JPS62221132A - 電極配線パタ−ン形成方法 - Google Patents
電極配線パタ−ン形成方法Info
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- JPS62221132A JPS62221132A JP6406386A JP6406386A JPS62221132A JP S62221132 A JPS62221132 A JP S62221132A JP 6406386 A JP6406386 A JP 6406386A JP 6406386 A JP6406386 A JP 6406386A JP S62221132 A JPS62221132 A JP S62221132A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電極形成技術に係り、特に微細電極を高密度か
つ高精度に配置することを必要とする半導体デバイスに
好適な電極配線パターン形成方法に関する。
つ高精度に配置することを必要とする半導体デバイスに
好適な電極配線パターン形成方法に関する。
従来の1例えば特開昭57−97646において開示さ
れている工程が簡略化されたことを特徴とする電極配線
パターン形成方法では、陽極酸化法で絶縁膜を容易に形
成できるという特徴を有するAQを配線金属材として用
いた。しかし、AQ以外の配線金属を用いる方法につい
ては配慮されていなかった。
れている工程が簡略化されたことを特徴とする電極配線
パターン形成方法では、陽極酸化法で絶縁膜を容易に形
成できるという特徴を有するAQを配線金属材として用
いた。しかし、AQ以外の配線金属を用いる方法につい
ては配慮されていなかった。
上記従来技術はAQ以外の配線金属機を用でる場合につ
いて配慮がされておらず1例えば、外部リードとしてA
uを用いるとよく知られているAu−A1間のパープリ
プレイブ現像による断線不良が発生するという欠点があ
った。
いて配慮がされておらず1例えば、外部リードとしてA
uを用いるとよく知られているAu−A1間のパープリ
プレイブ現像による断線不良が発生するという欠点があ
った。
本発明の目的は、配線金属材の種類に拘らず、工程が簡
略化されかつ微細加工が可能な電極配線パターン形成方
法を提供することにある。
略化されかつ微細加工が可能な電極配線パターン形成方
法を提供することにある。
上記目的は、陽極酸化法以外の絶縁膜形成方法を用いた
新規な電極配線パターン形成工程を用いることにより、
達成される。
新規な電極配線パターン形成工程を用いることにより、
達成される。
本発明によれば、電極配線金属材をAQのみに限定する
必要がなくなるので、外部リード線材料の選択自由度が
増し、信頼性の優れたデバイス配線実装を実現すること
ができる。
必要がなくなるので、外部リード線材料の選択自由度が
増し、信頼性の優れたデバイス配線実装を実現すること
ができる。
以下、本発明の一実施例を第1図”を用いて説明する。
第1図は、a a A s 1!界効果型トランジスタ
(FET)電極配線パターン形成工程における本発明の
詳細な説明する図であり、以下工程(a)〜(e)の順
に詳細に説明する。まず、工程(a)に示すようにソー
ス及びドレイン電極を形成する2箇所の電極金属層2を
構成要素として含むG a A s基板1上にCVD法
を用いて5iOz膜3を形成する。次いで、公知側特開
昭55−173259に記載の方法を用いて、部分的に
厚さの異なるレジストIll:4 (商品名A Z −
1350J 、シイツブレイ社製)を形成し、5ift
膜3の一部を露出させスルーホール5を設ける。このと
き、レジスト膜4の薄い部分4′は露光された状態にあ
る。工程(b)では、Si○2膜3の露出部分を化学エ
ツチングにより除去し、電極金属層2を露出させる。
(FET)電極配線パターン形成工程における本発明の
詳細な説明する図であり、以下工程(a)〜(e)の順
に詳細に説明する。まず、工程(a)に示すようにソー
ス及びドレイン電極を形成する2箇所の電極金属層2を
構成要素として含むG a A s基板1上にCVD法
を用いて5iOz膜3を形成する。次いで、公知側特開
昭55−173259に記載の方法を用いて、部分的に
厚さの異なるレジストIll:4 (商品名A Z −
1350J 、シイツブレイ社製)を形成し、5ift
膜3の一部を露出させスルーホール5を設ける。このと
き、レジスト膜4の薄い部分4′は露光された状態にあ
る。工程(b)では、Si○2膜3の露出部分を化学エ
ツチングにより除去し、電極金属層2を露出させる。
工程(c)では、レジスト膜4′のみをレジスト現像液
で除去し、5iOz膜3の一部を露出させる。工程(d
)では、全面にMo、Auを連続して蒸着して配線金属
層6を形成する。工程(e)では、レジスト膜4をレジ
スト剥離剤(J−100)によって除去すると同時に配
線金属6の一部を除去する、いわゆるリフト・オフ法に
よって、電極配線パターン7を形成する。
で除去し、5iOz膜3の一部を露出させる。工程(d
)では、全面にMo、Auを連続して蒸着して配線金属
層6を形成する。工程(e)では、レジスト膜4をレジ
スト剥離剤(J−100)によって除去すると同時に配
線金属6の一部を除去する、いわゆるリフト・オフ法に
よって、電極配線パターン7を形成する。
上述のように、本発明によればスルーホール5を経由し
て電極金属層2と電極配線パターン7とを位置合せする
ことなく接続することが可能なことから、特に微細な電
極形状を有する半導体デバイスの外部リード取り出し用
の配線パターンを形成する上で顕著な効果がある。また
、本発明ゆCVD法による5iOz膜3を絶縁膜として
用いていることから、熱酸化膜を利用するために配線金
属材をAQに限定しなければならなかった従来の不都合
を解消できた。
て電極金属層2と電極配線パターン7とを位置合せする
ことなく接続することが可能なことから、特に微細な電
極形状を有する半導体デバイスの外部リード取り出し用
の配線パターンを形成する上で顕著な効果がある。また
、本発明ゆCVD法による5iOz膜3を絶縁膜として
用いていることから、熱酸化膜を利用するために配線金
属材をAQに限定しなければならなかった従来の不都合
を解消できた。
本発明によれば電極配線パターン形成において、配線用
金属の種類が限定されない高密度配線・実装に適した微
細形状の配線パターンを簡便な工程によって形成できる
ので、デバイス性能のみならず経済性の向上にも顕著な
効果がある。
金属の種類が限定されない高密度配線・実装に適した微
細形状の配線パターンを簡便な工程によって形成できる
ので、デバイス性能のみならず経済性の向上にも顕著な
効果がある。
第1図は、本発明による電極配線パターン形成工程の一
実施例を説明する図である。 1・・・G a A s基板、2・・・電極金属層、3
・・・5ins膜、4・・・レジスト膜、5・・・スル
ーホール、6・・・記音 1 図
実施例を説明する図である。 1・・・G a A s基板、2・・・電極金属層、3
・・・5ins膜、4・・・レジスト膜、5・・・スル
ーホール、6・・・記音 1 図
Claims (1)
- 1、機能デバイスを構成要素として含む半導体基板の上
に第1の金属層及び絶縁膜を順次形成し、さらに該絶縁
膜上に厚さの異なるレジスト膜を部分的に形成する工程
、前記絶縁膜の露出部分にスルーホールを形成し前記第
1の金属層を露出させる工程、第2の金属層を全面に形
成する工程、及び前記レジスト膜の残分を除去すること
により前記第2の金属層を部分的に除去するリフトオフ
工程含むことを特徴とする電極配線パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6406386A JPS62221132A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 電極配線パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6406386A JPS62221132A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 電極配線パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62221132A true JPS62221132A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13247258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6406386A Pending JPS62221132A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 電極配線パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62221132A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017523611A (ja) * | 2014-07-22 | 2017-08-17 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 共面型酸化物半導体tft基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6406386A patent/JPS62221132A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017523611A (ja) * | 2014-07-22 | 2017-08-17 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 共面型酸化物半導体tft基板の製造方法 |
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