JPS59196667A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59196667A JPS59196667A JP58070983A JP7098383A JPS59196667A JP S59196667 A JPS59196667 A JP S59196667A JP 58070983 A JP58070983 A JP 58070983A JP 7098383 A JP7098383 A JP 7098383A JP S59196667 A JPS59196667 A JP S59196667A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- -1 this drain region Substances 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特にプルーミング現象及
びスミア現象抑止機能を有する固体撮像装置に係わる。
びスミア現象抑止機能を有する固体撮像装置に係わる。
従来、固体撮像装置例えばインタライン転送形イメージ
センサとしては、第」図に示すものが知られている。
センサとしては、第」図に示すものが知られている。
図中の１は、例えばｐ型半導体基板である。
この基板１の収部の中央付近には、光入射によシ生成し
た信号ｄ荷を蓄積するだめのｎ＋型の半導体領域（感光
部）２が形成されている。また、前記基板１表面には、
前記１（＆先部２（：、近接して垂直シフトレソスタの
一部を（１〜成するｉ型の埋込み領域３が形成されてい
る。更に、前記基板１表面には、過度な光入力により前
記感光部２に発生した過剰な電荷を排出するｎ＋十型の
オーバーフロードレイン領域（０，Ｆ、Ｄ領域）４が、
前記感光部２に近接して形成されている。
た信号ｄ荷を蓄積するだめのｎ＋型の半導体領域（感光
部）２が形成されている。また、前記基板１表面には、
前記１（＆先部２（：、近接して垂直シフトレソスタの
一部を（１〜成するｉ型の埋込み領域３が形成されてい
る。更に、前記基板１表面には、過度な光入力により前
記感光部２に発生した過剰な電荷を排出するｎ＋十型の
オーバーフロードレイン領域（０，Ｆ、Ｄ領域）４が、
前記感光部２に近接して形成されている。
更にまた、前記基板１吸面には、前記感光部２．０、Ｉ
’、Ｄ領域４間に位置するようにｎｊ尚５が設けられ、
かつ感光部２を囲むようにｐ＋型のチャネル阻止領域６
が設けられている。前記感光部２等を含む基板１上には
、絶縁膜７が被覆されている。この絶縁膜７内には、夫
々異なる画素の第１層目の転送電極８１ｒ８２が設けら
れ、更に前記転送電極８１と対となる第２層目の転送電
極９が設けられている。なお、転送電極８１９は前記感
光部２に蓄積された信号電荷を読み出す貌出し部となる
。前記絶縁膜７上には、前記感光部２に対応する部分に
開孔窓１０を有する例えばＡｔからなる光シールド膜１
１が設けられている。この光シールド膜１１を含む絶Ｒ
膜ｚ上には、保護膜１２が設けられている。
’、Ｄ領域４間に位置するようにｎｊ尚５が設けられ、
かつ感光部２を囲むようにｐ＋型のチャネル阻止領域６
が設けられている。前記感光部２等を含む基板１上には
、絶縁膜７が被覆されている。この絶縁膜７内には、夫
々異なる画素の第１層目の転送電極８１ｒ８２が設けら
れ、更に前記転送電極８１と対となる第２層目の転送電
極９が設けられている。なお、転送電極８１９は前記感
光部２に蓄積された信号電荷を読み出す貌出し部となる
。前記絶縁膜７上には、前記感光部２に対応する部分に
開孔窓１０を有する例えばＡｔからなる光シールド膜１
１が設けられている。この光シールド膜１１を含む絶Ｒ
膜ｚ上には、保護膜１２が設けられている。
しかしながら、上記構造のイメージセンサは、ブルーミ
ング現象を抑止するために基板１衣面にＯ，Ｆ、Ｄ領域
４を設けていることから、画素サイズが２／３インチ、
１／２インチ、８ｒｍｎと次第に小さくなった場合、水
平方向の高集積化に限度があった。その結果、両糸や信
号電荷の読出し手段を高集積化できず、イメージセンサ
の解像力を満足に向上できないという問題があった。
ング現象を抑止するために基板１衣面にＯ，Ｆ、Ｄ領域
４を設けていることから、画素サイズが２／３インチ、
１／２インチ、８ｒｍｎと次第に小さくなった場合、水
平方向の高集積化に限度があった。その結果、両糸や信
号電荷の読出し手段を高集積化できず、イメージセンサ
の解像力を満足に向上できないという問題があった。
また、感光部２に入射した入射光のうち長波長成分は基
板１の奥深い所で光電変換されるため、発生した電荷が
１ｉＪ４？する垂直シフトレジスタの埋込み領域に侵入
し、スミア現象をもたらすＯ このようなことから、従来、第２図に示すイメージセン
サが知られている。図中の２１は、例えばｎ型の半導体
基板である。この基板１表面には、浅いＰ−ウェル領域
２２と深いＰ−ウェル領域２３が夫々形成されている。
板１の奥深い所で光電変換されるため、発生した電荷が
１ｉＪ４？する垂直シフトレジスタの埋込み領域に侵入
し、スミア現象をもたらすＯ このようなことから、従来、第２図に示すイメージセン
サが知られている。図中の２１は、例えばｎ型の半導体
基板である。この基板１表面には、浅いＰ−ウェル領域
２２と深いＰ−ウェル領域２３が夫々形成されている。
前記浅いＰ−ウェル領域２２表面には、既述した層型の
半導体領域（感光部）２が設けられている。
半導体領域（感光部）２が設けられている。
一方、深いＰ−ウェル領域２３表面には、層型の埋込み
領域３及びｐ＋型のチャネル阻止領域６が設けられてい
る。前記Ｐ−ウェル領域２２゜２３上には、内部に第１
層目の転送電極８１ 。
領域３及びｐ＋型のチャネル阻止領域６が設けられてい
る。前記Ｐ−ウェル領域２２゜２３上には、内部に第１
層目の転送電極８１ 。
８２、第２層目の転送電極９を所定距離おいて有した絶
縁膜７が設けられている。更に、この絶縁膜７上には、
光シールド膜１１、保護膜１２が設けられている。
縁膜７が設けられている。更に、この絶縁膜７上には、
光シールド膜１１、保護膜１２が設けられている。
前述した第２図図示のイメージセ／すは、浅いＰ−ウェ
ル領域２２を深いＰ−ウェル領域２３における電位井戸
の差を利用することにより、過剰の電荷を浅いＰ−ウェ
ル領域２２下の基板２１側に排除する（ブルーミング現
象抑制機能）とともに、Ｐ−ウェル領域２２を設けるこ
とによって長波長光を基板２１に排除する（スミア現象
抑制機能）。しかしながら、上記イメージセ／すにおい
ては、Ｐ−ウェル領域２２，２３は通常基板２１表面へ
の不純物のイオン注入、熱処理によって形成されるため
、深いＰ−ウェル領域２３の形成に際し、イオン注入し
た不純物が熱処理によシ横方向にも拡散し、画素サイズ
が小さくなってきた場合、第２図に示したような浅いＰ
−ウェル領域２２を形成することは困難になってくる。
ル領域２２を深いＰ−ウェル領域２３における電位井戸
の差を利用することにより、過剰の電荷を浅いＰ−ウェ
ル領域２２下の基板２１側に排除する（ブルーミング現
象抑制機能）とともに、Ｐ−ウェル領域２２を設けるこ
とによって長波長光を基板２１に排除する（スミア現象
抑制機能）。しかしながら、上記イメージセ／すにおい
ては、Ｐ−ウェル領域２２，２３は通常基板２１表面へ
の不純物のイオン注入、熱処理によって形成されるため
、深いＰ−ウェル領域２３の形成に際し、イオン注入し
た不純物が熱処理によシ横方向にも拡散し、画素サイズ
が小さくなってきた場合、第２図に示したような浅いＰ
−ウェル領域２２を形成することは困難になってくる。
そうした場合、ブルーミング現象を抑制するような機能
が得られない。したがって、前述した第１図図示の問題
点を解消するには至らなかった。
が得られない。したがって、前述した第１図図示の問題
点を解消するには至らなかった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ブルーミン
グ現象、スミア現象を抑止するとともに、解像力を向上
し得る固体撮像装置を提供することを目的とするもので
ある。
グ現象、スミア現象を抑止するとともに、解像力を向上
し得る固体撮像装置を提供することを目的とするもので
ある。
本発明は、第１導電型の半導体基板の表面に過剰な電荷
が排出される第２導成型のドレイン１域を設け、このド
レイン領域を含む前記基板上に半導体単結晶を設け、こ
の単結晶表面に光入射によシ生成された信号電荷を蓄積
する第２導電型の半導体領域を前記ドレイン領域の上方
に位置するように設け、更にこの半導体領域に蓄積され
る信号電荷を順次読み出す読み出し手段を設けることに
よって、ブルーミング現象、スミア現象？抑止できると
ともに、解像力を向上し得るものである。
が排出される第２導成型のドレイン１域を設け、このド
レイン領域を含む前記基板上に半導体単結晶を設け、こ
の単結晶表面に光入射によシ生成された信号電荷を蓄積
する第２導電型の半導体領域を前記ドレイン領域の上方
に位置するように設け、更にこの半導体領域に蓄積され
る信号電荷を順次読み出す読み出し手段を設けることに
よって、ブルーミング現象、スミア現象？抑止できると
ともに、解像力を向上し得るものである。
実施例
以下、本発明の一実施例であるインクライン転送形イメ
ージセンサを第３図（ａ）〜（Ｃ）、第４図及び第５図
に示す製造方法を併記して説明する。
ージセンサを第３図（ａ）〜（Ｃ）、第４図及び第５図
に示す製造方法を併記して説明する。
〔１〕まず、例えばｐ型のＳｔ基板３１表面の感光部形
成予定部下に位置する部分に、ｎ型不純物例えば砒素を
イオン注入し、熱処理音節してｎ千生型のドレイン領域
３２を形成した。つづいて、エピタキシャル法によシこ
のドレイン領域３２を含む基板３１上にｐ型の単結晶シ
リコン層３３を形成した（第３図（−）図示）。次いで
、このシリコン層３３表面に、常法により光入射によシ
生成した信号電荷を蓄積するｎ中型の半導体領域（感光
部）３４、この感光部３４に近接した垂直シフトレジス
タの一部を構成するｎ＋型の埋込み領域３５、ｐ＋型の
チャネル阻止領域３６及びドレイン領域３２と接続する
ｎ中型層（図示せず）を夫々形成した（第３図（ｂ）図
示）。
成予定部下に位置する部分に、ｎ型不純物例えば砒素を
イオン注入し、熱処理音節してｎ千生型のドレイン領域
３２を形成した。つづいて、エピタキシャル法によシこ
のドレイン領域３２を含む基板３１上にｐ型の単結晶シ
リコン層３３を形成した（第３図（−）図示）。次いで
、このシリコン層３３表面に、常法により光入射によシ
生成した信号電荷を蓄積するｎ中型の半導体領域（感光
部）３４、この感光部３４に近接した垂直シフトレジス
タの一部を構成するｎ＋型の埋込み領域３５、ｐ＋型の
チャネル阻止領域３６及びドレイン領域３２と接続する
ｎ中型層（図示せず）を夫々形成した（第３図（ｂ）図
示）。
なお、前記感光部３４０面積はドレイン領域３２の面積
よりも小さい。
よりも小さい。
〔１１〕次に、前記感光部３４等を含むシリコン層３３
上に常法により第１の絶縁ｊ摸３７１を介して例えば多
結晶シリコンからなる第１層目の転送′電極３８１．３
８２を設けた。つづいて、第２の絶縁膜３７２金介して
第２層目の転送電極３９を形成した。次いで、この転送
電極３９を含む絶縁膜３７２上に、第３の絶縁膜３７３
を形成した。以下、上記第１〜第３の絶縁膜３７１〜３
７３を総称して単に絶縁膜４ｏと呼ぶ。更に、この絶縁
膜４ｏの前記層型層４ノに対応する部分にコンタクト部
４２を形成した後、全面にＡｔを蒸着した。しかる後、
パターニングを行なって前記感光部３４に対応する部分
に開孔窓４３を有するとともに、前記コンタクト部４２
を介してｉ型層４１に接続する光シールド膜４４を形成
した。なお、この光シールド膜４４により一定の直流電
流を前記ドレイン領域３２に印加される。ひきつづき、
光シールド膜４４を含む絶縁膜４θ上に保詭膜としての
リン。
上に常法により第１の絶縁ｊ摸３７１を介して例えば多
結晶シリコンからなる第１層目の転送′電極３８１．３
８２を設けた。つづいて、第２の絶縁膜３７２金介して
第２層目の転送電極３９を形成した。次いで、この転送
電極３９を含む絶縁膜３７２上に、第３の絶縁膜３７３
を形成した。以下、上記第１〜第３の絶縁膜３７１〜３
７３を総称して単に絶縁膜４ｏと呼ぶ。更に、この絶縁
膜４ｏの前記層型層４ノに対応する部分にコンタクト部
４２を形成した後、全面にＡｔを蒸着した。しかる後、
パターニングを行なって前記感光部３４に対応する部分
に開孔窓４３を有するとともに、前記コンタクト部４２
を介してｉ型層４１に接続する光シールド膜４４を形成
した。なお、この光シールド膜４４により一定の直流電
流を前記ドレイン領域３２に印加される。ひきつづき、
光シールド膜４４を含む絶縁膜４θ上に保詭膜としての
リン。
ケイ酸ガラス膜（ＰＳＧ膜）４５を形成し、インタライ
ン転送形のイメージセンサを製造した（第３図（Ｃ）、
第４図及び第５図図示）。なお、第４図は第３図（ｃ）
の縮小平面図であり、第４図中の４６・・・は垂直シフ
トレノスタを、４７・・・は画素を夫々示す。また、第
５図は第４図のＸ−Ｘ線に沿う拡大断面図を示す。
ン転送形のイメージセンサを製造した（第３図（Ｃ）、
第４図及び第５図図示）。なお、第４図は第３図（ｃ）
の縮小平面図であり、第４図中の４６・・・は垂直シフ
トレノスタを、４７・・・は画素を夫々示す。また、第
５図は第４図のＸ−Ｘ線に沿う拡大断面図を示す。
本発明のイメージセンサは、第３図（Ｃ）、第４図及び
第５図に示す如く、ｐ型のＳｔ基板３１表面にｎ中子型
のドレイン領域３２を設け、このドレイン領域３２を含
む基板３１上にｐ型の単結晶シリコン層３３を設け、こ
のシリコン層３３表面に前自己ドレイン領域３２の上方
に位置するようにｎ中型の感光部３４を設け、更にこの
感光部３４に近接した前記単結晶層３１表面にｉ型の埋
込み領域３５を設けた構造となっている。
第５図に示す如く、ｐ型のＳｔ基板３１表面にｎ中子型
のドレイン領域３２を設け、このドレイン領域３２を含
む基板３１上にｐ型の単結晶シリコン層３３を設け、こ
のシリコン層３３表面に前自己ドレイン領域３２の上方
に位置するようにｎ中型の感光部３４を設け、更にこの
感光部３４に近接した前記単結晶層３１表面にｉ型の埋
込み領域３５を設けた構造となっている。
こうした構造のイメージセンサにおいて、感光部３４で
生成された過剰電Ｗをドレイン領域３２に接続された光
シールド膜４４に一定の正電圧を印加することによって
、ドレイン領域３２に排除でき、ブルーミング現象、ス
ミア現象の発生を回避できる。第６図は、感光部３４の
深さ方向に沿って測定した上記イメージセンサにおける
電位曲線を示す特性図であシ、図中の（））は感光部３
４中の電位曲線を、（イ）は単結晶シリコン層３３中の
電位曲線を、（ロ）はドレイン領域３２中の電位曲線を
、に）はＳｔ基板３ノ中の電位曲線を夫々示す。同図よ
り、感光部３４で発生した電荷は、通常電位曲線（７）
に沿って紙面に垂直方向に送られるが、電荷が過剰に々
るとｔＵ電位曲線イ）の電位ピーク点を越えて右方向の
ドレイン領域３２に送られるととが０ｔｆ７ ｉｔ’Ｍ
できる。また長波長が入ってきた場合でも、発生した１
に荷はドレイン領域に捨てられる。
生成された過剰電Ｗをドレイン領域３２に接続された光
シールド膜４４に一定の正電圧を印加することによって
、ドレイン領域３２に排除でき、ブルーミング現象、ス
ミア現象の発生を回避できる。第６図は、感光部３４の
深さ方向に沿って測定した上記イメージセンサにおける
電位曲線を示す特性図であシ、図中の（））は感光部３
４中の電位曲線を、（イ）は単結晶シリコン層３３中の
電位曲線を、（ロ）はドレイン領域３２中の電位曲線を
、に）はＳｔ基板３ノ中の電位曲線を夫々示す。同図よ
り、感光部３４で発生した電荷は、通常電位曲線（７）
に沿って紙面に垂直方向に送られるが、電荷が過剰に々
るとｔＵ電位曲線イ）の電位ピーク点を越えて右方向の
ドレイン領域３２に送られるととが０ｔｆ７ ｉｔ’Ｍ
できる。また長波長が入ってきた場合でも、発生した１
に荷はドレイン領域に捨てられる。
さらに、第１図図示の従来のイメージセンサの如く、基
板表面に過剰に荷の排出を目的としてＯ，Ｆ、Ｄ領域を
設ける必−決がないため、従来と比べ水平方向の高集積
化でき、感光画素をより多く配列してイメージセンサの
解像力を向上できる。
板表面に過剰に荷の排出を目的としてＯ，Ｆ、Ｄ領域を
設ける必−決がないため、従来と比べ水平方向の高集積
化でき、感光画素をより多く配列してイメージセンサの
解像力を向上できる。
なお、上記実施例において、Ｓｉ貼板、感光部等の導′
Ｉ８型は前述した場合に限らず、反対−ｈ′屯型でもよ
い。
Ｉ８型は前述した場合に限らず、反対−ｈ′屯型でもよ
い。
また、上記実施例では固体撮トり装置ｉ’ｅとしてイン
タライン転送形イメージセンサ（エリア・イメージ・セ
ンサ）の場合について述べだが、これに限らず、リニア
・イメージ・センサにモ適用できる。
タライン転送形イメージセンサ（エリア・イメージ・セ
ンサ）の場合について述べだが、これに限らず、リニア
・イメージ・センサにモ適用できる。
以上詳述した如く本発明によれば、ブルーミング現象、
スミア規板を抑止するとともに、解像力を向上し得るイ
ンタライン転送形イメージセンザ等の同体撮像装置を提
供できるものである。
スミア規板を抑止するとともに、解像力を向上し得るイ
ンタライン転送形イメージセンザ等の同体撮像装置を提
供できるものである。
第１図は従来のインクライン転送形イメージ七ンサの断
面図、第２図は従来の他のインタライン転送形イメージ
センサの断面図、第３（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施
例を示すインタライン転送形イメージセンサを製造工程
１１に示す１所面図、第４図は第３図（ｃ）の縮小平面
図、第５図は第４図のＸ−Ｘ線に沿う拡大断面ト１、第
６図は第３図（Ｃ）、第４図及び第５図図示のイメージ
センサの感光部の閉さ方向の一位曲腺を示す特性図であ
る。 ３１・・・ｐ型のＳｔ基板、３２・・・ｎ＋＋型のドレ
イン領域、３３・・・ｐ型の単結晶シソフシ層、３４・
・・ｎ＋型の半導体領域（感光部）、３５・・・ｎ＋型
の埋込み領域、３６・・・ｐ＋型のチャネル阻止領域、
３７１〜３７３．４０・・・絶縁ｊ真１．３Ｂ、。 ３８２．３９・・・転送電極、４１・・・計型層、４２
・・・コンタクト部、４３・・・開孔１？μ、４４・・
・光ンールド膜、４５・・・ＰＳＧ膜、４６・・・垂直
シフトレノスタ、４７・・・画素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ０ 第２図 ０ 第３図 第５図 第６図 謀さ− ４０５−
面図、第２図は従来の他のインタライン転送形イメージ
センサの断面図、第３（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施
例を示すインタライン転送形イメージセンサを製造工程
１１に示す１所面図、第４図は第３図（ｃ）の縮小平面
図、第５図は第４図のＸ−Ｘ線に沿う拡大断面ト１、第
６図は第３図（Ｃ）、第４図及び第５図図示のイメージ
センサの感光部の閉さ方向の一位曲腺を示す特性図であ
る。 ３１・・・ｐ型のＳｔ基板、３２・・・ｎ＋＋型のドレ
イン領域、３３・・・ｐ型の単結晶シソフシ層、３４・
・・ｎ＋型の半導体領域（感光部）、３５・・・ｎ＋型
の埋込み領域、３６・・・ｐ＋型のチャネル阻止領域、
３７１〜３７３．４０・・・絶縁ｊ真１．３Ｂ、。 ３８２．３９・・・転送電極、４１・・・計型層、４２
・・・コンタクト部、４３・・・開孔１？μ、４４・・
・光ンールド膜、４５・・・ＰＳＧ膜、４６・・・垂直
シフトレノスタ、４７・・・画素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ０ 第２図 ０ 第３図 第５図 第６図 謀さ− ４０５−
Claims (1)
- 第１導電型の半導体基板と、この基板の表面に設けられ
過剰な電荷が排出される第２導電型のドレイン領域と、
このドレイン領域を含む前記基板上に設けられた半導体
単結晶層と、この単結晶層表面に前記ドレイン領域の上
方に位置するように設けられ、光入射によ）生成された
信号ｔＥ荷を蓄積する第２導電型の半導体領域と、この
半導体領域に蓄積される信号電荷を順次読み出す読み出
し手段とを具備することを特徴とする同体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070983A JPS59196667A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070983A JPS59196667A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196667A true JPS59196667A (ja) | 1984-11-08 |
Family
ID=13447267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070983A Pending JPS59196667A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916501A (en) * | 1988-06-24 | 1990-04-10 | Thomson-Csf | CCD frame transfer photosensitive matrix with vertical anti-blooming system |
| US5005062A (en) * | 1988-08-10 | 1991-04-02 | U.S. Philips Corporation | Image sensor device of the frame transfer type |
| US5416345A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with dark-current eliminator |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP58070983A patent/JPS59196667A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916501A (en) * | 1988-06-24 | 1990-04-10 | Thomson-Csf | CCD frame transfer photosensitive matrix with vertical anti-blooming system |
| US5005062A (en) * | 1988-08-10 | 1991-04-02 | U.S. Philips Corporation | Image sensor device of the frame transfer type |
| US5416345A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor with dark-current eliminator |
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