモルフアス半導体を重ねて、
二次元撮像装置を構成したものも用いられてい
た。
しかしながら、前記のような従来の装置は、縮
小光学系が必要とされる撮像装置であつたため
に、装置の構造が複雑になり、従つて大面積、二
次元原稿の読み取りが困難であるという欠点があ
つた。
小光学系が必要とされる撮像装置であつたため
に、装置の構造が複雑になり、従つて大面積、二
次元原稿の読み取りが困難であるという欠点があ
つた。
また、従来使用の一次元タイプの撮像装置とし
ては、ドライバをシリコンICチツプで構成した
もの、あるいは薄膜トランジスタ（以下TFTと
略する）をラテラルにして構成したものなどがあ
つた。
ては、ドライバをシリコンICチツプで構成した
もの、あるいは薄膜トランジスタ（以下TFTと
略する）をラテラルにして構成したものなどがあ
つた。
しかしながら、シリコンICチツプを用いた装
置では、配線パターンおよびICチツプとのボン
デイング個所が莫大な数に上るため実用的ではな
かつた。また、TFTを用いるタイプは、光学変
換素子とスイツチング素子とを同一平面上に設け
る構造のため、二次元の原稿読み取りは、非常に
困難であつた。
置では、配線パターンおよびICチツプとのボン
デイング個所が莫大な数に上るため実用的ではな
かつた。また、TFTを用いるタイプは、光学変
換素子とスイツチング素子とを同一平面上に設け
る構造のため、二次元の原稿読み取りは、非常に
困難であつた。
本発明の目的は、二次元薄膜撮像素子の構造を
改良することにより、前記の欠点を除去して、縮
小光学系を用いることなしに、大面積、二次元原
稿の読み取りができるようにした二次元薄膜撮像
装置を提供することにある。
改良することにより、前記の欠点を除去して、縮
小光学系を用いることなしに、大面積、二次元原
稿の読み取りができるようにした二次元薄膜撮像
装置を提供することにある。
前記の目的を達成するために、本発明の二次元
薄膜撮像装置は、光電変換素子とスイツチング素
子とを立体的に積層することによつて撮像素子を
構成し、かつ撮像素子の背面を配線領域として使
用することによつて、撮像素子を小型化し、かつ
この撮像素子を縦横に、マトリクス状に多数配列
した点に特徴がある。
薄膜撮像装置は、光電変換素子とスイツチング素
子とを立体的に積層することによつて撮像素子を
構成し、かつ撮像素子の背面を配線領域として使
用することによつて、撮像素子を小型化し、かつ
この撮像素子を縦横に、マトリクス状に多数配列
した点に特徴がある。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例に
ついて説明する。第１図は本発明の第１実施例の
断面図、第２図はその底面図である。図におい
て、１は透明基板、２は前記透明基板１の上面に
設けられた透明電極、１２は前記透明電極２の一
部上面に接して設けられ、縦横に、マトリクス状
に配列された多数の窓部を有する格子状の不透明
膜（遮光膜）である。
ついて説明する。第１図は本発明の第１実施例の
断面図、第２図はその底面図である。図におい
て、１は透明基板、２は前記透明基板１の上面に
設けられた透明電極、１２は前記透明電極２の一
部上面に接して設けられ、縦横に、マトリクス状
に配列された多数の窓部を有する格子状の不透明
膜（遮光膜）である。
３は前記透明電極２と不透明膜１２を被覆して
なる第１半導体層、５は前記第１半導体層３の上
面に、前記不透明膜１２の窓部をふさぐように配
設され、画素単位を構成するようにした不透明電
極である。なお、前記第１半導体層３と不透明電
極５との接合部分において、シヨツトキ接合が形
成されている。
なる第１半導体層、５は前記第１半導体層３の上
面に、前記不透明膜１２の窓部をふさぐように配
設され、画素単位を構成するようにした不透明電
極である。なお、前記第１半導体層３と不透明電
極５との接合部分において、シヨツトキ接合が形
成されている。
６は前記不透明電極５の上面を被覆し、かつ不
透明電極５の１部上面に達するようなコンタクト
ホール１６を有する第１絶縁体層である。
透明電極５の１部上面に達するようなコンタクト
ホール１６を有する第１絶縁体層である。
７ａは前記第１絶縁体層６の上面にあり、かつ
前記コンタクトホール１６を通して、前記不透明
電極５に接続された第１上部電極、７ｂは前記第
１絶縁体層６の上面にあり、かつ前記第１上部電
極７ａに対向する位置に設けられた第２上部電
極、８は前記第１絶縁体層６、第１，第２上部電
極７ａ，７ｂを被覆し、かつ前記上部電極７ａ，
７ｂ間に電流チヤネルを形成する第２半導体層で
ある。
前記コンタクトホール１６を通して、前記不透明
電極５に接続された第１上部電極、７ｂは前記第
１絶縁体層６の上面にあり、かつ前記第１上部電
極７ａに対向する位置に設けられた第２上部電
極、８は前記第１絶縁体層６、第１，第２上部電
極７ａ，７ｂを被覆し、かつ前記上部電極７ａ，
７ｂ間に電流チヤネルを形成する第２半導体層で
ある。
９は前記第２半導体層８の上面を被覆するよう
に形成された第２絶縁体層、１０は前記第２絶縁
体層９の上面に設けられ、かつ前記第２上部電極
７ｂから第１上部電極７ａに至る電流チヤネルの
導通を制御するゲート電極、１１は前記第２絶縁
体層９、ゲート電極１０を被覆するように形成さ
れたパツシベーシヨン膜である。
に形成された第２絶縁体層、１０は前記第２絶縁
体層９の上面に設けられ、かつ前記第２上部電極
７ｂから第１上部電極７ａに至る電流チヤネルの
導通を制御するゲート電極、１１は前記第２絶縁
体層９、ゲート電極１０を被覆するように形成さ
れたパツシベーシヨン膜である。
前記透明基板１、透明電極２、第１半導体層
３、および不透明電極５で光電変換素子１３を形
成し、前記第１絶縁体層６、第１，第２上部電極
７ａ，７ｂ、第２半導体層８、第２絶縁体層９、
およびゲート電極１０でスイツチング素子１４を
形成している。
３、および不透明電極５で光電変換素子１３を形
成し、前記第１絶縁体層６、第１，第２上部電極
７ａ，７ｂ、第２半導体層８、第２絶縁体層９、
およびゲート電極１０でスイツチング素子１４を
形成している。
前記のような構成の二次元薄膜撮像素子を用い
て、原稿読み取りをする場合には、次のようにし
て行なう。まず、前記ゲート電極に電圧を印加し
てスイツチング素子１４を閉成し、これによつて
透明電極２と不透明電極５との間に実効的に形成
されるコンデンサに電荷を充電させる。
て、原稿読み取りをする場合には、次のようにし
て行なう。まず、前記ゲート電極に電圧を印加し
てスイツチング素子１４を閉成し、これによつて
透明電極２と不透明電極５との間に実効的に形成
されるコンデンサに電荷を充電させる。
つぎに、前記ゲート電極１０の電圧を０にして
スイツチング素子１４を開放した後、透明基板１
側から原稿の読取光を入射させる。原稿読取光
は、前述の透明電極２と不透明電極５との間に形
成されたコンデンサの電荷を、光量分だけ放電さ
せる。
スイツチング素子１４を開放した後、透明基板１
側から原稿の読取光を入射させる。原稿読取光
は、前述の透明電極２と不透明電極５との間に形
成されたコンデンサの電荷を、光量分だけ放電さ
せる。
その後、再び前記ゲート電極１０に電圧を印加
してスイツチング素子１４を閉成すると、前に放
電された電荷量だけの電流が、第２上部電極７ｂ
から第１上部電極７ａに流れる。この流れた量の
電流を測定して、電気信号に変換することによつ
て原稿を読み取ることができる。
してスイツチング素子１４を閉成すると、前に放
電された電荷量だけの電流が、第２上部電極７ｂ
から第１上部電極７ａに流れる。この流れた量の
電流を測定して、電気信号に変換することによつ
て原稿を読み取ることができる。
前記第１半導体層３としては、光電変換素子１
３とスイツチング素子１４との一体化、さらに不
透明電極５を製造するためのフオトリソグラフイ
（写真蝕刻）工程に対する耐熱性、電気的安定性
という点からアモルフアスシリコン（以下ａ−Si
と表記する）を用いるのが最適である。
３とスイツチング素子１４との一体化、さらに不
透明電極５を製造するためのフオトリソグラフイ
（写真蝕刻）工程に対する耐熱性、電気的安定性
という点からアモルフアスシリコン（以下ａ−Si
と表記する）を用いるのが最適である。
本実施例では、光電変換素子１３のスイツチン
グ素子１４側の電極５を不透明としたので、原稿
読取光はスイツチング素子１４内の第２半導体層
８のチヤネル部の導電度に影響を与えることはな
い。
グ素子１４側の電極５を不透明としたので、原稿
読取光はスイツチング素子１４内の第２半導体層
８のチヤネル部の導電度に影響を与えることはな
い。
なお、本実施例においては、不透明膜１２を透
明電極２の上面に設けたが、絶縁性の不透明膜を
不透明電極５の間を埋めるように配設してもよ
い。
明電極２の上面に設けたが、絶縁性の不透明膜を
不透明電極５の間を埋めるように配設してもよ
い。
また、本実施例は、原稿読取光が透明基板１を
通過して入射する場合であるが、基板を反対側に
設けるようにしてもよいことは明らかである。
通過して入射する場合であるが、基板を反対側に
設けるようにしてもよいことは明らかである。
このように構成した場合には、基板に不透明な
材質（セラミツク等）を使用することが可能とな
る。セラミツクの表面は完全な平面ではなく、微
小な凹凸があるのが普通であり、その上に直接半
導体層を形成すると半導体が結晶化するという問
題があるが、セラミツクの表面をアニールするこ
とでその問題はほとんど解消する。
材質（セラミツク等）を使用することが可能とな
る。セラミツクの表面は完全な平面ではなく、微
小な凹凸があるのが普通であり、その上に直接半
導体層を形成すると半導体が結晶化するという問
題があるが、セラミツクの表面をアニールするこ
とでその問題はほとんど解消する。
さらに、本実施例ではシヨトキ接合ダイオード
を用いたが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、第５図を参照して後述するように、pn接
合またはpin接合ダイオードを用いてもよい。
を用いたが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、第５図を参照して後述するように、pn接
合またはpin接合ダイオードを用いてもよい。
一般に薄膜トランジスタは、結晶半導体に比べ
て易動度（モビリテイ）が小さい。それ故、これ
を補うために、Ｗ／Ｌ（Ｗはチヤネル幅、Ｌはチ
ヤネル長）を十分大きくとる必要がある。
て易動度（モビリテイ）が小さい。それ故、これ
を補うために、Ｗ／Ｌ（Ｗはチヤネル幅、Ｌはチ
ヤネル長）を十分大きくとる必要がある。
本発明によれば、撮像素子の背面（原稿読取光
入射側の反対側）全体が配線領域として使用可能
であるから、複数個の撮像素子にまたがつてトラ
ンジスタ（例えばFFT）を構成することによつ
て、前記の要求を満すことができる。
入射側の反対側）全体が配線領域として使用可能
であるから、複数個の撮像素子にまたがつてトラ
ンジスタ（例えばFFT）を構成することによつ
て、前記の要求を満すことができる。
第３図は、前記Ｗ／Ｌを大きくした、本発明の
第２実施例の平面図であり、第４図はそのＬ−Ｌ
線切断断面図である。図において、第１図と同一
の符号は、同一または同等部分をあらわしてい
る。２０，３０，４０はゲート電極、２６，３
６，４６は撮像素子に含まれる不透明電極、２７
ａ，３７ａ，４７ａは、コンタクトホールを通し
て、それぞれ不透明電極２６，３６，４６に接続
された第１上部電極、２７ｂ，３７ｂ，４７ｂは
第２上部電極である。なお、第３図には第１図に
示しした不透明膜は図示していない。
第２実施例の平面図であり、第４図はそのＬ−Ｌ
線切断断面図である。図において、第１図と同一
の符号は、同一または同等部分をあらわしてい
る。２０，３０，４０はゲート電極、２６，３
６，４６は撮像素子に含まれる不透明電極、２７
ａ，３７ａ，４７ａは、コンタクトホールを通し
て、それぞれ不透明電極２６，３６，４６に接続
された第１上部電極、２７ｂ，３７ｂ，４７ｂは
第２上部電極である。なお、第３図には第１図に
示しした不透明膜は図示していない。
例えば、第３図において明らかなように、第１
上部電極２７ａ，３７ａ，４７ａ、第２上部電極
２７ｂ，３７ｂ，４７ｂ、ゲート電極２０，３
０，４０の幅−すなわち第１上部電極２７ａと第
２上部電極２７ｂ、第１上部電極３７ａと第２上
部電極３７ｂ、および第１上部電極４７ａと第２
上部電極４７ｂ間にそれぞれ形成される電流チヤ
ネルの幅Ｗを、前記不透明電極２６，３６，４６
の３個分の横幅に相当するものとすることができ
る。一方、チヤネル長Ｌは、第４図に示すように
小さくすることができる。よつて、Ｗ／Ｌの値は
大きくなり、易動度を大きくすることが可能にな
る。
上部電極２７ａ，３７ａ，４７ａ、第２上部電極
２７ｂ，３７ｂ，４７ｂ、ゲート電極２０，３
０，４０の幅−すなわち第１上部電極２７ａと第
２上部電極２７ｂ、第１上部電極３７ａと第２上
部電極３７ｂ、および第１上部電極４７ａと第２
上部電極４７ｂ間にそれぞれ形成される電流チヤ
ネルの幅Ｗを、前記不透明電極２６，３６，４６
の３個分の横幅に相当するものとすることができ
る。一方、チヤネル長Ｌは、第４図に示すように
小さくすることができる。よつて、Ｗ／Ｌの値は
大きくなり、易動度を大きくすることが可能にな
る。
このようにした場合、撮像素子と撮像素子との
間に間隙ができ、原稿読取光が、第１図に示すよ
うな電流チヤネルを形成する第２半導体層に影響
を与える恐れが生じるが、本発明においては第１
図に示すような不透明膜１２を設けてあるのでこ
のような悪影響は生じない。
間に間隙ができ、原稿読取光が、第１図に示すよ
うな電流チヤネルを形成する第２半導体層に影響
を与える恐れが生じるが、本発明においては第１
図に示すような不透明膜１２を設けてあるのでこ
のような悪影響は生じない。
第５図ａ〜ｅは、本発明の第３実施例の製造工
程を示す断面図である。図において、第１図と同
一の符号は同一または同等部分をあらわす。２３
はｎ型半導体層、２４はｐ型半導体層である。
程を示す断面図である。図において、第１図と同
一の符号は同一または同等部分をあらわす。２３
はｎ型半導体層、２４はｐ型半導体層である。
まず、第５図ａにおいて、透明基板１としては
コーニンググラス社製のガラス（No.7059）を0.8
mmの厚さで用いた。また、前記透明基板１の上面
には、SnO2を約1000Åの厚さでスパツタリング
して透明電極２を形成する。
コーニンググラス社製のガラス（No.7059）を0.8
mmの厚さで用いた。また、前記透明基板１の上面
には、SnO2を約1000Åの厚さでスパツタリング
して透明電極２を形成する。
つぎに、マトリクス状に配列される複数の撮像
素子の夫々の間を遮光するために、不透明膜１２
を蒸着あるいはスパツタリングで付着、形成す
る。前記不透明膜１２の材質は導体、不導体のど
ちらでもかまわない。本実施例では、電子ビーム
蒸着を用いてCrを400Å〜1000Åの厚さで蒸着
し、フオトリソグラフイで所定のパターンを形成
した。
素子の夫々の間を遮光するために、不透明膜１２
を蒸着あるいはスパツタリングで付着、形成す
る。前記不透明膜１２の材質は導体、不導体のど
ちらでもかまわない。本実施例では、電子ビーム
蒸着を用いてCrを400Å〜1000Åの厚さで蒸着
し、フオトリソグラフイで所定のパターンを形成
した。
第５図ｂに示すように、前記透明電極２と前記
不透明膜１２の上面に、PH3とSiH4との混合比を
0.1〜１重量％として、ｎ型半導体層２３を形成
する。この場合、前記ｎ型半導体層２３は、ｎ型
のａ−Siを使用して、グロー放電法により形成
し、前記透明電極２とオーミツクコンタクトをと
るようにする。
不透明膜１２の上面に、PH3とSiH4との混合比を
0.1〜１重量％として、ｎ型半導体層２３を形成
する。この場合、前記ｎ型半導体層２３は、ｎ型
のａ−Siを使用して、グロー放電法により形成
し、前記透明電極２とオーミツクコンタクトをと
るようにする。
さらに、前記ｎ型半導体層２３の上面に、
B2H6とSiH4との混合比を0.1〜１重量％として、
グロー放電法によりｐ型半導体層２４を形成す
る。
B2H6とSiH4との混合比を0.1〜１重量％として、
グロー放電法によりｐ型半導体層２４を形成す
る。
この際のグロー放電装置としては、容量結合型
のプラズマ（化学蒸着）装置を用い、使用周波数
は13.56MHz電力は１〜5W、基板温度は230℃〜
300℃に調整した。
のプラズマ（化学蒸着）装置を用い、使用周波数
は13.56MHz電力は１〜5W、基板温度は230℃〜
300℃に調整した。
ついで、第５図ｃに示すように、前記ｐ型半導
体２４の１部上面には、前記ｐ型半導体２４とオ
ートミツクコンタクトし、かつ原稿読取光を遮光
するための不透明電極５を形成する。これにはＡ
を用い、電子ビーム蒸着で約4000Åの厚さに全
面に蒸着した後、フオトリソグラフイでマトリク
ス状に形成した。
体２４の１部上面には、前記ｐ型半導体２４とオ
ートミツクコンタクトし、かつ原稿読取光を遮光
するための不透明電極５を形成する。これにはＡ
を用い、電子ビーム蒸着で約4000Åの厚さに全
面に蒸着した後、フオトリソグラフイでマトリク
ス状に形成した。
つぎに、前記不透明電極５を被覆するように、
プラズマCVDで第１絶縁体層６を形成する。こ
の場合は、SiH4とNH3との混合比を約0.17重量％
とし、またSiH4濃度を約５％として行なつた。
プラズマCVDで第１絶縁体層６を形成する。こ
の場合は、SiH4とNH3との混合比を約0.17重量％
とし、またSiH4濃度を約５％として行なつた。
さらに、第５図ｄにおいて、前記第１絶縁体層
６にコンタクトホール１６を形成した後、第１上
部電極７ａ、第２上部電極７ｂを形成する。
６にコンタクトホール１６を形成した後、第１上
部電極７ａ、第２上部電極７ｂを形成する。
ついで、第５図ｅに示すように、前記第１，第
２上部電極７ａ，７ｂを被覆するようにして、グ
ロー放電法により第２半導体８（ａ−Si）を形成
し、その上面には、第２絶縁体層９（Si3N4）を形
成する。
２上部電極７ａ，７ｂを被覆するようにして、グ
ロー放電法により第２半導体８（ａ−Si）を形成
し、その上面には、第２絶縁体層９（Si3N4）を形
成する。
さらに、前記第２絶縁体層９の上面に接し、か
つ前記第２上部電極７ｂから第１上部電極７ａに
至る電流チヤネルの導通を制御するためのゲート
電極１０を設ける。
つ前記第２上部電極７ｂから第１上部電極７ａに
至る電流チヤネルの導通を制御するためのゲート
電極１０を設ける。
本実施例では、前記ゲート電極として、電子ビ
ーム蒸着でＡを約4000Åの厚に蒸着したものを
用いたが、n+を用いて選択的にエツチングした
ものでもよい。
ーム蒸着でＡを約4000Åの厚に蒸着したものを
用いたが、n+を用いて選択的にエツチングした
ものでもよい。
本実施例のように、pn接合ダイオードを用い
ても、第１図に示したと同様にして、原稿読み取
りを行なうことができることは明らかであろう。
ても、第１図に示したと同様にして、原稿読み取
りを行なうことができることは明らかであろう。
第６図は、撮像素子がマトリクス状に配列され
た本発明の二次元撮像装置の模式図である。
た本発明の二次元撮像装置の模式図である。
図において、第１図と同一の符号は、同一また
は同等部分をあらわしている。１５は原稿読取光
入射部分（不透明膜１２の窓部に対向する不透明
電極５の部分、すなわち、図中の点線で囲まれた
部分）、３３はＸシフトレジスタ、３４はＹシフ
トレジスタである。
は同等部分をあらわしている。１５は原稿読取光
入射部分（不透明膜１２の窓部に対向する不透明
電極５の部分、すなわち、図中の点線で囲まれた
部分）、３３はＸシフトレジスタ、３４はＹシフ
トレジスタである。
二次元撮像装置においては、多層配線をＸ，Ｙ
の両方向に２層にわたつて行なう必要があるので
マトリクス状に配列された多数個の撮像素子の両
サイドにＸ，Ｙシフトレジスタを設け、フオトリ
ソグラフイによつて図示のように配線した。
の両方向に２層にわたつて行なう必要があるので
マトリクス状に配列された多数個の撮像素子の両
サイドにＸ，Ｙシフトレジスタを設け、フオトリ
ソグラフイによつて図示のように配線した。
本発明は、前記のように、ガラスあるいはセラ
ミツク等の基板上に、光電変換素子、スイツチン
グ素子を薄膜にしたもの、および配線部を多層状
に設けるようにしたので、撮像素子を小型化する
ことができ、よつて大面積の二次元原稿の読み取
りが可能になるという大きな利点を有する。
ミツク等の基板上に、光電変換素子、スイツチン
グ素子を薄膜にしたもの、および配線部を多層状
に設けるようにしたので、撮像素子を小型化する
ことができ、よつて大面積の二次元原稿の読み取
りが可能になるという大きな利点を有する。
また、隣合つた撮像素子間の透明電極上、また
は不透明電極間に不透明膜を設けるようにしたの
で、電流チヤネルを形成する半導体の導電度に影
響を及ぼすことがないという利点がある。
は不透明電極間に不透明膜を設けるようにしたの
で、電流チヤネルを形成する半導体の導電度に影
響を及ぼすことがないという利点がある。
さらに、大面積の二次元の原稿の読み取りが可
能であることから、現在、電子写真等に用いられ
ている感光材のかわりに用いることができる。一
例をあげるならば、フラツシユ露光によつて前記
二次元撮像装置に露光された原稿像は、時系列の
電気信号として出力プリンタ（例えばインクジエ
ツトプリンタ、マルチスタイラスプリンタ）に入
力されるが、この際その後の処理が容易になると
いう利点がある。
能であることから、現在、電子写真等に用いられ
ている感光材のかわりに用いることができる。一
例をあげるならば、フラツシユ露光によつて前記
二次元撮像装置に露光された原稿像は、時系列の
電気信号として出力プリンタ（例えばインクジエ
ツトプリンタ、マルチスタイラスプリンタ）に入
力されるが、この際その後の処理が容易になると
いう利点がある。
第１図は本発明の第１実施例の断面図、第２図
は第１図の底面図、第３図は本発明の第２実施例
の平面図、第４図はそのＬ−Ｌ線切断断面図、第
５図ａ〜ｅは本発明の第３実施例の製造工程を示
す断面図、第６図は撮像素子がマトリクス状に配
列された本発明の二次元撮像装置の模式図であ
る。 ２……透明電極、３……第１半導体、５……不
透明電極、６……第１絶縁体、７ａ，２７ａ，３
７ａ，４７ａ……第１上部電極、７ｂ，２７ｂ，
３７ｂ，４７ｂ……第２上部電極、８……第２半
導体、９……第２絶縁体、１０，２０，３０，４
０……ゲート電極、１２……不透明膜、６……コ
ンタクトホール。
は第１図の底面図、第３図は本発明の第２実施例
の平面図、第４図はそのＬ−Ｌ線切断断面図、第
５図ａ〜ｅは本発明の第３実施例の製造工程を示
す断面図、第６図は撮像素子がマトリクス状に配
列された本発明の二次元撮像装置の模式図であ
る。 ２……透明電極、３……第１半導体、５……不
透明電極、６……第１絶縁体、７ａ，２７ａ，３
７ａ，４７ａ……第１上部電極、７ｂ，２７ｂ，
３７ｂ，４７ｂ……第２上部電極、８……第２半
導体、９……第２絶縁体、１０，２０，３０，４
０……ゲート電極、１２……不透明膜、６……コ
ンタクトホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明電極と、前記透明電極の上面に設けられ
た第１半導体層と、前記第１半導体層の上面に互
いに間隔をおいてマトリクス状に配設された複数
の不透明電極と、前記不透明電極を被覆し、さら
に前記各不透明電極の一部上面に到達するような
コンタクトホールを有する第１絶縁体層と、前記
第１絶縁体層の上面にあつて、前記コンタクトホ
ールを通して前記各不透明電極に接続された複数
の第１上部電極と、前記第１上部電極と対向する
ように、前記第１絶縁体層の上面に設けられた複
数の第２上部電極と、前記第１，第２上部電極と
前記第１絶縁体層を被覆し、前記第１および第２
上部電極間に電流チヤネルを形成するように設け
られた第２半導体層と、前記第２半導体層の上面
を被覆する第２絶縁体層と、前記第２絶縁体層の
上面にあつて、かつ前記電流チヤネルに対向する
ように配置された複数のゲート電極と、前記複数
の不透明電極の相隣り合うものの間における入射
光の通過を妨げる不透明膜とを具備したことを特
徴とする二次元薄膜撮像装置。 ２ 配線領域を撮像素子の背面に設けたことを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の二次元
薄膜撮像装置。 ３ 隣接するｎ個の不透明電極に対応する第１上
部電極、第２上部電極、およびゲート電極が夫々
前記ｎ個の不透明電極の領域にまたがつて形成さ
れたことを特徴とする前記特許請求の範囲第１お
よび第２項記載の二次元薄膜撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002111A JPS57115880A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Thin film image pickup device in two dimensions |
| US06/336,991 US4471371A (en) | 1981-01-06 | 1982-01-04 | Thin film image pickup element |
| US06/582,642 US4517733A (en) | 1981-01-06 | 1984-02-22 | Process for fabricating thin film image pick-up element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002111A JPS57115880A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Thin film image pickup device in two dimensions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57115880A JPS57115880A (en) | 1982-07-19 |
| JPS6258551B2 true JPS6258551B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=11520233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56002111A Granted JPS57115880A (en) | 1981-01-06 | 1981-01-12 | Thin film image pickup device in two dimensions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57115880A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0612811B2 (ja) * | 1983-04-04 | 1994-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JPH0682858B2 (ja) * | 1983-05-16 | 1994-10-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像検出方法 |
| JPS59211262A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 |
| JPH0682851B2 (ja) * | 1984-01-12 | 1994-10-19 | キヤノン株式会社 | フオトセンサアレ− |
| JP3006216B2 (ja) * | 1991-09-05 | 2000-02-07 | 富士ゼロックス株式会社 | ２次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法 |
-
1981
- 1981-01-12 JP JP56002111A patent/JPS57115880A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57115880A (en) | 1982-07-19 |
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