JPS62212492A - アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル - Google Patents
アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネルInfo
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関し、更に詳しくはアルカリハライド蛍光体を含有する
蛍光体複層構成の放射線画像変換パネルに関する。
関し、更に詳しくはアルカリハライド蛍光体を含有する
蛍光体複層構成の放射線画像変換パネルに関する。
(従来技術)
X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れKより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れKより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収
によシ蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具
体的には、例えば米国特許3,859,527号及び特
開昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い、可視
光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法
が示されている。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体
層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによりて各部の蓄積された放射線エネルギーを放射さ
せてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号によ
り画像を得るものである。この最終的な画像はハードコ
ピーとして再生してもよいし、CrLT上に再生しても
よい。
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収
によシ蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具
体的には、例えば米国特許3,859,527号及び特
開昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い、可視
光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法
が示されている。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体
層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによりて各部の蓄積された放射線エネルギーを放射さ
せてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号によ
り画像を得るものである。この最終的な画像はハードコ
ピーとして再生してもよいし、CrLT上に再生しても
よい。
一方、物体を透過してくる放射線によって物体の内部を
探査する。例えば診療用X線撮影のような方法において
、物質の放射線吸収係数の放射線エネルギー依存性が物
質によって異なることを利用して、その探査能力を向上
させようとする試みがなされてきた。
探査する。例えば診療用X線撮影のような方法において
、物質の放射線吸収係数の放射線エネルギー依存性が物
質によって異なることを利用して、その探査能力を向上
させようとする試みがなされてきた。
例えば、日医放会誌 第12巻 第1号 nページに発
表されているように、2枚の増感紙A、Bを交換して使
用し、AはX線によシ赤橙色に、Bは青緑色に発色する
ものを用い、それぞれ異なるX線管球電圧と、異なるフ
ィルターとを用い、1枚のカラーフィルム上に2回のX
線照射を行って撮影する方法がある。
表されているように、2枚の増感紙A、Bを交換して使
用し、AはX線によシ赤橙色に、Bは青緑色に発色する
ものを用い、それぞれ異なるX線管球電圧と、異なるフ
ィルターとを用い、1枚のカラーフィルム上に2回のX
線照射を行って撮影する方法がある。
しかしながら、このような複数回のX線照射を行う方法
は、単に手数がかかるばかりでなく診療用の場合には、
患者の被曝線量を増大させるという問題があり、また、
人体をはじめ動く物体の撮影の場合には、複数回のX線
照射の間の物体の動きが大きな障害となって、実用的で
ない。
は、単に手数がかかるばかりでなく診療用の場合には、
患者の被曝線量を増大させるという問題があり、また、
人体をはじめ動く物体の撮影の場合には、複数回のX線
照射の間の物体の動きが大きな障害となって、実用的で
ない。
このような欠点を取り除く試みとして、蛍光体の組成と
賦活剤の混合比を変えて、三原色が同時に発光する特殊
カラー増感紙とカラーフィルムを用いて、X線撮影を行
う方法が知られている。しかし、この方法は、現像処理
に多大な時間と労力が必要であシ、実用化されていない
。
賦活剤の混合比を変えて、三原色が同時に発光する特殊
カラー増感紙とカラーフィルムを用いて、X線撮影を行
う方法が知られている。しかし、この方法は、現像処理
に多大な時間と労力が必要であシ、実用化されていない
。
更に同一被写体に対して、互いに異なるエネルギー分布
を有する2種類の放射線を照射し、注目している物質が
異なって描出された2つの放射線画像を得、その後両画
像間で引き算を行ない、注目している物質の画像を得る
、いわゆるエネルギー・サブトラクシ1ン方法が知られ
ている。
を有する2種類の放射線を照射し、注目している物質が
異なって描出された2つの放射線画像を得、その後両画
像間で引き算を行ない、注目している物質の画像を得る
、いわゆるエネルギー・サブトラクシ1ン方法が知られ
ている。
しかし、この方法では既存の1.IチューブとTVカメ
ラからなるX線透視カメラの出力をデジタル処理し、或
いはXe−検出器等CTに使われるX線検出システムを
用いて画像を得るので、得られる画像は使用する機器の
画像分解能によりその画質が左右される。現在の機器は
前記画像分解能があまり高くなく、注目している物質に
対する微細な診断は不可能であるという問題がある。
ラからなるX線透視カメラの出力をデジタル処理し、或
いはXe−検出器等CTに使われるX線検出システムを
用いて画像を得るので、得られる画像は使用する機器の
画像分解能によりその画質が左右される。現在の機器は
前記画像分解能があまり高くなく、注目している物質に
対する微細な診断は不可能であるという問題がある。
しかも特殊な放射線源を必要としたり、2種の画像間に
撮影時間の差がある場合には画像自体にもずれが生じる
等画質以前の極めて対応困難な問題も含まれている。
撮影時間の差がある場合には画像自体にもずれが生じる
等画質以前の極めて対応困難な問題も含まれている。
これに対して、前記した輝尽性蛍光体からなる放射線画
像変換パネル(以後単に「変換パネル」と称す)を複数
枚構成とし、更には放射線の低エネルギー成分吸収物質
からなるフィルタを有する変換パネルを用いて、前記注
目している物質に対応する部分の画像情報を前記複数枚
の変換パネルに蓄積記録し、その後各放射線画像からサ
ブトラクション画像を得る方法が知られている。
像変換パネル(以後単に「変換パネル」と称す)を複数
枚構成とし、更には放射線の低エネルギー成分吸収物質
からなるフィルタを有する変換パネルを用いて、前記注
目している物質に対応する部分の画像情報を前記複数枚
の変換パネルに蓄積記録し、その後各放射線画像からサ
ブトラクション画像を得る方法が知られている。
具体的には、特開昭59−83486号に以下のよな種
々の方法が示されている。
々の方法が示されている。
(1)被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、複数枚重積してセットされた輝尽性蛍光体層
を有する変換パネルに同時に照射して、これら変換パネ
ルのうち被写体からより遠い位置に置かれた変換パネル
に被写体により近い位置に置かれた変換パネルよりも前
記特定の構造物に対応する部分において放射線の低エネ
ルギー成分がより吸収された画像情報がWt[されるよ
うに各変換パネル毎に放射線画像を蓄積記録し、その後
前記各変換パネルを輝尽励起光で走査して、それら変換
パネルに蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光に変換
し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル画像信
号に変換し、このデジタル画像信号に変換された前記各
放射線画像から少なくとも2つのサブトラクションすべ
き放射線画像を得、この少なくとも2つのサブトラクシ
ョンすべき放射線画像の対応する画素間でデジタル画像
信号の引き算を行なう方法、 (2)被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を a)重積してセットされた複数枚の変換パネルと b)これら変換パネルの各変換パネル間の少なくとも1
個所に介在せしめられた放射線の低エネルギー成分吸収
物質からなるフィルタとからなる変換パネル−フィルタ
重積体に照射し、フィルタが介在せしめられている個所
に関して被写体とは反対の側に位置する変換パネルに被
写体の側に位置する変換パネルよりも前記特定の構造物
に対応する部分において放射線の低エネルギー成分がよ
り吸収された画像情報が記録されるように各変換パネル
に放射線画像を蓄積記録し、その後前記各変換パネルを
輝尽励起光で走査して、それら変換パネルに蓄積記録さ
れた各放射線画像を輝尽発光に変換し、この輝尽発光を
光電的に読み取ってデジタル画像信号に変換し、フィル
タが介在せしめられた個所によって(フィルタが介在せ
しめられた個所の数+1)個のブロックに分けられた前
記変換パネル−フィルタ重積体の各ブロック毎にそのブ
ロックに存在する変換パネルから得られた前記デジタル
画像信号に変換された放射線画像より1つのサブトラク
シコンすべき放射線画像を得ることによって(フィルタ
が介在せしめられた個所の数+1)個のサブトラクショ
ンすべき放射線画像を得、それらサブトラクションすべ
き放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号の引
き算を行なう方法、などである。
放射線を、複数枚重積してセットされた輝尽性蛍光体層
を有する変換パネルに同時に照射して、これら変換パネ
ルのうち被写体からより遠い位置に置かれた変換パネル
に被写体により近い位置に置かれた変換パネルよりも前
記特定の構造物に対応する部分において放射線の低エネ
ルギー成分がより吸収された画像情報がWt[されるよ
うに各変換パネル毎に放射線画像を蓄積記録し、その後
前記各変換パネルを輝尽励起光で走査して、それら変換
パネルに蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光に変換
し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル画像信
号に変換し、このデジタル画像信号に変換された前記各
放射線画像から少なくとも2つのサブトラクションすべ
き放射線画像を得、この少なくとも2つのサブトラクシ
ョンすべき放射線画像の対応する画素間でデジタル画像
信号の引き算を行なう方法、 (2)被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を a)重積してセットされた複数枚の変換パネルと b)これら変換パネルの各変換パネル間の少なくとも1
個所に介在せしめられた放射線の低エネルギー成分吸収
物質からなるフィルタとからなる変換パネル−フィルタ
重積体に照射し、フィルタが介在せしめられている個所
に関して被写体とは反対の側に位置する変換パネルに被
写体の側に位置する変換パネルよりも前記特定の構造物
に対応する部分において放射線の低エネルギー成分がよ
り吸収された画像情報が記録されるように各変換パネル
に放射線画像を蓄積記録し、その後前記各変換パネルを
輝尽励起光で走査して、それら変換パネルに蓄積記録さ
れた各放射線画像を輝尽発光に変換し、この輝尽発光を
光電的に読み取ってデジタル画像信号に変換し、フィル
タが介在せしめられた個所によって(フィルタが介在せ
しめられた個所の数+1)個のブロックに分けられた前
記変換パネル−フィルタ重積体の各ブロック毎にそのブ
ロックに存在する変換パネルから得られた前記デジタル
画像信号に変換された放射線画像より1つのサブトラク
シコンすべき放射線画像を得ることによって(フィルタ
が介在せしめられた個所の数+1)個のサブトラクショ
ンすべき放射線画像を得、それらサブトラクションすべ
き放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号の引
き算を行なう方法、などである。
しかし、これら方法のうち(1)の方法は、変換パネル
が複数枚となるため取扱いが面倒である、サブトラクシ
ョン時における位置合わせがむずかしい等の欠点がある
。更に(1)の方法では、複数枚の変換パネルの放射線
吸収特性を変えるために放射線吸収特性の異なる輝尽性
蛍光体を用いたり、輝尽性蛍光体層中に放射線の低エネ
ルギー成分吸収物質を混入する必要があるが、前者では
使用する輝尽性蛍光体が著しく限定されるため好ましく
ない。また後者では低エネルギー成分吸収物質のために
変換パネルの感度が低下して好ましくない。
が複数枚となるため取扱いが面倒である、サブトラクシ
ョン時における位置合わせがむずかしい等の欠点がある
。更に(1)の方法では、複数枚の変換パネルの放射線
吸収特性を変えるために放射線吸収特性の異なる輝尽性
蛍光体を用いたり、輝尽性蛍光体層中に放射線の低エネ
ルギー成分吸収物質を混入する必要があるが、前者では
使用する輝尽性蛍光体が著しく限定されるため好ましく
ない。また後者では低エネルギー成分吸収物質のために
変換パネルの感度が低下して好ましくない。
(2)の方法は、前記(1)の方法の様に低エネルギー
成分吸収物質が使用されないので感度の低下はないが、
(1)の方法と同様に変換パネルが複数枚となるため取
扱いが面倒である、サブトラクション時における位置合
わせがむずかしい等の欠点があるばかりか、複数の輝尽
性蛍光体層間に支持体とフィルタが存在するため、得ら
れる画像間でズレが生じアーチファクトとなる重大な欠
点を有し、どの方法も操作面、画質面の両方に於て極め
て重要な問題が生じてしまう。
成分吸収物質が使用されないので感度の低下はないが、
(1)の方法と同様に変換パネルが複数枚となるため取
扱いが面倒である、サブトラクション時における位置合
わせがむずかしい等の欠点があるばかりか、複数の輝尽
性蛍光体層間に支持体とフィルタが存在するため、得ら
れる画像間でズレが生じアーチファクトとなる重大な欠
点を有し、どの方法も操作面、画質面の両方に於て極め
て重要な問題が生じてしまう。
一方、前記複数枚の変換パネルを用いる方法に対して1
枚の変換パネルに複数の放射線画像を蓄積記録し、その
後裔放射線画像からサブトラクション画像を得る方法も
知られている。
枚の変換パネルに複数の放射線画像を蓄積記録し、その
後裔放射線画像からサブトラクション画像を得る方法も
知られている。
具体的には、前記特開昭59−83486号に示される
ような、 (3)被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を a)放射線の低エネルギー成分吸収物質からなる支持体
と、 b)この支持体の画面上に設けられた輝尽性蛍光体層 とからなる変換パネルに照射し、前記変換パネルの支持
体の被写体とは反対側の面上に設けられた輝尽性蛍光体
層に該支持体の被写体側の面上に設けられた輝尽性蛍光
体層よりも前記特定の構造物に対応する部分において放
射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報が記
録されるように各輝尽性蛍光体層に放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査
してそれら層に蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光
に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル
画像信号に変換し、このデジタル画像信号に変換された
2つの放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号
の引き算を行なう方法、特開昭60−35300号に示
されるような、(4)被写体に放射線を照射し、この被
写体を透過した放射線を、輝尽発光効率の放射線エネル
ギー依存性が互いに異なる2種類以上の輝尽性蛍光体を
有する変換パネルに照射して、複数の放射線画像を蓄積
記録し、その後前記変換パネルを輝尽励起光で走査して
、前記蓄積記録された複数の放射線画像を分離して検出
し、該放射線画像の少なくとも2つを用いてサブトラク
ションを行なう方法、などである。
ような、 (3)被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を a)放射線の低エネルギー成分吸収物質からなる支持体
と、 b)この支持体の画面上に設けられた輝尽性蛍光体層 とからなる変換パネルに照射し、前記変換パネルの支持
体の被写体とは反対側の面上に設けられた輝尽性蛍光体
層に該支持体の被写体側の面上に設けられた輝尽性蛍光
体層よりも前記特定の構造物に対応する部分において放
射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報が記
録されるように各輝尽性蛍光体層に放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査
してそれら層に蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光
に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル
画像信号に変換し、このデジタル画像信号に変換された
2つの放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号
の引き算を行なう方法、特開昭60−35300号に示
されるような、(4)被写体に放射線を照射し、この被
写体を透過した放射線を、輝尽発光効率の放射線エネル
ギー依存性が互いに異なる2種類以上の輝尽性蛍光体を
有する変換パネルに照射して、複数の放射線画像を蓄積
記録し、その後前記変換パネルを輝尽励起光で走査して
、前記蓄積記録された複数の放射線画像を分離して検出
し、該放射線画像の少なくとも2つを用いてサブトラク
ションを行なう方法、などである。
これらの方法は、複数の放射線画像が1枚の変換パネル
から得られるので、変換パネルの取扱い、サブトラクシ
コン時の画像の位置合わせ等が容易である利点を有する
。
から得られるので、変換パネルの取扱い、サブトラクシ
コン時の画像の位置合わせ等が容易である利点を有する
。
しかし、これら方法のうち(3)の方法は、放射線エネ
ルギーの分離を支持体のみによって行なうため、支持体
を金属等の放射線吸収特性のよい物質にする必要があり
パネルの取扱いが不便となる、パネルの曲げに対する耐
久性が低下する等の欠点があるばかりか、前記と同様の
理由により、放射線エネルギーの分離が十分ではなく、
得られる複数枚の放射線画像間に放射線エネルギー差に
よる違いがほとんどないので、サブトラクションした場
合に良好な画像が得られない欠点がある。
ルギーの分離を支持体のみによって行なうため、支持体
を金属等の放射線吸収特性のよい物質にする必要があり
パネルの取扱いが不便となる、パネルの曲げに対する耐
久性が低下する等の欠点があるばかりか、前記と同様の
理由により、放射線エネルギーの分離が十分ではなく、
得られる複数枚の放射線画像間に放射線エネルギー差に
よる違いがほとんどないので、サブトラクションした場
合に良好な画像が得られない欠点がある。
また、(4)の方法は輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性が異なる蛍光体を用いて放射線エネルギーを分離
吸収し、その蓄積記録された複数枚の放射線画像を分離
検出する方法は甚だ有用であるけれども、従来用いられ
る輝尽性蛍光体の種類が限定されており選択が難しく、
また前記放射線画÷象を分離するのが困難であるのが現
状である。
依存性が異なる蛍光体を用いて放射線エネルギーを分離
吸収し、その蓄積記録された複数枚の放射線画像を分離
検出する方法は甚だ有用であるけれども、従来用いられ
る輝尽性蛍光体の種類が限定されており選択が難しく、
また前記放射線画÷象を分離するのが困難であるのが現
状である。
即ち従来知られている輝尽性蛍光体のうち、Xレイに対
する感度、輝尽励起光に対する応答速度、残光等の点か
ら実用の範囲に入るものは、BaFX2+ :Eu またはLa0X : Oe であり、これ
らはXレイの吸収特性に゛あまり差がなく吸収差別化に
種々の補充手段を必要とする。
する感度、輝尽励起光に対する応答速度、残光等の点か
ら実用の範囲に入るものは、BaFX2+ :Eu またはLa0X : Oe であり、これ
らはXレイの吸収特性に゛あまり差がなく吸収差別化に
種々の補充手段を必要とする。
(発明の目的)
−本発明は前記の様な状況に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は下記要件を満す変換パネルの提供にあ
る。
、本発明の目的は下記要件を満す変換パネルの提供にあ
る。
(1)エネルギーサブトラクシコンを簡便に行ない得る
こと、 (2) エネルギーサブトラクションすべき2枚の画
像の位置合わせが容易なこと、 (3)変換パネルが複数枚とならず取扱いが容易である
こと、 (4) エネルギーサブトラクションすべき2枚の画
像間で放射線エネルギーの分離が十分室なわれているこ
と。
こと、 (2) エネルギーサブトラクションすべき2枚の画
像の位置合わせが容易なこと、 (3)変換パネルが複数枚とならず取扱いが容易である
こと、 (4) エネルギーサブトラクションすべき2枚の画
像間で放射線エネルギーの分離が十分室なわれているこ
と。
(発明の構成)
前記本発明の目的は、輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性が異る少くとも2種類の輝尽性蛍光体が夫々に少
くとも2つの別層の輝尽性蛍光体層に含まれて構成され
る放射線画像変換・くネルに於て、前記少くとも2種類
の輝尽性蛍光体の1つが下記一般式で表わされるアルカ
リノ・ライド蛍光体であることを特徴とする称記放射線
画像変換ノくネルによって達成される。
依存性が異る少くとも2種類の輝尽性蛍光体が夫々に少
くとも2つの別層の輝尽性蛍光体層に含まれて構成され
る放射線画像変換・くネルに於て、前記少くとも2種類
の輝尽性蛍光体の1つが下記一般式で表わされるアルカ
リノ・ライド蛍光体であることを特徴とする称記放射線
画像変換ノくネルによって達成される。
M’X 、 aM”X’2 ・bM”X: : cA但
し、MlはLi 、 Na 、 K 、 Rb及びCa
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、M
lはBe 、 Mg 、 C!a 、 Sr 、 Ba
、 Zn 、 Cd 、 Ou及びNiから選ばれる
少なくとも1種の二価金属である。
し、MlはLi 、 Na 、 K 、 Rb及びCa
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、M
lはBe 、 Mg 、 C!a 、 Sr 、 Ba
、 Zn 、 Cd 、 Ou及びNiから選ばれる
少なくとも1種の二価金属である。
MliはSc 、 Y 、 La 、 Ce 、 Pr
、 Nd 、 Pm 、 Sm 。
、 Nd 、 Pm 、 Sm 。
Eu 、 Gd 、 Tb 、 DY 、 Ho 、
Er 、 Tm 、 Yb 、 Lu 。
Er 、 Tm 、 Yb 、 Lu 。
Al、 Ga及びInから選ばれる少なくとも1種の三
価金属である。x 、 x’及びx’はF、Oe、Br
及びIから選ばれる少なくとも1種の・・ロゲンである
。AはEu 、 Tb 、 Oc 、 Tm 、 Dy
、 Pr 、 Ha 。
価金属である。x 、 x’及びx’はF、Oe、Br
及びIから選ばれる少なくとも1種の・・ロゲンである
。AはEu 、 Tb 、 Oc 、 Tm 、 Dy
、 Pr 、 Ha 。
Nd 、 Yl) 、 Er 、 Gd 、 L
u 、 Sm 、 Y 、 T(J 、 Na 。
u 、 Sm 、 Y 、 T(J 、 Na 。
Ag 、 Ou及びMgから選ばれる少なくとも1種の
金属である。またaは、0≦a < 0.5の範囲の数
値であり、bはO≦b < 0.5の範囲の数値であり
、CはO<C50,2の範囲の数値である。
金属である。またaは、0≦a < 0.5の範囲の数
値であり、bはO≦b < 0.5の範囲の数値であり
、CはO<C50,2の範囲の数値である。
次に本発明の詳細な説明する。
本発明に於て、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性
が異るとは、具体的には組成の異なる輝尽性蛍光体であ
って放射線例えばX線の吸収特性を異にし硬X線に対し
好都合にX線エネルギーを吸収するもの或は軟X線に対
し好都合なものであり、付随的にX線を吸収した輝尽性
蛍光体間に輝尽潜像の輝尽発光スペクトル及び/または
輝尽励起光スペクトルが異っていることを意味する。
が異るとは、具体的には組成の異なる輝尽性蛍光体であ
って放射線例えばX線の吸収特性を異にし硬X線に対し
好都合にX線エネルギーを吸収するもの或は軟X線に対
し好都合なものであり、付随的にX線を吸収した輝尽性
蛍光体間に輝尽潜像の輝尽発光スペクトル及び/または
輝尽励起光スペクトルが異っていることを意味する。
場所的に放射線吸収効率の放射線エネルギー依存性(放
射線吸収スペクトル)が異なる被写体に放射線を照射し
た場合、透過した放射線のつくる画像は、その放射線エ
ネルギーの硬軟によって異なっている。
射線吸収スペクトル)が異なる被写体に放射線を照射し
た場合、透過した放射線のつくる画像は、その放射線エ
ネルギーの硬軟によって異なっている。
例えば、高いエネルギーの放射線照射によって得られる
放射線画像は、高いエネルギーの放射線をより吸収しや
すい物質を強調し、低いエネルギーの放射線照射によっ
て得られる放射線画像は、低いエネルギーの放射線をよ
り吸収しやすい物質を強調する。
放射線画像は、高いエネルギーの放射線をより吸収しや
すい物質を強調し、低いエネルギーの放射線照射によっ
て得られる放射線画像は、低いエネルギーの放射線をよ
り吸収しやすい物質を強調する。
従って、被写体にいくつかのエネルギーを含むブロード
な波長域の放射線を照射し、透過してくる放射線画像を
変換パネルに入射すると、蓄積エネルギーからなる放射
線画像の潜像(輝尽潜像)は、変換パネルを構成する輝
尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互いに異なる輝
尽性蛍光体の組み合せ方に応じ、複数の潜像を同時に1
枚のパネル上に得ることができる。
な波長域の放射線を照射し、透過してくる放射線画像を
変換パネルに入射すると、蓄積エネルギーからなる放射
線画像の潜像(輝尽潜像)は、変換パネルを構成する輝
尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互いに異なる輝
尽性蛍光体の組み合せ方に応じ、複数の潜像を同時に1
枚のパネル上に得ることができる。
このようにして得られた複数の潜像を分離して検出し、
複数の画像を再生するには、次のようないくつかの方法
がある。
複数の画像を再生するには、次のようないくつかの方法
がある。
ひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性と輝
尽発光スペクトルが互いに異なる輝尽性蛍光体を組み合
わせて使用し、輝尽発光の検出に際し、この発光スペク
トルの差を利用して分離する方法である。
尽発光スペクトルが互いに異なる輝尽性蛍光体を組み合
わせて使用し、輝尽発光の検出に際し、この発光スペク
トルの差を利用して分離する方法である。
また、他のひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性と輝尽励起スペクトルが互いに異なる蛍光体を使
用し、波長の異なる輝尽励起光で輝尽発行させることに
よって分離する方法である。
依存性と輝尽励起スペクトルが互いに異なる蛍光体を使
用し、波長の異なる輝尽励起光で輝尽発行させることに
よって分離する方法である。
画像を再生する別のひとつの方法は、輝尽発光効率の放
射線エネルギー依存性が互いに異なる輝尽性蛍光体を、
層状に配置し、その空間的位置を利用して分離する方法
である。
射線エネルギー依存性が互いに異なる輝尽性蛍光体を、
層状に配置し、その空間的位置を利用して分離する方法
である。
前記本発明に係るアルカリハライド蛍光体(以後1’−
A HJと標記する)としては前記一般式に於て、MI
がK 、 Rb 、 Osのうちの少くとも1つのアル
カリ金属であり、M’としてMg 、 Oa 、 Sr
’+ Baのうちの少くとも1つのアルカリ土類金属
であり、また付活剤AはEu 、 Tl、 Naのうち
の少くとも1つであり、且つ0≦a < 0.1.0≦
b<0.05.0 (c≦0.1である蛍光体が好しい
。特に好しくは、MlがRb及び/まだはCs、M’が
Ca 、 Sr 。
A HJと標記する)としては前記一般式に於て、MI
がK 、 Rb 、 Osのうちの少くとも1つのアル
カリ金属であり、M’としてMg 、 Oa 、 Sr
’+ Baのうちの少くとも1つのアルカリ土類金属
であり、また付活剤AはEu 、 Tl、 Naのうち
の少くとも1つであり、且つ0≦a < 0.1.0≦
b<0.05.0 (c≦0.1である蛍光体が好しい
。特に好しくは、MlがRb及び/まだはCs、M’が
Ca 、 Sr 。
Baのいずれかであり、AがTe及び/またはNaであ
り、且つ0≦a<0.1,0≦b < 0.01である
蛍光体である。
り、且つ0≦a<0.1,0≦b < 0.01である
蛍光体である。
本発明に係るA I−Iは、変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に30w1 %以上、好ましくは50wt1以上、
最も好ましくは全量A I−Iである。
層中に30w1 %以上、好ましくは50wt1以上、
最も好ましくは全量A I−Iである。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言う
が、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励
起光によりて輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられるアルカリハライド蛍光
体以外の輝尽性蛍光体(以後「N A I−I )と標
記する)としては、例えば特開昭48−80487号に
記載されているBaSO4: Ax (但しAはDy、
Tb及びTmのうち少なくとも1種であり、xは0.0
01≦x < 1モルチである。)で表わされる蛍光体
、特開昭48−80488号記載のMgSO4: Ax
(但しAはHo或いはDyのうちいづれかであり、0
.001≦X≦1モルチである)で表わされる蛍光体、
特開昭48−80489号に記載されているSrSO4
: Ax(但しAはDy、 Tb及びTmのうち少なく
とも1種であり、Xは0.001≦x<tモルチである
。)で表わされている蛍光体、特開昭51−29889
号に記載されているMa2SO4、0aSO4及びBa
804等にMn 、 Dy及びTbのうち少なくとも1
種を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記載
されているBeO、LiF 、 MgSO4等の蛍光体
、特開昭53−39277号に記載されているLi2B
4O,: C!u 、 Ag等の蛍光体、特開昭54−
47883号に記載されているLizO・(B20z)
x : Ou (但しXは2<X≦3)、及びLi2O
−(B202)x : Ou 、 Ag (但しXは2
< x≦3)等の蛍光体、米国特許3.859.52
7号に記載されているSrS :Ce 、 Sm、 S
rS : Eu 、 Sm。
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言う
が、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励
起光によりて輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられるアルカリハライド蛍光
体以外の輝尽性蛍光体(以後「N A I−I )と標
記する)としては、例えば特開昭48−80487号に
記載されているBaSO4: Ax (但しAはDy、
Tb及びTmのうち少なくとも1種であり、xは0.0
01≦x < 1モルチである。)で表わされる蛍光体
、特開昭48−80488号記載のMgSO4: Ax
(但しAはHo或いはDyのうちいづれかであり、0
.001≦X≦1モルチである)で表わされる蛍光体、
特開昭48−80489号に記載されているSrSO4
: Ax(但しAはDy、 Tb及びTmのうち少なく
とも1種であり、Xは0.001≦x<tモルチである
。)で表わされている蛍光体、特開昭51−29889
号に記載されているMa2SO4、0aSO4及びBa
804等にMn 、 Dy及びTbのうち少なくとも1
種を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記載
されているBeO、LiF 、 MgSO4等の蛍光体
、特開昭53−39277号に記載されているLi2B
4O,: C!u 、 Ag等の蛍光体、特開昭54−
47883号に記載されているLizO・(B20z)
x : Ou (但しXは2<X≦3)、及びLi2O
−(B202)x : Ou 、 Ag (但しXは2
< x≦3)等の蛍光体、米国特許3.859.52
7号に記載されているSrS :Ce 、 Sm、 S
rS : Eu 、 Sm。
La2O2S : Hu 、 Sm及び(Zn 、 c
d ) S : Mn 、 X (但しXはハロゲン)
で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55−
12142号に記載されているZnS : Ou 、
Pb蛍光体、一般式がBaO−xAl2O3:Eu (
但し0.8≦X≦10)で表わされるアルミ/酸バリウ
ム蛍光体、及び一般式がM O* xsi02 : A
(但しMはMg 、 Ca 、 Sr 、 Zn 、
Cd又はBaであj5AはOe 、 Tb 、 Eu
、 Tm 、 Pb 、 Tl 、 Bi及びMnのう
ち少なくとも1種であり、Xは0.5≦X<2.5であ
る。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が
挙げられる。また、一般式が(Ba1−、−、Mg、O
a、) FX : emu”(但しXはB「及びClの
中の少なくとも1つであシ、”+ff及びeはそれぞれ
0<#+、≦0.61、、!′0及び10−6≦C≦5
X 10−”なる命件を満たす数である。)で表わさ
れるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、%開昭55
−12144号に記載されている一般式が LnOX : JeA (但しLnはLa 、 Y 、 Gd及びLuの少なく
とも1つを、XはCl及び/又はBrを、Aは(3e及
び/又はTbを、Xは0<、<0.1を満足する数を表
わす。)で表わされる蛍光体、7.特開昭55−121
45、号に記載されている一般式が (Bat−、M JF) FX : yA(但しMlは
、Mg 、 Oa 、 Sr 、 Zn及びCdのうち
の少なくとも1つを、XはCI 、 Br及び工のうち
の少なくとも1つを、AはEu 、 Tb 、 Oe
、 Tm 。
d ) S : Mn 、 X (但しXはハロゲン)
で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55−
12142号に記載されているZnS : Ou 、
Pb蛍光体、一般式がBaO−xAl2O3:Eu (
但し0.8≦X≦10)で表わされるアルミ/酸バリウ
ム蛍光体、及び一般式がM O* xsi02 : A
(但しMはMg 、 Ca 、 Sr 、 Zn 、
Cd又はBaであj5AはOe 、 Tb 、 Eu
、 Tm 、 Pb 、 Tl 、 Bi及びMnのう
ち少なくとも1種であり、Xは0.5≦X<2.5であ
る。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が
挙げられる。また、一般式が(Ba1−、−、Mg、O
a、) FX : emu”(但しXはB「及びClの
中の少なくとも1つであシ、”+ff及びeはそれぞれ
0<#+、≦0.61、、!′0及び10−6≦C≦5
X 10−”なる命件を満たす数である。)で表わさ
れるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、%開昭55
−12144号に記載されている一般式が LnOX : JeA (但しLnはLa 、 Y 、 Gd及びLuの少なく
とも1つを、XはCl及び/又はBrを、Aは(3e及
び/又はTbを、Xは0<、<0.1を満足する数を表
わす。)で表わされる蛍光体、7.特開昭55−121
45、号に記載されている一般式が (Bat−、M JF) FX : yA(但しMlは
、Mg 、 Oa 、 Sr 、 Zn及びCdのうち
の少なくとも1つを、XはCI 、 Br及び工のうち
の少なくとも1つを、AはEu 、 Tb 、 Oe
、 Tm 。
Dy 、 Pr 、 Ho 、 Nd 、 Yb及びE
「のうちの少なくとも1つを、2及びyは0≦2≦0.
6及び0≦y≦0.2なる条件を満たす数を表わす。)
で表わされる蛍光体、特開昭55−84389号に記載
されている一般式がBaFX : roe 、 yk
(但し、YはCI 。
「のうちの少なくとも1つを、2及びyは0≦2≦0.
6及び0≦y≦0.2なる条件を満たす数を表わす。)
で表わされる蛍光体、特開昭55−84389号に記載
されている一般式がBaFX : roe 、 yk
(但し、YはCI 。
Br及びIのうちの少なくとも1つ、AはIn 。
Tl 、 Gd 、 Sm及びZrのうちの少なくとも
1つであり、X及びyはそれぞれ0〈−≦2 X 10
” 及び0くν≦5 X 10−2である。)で表わ
される蛍光体、特開昭55−160078号に記載され
ている一般式が M FX −’、A : yLn (但しMlはMg 、 Oa 、 Ba’、 Sr 、
Zn及びCdのうちの少なくとも1種、AはBcO、
MgO、OaO。
1つであり、X及びyはそれぞれ0〈−≦2 X 10
” 及び0くν≦5 X 10−2である。)で表わ
される蛍光体、特開昭55−160078号に記載され
ている一般式が M FX −’、A : yLn (但しMlはMg 、 Oa 、 Ba’、 Sr 、
Zn及びCdのうちの少なくとも1種、AはBcO、
MgO、OaO。
SrO、BaO、ZnO、Al2O3、Y2O3r L
a2O31in20315i02 + TiO2,Zr
O□、 Gem、 、 SnO2,Nb2O,。
a2O31in20315i02 + TiO2,Zr
O□、 Gem、 、 SnO2,Nb2O,。
Ta205及びT1102のうちの少なくとも1種、L
nはEu 、 Tb 、 Ce 、 Tm 、 Dy
、 Pr 、 I(o 、 Nd 、 Yb 。
nはEu 、 Tb 、 Ce 、 Tm 、 Dy
、 Pr 、 I(o 、 Nd 、 Yb 。
Er 、 Sm及びGdのうちの少なくとも1種であり
、XはCl、 Br及び工のうちの少くとも1種であり
、!及びyはそれぞれ5×10 ≦X≦0.5及びOく
y≦0,2なる条件を満たす数である。)で表わされる
希土類元素付活2価金属フルオロノ・ライド蛍光体、一
般式がZnS : ASOdS : A、 (Zn
。
、XはCl、 Br及び工のうちの少くとも1種であり
、!及びyはそれぞれ5×10 ≦X≦0.5及びOく
y≦0,2なる条件を満たす数である。)で表わされる
希土類元素付活2価金属フルオロノ・ライド蛍光体、一
般式がZnS : ASOdS : A、 (Zn
。
Cd )S :A、 ZnS :A、X及びOdS:A
、X(但しAはCu 、 Ag 、 Au 、又はMn
であり、Xは)・ロゲンである。)で表わされる蛍光体
、特開昭57−148285号に記載されている下記い
づれかの一般式 %式%: : (式中、M及びNはそれぞれMg 、 Ca 、 Sr
。
、X(但しAはCu 、 Ag 、 Au 、又はMn
であり、Xは)・ロゲンである。)で表わされる蛍光体
、特開昭57−148285号に記載されている下記い
づれかの一般式 %式%: : (式中、M及びNはそれぞれMg 、 Ca 、 Sr
。
Ba 、 2口及びcdのうち少なくとも1種、XはF
。
。
(IJ 、 Br及び■のうち少なくとも1種、AはE
u 。
u 。
Tb 、 Ce 、 Tm 、 Dy 、 Pr 、
Ho 、 Nd 、 Yb 、 FJr 。
Ho 、 Nd 、 Yb 、 FJr 。
Sb 、 T6 、 Mn及びSnのうち少なくとも1
種を表わす。まだ、X及びyのo<、≦6.0≦y≦1
なる条件を満たす数である。)で表わされる蛍光体、下
記いづれかの一般式 %式%: (式中、几eはLa 、 Gd 、 Y 、 Luのう
ち少なくとも1種、Aはアルカリ土類金属、Ba 、
Sr 、 Caのうち少なくとも1種、X及びX′はF
、 Oll 、 Brのうち少なくとも1種を表わす
。また、X及びyは、I X 10 <−<3 X
10−’、txio−’<y<1xH)−1なる条件を
満たす数であり、17mはI X 1O−3(17m<
7 X 10−1なる条件を満たす。)で表わされる蛍
光体等が挙げられる。
種を表わす。まだ、X及びyのo<、≦6.0≦y≦1
なる条件を満たす数である。)で表わされる蛍光体、下
記いづれかの一般式 %式%: (式中、几eはLa 、 Gd 、 Y 、 Luのう
ち少なくとも1種、Aはアルカリ土類金属、Ba 、
Sr 、 Caのうち少なくとも1種、X及びX′はF
、 Oll 、 Brのうち少なくとも1種を表わす
。また、X及びyは、I X 10 <−<3 X
10−’、txio−’<y<1xH)−1なる条件を
満たす数であり、17mはI X 1O−3(17m<
7 X 10−1なる条件を満たす。)で表わされる蛍
光体等が挙げられる。
尚、本発明に好ましく用いられるアルカリ土類弗化物系
蛍光体の具体例としては、特開昭55−12143号、
同55−160078号及び同55−84389号に開
示された蛍光体が好ましく、特に好ましくはアルカリ土
類金属としとBa、付活剤としてEu及び/またはCe
を含むものである。
蛍光体の具体例としては、特開昭55−12143号、
同55−160078号及び同55−84389号に開
示された蛍光体が好ましく、特に好ましくはアルカリ土
類金属としとBa、付活剤としてEu及び/またはCe
を含むものである。
更に本発明に好ましく用いられるランタンオキシハライ
ド系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12144
号に開示された蛍光体が好しく、特に好しくはハライド
がブロマイドであり、付活剤がCCである蛍光体である
。
ド系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12144
号に開示された蛍光体が好しく、特に好しくはハライド
がブロマイドであり、付活剤がCCである蛍光体である
。
これらAHとは別層に含有させるN A Hは該層中に
3Owt%以上、好しくは50Wt 1以上、最も好し
くけ全量NAHである。
3Owt%以上、好しくは50Wt 1以上、最も好し
くけ全量NAHである。
本発明に係るAH,または放射線エネルギー吸収特性が
高エネルギー側でAHよりも高いN A Hを夫々に含
む輝尽性蛍光体層は、夫々に輝尽性蛍光体或は分散剤等
をバインダー液中に懸濁、溶解させて調合した蛍光体塗
料を性能別に分けて別層に塗布して形成される。
高エネルギー側でAHよりも高いN A Hを夫々に含
む輝尽性蛍光体層は、夫々に輝尽性蛍光体或は分散剤等
をバインダー液中に懸濁、溶解させて調合した蛍光体塗
料を性能別に分けて別層に塗布して形成される。
或はまた蒸着、スパッタリング等の気相堆積法を用いて
、蛍光体毎忙別けて蒸発させる多元蒸発源、もし蒸発速
度による支障が起らなければ混合−元蒸発源によって気
相堆積して形成させてもよいし、更に時系列的に堆積に
順序を与え多層堆積層としてもよい。
、蛍光体毎忙別けて蒸発させる多元蒸発源、もし蒸発速
度による支障が起らなければ混合−元蒸発源によって気
相堆積して形成させてもよいし、更に時系列的に堆積に
順序を与え多層堆積層としてもよい。
まだ本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍光
体層のうち少なくとも一層が放射線エネルギー吸収層に
より他の輝尽性蛍光体層と分離されて設けられているこ
とが好しい。更に前記放射線エネルギー吸収層は放射線
の低エネルギー成分を吸収し高エネルギー成分を透過す
るものであることが好ましい。
体層のうち少なくとも一層が放射線エネルギー吸収層に
より他の輝尽性蛍光体層と分離されて設けられているこ
とが好しい。更に前記放射線エネルギー吸収層は放射線
の低エネルギー成分を吸収し高エネルギー成分を透過す
るものであることが好ましい。
また該吸収層の材質については金属を含有していること
が好ましく、該含有金属が金属もしくは金属化合物であ
ること、特に金属酸化物、金属水酸化物および金属塩の
中から選ばれることが好ましい。
が好ましく、該含有金属が金属もしくは金属化合物であ
ること、特に金属酸化物、金属水酸化物および金属塩の
中から選ばれることが好ましい。
尚隔てられた蛍光体層は放射線の入射側より射出側が厚
いことが好ましい。
いことが好ましい。
前記した吸収層に含有させる金属もしくは金属化合物は
粉末(無定形状態)としてバインダーに分散して塗設さ
れてもよいし、気相堆積法(例えば蒸着法)或はミート
状の薄膜として輝尽性蛍光体層間に600 tm未満好
ましくは400μm未満の層として設けられてもよい。
粉末(無定形状態)としてバインダーに分散して塗設さ
れてもよいし、気相堆積法(例えば蒸着法)或はミート
状の薄膜として輝尽性蛍光体層間に600 tm未満好
ましくは400μm未満の層として設けられてもよい。
前記金属としては特にZn 、 Al、 Cd 、 A
u 、 Ag 。
u 、 Ag 。
Or 、 Co 、 Sn 、 W 、 Ti
、 Fc 、 Cu 、 PI) 、 Ni
。
、 Fc 、 Cu 、 PI) 、 Ni
。
Mo 、 Ta 、 Nb及びVが好ましく選ばれ、金
属化合物としては、これらの金属の難溶性もしくは不溶
性の化合物等に酸化物、水酸化物、金属塩等が選ばれる
。
属化合物としては、これらの金属の難溶性もしくは不溶
性の化合物等に酸化物、水酸化物、金属塩等が選ばれる
。
前記金属以外としては、金属化合物として安定に存在す
るアルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよく、
金属化合物を吸収層に用いる場合には使用できる金属の
種類が増えて好ましい。
るアルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよく、
金属化合物を吸収層に用いる場合には使用できる金属の
種類が増えて好ましい。
また前記塩としてはそれぞれの金属の硫酸塩、炭酸塩、
クロム酸塩等が好ましい。
クロム酸塩等が好ましい。
前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として吸収層
に用いる場合には変換パネルの可撓性が失なわれること
がなく好ましい。
に用いる場合には変換パネルの可撓性が失なわれること
がなく好ましい。
また、前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として
吸収層に用いる時には該物質が白色金属化合物特に白色
の金属酸化物、金属水酸化物、金属塩等であると、吸収
層が輝尽励起光及び/または輝尽発光の反射層となり感
度が向上しより好ましい。
吸収層に用いる時には該物質が白色金属化合物特に白色
の金属酸化物、金属水酸化物、金属塩等であると、吸収
層が輝尽励起光及び/または輝尽発光の反射層となり感
度が向上しより好ましい。
更に本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍光
体層のうち少なくとも一層は少なくとも一層の輝尽励起
光遮断層によって他の輝尽性蛍光体層と分離して設けら
れていることが好ましい。
体層のうち少なくとも一層は少なくとも一層の輝尽励起
光遮断層によって他の輝尽性蛍光体層と分離して設けら
れていることが好ましい。
変換パネルの該輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光を反射
および/または吸収する材料であればどのようなもので
あっても使用できるが、蛍光体パネルとしての取扱い上
可撓性のあるものが好ましい。この点から、例えばAI
!、 Pb 、 Ni 、 Cu 、 Zn 。
および/または吸収する材料であればどのようなもので
あっても使用できるが、蛍光体パネルとしての取扱い上
可撓性のあるものが好ましい。この点から、例えばAI
!、 Pb 、 Ni 、 Cu 、 Zn 。
Ag 、 Pt 、 Au 、 Fe等の金属およびこ
れらの合金から成る金属シート、セルロースアセテート
フィルム、ホリエステルフイルム、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフ
ィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム等のプラスチックフィルムシート、および紙など
種々のシート状材料が挙げられる。ただし、輝尽励起光
遮断層としてプラスチックフィルムシートおよび紙を用
いる場合には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断
する能力がはとんどないため、前記シートが輝尽励起光
反射層あるいは吸収層となるように、前記シート自体を
着色する必要がある。前記シートが輝尽励起光反射層と
なるようにするには、前記シートを白色顔料等で着色す
ればよいし、輝尽励起光吸収層となるようにするには、
前記シートを輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔
料等で着色すればよい。
れらの合金から成る金属シート、セルロースアセテート
フィルム、ホリエステルフイルム、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフ
ィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム等のプラスチックフィルムシート、および紙など
種々のシート状材料が挙げられる。ただし、輝尽励起光
遮断層としてプラスチックフィルムシートおよび紙を用
いる場合には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断
する能力がはとんどないため、前記シートが輝尽励起光
反射層あるいは吸収層となるように、前記シート自体を
着色する必要がある。前記シートが輝尽励起光反射層と
なるようにするには、前記シートを白色顔料等で着色す
ればよいし、輝尽励起光吸収層となるようにするには、
前記シートを輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔
料等で着色すればよい。
前記シート自体を着色する代わりに前記シートの片面あ
るいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けて
もよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面に
金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよいし
、白色顔料層等を塗布等の方法で設けてもよい。輝尽励
起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるいは
黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設けれ
ばよい。
るいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けて
もよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面に
金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよいし
、白色顔料層等を塗布等の方法で設けてもよい。輝尽励
起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるいは
黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設けれ
ばよい。
さらに、必要に応じて前記シートを着色した後、その表
面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよいし
、前記シートの片面に輝尽励起光反射層を設け、他方に
輝尽励起光吸収層を設けてもよい。
面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよいし
、前記シートの片面に輝尽励起光反射層を設け、他方に
輝尽励起光吸収層を設けてもよい。
また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材料以外に
も白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗布
したものであってもよい。
も白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗布
したものであってもよい。
本発明の蛍光体パネルの輝尽励起光遮断層の層厚は、薄
い#1ど好ましいが実用的には600μm未満、さらに
好ましくは400μm未満である。前記輝尽励起光遮断
層の層厚が600μm以上の場合には得られる画像のズ
レが大きく好ましくないばかりか蛍光体パネル全体の層
厚自体が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、これ
ら輝尽励起光遮断層は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽励起光遮断層の片面又は両面に下引
き層を設けてもよい。
い#1ど好ましいが実用的には600μm未満、さらに
好ましくは400μm未満である。前記輝尽励起光遮断
層の層厚が600μm以上の場合には得られる画像のズ
レが大きく好ましくないばかりか蛍光体パネル全体の層
厚自体が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、これ
ら輝尽励起光遮断層は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽励起光遮断層の片面又は両面に下引
き層を設けてもよい。
前記放射線の吸収層は一般に輝尽励起光の遮断層として
も機能しうるので、両機能を兼用させてもよい。また支
持体は放射線吸収剤或は輝尽励起光遮断剤を含有させる
ことにより、変換パネル構成層担持機能の外に吸収層及
び/または遮断層として活用すれば変換パネルの構成を
簡略化するととができる。
も機能しうるので、両機能を兼用させてもよい。また支
持体は放射線吸収剤或は輝尽励起光遮断剤を含有させる
ことにより、変換パネル構成層担持機能の外に吸収層及
び/または遮断層として活用すれば変換パネルの構成を
簡略化するととができる。
次に本発明の変換パネルの構成態様例の断面図を第1図
(1)〜(lυに示す。
(1)〜(lυに示す。
第1図に於て、1はA I−Iを含む輝尽性蛍光体層(
A H層と称す)、2はN A Hを含有する輝尽性蛍
光体層(NAI−I周と称す)、3は支持体、4は保護
層である。
A H層と称す)、2はN A Hを含有する輝尽性蛍
光体層(NAI−I周と称す)、3は支持体、4は保護
層である。
更に5は輝尽励起光遮断層、6は放射線吸収層、あけ励
起光遮断支持体、36は放射線吸収支持体、56は励起
光遮断・放射線吸収層、356は励起光遮断・放射線吸
収支持体である。
起光遮断支持体、36は放射線吸収支持体、56は励起
光遮断・放射線吸収層、356は励起光遮断・放射線吸
収支持体である。
尚放射線の入射側にAH層、その後にN A H層を設
けることが好しい。また支持体3は輝尽励起光及び輝尽
発光に対し透明であることが好ましい。
けることが好しい。また支持体3は輝尽励起光及び輝尽
発光に対し透明であることが好ましい。
(1)〜(3)の変換パネルに比較して(4)以降の変
換パネルは画像の読取りに於て2枚の画像の分離が容易
であり、より好ましい。
換パネルは画像の読取りに於て2枚の画像の分離が容易
であり、より好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルに於ては、一般的に前記
輝尽性蛍光体層及び該蛍光体層が設けられる面とは反対
側の面に、輝尽性蛍光体層及び反対側面を物理的にある
いは化学的に保護するだめの保護層が設けられてもよい
。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上等
に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成
した保護層を輝尽性蛍光体層上等に接着してもよい。あ
るいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成す
る手順を取ってもよい。保護層の材料とし一1酢酸セル
ロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート
、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ
カーボネート、ホリエステル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、
ポリ四フフ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、
四フフ化エチレンー六フッ化プロピレン共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用い
られる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法
等により、SiC、5in2゜SiN 、 k1203
などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保
護層の層厚は一般には0.1μm〜100μm程度が好
ましい。
輝尽性蛍光体層及び該蛍光体層が設けられる面とは反対
側の面に、輝尽性蛍光体層及び反対側面を物理的にある
いは化学的に保護するだめの保護層が設けられてもよい
。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上等
に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成
した保護層を輝尽性蛍光体層上等に接着してもよい。あ
るいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成す
る手順を取ってもよい。保護層の材料とし一1酢酸セル
ロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート
、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ
カーボネート、ホリエステル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、
ポリ四フフ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、
四フフ化エチレンー六フッ化プロピレン共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用い
られる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法
等により、SiC、5in2゜SiN 、 k1203
などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保
護層の層厚は一般には0.1μm〜100μm程度が好
ましい。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層を塗設
する場合に用いられるバインダーとしては、例えばゼラ
チンの如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカ
ライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、
塩化ビニリチン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメ
タクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール等のような通常層構成に用いられるバイ
ンダーが使用される。一般にバインダーは輝尽性蛍光体
1重食部に対して0.01乃至1重量部の範囲で使用さ
れる。しかしながら、得られる放射線画像変換パネルの
感度と鮮鋭性の点ではバインダーは少ない方が好ましく
、塗布の容易さとの兼合いから0.01乃至0.2重量
部の範囲がより好ましい。
する場合に用いられるバインダーとしては、例えばゼラ
チンの如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカ
ライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、
塩化ビニリチン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメ
タクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール等のような通常層構成に用いられるバイ
ンダーが使用される。一般にバインダーは輝尽性蛍光体
1重食部に対して0.01乃至1重量部の範囲で使用さ
れる。しかしながら、得られる放射線画像変換パネルの
感度と鮮鋭性の点ではバインダーは少ない方が好ましく
、塗布の容易さとの兼合いから0.01乃至0.2重量
部の範囲がより好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、バインダーと輝尽性蛍光体との混合比等によ
って異なるが、塗料塗布によるときは10μm〜100
0μmの範囲から選ばれるのが好ましく、10μm〜5
00 μmの範囲から選ばれるのがより好ましい。また
気相堆積によるときは30μm〜1000μmが好まし
く、更に50〜600μmが好ましい。
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、バインダーと輝尽性蛍光体との混合比等によ
って異なるが、塗料塗布によるときは10μm〜100
0μmの範囲から選ばれるのが好ましく、10μm〜5
00 μmの範囲から選ばれるのがより好ましい。また
気相堆積によるときは30μm〜1000μmが好まし
く、更に50〜600μmが好ましい。
尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目的
として、特開昭55−146447号に開示されている
ように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色
粉末を分散させてもよいし、特開昭55−163500
号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層もしくは入射する輝尽励起光に対して蛍光体
層底面にある支持体もしくは保護層に輝尽励起光を吸収
するような着色剤で着色してもよい。
として、特開昭55−146447号に開示されている
ように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色
粉末を分散させてもよいし、特開昭55−163500
号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層もしくは入射する輝尽励起光に対して蛍光体
層底面にある支持体もしくは保護層に輝尽励起光を吸収
するような着色剤で着色してもよい。
また、特開昭59−202100号に開示されているよ
うに輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭55−186859号に述べられているよう
に輝尽性蛍光体粒子が輝尽性蛍光体層の層厚方向に所定
の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。
うに輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭55−186859号に述べられているよう
に輝尽性蛍光体粒子が輝尽性蛍光体層の層厚方向に所定
の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。
輝尽性蛍光体用塗料の調整は、ボールミル、サンドミル
、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分散
機、K a d y ミルおよび超音波分散機などの分
散装置を用いて行なわれる。調製された塗料をドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
て支持体上に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体
層が形成される。
、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分散
機、K a d y ミルおよび超音波分散機などの分
散装置を用いて行なわれる。調製された塗料をドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
て支持体上に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体
層が形成される。
前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽性蛍光
体層と支持体とを接着してもよい。
体層と支持体とを接着してもよい。
なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に1輝尽性蛍光体層蛍光
体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する可
塑剤を添加してもよい0 前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族2塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。
体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する可
塑剤を添加してもよい0 前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族2塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。
輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤の
例としては、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、n−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸n−ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエ
ステルジオキサン、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエ
ーテル、トリオール、キジロールなどの芳香族、メチレ
ンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化炭
化水素及びそれらの混合物などが挙げられる。
例としては、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、n−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸n−ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエ
ステルジオキサン、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエ
ーテル、トリオール、キジロールなどの芳香族、メチレ
ンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化炭
化水素及びそれらの混合物などが挙げられる。
次に前記のように構成された本発明の変換パネルの作用
効果を図面を用いて説明する。
効果を図面を用いて説明する。
本発明に係るAH(アルカリハライド蛍光体)の例とし
て几bBr:Tg+蛍光体及びNAHの例としてBaF
Br : Eu2+とLa01Jr : Oe3+のX
線吸収スペクトルを第2図に示す。
て几bBr:Tg+蛍光体及びNAHの例としてBaF
Br : Eu2+とLa01Jr : Oe3+のX
線吸収スペクトルを第2図に示す。
図に明かな如く曲! (a)で示されるAHは放射線(
X線)の低エネルギー成分を大きく吸収し、高エネルギ
ー成分の大部分は吸収することなく透過させる。−力曲
線(b) tたは(C)で示されるN A Hは低エネ
ルギー成分の吸収が高エネルギー側に移るに従って急峻
に減少し、再び40 KeV近傍ではソ垂直に立直って
吸収性を回復し再び緩かに減少してゆく。
X線)の低エネルギー成分を大きく吸収し、高エネルギ
ー成分の大部分は吸収することなく透過させる。−力曲
線(b) tたは(C)で示されるN A Hは低エネ
ルギー成分の吸収が高エネルギー側に移るに従って急峻
に減少し、再び40 KeV近傍ではソ垂直に立直って
吸収性を回復し再び緩かに減少してゆく。
従ってAHによって低エネルギー成分が吸収され、該吸
収に対応する輝尽潜像(蓄積記録された放射線画像)が
形成され、吸収された低エネルギー成分スペクトルを失
った残部の高エネルギー成分に対応してNAHに輝尽潜
像が形成されるので、高、低エネルギー成分に対する輝
尽潜像が容易に且つ明確に分離されることが解る。
収に対応する輝尽潜像(蓄積記録された放射線画像)が
形成され、吸収された低エネルギー成分スペクトルを失
った残部の高エネルギー成分に対応してNAHに輝尽潜
像が形成されるので、高、低エネルギー成分に対する輝
尽潜像が容易に且つ明確に分離されることが解る。
このようにAHとN A Hを組合せることによってエ
ネルギー・サブトラックシランによる画像分離が完全に
行われる。一方NAHであるBaFI3r :Eu2+
とLa0Br : Oe3+の雨雪光体を組合せた従来
の場合には吸収スペクトルに於て若干BaFBr :
Eu”の低エネルギー成分の吸収がLa0Br : O
e j ’) 大きいが、高エネルギー成分の吸収は
はソ同等であり、スペクトル曲線(b)及び(C)から
推定された通り放射線エネルギーの分離は良好でない。
ネルギー・サブトラックシランによる画像分離が完全に
行われる。一方NAHであるBaFI3r :Eu2+
とLa0Br : Oe3+の雨雪光体を組合せた従来
の場合には吸収スペクトルに於て若干BaFBr :
Eu”の低エネルギー成分の吸収がLa0Br : O
e j ’) 大きいが、高エネルギー成分の吸収は
はソ同等であり、スペクトル曲線(b)及び(C)から
推定された通り放射線エネルギーの分離は良好でない。
また第3図には本発明に係る放射線吸収層(フィルター
)として用いられる錫箔(厚さ50μm)の放射線(X
線)吸収スペクトルを示す。前記したNAHに近似した
形状の曲線を示す。但し吸収スペクトルに於てNAHと
異り30KeVまで急峻な低エネルギー成分の吸収低下
を起し再び垂直に立上って吸収性を回復するが、NAH
が吸収性を回復する40KeVの点以降の範囲では高エ
ネルギー成分の吸収率は50 %以下となり常にN A
Hの曲線の下位にある。従って吸収を制御して放射線
エネルギーの分離を助成調成する手段として錫箔をフィ
ルターとして用いることは有用であることが解る。
)として用いられる錫箔(厚さ50μm)の放射線(X
線)吸収スペクトルを示す。前記したNAHに近似した
形状の曲線を示す。但し吸収スペクトルに於てNAHと
異り30KeVまで急峻な低エネルギー成分の吸収低下
を起し再び垂直に立上って吸収性を回復するが、NAH
が吸収性を回復する40KeVの点以降の範囲では高エ
ネルギー成分の吸収率は50 %以下となり常にN A
Hの曲線の下位にある。従って吸収を制御して放射線
エネルギーの分離を助成調成する手段として錫箔をフィ
ルターとして用いることは有用であることが解る。
前記した特性の作用効果を具象的に説明するために第4
図(5)に本発明の変換パネルの層構成を分解図として
示し、更に同図(T3)に被写体、AH層及びN A
H層を透過した後の夫々のX線強度スペクトルを曲線(
、])、(+)l及び(C)として示した。
図(5)に本発明の変換パネルの層構成を分解図として
示し、更に同図(T3)に被写体、AH層及びN A
H層を透過した後の夫々のX線強度スペクトルを曲線(
、])、(+)l及び(C)として示した。
また第5図(5)にはAH層とN A H層の間に50
μmの錫箔を差挟んだ時の分解図及び同図(ト))には
被写体、AH層、錫箔及びN A H層透過後のX線強
度スペクトルを夫々曲線(a)、(bL (C)及び(
d)で示した。
μmの錫箔を差挟んだ時の分解図及び同図(ト))には
被写体、AH層、錫箔及びN A H層透過後のX線強
度スペクトルを夫々曲線(a)、(bL (C)及び(
d)で示した。
第4図及び第5図から放射線画像が低エネルギー成分の
作る画像と高エネルギー成分の作る画像とに良好に分離
されることが知られる。
作る画像と高エネルギー成分の作る画像とに良好に分離
されることが知られる。
また適当なフィルター(例えば錫箔)を用いれば放射線
エネルギーの分離が更に好都合に展開できる。
エネルギーの分離が更に好都合に展開できる。
まだRbBr : T6+蛍光体及びBaFBr :
Eu” ノ輝尽発光スペクトル及び輝尽励起スペクトル
の最高の適用条件は夫々に異るのでRbBr : T6
+蛍光体層には780 nm程度の半導体レーザで励起
し、BaFBr:Eu2+蛍光体層はAr+レーザ、H
e −Nc V−ザで励起して、画像分離に輝尽励起光
の効果を加えて画像を分離することにより更に容易、確
実にすることができる。
Eu” ノ輝尽発光スペクトル及び輝尽励起スペクトル
の最高の適用条件は夫々に異るのでRbBr : T6
+蛍光体層には780 nm程度の半導体レーザで励起
し、BaFBr:Eu2+蛍光体層はAr+レーザ、H
e −Nc V−ザで励起して、画像分離に輝尽励起光
の効果を加えて画像を分離することにより更に容易、確
実にすることができる。
本発明の変換パネルは第6図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられる場合に優れた放射線画像を与
える。
画像変換方法に用いられる場合に優れた放射線画像を与
える。
尚本発明に於ては、少くともA I−I層とN A H
層の2層に別けて高、低エネルギー画像を形成するので
、該励起の順に第1、第2の番号を付って表現する。第
6図において100は撮影部、200は第1の輝尽性蛍
光体に蓄積された放射線画像を読み取るための第1読み
取り部、300は第2の輝尽性蛍光体に蓄積された放射
線画像を読み取るための第2読み取り部、400は再生
記録部をそれぞれ示している。
層の2層に別けて高、低エネルギー画像を形成するので
、該励起の順に第1、第2の番号を付って表現する。第
6図において100は撮影部、200は第1の輝尽性蛍
光体に蓄積された放射線画像を読み取るための第1読み
取り部、300は第2の輝尽性蛍光体に蓄積された放射
線画像を読み取るための第2読み取り部、400は再生
記録部をそれぞれ示している。
撮影部lOOにおいては放射線源101から被写体10
2に向けて照射された放射線は被写体102を透過した
後、放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層10
4を構成する輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性
の互いに異なる第1の輝尽性蛍光体層105および第2
の輝尽性蛍光体層106(この第1及び第2の輝尽性蛍
光体のうち、105がA I−Iであれば106がN
A Hである。但し照射方向は対応して変えることが好
しい)に吸収され、被写体の放射線画像が蓄積記録され
る。次いでこの放射線画像変換パネル103は第1読み
取り部200へ送られる。
2に向けて照射された放射線は被写体102を透過した
後、放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層10
4を構成する輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性
の互いに異なる第1の輝尽性蛍光体層105および第2
の輝尽性蛍光体層106(この第1及び第2の輝尽性蛍
光体のうち、105がA I−Iであれば106がN
A Hである。但し照射方向は対応して変えることが好
しい)に吸収され、被写体の放射線画像が蓄積記録され
る。次いでこの放射線画像変換パネル103は第1読み
取り部200へ送られる。
第1読み取り部200においては、読み取り光源201
からの第1の輝尽励起光202はガルバノミラ−等の光
偏向器により放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光
体層104上に一次元的に偏向されて、放射線画像変換
パネル103が副走査されることにより、輝尽性蛍光体
層104の全面にわたって輝尽励起光202が照射され
る。このように輝尽励起光202が照射されると、放射
線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104を構成
する第1の輝尽励起光202にマツチングした輝尽励起
エネルギー分布をもつ第1の輝尽性蛍光体層105は、
これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例する
輝尽発光を発する。この発光は輝尽励起光202のみを
カットするフィルター203を透過した後、光電変換器
204に入射し、光電変換される。光電変換後204の
出力は増幅器205によって増幅される。第1の輝尽性
蛍光体層105の読み取りを終了した放射線画像変換パ
ネル103は、第2読み取り部300へ送られる。
からの第1の輝尽励起光202はガルバノミラ−等の光
偏向器により放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光
体層104上に一次元的に偏向されて、放射線画像変換
パネル103が副走査されることにより、輝尽性蛍光体
層104の全面にわたって輝尽励起光202が照射され
る。このように輝尽励起光202が照射されると、放射
線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104を構成
する第1の輝尽励起光202にマツチングした輝尽励起
エネルギー分布をもつ第1の輝尽性蛍光体層105は、
これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例する
輝尽発光を発する。この発光は輝尽励起光202のみを
カットするフィルター203を透過した後、光電変換器
204に入射し、光電変換される。光電変換後204の
出力は増幅器205によって増幅される。第1の輝尽性
蛍光体層105の読み取りを終了した放射線画像変換パ
ネル103は、第2読み取り部300へ送られる。
第2読み取り部300においては、第1読み取り部20
0の場合と同様にして読み取り光源301からの第2の
輝尽励起光302はガルバノミラ−等の光偏光器により
放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上
に一次元的に偏光されて、放射線画像変換パネル103
が幅走査されることにより、輝尽性蛍光体層104の全
面にわたりて輝尽励起光302が照射される。このよう
に輝尽励起光302が照射されると、放射線画像変換パ
ネル103の輝尽性蛍光体層104を構成する第2の輝
尽励起光302にマツチングした輝尽励起エネルギー分
布をもつ第2の輝尽性蛍光体層106は、これに蓄積記
録されている放射線エネルギーに比例する輝尽発光を発
し、この発光は輝尽励起光302のみをカントするフィ
ルター303を透過した後、光電変換器304に入射し
、光電変換され、増幅器305によって増幅される。
0の場合と同様にして読み取り光源301からの第2の
輝尽励起光302はガルバノミラ−等の光偏光器により
放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上
に一次元的に偏光されて、放射線画像変換パネル103
が幅走査されることにより、輝尽性蛍光体層104の全
面にわたりて輝尽励起光302が照射される。このよう
に輝尽励起光302が照射されると、放射線画像変換パ
ネル103の輝尽性蛍光体層104を構成する第2の輝
尽励起光302にマツチングした輝尽励起エネルギー分
布をもつ第2の輝尽性蛍光体層106は、これに蓄積記
録されている放射線エネルギーに比例する輝尽発光を発
し、この発光は輝尽励起光302のみをカントするフィ
ルター303を透過した後、光電変換器304に入射し
、光電変換され、増幅器305によって増幅される。
第1読み取り部200の最終出力206および第2読み
取9部300の最終出力306は、それぞれ別々に再生
記録部400に於てノ・−トコピーあるいはCRT等に
可視画像として出力してもよいし、電気的に重ね合わせ
処理あるいは減算処理等を施して1枚の可視画像として
ノ・−トコピーあるいはOTR等に出力してもよい。
取9部300の最終出力306は、それぞれ別々に再生
記録部400に於てノ・−トコピーあるいはCRT等に
可視画像として出力してもよいし、電気的に重ね合わせ
処理あるいは減算処理等を施して1枚の可視画像として
ノ・−トコピーあるいはOTR等に出力してもよい。
第6図の再生記録部400はノ・−トコピーとして感光
材料を用いる実施態様を示しているが該再生記録部40
0においては、記録用レーザ光源402からのレーザ光
403が、光変調器401により画像信号に基づいて変
調され、走査ミラー404によって写真フィルム等の感
光材料405上を走査される。
材料を用いる実施態様を示しているが該再生記録部40
0においては、記録用レーザ光源402からのレーザ光
403が、光変調器401により画像信号に基づいて変
調され、走査ミラー404によって写真フィルム等の感
光材料405上を走査される。
また感光材料405はレーザ光403の走査に同期して
副走査されるので、感光材料405上に放射線画像が出
力される。
副走査されるので、感光材料405上に放射線画像が出
力される。
前記の放射線画像変換パネル103の第1の輝尽性蛍光
体層105と第2の輝尽性蛍光体層106はこの順に読
み取る必要はなく、逆であってもまだ同時であってもよ
い。また読み取り部は1つであってもよい。
体層105と第2の輝尽性蛍光体層106はこの順に読
み取る必要はなく、逆であってもまだ同時であってもよ
い。また読み取り部は1つであってもよい。
さらに第1読み取シ部200の最終出力206から放射
線画像変換パネル103に蓄積記録されている放射線情
報を把握し、この情報を基にして第2読み取り部300
の光電変換器304の感度、増幅器、305の増幅率等
を設定するようにすることができる0 即ち第1読取り結果を、本格的に観察読影する放射線画
像となる第2読取りKよりてえられる゛画像調整のため
のパイロットとして用い、読影目的に最も適した画質に
調える用に供することができる。
線画像変換パネル103に蓄積記録されている放射線情
報を把握し、この情報を基にして第2読み取り部300
の光電変換器304の感度、増幅器、305の増幅率等
を設定するようにすることができる0 即ち第1読取り結果を、本格的に観察読影する放射線画
像となる第2読取りKよりてえられる゛画像調整のため
のパイロットとして用い、読影目的に最も適した画質に
調える用に供することができる。
更に具体的に第7図に示すブロック図によって説明する
。
。
第7図に於て前記の通シ205は第1読取シ部の増幅器
、206はその画像信号出力、305は第2読取り部の
増幅器、304は回部の光電変換器である。
、206はその画像信号出力、305は第2読取り部の
増幅器、304は回部の光電変換器である。
307は画像信号出力206の情報に基いて画像制御を
行う制御回路、307による制御は前記光電変換器30
4増幅器305及びA/D変換器308、信号処理回路
309を統括し画像信号306を整えて、前記光変調器
401に入り観察読影に適した画像を再生記録部4に発
現させる。
行う制御回路、307による制御は前記光電変換器30
4増幅器305及びA/D変換器308、信号処理回路
309を統括し画像信号306を整えて、前記光変調器
401に入り観察読影に適した画像を再生記録部4に発
現させる。
即ち光電変換器304の出力は増幅器305によって増
幅され、A/D変換器308によってA/D変換された
後、信号処理回路309によって診断適性の優れた放射
線画像が得られるように信号処理される。光電変換器3
04および増幅器305の増幅率、A/D変換器308
の収録スケールファクタ及び信号処理回路309におけ
る信号処理条件は、前述のように第1読み取り部200
において得られた前記放射線画像の蓄積記録情報に基づ
いて制御回路307によって最も適切な条件に設定され
る。
幅され、A/D変換器308によってA/D変換された
後、信号処理回路309によって診断適性の優れた放射
線画像が得られるように信号処理される。光電変換器3
04および増幅器305の増幅率、A/D変換器308
の収録スケールファクタ及び信号処理回路309におけ
る信号処理条件は、前述のように第1読み取り部200
において得られた前記放射線画像の蓄積記録情報に基づ
いて制御回路307によって最も適切な条件に設定され
る。
信号処理回路309より出力された画像信号306は記
録部400へ伝送される。
録部400へ伝送される。
(実施例)
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
実施例1
RbBr : Tl+蛍光体、BaFBr : Eu2
+蛍光体の夫々単独からなる輝尽性蛍光体層を別層とし
て有する変換パネルP!を作成し、エネルギー・サブト
ラクションによる放射線画像変換を行い、見られる画像
特性を観察した。
+蛍光体の夫々単独からなる輝尽性蛍光体層を別層とし
て有する変換パネルP!を作成し、エネルギー・サブト
ラクションによる放射線画像変換を行い、見られる画像
特性を観察した。
前記変換パネルPlの輝尽性蛍光体層は夫々几bBr:
Tl+蛍光体及びBaFBr : Bu2+蛍光体の8
重量部と、ポリビニルブチラール1重量部を、溶剤(シ
クロヘキサン)を用いて分散させ、これをポリエチレン
テレフタレート基板の両面に均一に塗布し、−昼夜放置
し、自然乾燥することによって、それぞれ約300μm
の蛍光体層を形成して作製した。
Tl+蛍光体及びBaFBr : Bu2+蛍光体の8
重量部と、ポリビニルブチラール1重量部を、溶剤(シ
クロヘキサン)を用いて分散させ、これをポリエチレン
テレフタレート基板の両面に均一に塗布し、−昼夜放置
し、自然乾燥することによって、それぞれ約300μm
の蛍光体層を形成して作製した。
上記のようにしてえた変換パネルPKは几bBr :T
7!+蛍光体層が被写体に近く位置するように置き、管
電圧120KVのX線10ミリレントゲンを、銅とポリ
メチルメタクリレート樹脂からなる被写体をとおして照
射し、変換パネルP、の夫々の輝尽性蛍光体層に輝尽潜
像を形成した。
7!+蛍光体層が被写体に近く位置するように置き、管
電圧120KVのX線10ミリレントゲンを、銅とポリ
メチルメタクリレート樹脂からなる被写体をとおして照
射し、変換パネルP、の夫々の輝尽性蛍光体層に輝尽潜
像を形成した。
次にRbBr : Tl+蛍光体層に対しては半導体レ
ーザ光(780nm 、 10 mV )、BaFB
r : Eu 蛍光体層に対してはI−Ic−Neレ
ーザ光(633nm、 10mV)を輝尽励起光として
、夫々輝尽性蛍光体層をスキャンし輝尽発光による画像
を求めた。変換ノ(ネルP、のRb13r : ’rl
+蛍光体層からはX線の低エネルギー成分吸収像(前記
樹脂像が強調された画像)がえられ、BaFBr :
Eu2+蛍光体層からは高いエネルギー成分吸収像(銅
の像が強調された画像)かえられた。
ーザ光(780nm 、 10 mV )、BaFB
r : Eu 蛍光体層に対してはI−Ic−Neレ
ーザ光(633nm、 10mV)を輝尽励起光として
、夫々輝尽性蛍光体層をスキャンし輝尽発光による画像
を求めた。変換ノ(ネルP、のRb13r : ’rl
+蛍光体層からはX線の低エネルギー成分吸収像(前記
樹脂像が強調された画像)がえられ、BaFBr :
Eu2+蛍光体層からは高いエネルギー成分吸収像(銅
の像が強調された画像)かえられた。
上記両者に夫々重み付は増幅を施し両者をサブトラクシ
ョンすると、完全に樹脂像または銅の像が分離された画
像が得られた。
ョンすると、完全に樹脂像または銅の像が分離された画
像が得られた。
実施例2
前記変換バネ/L/PIの几bI3r:T6+蛍光体層
とBaFBr:Eu2+蛍光体層の間に厚さ50μmの
錫箔からなる放射線吸収層を差挟んで変換パネルP2を
作成し、実施例1と全く同じ条件で見られる画像特性を
観察した。
とBaFBr:Eu2+蛍光体層の間に厚さ50μmの
錫箔からなる放射線吸収層を差挟んで変換パネルP2を
作成し、実施例1と全く同じ条件で見られる画像特性を
観察した。
変換パネルP2のBaFBr : Eu2+蛍光体層か
らえられる画像は前記変換パネルP、の場合よりも更に
樹脂像が抑えられ銅の像が強調され、エネルギー・サブ
トラクションは容易であった。
らえられる画像は前記変換パネルP、の場合よりも更に
樹脂像が抑えられ銅の像が強調され、エネルギー・サブ
トラクションは容易であった。
比較例I
BaFBr : Eu2+蛍光体層とLa0Br :
Oc2+蛍光体層を別層として有する変換パネルP3を
前記変換パネルP1と全く同条件で作り、変換パネルP
3に於てBaFBr : Eu2+蛍光体層が被写体に
近いように配置し実施例1と同条件で観察を行った。但
し輝尽励起光にはHe −Neレーザ光を用いた。
Oc2+蛍光体層を別層として有する変換パネルP3を
前記変換パネルP1と全く同条件で作り、変換パネルP
3に於てBaFBr : Eu2+蛍光体層が被写体に
近いように配置し実施例1と同条件で観察を行った。但
し輝尽励起光にはHe −Neレーザ光を用いた。
比較例2
BaFBr : Eu 蛍光体層の2層からなり、そ
の間に前記錫箔からなる放射線吸収層を介在させた変換
パネルP4を作成し、実施例1と同条件の観察を行った
。但し輝尽励起はHe−Neレーザ光によって行った。
の間に前記錫箔からなる放射線吸収層を介在させた変換
パネルP4を作成し、実施例1と同条件の観察を行った
。但し輝尽励起はHe−Neレーザ光によって行った。
変換パネルP3及びP4に於ては高エネルギー成分吸収
像と低エネルギー成分吸収像との分離が甚だ不十分であ
り、両者に夫々重み付は増幅を施し、両者をサブトラク
ションしても十分なサブトラクション像は得られなかっ
た。
像と低エネルギー成分吸収像との分離が甚だ不十分であ
り、両者に夫々重み付は増幅を施し、両者をサブトラク
ションしても十分なサブトラクション像は得られなかっ
た。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の放射線画像変換パネルを
用いれば、1回の放射線照射によって少くとも2枚のエ
ネルギー・サブトラクションに適した放射線画像データ
を得ることが可能となる。
用いれば、1回の放射線照射によって少くとも2枚のエ
ネルギー・サブトラクションに適した放射線画像データ
を得ることが可能となる。
また複数枚の変換パネルを重積する必要がないので重ね
合せ処理等で像のズレを生ずることがなく高品位な放射
線画像を得ることが可能となる。
合せ処理等で像のズレを生ずることがなく高品位な放射
線画像を得ることが可能となる。
また、本発明の放射線画像変換パネルを用いる読取り方
法によれば、第1読取りを実施することによって第2読
取りの際に放出されるべき蓄積放射線エネルギーの減少
がまったくないので、第1読取りに起因するシステム感
度の低下を防止することが可能となる。
法によれば、第1読取りを実施することによって第2読
取りの際に放出されるべき蓄積放射線エネルギーの減少
がまったくないので、第1読取りに起因するシステム感
度の低下を防止することが可能となる。
更に本発明の放射線画像変換パネルを用いれば、放射線
画像変換パネルに記録されている放射線画像の蓄積記録
情報を予め精度よく把握することができるので、格別に
広いダイナミックレンジを有する読み取り系を使用しな
くても前記蓄積記録情報に基づいて読み取りゲインを適
当に調節することにより、撮影条件等が変動しても常に
診断適性の優れた放射線画像を得ることが可能となる。
画像変換パネルに記録されている放射線画像の蓄積記録
情報を予め精度よく把握することができるので、格別に
広いダイナミックレンジを有する読み取り系を使用しな
くても前記蓄積記録情報に基づいて読み取りゲインを適
当に調節することにより、撮影条件等が変動しても常に
診断適性の優れた放射線画像を得ることが可能となる。
また、放射線画像変換パネルに記録されている放射線画
像の記録パターンを予め把握できるので、前記記録パタ
ーンに応じた信号処理を第2読取り後の電気信号に対し
て施すことにより、診断適性の優れた放射線画像を得る
ことが可能となる。
像の記録パターンを予め把握できるので、前記記録パタ
ーンに応じた信号処理を第2読取り後の電気信号に対し
て施すことにより、診断適性の優れた放射線画像を得る
ことが可能となる。
本発明は前述のような多数の効果があり、工業的に非常
に有用である。
に有用である。
第1図は本発明の変換パネルの構成態様例の断面図であ
る。 第2図並びに第3図は、本発明に係るAH及びNAH並
びに錫箔のX線吸収スペクトルである。 第4図及び第5図は変換パネル構成層透過毎のX線強度
スペクトルである。 第6図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図であり、第7図は該方法に於る画像再生記録
部のブロック図である。 100・ 撮影部 101・・・放射線源 102 ・・・・被写体 103・・放射線画像変換パネル 104・・・・・輝尽性蛍光体層 105・・・第1の輝尽性蛍光体層 106・・・・第2の輝尽性蛍光体層 107・・・・支持体 200・・・・・第1読み取υ部 201 ・・・・輝尽励起光源 202・・・・輝尽励起光 203・・・・・・フィルター 204・・・・・光電変換器 205・・−・増幅器 206・・・・・・出力 300・・・・第2読み取り部 301・・・・輝尽励起光源 302・・・・・・輝尽励起光 303・・・・・・フィルター 304・・・・・・光電変換器 305・・・・増幅器 306・・ 出力 400・・・・・再生記録部 出願人 小西六写真工業株式会社 図面の浄な(内容に変更なし) 第1図 第2図 x−rαン エネルギ゛〜 (KeVつ第4 (A> [亙πコ (B) ×愚良エネルギニ (Kevす 第5図 <A) ↓ X [2ワ7IIコ XNシー=1−、ダヒノ〆二 (トニeV)第6図 第7図 5.補正の対象 手続補正書く方式) %式% 2、発明の名称 アルカリハライド蛍光体を含む副層構成の放射線画像変
換パネル3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号〒191 東京都日野市さくら町1番地 願書、明細書の全文及び図面。 6、補正の内容 別紙の通り (内容に変更なし)。
る。 第2図並びに第3図は、本発明に係るAH及びNAH並
びに錫箔のX線吸収スペクトルである。 第4図及び第5図は変換パネル構成層透過毎のX線強度
スペクトルである。 第6図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図であり、第7図は該方法に於る画像再生記録
部のブロック図である。 100・ 撮影部 101・・・放射線源 102 ・・・・被写体 103・・放射線画像変換パネル 104・・・・・輝尽性蛍光体層 105・・・第1の輝尽性蛍光体層 106・・・・第2の輝尽性蛍光体層 107・・・・支持体 200・・・・・第1読み取υ部 201 ・・・・輝尽励起光源 202・・・・輝尽励起光 203・・・・・・フィルター 204・・・・・光電変換器 205・・−・増幅器 206・・・・・・出力 300・・・・第2読み取り部 301・・・・輝尽励起光源 302・・・・・・輝尽励起光 303・・・・・・フィルター 304・・・・・・光電変換器 305・・・・増幅器 306・・ 出力 400・・・・・再生記録部 出願人 小西六写真工業株式会社 図面の浄な(内容に変更なし) 第1図 第2図 x−rαン エネルギ゛〜 (KeVつ第4 (A> [亙πコ (B) ×愚良エネルギニ (Kevす 第5図 <A) ↓ X [2ワ7IIコ XNシー=1−、ダヒノ〆二 (トニeV)第6図 第7図 5.補正の対象 手続補正書く方式) %式% 2、発明の名称 アルカリハライド蛍光体を含む副層構成の放射線画像変
換パネル3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号〒191 東京都日野市さくら町1番地 願書、明細書の全文及び図面。 6、補正の内容 別紙の通り (内容に変更なし)。
Claims (5)
- (1)輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異る少
くとも2種類の輝尽性蛍光体が夫々に少くとも2つの別
層の輝尽性蛍光体層に含まれて構成される放射線画像変
換パネルに於て、前記少くとも2種類の輝尽性蛍光体の
1つが下記一般式で表わされるアルカリハライド蛍光体
であることを特徴とする称記放射線画像変換パネル。 〔一般式〕 M^IX,aM^IIX′_2・bM^IIIX″_3:c
A 〔但し、M^IはLi,Na,K,Rb)及びCsから
選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、M^I
IはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu
及びNiから選ばれる少なくとも1種の二価金属である
。 M^IIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,
Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Y
b,Lu,Ai,Ga及びInから選ばれる少なくとも
1種の三価金属である。X,X′及びX″はF,Cl,
Br及びIから選ばれる少なくとも1種のハロゲンであ
る。AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,
Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na
,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくとも1種の金
属である。またaは、0≦a<0.5の範囲の数値であ
り、bは0≦b<0.5の範囲の数値であり、cは0<
c≦0.2の範囲の数値である。〕 - (2)前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも1種
類の輝尽性蛍光体が、放射線エネルギー吸収特性に於て
、その高エネルギー吸収特性が前記アルカリハライド蛍
光体より大きいことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の放射線画像変換パネル。 - (3)前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも1種
類の輝尽性蛍光体が、アルカリ土類金属弗化物系蛍光体
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の放射線画像変換パネル。 - (4)前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも1種
類の輝尽性蛍光体が、ランタンオキシハライド系蛍光体
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3
項記載の放射線画像変換パネル。 - (5)前記アルカリハライド蛍光体が、ルビジウム系蛍
光体であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
第4項記載の放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61055862A JP2700788B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP61055862A JP2700788B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル |
Publications (2)
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---|---|
JPS62212492A true JPS62212492A (ja) | 1987-09-18 |
JP2700788B2 JP2700788B2 (ja) | 1998-01-21 |
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ID=13010870
Family Applications (1)
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JP61055862A Expired - Lifetime JP2700788B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル |
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JP (1) | JP2700788B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5051589A (en) * | 1989-04-20 | 1991-09-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Stimulable phosphor sheet and energy subtraction processing method using the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 1986-03-13 JP JP61055862A patent/JP2700788B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JP2700788B2 (ja) | 1998-01-21 |
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