JPS61236889A - 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換パネルに関するものである。さらに詳し
くは、本発明は、二価のユーロピウムにより賦活されて
いるハロゲン化物系蛍光体を使用する放射線像変換方法
、およびその方法に用いられる放射線像変換パネルに関
するものである。

［発明の背景］ 従来、放射線像を画像として得る方法として。

銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィル
ムと増感紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する
。いわゆる放射線写真法が利用されている。上記従来の
放射線写真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特
開昭５５−１２１４５号公報等に記載されているような
輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られてい
る。この方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被
検体から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、
そののちにこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波
（励起光）で時系列的に励起することにより、蛍光体中
に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）
として放出させ、この蛍光を光電的に読取って電気信号
を得、この電気信号を画像化するものである。

上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なｘｉｉ画像を得ることができるという利点
がある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診
断を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影に
おいて利用価値が非常に高いものである。

上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体として
、特開昭５５−１２１４５号公報には、下記組成式で表
わされる希土類元素賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン
化物蛍光体が開示されている。

（Ｂ　ａ　ｌ＋　ｘ　、　Ｍ　”　ｘ　）　Ｆ　Ｘ　：
　’ｙ　Ａ（ただし、Ｍ２＋はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ
、およびＣｄのうちの少なくとも一つ、ＸはＣｌ、Ｂｒ
、およびＩのうちの少な゛くとも一つ、ＡはＥｕ、Ｔｂ
、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、および
Ｅｒのうちの少なくとも一つ、モしてｘは、Ｏ≦Ｘ≦０
．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２である） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したのち、可視
光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受は葛と近紫外領域
に発光（輝尽発光）を示すものである。

上述のように、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方
法比用いられる蛍光体として、従来より上記希土類元素
賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体が知られてい
るが、輝尽性を示す蛍光体自体、この希土類元素賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光体以外はあまり知られ
ていない。

［発明の要旨］ 本発明は、新規な輝尽性蛍光体の発見に基づくものであ
り、該輝尽性蛍光体を使用する放射線像変換方法、およ
びその方法に用いられる放射線像変換パネルを提供する
ものである。

本発明者等は、輝尽性蛍光体の探索を目的として種々の
研究を行なってきた。その結果、下記組成式（Ｉ）で表
わされる新規な二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウ
ム・ルビジウム蛍光体は輝尽発光を示すこと、すなわち
該蛍光体はｘｍ、紫外線、電子線、γ線、α線、β線な
どの放射線を照射した後、４５０〜９００ｎｍの可視乃
至赤外領域の電磁波で励起すると近紫外乃至青色領域に
輝尽発光を示すことを見出し、そしてこの知見に基づい
て本発明を完成させるに至ったのである。

組成式（Ｉ）： ＣｓＸ＠ａＲｂＸ’　：　ｘＥｕ”　　　　　（Ｉ）（
ただし、ＸおよびＸ′はそれぞれＣｌ、Ｂｒおよび工か
らなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり
；そしてａは０＜ａ≦１０．０の範囲の数値であり、Ｘ
はＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値である） すなわち、本発明の放射線像変換方法は、被写体を透過
した、あるいは被検体から発せられた放射線を、上記組
成式（Ｉ）で表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン
化セシウム・ルビジウム蛍光体に吸収させた後、この蛍
光体に４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波を照射す
ることにより、該蛍光体に蓄積されている放射線エネル
ギーを蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検出する
ことを特徴とする。

また、本発明の放射線像変換パネルは、支持体と、この
支持体上に設けられた輝尽性蛍光体を分散状態で含有支
持する結合剤からなる少なくとも一層の蛍光体層とから
実質的に構成されており、該蛍光体層のうちの少なくと
も一層が、上記組成式（Ｉ）で表わされる二価ユーロピ
ウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体を含有
することを特徴とする。

［発明の構ｍｌ 第１図は、本発明の放射線像変換方法に用いられる゛二
価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍
光体の一例であるＣ３Ｃ！ＬＬ１ＲｂＢ　ｒ　：０．０
０１Ｅ　ｕ　”＋蛍光体の輝尽励起スペクトルである。

第１図から明らかなように、本発明に用いられるＣ　５
ｃｆＬ　＊　ＲｂＢ　ｒ：０．ｏｏｌＥ　ｕ”蛍光体は
放射線の照射後４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波
で励起すると輝尽発光を示す、特に、６００〜７５０ｎ
ｍの波長領域の電磁波で励起した場合には、輝尽発光と
励起光とを分離することが容易であり、かつその輝尽発
光は高輝度となる０本発明の放射線像変換方法において
、励起光として用いられる１を磁波の波長を４５０〜９
ＱＱｎｍと規定したのは、このような事実に基づいてで
ある。

また、第２図は、本発明の放射線像変換方法に用いられ
る二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウ
ム蛍光体の一例であるＣｓＣｌｍＲｂ　Ｂ　ｒ　：０．
ＱＯＩＥ　ｕ　２°蛍光体の輝尽発光スペクトルである
。第２図から明らかなように、本発明に用いられるＣ　
ｓ　Ｃｌ　・Ｒｂ　Ｂ　ｒ　：Ｏ，０ＯＩＥ　ｕ　’＋
蛍光体は近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示し、その輝
尽発光スペクトルのピークは約３７０ｎｍ付近にある。

以上特定の蛍光体を例にとり、本発明に用いられる二価
ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光
体の輝尽発光特性について説明したが、本発明に用いら
れるその他の蛍光体についてもその輝尽発光特性は上記
の蛍光体の輝尽発光特性とほぼ同様であり、放射線の照
射後４５０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波で励起する
と近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示し、その発光のピ
ークは３７Ｏｎｍ付近にあることが確認されている。

第３図は、ＣｓＣ文＠　ａＲｂＢ　ｒ：０．００１Ｅｕ
”。

蛍光体におけるａ゛値と輝尽発光強度［８０ＫＶ　ｐの
Ｘ線を照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３２，８
ｎｍ）で励起した時の輝尽発光強度］との関係を示すグ
ラフである。第３図から明らか層ように、ａ値が０．１
＜ａ≦１０．０の範囲にあるｅ　ｓｃ！Ｌ＊　ａＲｂＥ
　ｒ：ｏ、００１Ｅ　ｕ”蛍光体は輝尽発光を示す０本
発明の放射線像変換方法に用いられる二価ユーロピウム
賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体におけるａ
値を０＜ａ≦１０．０の範囲に規定したのは、このよう
な事実に基づいてである。また第３図から、ａ値がｏく
ａ≦１０．０の範囲にある本発明に用いられるＣ　ｓｃ
ｌ　＊　ａＲｂＢ　ｒ：０．００１Ｅ　ｕ”蛍光体のう
ちでも、ａ値が０．１５≦ａ≦２．０の範囲にある蛍光
体はより高輝度の輝尽発光を示すことが明らかである。

なお、Ｃｓ　Ｃ１・ａＲｂＢ　ｒ：ｏ、ｏ０１Ｅ　ｕ　
”″蛍光体以外の本発明に用いられる二価ユーロピウム
賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体についても
、ａ値と輝尽発光強度との関係は第３図と同じような傾
向にあることが確認されている。

本発明の放射線像変換方法に用いられる二価ユーロピウ
ム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体は、その
輝尽励起スペクトルの波長領域が４５０〜９００ｎｍと
広く、そのためにこの蛍光体を使用する本発明の放射線
像変換パネルムいては励起光の波長を適当に変えること
ができる、すなわち、その励起光源を目的に応じて適宜
選択することが可能となる。たとえば、上記蛍光体の輝
尽励起スペクトルは約９００ｎｍにまで及んでいるため
に、励起光源として小型で駆動電力の小さい半導体レー
ザー（赤外領域に発光波長を有する）を利用することが
でき、従って、放射線像変換方法を実施するための装置
を小型化することが可能となる。また、輝尽発光の輝度
および発光光との波長分離の点からは１本発明の放射線
像変換方法における励起光は６００〜７５０ｎｍの波長
領域の電磁波であるのが好ましい。

本発明の放射線像変換方法において、上記組成式（Ｉ）
で表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム
・ルビジウム蛍光体は、それを含有する放射線像変換パ
ネル（蓄積性蛍光体シートともいう）の形態で用いるの
が好ましい。

放射線像変換パネルは、基本構造として、支持体と、そ
の片面に設けられた少なくとも一層の蛍光体層とからな
るものである。蛍光体層は、輝尽性蛍光体とこの輝尽性
蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる。なお
、この蛍光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面
していない側の表面）には一般に、透明な保護膜が設け
られていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な
衝撃から保護している。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、前記の組成式
（Ｉ）で表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セ
シウム・ルビジウム蛍光体からなる蛍光体層を有する放
射線像変換パネルを用いて実施するのが望ましい。

組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換
パネルの形態で用いる本発明の放射線像変換方法におい
ては、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
た放射線は、その放射線量に比例して放射線像変換パネ
ルの蛍光体層に吸収され、放射線像変換パネル上には被
写体あるいは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄
積像として形成される。この蓄積像は、４５０〜９００
ｎｍの波長領域の電磁波（励起光）で励起することによ
り、輝尽発光（蛍光）として放射させることができ、こ
の輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変換するこ
とにより、放射線エネルギーの蓄積像を画像化すること
が可能となる。

本発明の放射線像変換方法を、組成式（Ｉ）で表わされ
る輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの形態で用いる態
様を例にとり、第４図に示す概略図を用いて具体的に説
明する。

第４図において、１１はｘｍ＝どの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は上記組成式（Ｉ）で表わされる輝尽
性蛍光体を含有する放射線像変換パネル、１４は放射線
像変換パネル１３上の放射線エネルギーの蓄積像を蛍光
として放射させるための励起源としての光源、１５は放
射線像変換パネル１３より放射された蛍光を検出する光
電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光電
変換信号を画像として再生する装置、１７は再生された
画像を表示する装置、そして、１８は光源１４からの反
射光を透過させないで放射線像変換パネル１３より放射
された蛍光のみを透過させるためのフィルターである。

なお、第４図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体１２自体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に段設する必要はな
い、また、光電変換装置１５〜画像表示装置１７までは
、放射線像変換パネル１３から蛍光として放射される情
報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な装量
に変えることもできる。

第４図に示されるように、被写体１２に放射線発生装置
１１からＸ線などの放射線を照射すると、その放射線は
被写体１２をその各部の放射線透過率に比例して透過す
る。被写体１２を透過した放射線は、次に放射線像変換
パネル１３に入射し、その放射線の強弱に比例して放射
線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収される。すなわち
、放射線像変換パネル１３上には放射線透過像に相当す
る放射線エネルギーの蓄積像（一種の潜像）が形成され
る。

次に、放射線像変換パネル１３に光源１４を用いて４５
０〜９００ｎｍの波長領域の電磁波を照射すると、放射
線像変換パネル１３に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光として放射される。この放射される蛍光は
、放射線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収された放射
線エネルギーの強弱に比例している。この蛍光の強弱で
構成される光信号を、たとえば、光電子増倍管などの光
電変換装置１５で電気信号に変換し、画像再生装置１６
によって画像として再生し、画像表示装置１７によって
この画像を表示する。

放射線像変換パネルに蓄積された画像情報を蛍光として
読み出す操作は、一般にし、−デー光でパネルを時系列
的に走査し、この走査によってパネルから放射される蛍
光を適当な集光体を介して光電子増倍管等の光検出器で
検出し、時系列電気信号を得ることによって行なわれる
。この読出しは観察読影性能のより優れた画像を得るた
めに、低エネルギーの励起光の照射による先読・み操作
と高エネルギーの励起光の照射による本読み操作とから
構成されていてもよい（特開昭５８−６７２４０号公報
参照）、この先読み操作を行なうことにより本読み操作
における読出し条件を好適に設定することができるとの
利点がある。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きぁ（特願昭５８−８６２２６号、特願昭５８−８６２
２７号、特願昭５８−２１９３１３号および特願昭５８
−２１９３１４号の各明細書、および特開昭５８−１２
１８７４号公報参照）、この場合には、多数の固体光電
変換素子がパネル全表面を覆うように構成され、パネル
と一体化されていてもよいし、あるいはパネルに近接し
た状態で配置されていてもよい、また、光電変換装置は
複数の光電変換素子が線状に連なったラインセンサであ
ってもよいし、あるいは一画素に対応する一個の固体光
電変換素子から構成されていてもよい。

上記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い。このような装置を用いて読出しを行なうことにより
、パネルから放出される蛍光の損失を防ぐと同時に受光
立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によっ
てではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列化
されるために、読出し速度を速くすることが可能である
。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換パネルに対
しては、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射すること
により、あるいは加熱することにより、残存している放
射線エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが
好ましい（特開昭５６−１１３９２号および特開昭５８
−１２５９９号公報参照）、この消去操作を行なうこと
により、次にこのパネルを使用した時の残像によるノイ
ズの発生を防止することができる。さらに、読出し後と
次の使用直前の二度に渡って消去操作を行なうことによ
り、自然放射能などによるノイズの発°生を防いで更に
効率良く消去を行なうこともできる（特開昭５７−１１
６３００号公報参照）。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得る場合に用いられる放射線は、上記蛍光体がこ
の放射線の照射を受けた後、さらに上記電磁波で励起さ
れた時に輝尽発光を示しうるちのであればいかなる放射
線であってもよく、たとえば、Ｘ線、電子線、紫外線な
ど一般によく知られ、ている放射線を用いることができ
る。また、被検体の放射線像を得る場合に直接に被検体
から発せられる放射線も、同様に上記蛍光体に吸収され
て輝尽売先のエネルギー源となるものであればいかなる
放射線であってもよく、その例としてはγ線、α線、β
線層どの放射線を挙げることができる。

上記のようにして被写体もしくは被検体からの放射線を
吸収した蛍光体を励起する電磁波の光源としては、４５
０〜９００ｎｍの波長領域にバンドスペクトル分布をも
つ光を放射する光源のほかに、Ａｒイオンレーザ−１Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー、ルビーｅレーザー、半導体レーザー
、ガラス・レーザー、ＹＡＧレーザ−、Ｋｒイオンレー
ザ−１色素レーザー等のレーザーおよび発光ダイオード
などの光源を使用することができる。これらのうちでレ
ーザー光は、単位面積当りのエネルギー密度の高いレー
ザービームを放射線像変換パネルに照射することができ
るため、本発明において用いる励起用光源として好まし
い、それらのうちでその安定性および出力などの点から
、好ましいレーザー光はＨｅ−Ｎｅレーザーである。ま
た、半導体レーザーは、小型であること、駆動電力が小
さいこと、直接変調が可能なのでレーザー出力の安定化
が簡単にできること、などの理由により励起光源として
好ましい。

また、消去に用いられる光源としだは、輝尽性蛍光体の
励起波長領域の光を放射するものであればよく、その例
としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ
、高圧ナトリウムランプを挙げることができる。

本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体に放射線の
エネルギーを吸収蓄積させる蓄積部、この蛍光体に励起
光を照射して放射線のエネルギーを蛍光として放出させ
る光検出（読出し）部、および蛍光体中に残存するエネ
ルギーを放出させるための消去部を一つの装置に内蔵し
たビルトイン型の放射線像変換装置に適用することもで
きる（特願昭５７−８４４３６号および特願昭５８−６
６７３０号明細書参照）、このようなビルトイン型の装
置を利用することにより、放射線像変換パネル（または
輝尽性蛍光体を含有してなる記録体）を循環再使用する
ことができ、安定した均質な画像を得ることができる。

また、ビルトイン型とすることにより装置を小型化、軽
量化することができ、その設置、移動などが容易になる
。さらにこの装置を移動車に搭載することにより、巡回
放射線撮影が可能となる。

次に１本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルについて説明する。

この放射線像変換パネルは、前述のように、実質的に支
持体と、この支持体上に設けられた前記組成式（１）で
表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム争
ルビジウム蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤から
なる少なくとも一層の蛍光体層とから構成される。

上記の構成を有する放射線像変換パネルは、たとえば、
次に述べるような方法により製造することができる。

まず、放射線像変換パネルに用いられる上記組成式（Ｉ
）で表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウ
ム・ルビジウム蛍光体について説明する。

この二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジ
ウム蛍光体は、たとえば、次に記載するような製造、法
により製造することができる。

まず、蛍光体原料として、 １）ＣｓＣｊｌ　ＣｓＢｒおよびＣ５Ｉからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲン化セシウム、 ２）Ｒｂｌｌ、ＲｂＢｒおよびＲｂＩからなる群より選
ばれる少なくとも一種のハロゲン化ルビジウム、および ３）ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩などのユー
ロピウムの化合物からなる群より選ばれる少なくとも一
種の化合物、 を用意する。

場合によっては、さらにハロゲン化アンモニウム（ＮＨ
，Ｘ”；ただり、Ｘ”は０文、Ｂｒまたは工である）な
どを７ラツクスとして使用してもよい。

蛍光体の製造に際しては、上記１）のハロゲン化セシウ
ム、２）のハロゲン化ルビジウムおよび３）のユーロピ
ウム化合物を用いて、化学量論的に、組成式（■）： ＣｓＸ＊　ａＲｂＸ’　：　ｘＥｕ　　　　　（ｒｌ）
（ただし、ＸおよびＸｏはそれぞれＣＪＬ、Ｂｒおよび
工からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンで
あり：そしてａはＯ＜ａ≦１Ｏ００の範囲の数値であり
、ＸはＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値である） に対応する相対比となるように秤量混合して、蛍光体原
料の混合物を調製する。

蛍光体原料混合物の調製は。

ｉ）上記１）、２）および３）の蛍光体原料を単に混合
することによって行なってもよく、あるいは、 ｉｉ）まず、上記ｌ）および２）の蛍光体原料を溶液の
状態で混合し、この溶液を加温下（好ましくは５０〜２
００℃）で、減圧乾燥、真空乾燥。

噴霧乾燥などにより乾燥し、しかるのち得られた乾燥物
に上記３）の蛍光体原料を混合することによって行なっ
てもよい。

なお、上記ｉｉ）の方法の変法として、上記１）、２）
および３）の蛍光体原料を溶液の状態で混合し、この溶
液を乾燥する方法を利用してもよい。

上記ｉ）およびｉｉ）のいずれの方法においても、混合
には、各種ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボールミル、ロ
ッドミルなどの通常の混合機が用いられる。

次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混合物を石
英ボート、アルミナルツボ、石英ルツボなどの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう、焼成温度は４０
０〜１３００℃の範囲が適当であり、好ましくは７００
〜１０００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合
物の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一
般には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気として
は、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あるい
は、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還
元性の雰囲気を利用する。一般に上記３）の蛍光体原料
として、ユーロピウムの価数が三価のユーロピウム化合
物が用いられるが、その場合に焼成過程において、上記
弱還元性の雰囲気によって三価のユーロピウムは二価の
ユーロピウムに還元される。

上記焼成によって粉末状の蛍光体が得られる。

なお、得られた粉末状の蛍光体については、必要に応じ
て、さらに、洗浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製
造における各種の一般的な操作を行なってもよい。

本発明の蛍光体の製造法において、ハロゲン化セシウム
（ＣｓＸ）・とハロゲン化ルビジウム（ＲｂＸ’）にお
けるＸとＸｏは、互いに同一でもよいし、あるいは互い
に異なっていてもよい。

また、輝尽発光輝度の点から、組成式（ｎ）におけるＣ
ｓＸとＲｂＸ’との割合を表わすａ値は０．１５≦ａ≦
２．０の範囲にあるのが好ましく、同じく輝尽発光輝度
の点から、組成式（ｎ）におけるユーロピウムの賦活量
を表わすＸ値は１０−５≦ｘ≦１Ｏ−２の範囲にあるの
が好ましい。

次に、二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビ
ジウム蛍光体がその中に分散せしめられて形成される蛍
光体層の結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白質、デ
キストラン等のポリサッカライド、またはアラビアゴム
のような天然高分子物質：および、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロ
ース。

塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル
（メタ）アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリ
マー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート
、ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどような
合成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げるこ
とができる。このような結合剤のなかで特に好ましいも
のは、ニトロセルロース、線状ポリエステル、ポリアル
キル（メタ）アクリレート、ニトロセルロースと線状ポ
リエステルとの混合物、およびニトロセルロースとポリ
アルキル（メタ〕アクリレートとの混合物である。

蛍光体層は、たとえば１次のような方法により支持体上
に形成することができる・ まず粒子状の輝尽性蛍光体と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、　　ｎ−２タノールなどの低
級アルコール：メチレンクロライド、エチレンクロライ
ドなどの塩素原子含有炭化水素：アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低
級アルコールとのエステル：ジオキサン、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル：そして、それらの混合物
を挙げることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類など
によって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比
は、工：１乃至１　：　１００（重量比）の範囲から選
ばれ、そして特に１：８乃至１：４０（重量比）の範囲
から選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体の分散性
を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体層中
における結合剤と蛍光体との間の結合力を向上させるた
めの可塑剤などの種々の添加剤が混合されていてもよい
、そのような目的に用いられる分散剤の例としては、７
タル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤
などを挙げることができる。そして可塑剤の例としては
、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニ
ルなどの燐酸エステル：フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
メトキシエチルなどの７タル酸エステル：グリコール酸
エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブ
チルなどのグリコール酸エステル；そして、トリエチレ
ングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレ
ングリコール−とコハク酸とのポリエステルなどのポリ
エチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステル
な、どを挙げることができる。

上記のようにして調製された蛍光体と結合剤とを含有す
る塗布液を１次に、支持体の表面に均一に塗布すること
により塗布液の塗膜を形成する。

この塗布操作は１通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。

支持体としては、従来の放射線写真法における増感紙（
または増感用スクリーン）の支持体として用いられてい
る各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体と
して公知の材料から任意に選ぶことができる。そのよう
な材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラ
スチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウ
ム合金箔などの金属シート、通常の紙、バライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピグ
メント紙、ポリビニルアルコールなどをサイジングした
紙などを挙げることができる。

ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料としての特
性および取扱いなどを考慮した場合、本発明において時
に好ましい支持体の材料はプラスチックフィルムである
。このプラスチックフィルムにはカーボンブラックなど
の光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
い、前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに適し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変換パ
ネルに適した支持体である。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させ
るために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラ
チンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり
、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光
反射層、も−しくはカーボンブラックなどの光吸収性物
質からなる光吸収層などを設けることが知られている０
本発明において用いられる支持体についても、これらの
各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放
射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択
することができる。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で
、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の表
面に接着性付与層、光反射層あるいは光吸収層などが設
けられている場合には、その表面を意味する）には微小
の凹凸が形成されていてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち塗膜を
乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了す
る。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネル
の特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比など
によって異なるが、通常は２０ＩＬｍ乃至ｉｎｍとする
。ただし、この層厚は５０乃至５００μｍとするのが好
ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体
上に塗布液を直Ｓ塗布して形成する必要はなく、たとえ
ば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなど
のシート上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体
層を形成したのち。

これを、支持体上に押圧するか、あるいは接着剤を用い
るなどして支持体と蛍光体層とを接合してもよい。

輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以上を重層
してもよい０重層する場合にはそのうちの少なくとも一
層が組成式（Ｉ）の二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セ
シウム・ルビジウム蛍光体を含有する暦であればよく、
パネルの表面に近い方に向って順次放射線に対する発光
効率が高くなるように複数の蛍光体層を重層した構成に
してもよい、また、単層および重層のいずれの場合も、
上記蛍光体とともに公知の輝尽性蛍光体を併用すること
ができる。

そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては。

前述の蛍光体のほかに、特開昭５５−１２１４２号公報
、に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ。

ＢａＯ＊ｘＡ１２０．：Ｅｕ　（ただし、０．８≦Ｘ≦
１０）　、　オＪ：び、Ｍ厘０ｓＸＳｉ０２：Ａ（ただ
し、ＭＩ［はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、またはＢ
ａであり、ＡはＣｅ％Ｔｂ、Ｅｕ。

Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｂｉ、またはＭ　ｎ　テあり、Ｘは
、０．５≦Ｘ≦２．５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（　Ｂ
　ａ　１−　Ｘ　−Ｆ　、　Ｍ　ｇ　ｘ　、　Ｃａ　ｙ
　）　Ｆ　Ｘ　：ａＥｕ”（ただし、又は０文およびＢ
ｒのうちの少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、Ｏ＜
ｘ＋ｙ≦０．６．かつｘｙ≠０であり、ａは、１Ｏ−６
≦ａ≦５　Ｘ　１０−２である）、 特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ（ただし、ＬｎはＬａ％Ｙ、Ｇｄ、およびＬｕ
のうちの少なくとも一つ、ＸはＣＱおよびＢｒのうちの
少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少なくと
も一つ、そして、Ｘは′、Ｏ＜ｘ＜０．１で鳥る）、お
よび本出願人による特願昭５８−１９３１６２号明細書
ニ記載されているＭ”Ｘ２　争ａＭＩＩＸ　’　２：ｘ
Ｅｕ”（ただし１Ｍ厘はＢａ、ＳｒおよびＣａからなる
群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であ
り：ＸおよびＸｏはＣｌ、ＢｒおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、かつＸＩ
＆Ｘ　’であり；そしてａは０．１≦ａ≦１０．０の範
囲の数値であり、ＸはＯ＜ｘ≦０．２の範囲の数値であ
る）などを挙げることができる。

通常の放射線像変換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表面に、蛍光体
層を物理的および化学的に保護するための透明な保護膜
が設けられている。このような透明保護膜は１本発明の
放射線像変換パネルについても設置することが好ましい
。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニルコポリマ°−などの合成高分子物質のよ
うな透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した
溶液を蛍光体層の表面に塗布する方法により形成するこ
とができる、あるいは、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドなどか
ら別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当な接
着剤を用いて接着するなどの方法によっても形成するこ
とができる。このようにして形成する透明保護膜の膜厚
は、約０．１乃至２０ＩＬｍとするのが望ましい。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各実
施例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ 塩化セシウム（Ｃｓ０文）１６８．３６ｇ、臭化ルビジ
ウム（ＲｂＢｒ）１８５．４７ｇ、および臭化ユーロピ
ウム（Ｅ　ｕ　Ｂ　ｒ　３　）　０　、３９２　ｇを蒸
留水（Ｈ２０）　８００　ｍａｌに添加し、混合して水
溶液とした。この水溶液を６０℃で３時間減圧乾燥した
後、さらに１５０℃で３時間の真空乾爆を行なった。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成を行なった。焼成
は、−酸化炭素を含む二酸化炭素雰囲気中にて９００℃
の温度で２時間かけて行なった。焼成が完了したのち、
焼成物を炉外に取り出して冷却した。このようにして、
粉末状のＣｓＣ１ＬＬＩＲｂＢｒ　：０．００１　Ｅｕ
２＋蛍光体を得た。

〔実施例２］ 実施例１において、塩化セシウムの代りに臭化セシウム
ＣＣｓＢｒ）２１２−９０ｇを用いること以外は、実施
例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状の
ＣｓＢｒ＊ＲｂＢｒ：０．００１　Ｅ　ｕ　”°蛍光体
を得た。

［実施例３］ 実施例１において、臭化ルビジウムの代りに沃化ルビジ
ウム（ＲｂＩ）２ｔ２．３７ｇを用いること以外は、実
施例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状
のＣ３Ｃ６ＬＩＩＲｂ工：０．００１　Ｅ　ｕ　２°蛍
光体を得た。

さらに、実施例１で得られた蛍光体に管電圧８０　Ｋ’
Ｖ、ｐ　（７）Ｘ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅし一ザ
ー光（波長６３２．８ｎｍ）で励起したときの輝尽発光
スペクトル、およびその輝尽発光のピーク波長（約３７
０ｎｍ）における輝尽励起スペクトルを測定した。得ら
れた結果を第１図と第２図に示す。

第１図は、ＣｓＣ１＊ＲｂＢｒ：０．００１　Ｅｕ”蛍
光体の輝尽励起スペクトルを示す。

第２図は、ＣｓＣ・ｌ＊ＲｂＢｒ：０．００１　Ｅｕ”
蛍光体の輝尽発光スペクトルを示す。

〔実施例４］ 実施例１で得られた粉末状のＣ３ＣｊＬ”ＲｂＢｒ：０
．００１Ｅｕ２°蛍光体と線状ポリエステル樹脂との混
合物にメチルエチルケトンを添加し、さらに硝化度１１
．５％のニトロセルロースを添加して蛍光体を分散状態
で含有する分散液を調製した０次に、この分散液に燐酸
トリクレジル、ｎ　−ブタノール、そしてメチルエチル
ケトンを添加したのち、プロペラミキサーを用いて充分
に攪拌混合して、蛍光体が均一に分散し、かつ結合剤と
蛍光体との混合比が１：１０、粘度が２５〜３５ＰＳ（
２５℃）の塗布液をｍｍした０次に、ガラス板上に水平
に置いた二酸化チタン練り込みポリエチレンテレフタレ
ートシート（支持体、厚み＝２５０１Ｌｍ）の上に塗布
液をドクターブレードを用いて均一に塗布した。そして
塗布後に、塗膜が形成された支持体を乾燥器内に入れ、
この乾燥器の内部の温度を２５℃から１００℃に徐々に
上昇させて、塗膜の乾燥を行なった。このようにして、
支持体上に層厚が２５０１Ｌｍの蛍光体層を形成した。

そして、この蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレー
トの透明フィルム（厚み：１２＃Ｌｍ、ポリエステル系
接着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向け
て置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、支
持体、蛍光体層、および透明保護膜から構成された放射
線像変換パネルを製造した。

〔実施例５〕 実施例４において、実施例２で得られたＣｓＢ　ｒ　＊
　Ｒ，ｂＢ　ｒ　：０．００１　Ｅｕ２＋蛍光体を用い
ること以外は実施例４の方法と同様の操作を行なうこと
により、支持体、蛍光体層、および透明保護膜から構成
された放射線像変換パネルを製造した。

［実施例６］ 実施例４において、実施例３で得られたＣ５ＣｆＬ　−
Ｒｂ　Ｉ　：　０．００１　Ｅ　ｕ　”＋蛍光体を用い
ること以外は実施例４の方法と同様の操作を行なうこと
により、支持体、蛍光体層、および透明保護膜から構成
された放射線像変換パネルを製造した。

次に、実施例４〜６で得られた各放射線像変換パネルに
、管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、８３２．８＊
ｍの光で励起して、各パネルの感度〔輝尽発光輝度〕を
測定した。その結果を、第１表に示す。

以下余白 第１表 相対感度 実施例４　　　　　　　　　　　１００実施例５　　　
　　　　　　　　７０ 実施例６　　　　　　　　　　　３０

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に用いられる二価ユーロピウム賦活ハ
ロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体の一例であるＣｓ
Ｃ１＊ＲｂＢｒ：０．００１Ｅｕ”蛍光体の輝尽励起ス
ペクトルである。 第２図は１本発明に用いられる二価ユーロピウム賦活ハ
ロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体の一例であるＣ５
ＣｆＬ＠ＲｂＢｒ：０．００１Ｅｕ２°蛍光体の輝尽発
光スペクトルである。 第３図は、ＣｓＣ１＊　ａＲｂＢｒ：０．００１Ｅｕ”
蛍光体におけるａ値と輝尽発光強度との関係を示すグラ
゛フである。 第４図は１本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。 １１：放射線発生装置 １２：被写体 １３：放射線像変換パネル １４：光源 １５：光電変換装置 １６：画像再生装置 １７：画像表示装置 １８：フィルター

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 　１．被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
   た放射線を、下記組成式（ I ）で表わされる二価ユー
   ロピウム賦活ハロゲン化セシウム・ルビジウム蛍光体に
   吸収させた後、この蛍光体に４５０〜９００ｎｍの波長
   領域の電磁波を照射することにより、該蛍光体に蓄積さ
   れている放射線エネルギーを蛍光として放出させ、そし
   てこの蛍光を検出することを特徴とする放射線像変換方
   法。 組成式（ I ）： 　ＣｓＸ・ａ＿ＲｂＸ’：ｘ＿Ｅｕ＾２＾＋　（ I ）
   （ただし、ＸおよびＸ’はそれぞれＣｌ、ＢｒおよびＩ
   からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
   り；そしてａは０＜ａ≦１０．０の範囲の数値であり、
   ｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である）
2. 　２．組成式（ I ）におけるａが、０．１５≦ａ≦２
   ．０の範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の放射線像変換方法。
3. 　３．組成式（ I ）におけるｘが、１０＾−＾５≦ｘ
   ≦１０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
4. 　４．上記電磁波が６００〜７５０ｎｍの波長領域の電
   磁波であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の放射線像変換方法。
5. 　５．上記電磁波がレーザー光であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
6. 　６．支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍光
   体を分散状態で含有支持する結合剤からなる少なくとも
   一層の蛍光体層とから実質的に構成されており、該蛍光
   体層のうちの少なくとも一層が、下記組成式（ I ）で
   表わされる二価ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム・
   ルビジウム蛍光体を含有することを特徴とする放射線像
   変換パネル。 組成式（Ｉ）： ＣｓＸ・ａＲｂＸ’：ｘＥｕ＾２＾＋　（Ｉ）（ただし
   、ＸぉよびＸ’はそれぞれＣｌ、ＢｒおよびＩからなる
   群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり：そし
   てａは０＜ａ≦１０．０の範囲の数値であり、ｘは０＜
   ｘ≦０．２の範囲の数値である）
7. ７．組成式（Ｉ）におけるａが、０．１５≦ａ≦２．０
   の範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範囲第
   ６項記載の放射線像変換パネル。
8. ８．組成式（Ｉ）におけるｘが、１０＾−＾６≦ｘ≦１
   ０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許請
   求の範囲第６項記載の放射線像変換パネル。