JPS62209399A - 輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネル - Google Patents
輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネルInfo
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは、長期間にわたり良
好な状態で使用が可能な放射線画像変換パネルに関する
ものである。
関するものであり、さらに詳しくは、長期間にわたり良
好な状態で使用が可能な放射線画像変換パネルに関する
ものである。
(従来技術)
X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したXdを螢光体層(螢光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで螢光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したXdを螢光体層(螢光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで螢光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
この方法としては、被写体を透過した放射線を螢光体に
吸収せしめ、しかる後、この螢光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収に
より蓄積している放射線エネルギーを螢光として放射せ
しめ、この螢光を検出して画像化する方法がある。具体
的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特
開昭55−12144号には輝尽性螢光体を用い可視光
線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が
示されている。この方法は、支持体上に輝尽性螢光体層
を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、こ
の放射、線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体谷部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性螢光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによって各部の蓄積・された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生してもよいし、CRT上に再生しても
よい。
吸収せしめ、しかる後、この螢光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収に
より蓄積している放射線エネルギーを螢光として放射せ
しめ、この螢光を検出して画像化する方法がある。具体
的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特
開昭55−12144号には輝尽性螢光体を用い可視光
線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が
示されている。この方法は、支持体上に輝尽性螢光体層
を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、こ
の放射、線画像変換パネルの輝尽性螢光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体谷部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性螢光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによって各部の蓄積・された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生してもよいし、CRT上に再生しても
よい。
この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後再度放
射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能
である。
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後再度放
射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能
である。
そこで、前記放射線画像変換パネルにおいて、得られる
画像の高画質化が望まれるのは当然のことであるが、さ
らに長期間あるいは多数回の繰り返しの使用に耐える性
能(耐用性)が要求される。
画像の高画質化が望まれるのは当然のことであるが、さ
らに長期間あるいは多数回の繰り返しの使用に耐える性
能(耐用性)が要求される。
ところが、一般に輝尽性螢光体は吸湿性が大でろ5、通
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の水分を
収着し、時間の経過とともにその性能が劣化する。具体
的には、放射線に対する感度が低下したり、放射線照射
により生成した潜像の視性速度が増大する現象が起こる
。
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の水分を
収着し、時間の経過とともにその性能が劣化する。具体
的には、放射線に対する感度が低下したり、放射線照射
により生成した潜像の視性速度が増大する現象が起こる
。
従来、輝尽性螢光体の吸湿によるこれらの劣化現象を防
止するためには、たとえば、特願昭60=154559
号に示されているように1透湿度の低い保護層を設けて
、前記輝尽性螢光体層に水分が到達するのを抑制する方
法がとられてきたが、さらに輝尽性螢光体層に防湿性を
付与するための技術が望まれている。
止するためには、たとえば、特願昭60=154559
号に示されているように1透湿度の低い保護層を設けて
、前記輝尽性螢光体層に水分が到達するのを抑制する方
法がとられてきたが、さらに輝尽性螢光体層に防湿性を
付与するための技術が望まれている。
ところで、通常、放射線画像変換パネル中の輝尽性螢光
体層は、輝尽性螢光体粒子を適当な結着剤樹脂とともに
溶剤中に分散してなる塗布液を支持体上または保護層上
に塗布し、乾燥することによシ、作成される。ここで、
輝尽性螢光体は無機物でおるので、一般に前記結着剤お
よび前記溶剤に対する濡れ性が低く、分散液中で輝尽性
螢光体粒子が凝集しやすいため、分散性の制い輝尽性螢
光体分散液を得ることが困難である。とくに比重の大き
い輝尽性螢光体粒子を用いた場合、この傾向が著しい。
体層は、輝尽性螢光体粒子を適当な結着剤樹脂とともに
溶剤中に分散してなる塗布液を支持体上または保護層上
に塗布し、乾燥することによシ、作成される。ここで、
輝尽性螢光体は無機物でおるので、一般に前記結着剤お
よび前記溶剤に対する濡れ性が低く、分散液中で輝尽性
螢光体粒子が凝集しやすいため、分散性の制い輝尽性螢
光体分散液を得ることが困難である。とくに比重の大き
い輝尽性螢光体粒子を用いた場合、この傾向が著しい。
分散性の悪い輝尽性螢光体分散液を用いることは塗布膜
のムラを招き、結果的に得られる放射線画像の画質を低
下させていた。
のムラを招き、結果的に得られる放射線画像の画質を低
下させていた。
(発明の目的)
本発明は、輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は、輝尽性螢光体層の耐湿性にすぐれ、
長期間忙わたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変
換パネルを提供することにある。
における前述のような現状に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は、輝尽性螢光体層の耐湿性にすぐれ、
長期間忙わたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変
換パネルを提供することにある。
本発明の他の目的は、輝尽性螢光体粒子の結着剤中への
分散性が良好であり、高画質の画像を得ることのできる
放射線画像変換パネルを提供することにある。
分散性が良好であり、高画質の画像を得ることのできる
放射線画像変換パネルを提供することにある。
(発明の構成)
前記した本発明の目的は、輝尽性螢光体を結着カプセル
化されていることを有する放射線画像変換パネルによっ
て達成される。
化されていることを有する放射線画像変換パネルによっ
て達成される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の放射線画像変換パネル(以下、意味明白な場合
には単に「パネル」と略称することがある)において、
輝尽性螢光体層は、7120(徽小)カプセル化された
輝尽性螢光体を適当な結着剤とともに溶剤中に分散して
塗布液を調製し、該塗布液を支持体上または保護層上に
塗布し乾燥することにより作成することができる。
には単に「パネル」と略称することがある)において、
輝尽性螢光体層は、7120(徽小)カプセル化された
輝尽性螢光体を適当な結着剤とともに溶剤中に分散して
塗布液を調製し、該塗布液を支持体上または保護層上に
塗布し乾燥することにより作成することができる。
ここで、輝尽性螢光体がマイクロカプセル化されている
状態とは少くとも1個の輝尽性螢光体粒子が核物質とな
シ、該核物質の表面が適当な壁膜物質からなる壁膜によ
り被包されて独立の微小体を形成している状態をいう。
状態とは少くとも1個の輝尽性螢光体粒子が核物質とな
シ、該核物質の表面が適当な壁膜物質からなる壁膜によ
り被包されて独立の微小体を形成している状態をいう。
前記壁膜物質を適当に選択することにより、輝尽性螢光
体粒子の吸湿を抑制することが可能となる。加えて、マ
イクロカプセル化された輝尽性螢光体粒子は分散液中に
おいて凝集しにくいため、輝尽性螢光体粒子の結着剤樹
脂への分散性が向上し、得られる画像の画質を改善する
ことができる。
体粒子の吸湿を抑制することが可能となる。加えて、マ
イクロカプセル化された輝尽性螢光体粒子は分散液中に
おいて凝集しにくいため、輝尽性螢光体粒子の結着剤樹
脂への分散性が向上し、得られる画像の画質を改善する
ことができる。
更に、輝尽性螢光体粒子を被包したマイクロカプセルの
平均比重が小さくなるので、塗布液中の沈降が少くなり
、塗布液の停滞安定性が向上し生産技術上好ましい。
平均比重が小さくなるので、塗布液中の沈降が少くなり
、塗布液の停滞安定性が向上し生産技術上好ましい。
前記マイクロカプセルの断面図を模式的に表したものを
第2図に示す。第2図(1)において、20はマイクロ
カプセルを、21は核の螢光体粒子を、22は核21を
被包する壁膜を表している。前記マイクロカプセルはま
た、第2図(2)に示すように1カプセル中に複数個の
核を有する多核マイクロカプセル構造であってもよい。
第2図に示す。第2図(1)において、20はマイクロ
カプセルを、21は核の螢光体粒子を、22は核21を
被包する壁膜を表している。前記マイクロカプセルはま
た、第2図(2)に示すように1カプセル中に複数個の
核を有する多核マイクロカプセル構造であってもよい。
前記マイクロカプセルは第2図(1)および(2)に示
した形状に限られるものではなく、核が壁膜により被包
されているカプセルであればいかなる形状であってもよ
い。
した形状に限られるものではなく、核が壁膜により被包
されているカプセルであればいかなる形状であってもよ
い。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性螢光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言う
が、実用的な面から好ましくは500 nm以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4:Ax (但しAはDy、’rb及びTmの
うち少なくとも1種であり、Xば0.001≦x (1
モル%である。)で表わされる螢光体、特開昭48−8
0488号記載のMg5O,: Ax (但しA Fi
Ho或いはDyのうちいずれかであり、o、ooi≦X
≦ 1モル%である)で表わされる螢光体、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4: Ax
(但し AはDy、Th及びTmのうち少なくとも1種
であり、Xは0.001≦x (1モル%である。)で
表わされている螢光体、特開昭51−29889号に記
載されているNa25o、 、 CaSO4及びBaS
O4等にMn、Dy 及びTbのうち少なくとも1種を
添加した螢光体、特開昭52−30487号に記載され
ているBed、 LiF。
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言う
が、実用的な面から好ましくは500 nm以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4:Ax (但しAはDy、’rb及びTmの
うち少なくとも1種であり、Xば0.001≦x (1
モル%である。)で表わされる螢光体、特開昭48−8
0488号記載のMg5O,: Ax (但しA Fi
Ho或いはDyのうちいずれかであり、o、ooi≦X
≦ 1モル%である)で表わされる螢光体、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4: Ax
(但し AはDy、Th及びTmのうち少なくとも1種
であり、Xは0.001≦x (1モル%である。)で
表わされている螢光体、特開昭51−29889号に記
載されているNa25o、 、 CaSO4及びBaS
O4等にMn、Dy 及びTbのうち少なくとも1種を
添加した螢光体、特開昭52−30487号に記載され
ているBed、 LiF。
MgSO4及びCaF2等の螢光体、特開昭53−39
277号に記載されているLi213.o□: Cu、
Ag等の螢光体、特開昭54−47883号に記載さ
れているLi2O・(11320□)x : Cu(但
しXは2 (x≦3人及びL i、、O−(B202)
x: Cu、Ag(但しXは2くx≦3)等の螢光体、
米国特許3,859,527号に記載されているSrS
:Ce、Sm 、 SrS : Ii:u、Sm
、 La20□S : Eu、 Sm 及び(Zn
、Cd ) S :Mn、 X (但しXはハロゲン)
で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭55−
12142号に記載されているZnS :Cu、 Pb
螢光体、一般式がBa0−xAl2O3: mu (但
し0.8≦X≦10 )で表わされるアルミン酸バリウ
ム螢光体、及び一般式がM’O−xsi02 : A
(但しMlはMg、’Ca、 S r。
277号に記載されているLi213.o□: Cu、
Ag等の螢光体、特開昭54−47883号に記載さ
れているLi2O・(11320□)x : Cu(但
しXは2 (x≦3人及びL i、、O−(B202)
x: Cu、Ag(但しXは2くx≦3)等の螢光体、
米国特許3,859,527号に記載されているSrS
:Ce、Sm 、 SrS : Ii:u、Sm
、 La20□S : Eu、 Sm 及び(Zn
、Cd ) S :Mn、 X (但しXはハロゲン)
で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭55−
12142号に記載されているZnS :Cu、 Pb
螢光体、一般式がBa0−xAl2O3: mu (但
し0.8≦X≦10 )で表わされるアルミン酸バリウ
ム螢光体、及び一般式がM’O−xsi02 : A
(但しMlはMg、’Ca、 S r。
Zn、 Cd又はBaであり°AFiCe 、 Tb
、 Bu 、 Tm。
、 Bu 、 Tm。
Pb、Tl、Bi及び当のうち少なくとも1種であり、
Xは0.5≦x < 2.5である。)で表わされるア
ルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。また、一
般式が (Bal −x −yMgxCay) FX : em
u”(但しXはBr及びC1の中の少なくとも1つであ
り、x、y及びeはそれぞれO<x+y≦0.6、xy
〆0及び10″≦e≦5 X 10−”なる条件を満た
す数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物螢光体、特開昭55−12144号に記載されてい
る一般式が LnOX : xA (但しLnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも1つ
を、XはC1及び/又はBrを、AはCe及び/又はT
bを、XはO(x (0,1を満足する数を表わす。)
で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に記載
されている一般式が (Ba、 −xM x) FX : yA(但しMIは
、Mg、 Ca、 Sr、 Zn及びCdのうち少なく
とも1つを、XはC1,Br及び■のうちの少なくとも
1つを、AはI+3u 、 Tb 、 Ce 、 Tm
、 Dy 。
Xは0.5≦x < 2.5である。)で表わされるア
ルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。また、一
般式が (Bal −x −yMgxCay) FX : em
u”(但しXはBr及びC1の中の少なくとも1つであ
り、x、y及びeはそれぞれO<x+y≦0.6、xy
〆0及び10″≦e≦5 X 10−”なる条件を満た
す数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物螢光体、特開昭55−12144号に記載されてい
る一般式が LnOX : xA (但しLnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも1つ
を、XはC1及び/又はBrを、AはCe及び/又はT
bを、XはO(x (0,1を満足する数を表わす。)
で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に記載
されている一般式が (Ba、 −xM x) FX : yA(但しMIは
、Mg、 Ca、 Sr、 Zn及びCdのうち少なく
とも1つを、XはC1,Br及び■のうちの少なくとも
1つを、AはI+3u 、 Tb 、 Ce 、 Tm
、 Dy 。
Pr、 Ho、 Nd、 Yb及び1iarのうちの少
なく とも1つを、X及びyはO≦X≦0.6及び0≦
y≦0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされ
る螢光体、特開昭55−84389号に記載されている
一般式がBaFX : xCe 、 yA (但し、
XはC4Br及び■のうちの少なくとも1つ、AはIn
、 Tl 、 Gd。
なく とも1つを、X及びyはO≦X≦0.6及び0≦
y≦0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされ
る螢光体、特開昭55−84389号に記載されている
一般式がBaFX : xCe 、 yA (但し、
XはC4Br及び■のうちの少なくとも1つ、AはIn
、 Tl 、 Gd。
Sm及びZrのうちの少なくとも1つであり、X及びy
はそれぞれO(x≦2 X 10−’及びO<y≦5×
10−2である。)で表わされる螢光体、特開昭55−
160078号に記載されている一般式がM FX −
xA : yLn (但しMlはMg、 Ca、 Ba、 Sr、 Zn及
びCdのうちの少なくとも1種、AはBed、 MgO
,Cab、 S ro、 Bad。
はそれぞれO(x≦2 X 10−’及びO<y≦5×
10−2である。)で表わされる螢光体、特開昭55−
160078号に記載されている一般式がM FX −
xA : yLn (但しMlはMg、 Ca、 Ba、 Sr、 Zn及
びCdのうちの少なくとも1種、AはBed、 MgO
,Cab、 S ro、 Bad。
ZnO,A403.Y2O3+ La、、03.In2
O3,Sin□、TiO2,ZrO2゜GeO2、Sn
O2,Nb2O’5 、 Ta2O,及びTh02 の
うちの少なくとも1種、LnはEu 、 Tb、 Ce
、 Tm、 Dy、 Pr。
O3,Sin□、TiO2,ZrO2゜GeO2、Sn
O2,Nb2O’5 、 Ta2O,及びTh02 の
うちの少なくとも1種、LnはEu 、 Tb、 Ce
、 Tm、 Dy、 Pr。
Ho、 Nd、 Yb、 Er、 Sm及び(ト)のう
ちの少なくとも1種でろり、XはC1,Br及びIのう
ちの少なくとも1種であり、X及びyはそれぞれ5 X
10−’≦X≦0.5及びO<y≦0.2なる条件を
満念す数である。)で表わされる希土類元素付活2価金
属フルオロハライド螢光体、一般式がZnS : A
、 Cd8:A、’ (Zn、Cd)SEASZnS:
A、X及びCdS:A、X(但しAはCu、Ag、Au
、又はMnで、sp、xはハロゲンである。)で表わさ
れる螢光体、特開昭57−148285号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 %式%: (式中、M及びNはそれぞれMg、 Ca、 Sr。
ちの少なくとも1種でろり、XはC1,Br及びIのう
ちの少なくとも1種であり、X及びyはそれぞれ5 X
10−’≦X≦0.5及びO<y≦0.2なる条件を
満念す数である。)で表わされる希土類元素付活2価金
属フルオロハライド螢光体、一般式がZnS : A
、 Cd8:A、’ (Zn、Cd)SEASZnS:
A、X及びCdS:A、X(但しAはCu、Ag、Au
、又はMnで、sp、xはハロゲンである。)で表わさ
れる螢光体、特開昭57−148285号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 %式%: (式中、M及びNはそれぞれMg、 Ca、 Sr。
Ba、Zn及びCdのうち少なくとも1種、XはF・C
I、Br及び■のうち少なくとも1種、AはEu 。
I、Br及び■のうち少なくとも1種、AはEu 。
Tb、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr、 Ho、 N
d、 Yb、 Er。
d、 Yb、 Er。
Sb、Tl、Mn及びSnのうち少なくとも1種を表わ
す。また、X及びyはOくX≦6.0≦y≦1なる条件
を満たす数である。)で表わされる螢光体、下記いずれ
かの一般式 %式%: (式中、ReはLa、Gd、Y、Luのうち少なくとも
1種、Aはアルカリ土類金属、Ba 、 Sr 、 C
aのうち少なくとも1種、X及びXlはF、(J、Br
のうち少なくとも1種を表わす。また、X及びyは、1
×10″′4ぐx (3X 10−’、lXl0−’(
y(1×101なる条件を満たす数でろ9、n7mは1
×1O−s(n / m (7X 10−’なる条件を
満たす。)で表わされる螢光体、及び下記一般式 %式%: (但し、MlはLi 、 Na、 K、 Rb及びC5
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、M
IlはBe、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn
、 Cd 、 Cu及びNiから選ばれる少なくとも1
種の二価金属である。MIiFiSc、 Y、 La
、 Ce、 Pr、 Nd、 Pm。
す。また、X及びyはOくX≦6.0≦y≦1なる条件
を満たす数である。)で表わされる螢光体、下記いずれ
かの一般式 %式%: (式中、ReはLa、Gd、Y、Luのうち少なくとも
1種、Aはアルカリ土類金属、Ba 、 Sr 、 C
aのうち少なくとも1種、X及びXlはF、(J、Br
のうち少なくとも1種を表わす。また、X及びyは、1
×10″′4ぐx (3X 10−’、lXl0−’(
y(1×101なる条件を満たす数でろ9、n7mは1
×1O−s(n / m (7X 10−’なる条件を
満たす。)で表わされる螢光体、及び下記一般式 %式%: (但し、MlはLi 、 Na、 K、 Rb及びC5
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、M
IlはBe、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn
、 Cd 、 Cu及びNiから選ばれる少なくとも1
種の二価金属である。MIiFiSc、 Y、 La
、 Ce、 Pr、 Nd、 Pm。
Sm、 FJu、 Gd 、 Tb 、 Dy、 Ho
、 Er、 Tm、 Yb。
、 Er、 Tm、 Yb。
Lu、Ag、Ga及びInから選ばれる少なくとも1種
の三価金属である。x、x’及びX“はF、C1゜Br
及びrから選ばれる少なくとも1種の)・ロゲンである
。AはEu、 Tb、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr
。
の三価金属である。x、x’及びX“はF、C1゜Br
及びrから選ばれる少なくとも1種の)・ロゲンである
。AはEu、 Tb、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr
。
Ho、 Nd 、 Yb、、 Er 、 Gd、 Lu
、 8m、 Y、 Tl。
、 8m、 Y、 Tl。
Na、Ag、Cu及びMgから選ばれる少なくとも1種
の金属である。またaは、0≦a (0,5の範囲の数
値であり、bは0≦b (0,5の範囲の数値であり、
Cは0くC≦0.2の範囲の数値である。)で表わされ
るアルカリハライド螢光体等が挙げられる。
の金属である。またaは、0≦a (0,5の範囲の数
値であり、bは0≦b (0,5の範囲の数値であり、
Cは0くC≦0.2の範囲の数値である。)で表わされ
るアルカリハライド螢光体等が挙げられる。
特にアルカリハライド螢光体は、放射線感度などの点か
らみて好ましい。
らみて好ましい。
しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であってもよ
い。
尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であってもよ
い。
使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1乃至1
00μm゛の範囲に於て適宜選択される。
ネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1乃至1
00μm゛の範囲に於て適宜選択される。
さらに好ましくは平均粒径が0.5乃至40μmのもの
が使用される。゛ 前記輝尽性螢光体粒子を被包せしめるために用いられる
壁膜物質としては樹脂が好ましく、その具体例としては
、たとえばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ
スチレン、ポリウレタン、ポリアミド、塩酸ゴムなどが
挙げられる。
が使用される。゛ 前記輝尽性螢光体粒子を被包せしめるために用いられる
壁膜物質としては樹脂が好ましく、その具体例としては
、たとえばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ
スチレン、ポリウレタン、ポリアミド、塩酸ゴムなどが
挙げられる。
前記輝尽性螢光体をマイクロカプセル化するには、まず
、前記壁膜物質を適当な溶剤に溶解せしめ、これに輝尽
性螢光体を混入し、ボールミル、超音波分散等の方法で
混合、粉砕し、ついで、相分離法あるいはスプレードラ
イング法などの方法でカプセルを形成させ、回収すれば
よい。前記溶剤としては、たとえば、メチルエチルケト
ン、キシレン、シクロヘキサン、ベンゼン、クロロホル
ム、トリクロルエチレン、エタノールなどが用いられる
。また、融解分散冷却法、気中懸濁被覆法などの方法を
用いて壁膜を設けてもよいし、壁膜物質の原料となるモ
ノマーあるいはオリゴマーをin 5itu重合法によ
り輝尽性螢光体粒子表面で重合反応させて壁膜を形成し
てもよい。
、前記壁膜物質を適当な溶剤に溶解せしめ、これに輝尽
性螢光体を混入し、ボールミル、超音波分散等の方法で
混合、粉砕し、ついで、相分離法あるいはスプレードラ
イング法などの方法でカプセルを形成させ、回収すれば
よい。前記溶剤としては、たとえば、メチルエチルケト
ン、キシレン、シクロヘキサン、ベンゼン、クロロホル
ム、トリクロルエチレン、エタノールなどが用いられる
。また、融解分散冷却法、気中懸濁被覆法などの方法を
用いて壁膜を設けてもよいし、壁膜物質の原料となるモ
ノマーあるいはオリゴマーをin 5itu重合法によ
り輝尽性螢光体粒子表面で重合反応させて壁膜を形成し
てもよい。
壁膜の厚さは0.01μm〜5μm程度が好ましい。
本発明に用いられる結着剤としては、例えば、ゼラチン
の如きたんばく質、デキストランの如きポリサンカライ
ドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢
酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化
ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタク
リレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウ
レタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニル
アルコール等のような通常層構成に用いられる結着剤が
使用される。一般に結着剤は輝尽性螢光体1重量部に対
して0.01乃至1重量部の範囲で使用される。しかし
ながら、得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性
の点では結着剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲がよシ好
ましい。
の如きたんばく質、デキストランの如きポリサンカライ
ドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢
酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化
ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタク
リレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウ
レタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニル
アルコール等のような通常層構成に用いられる結着剤が
使用される。一般に結着剤は輝尽性螢光体1重量部に対
して0.01乃至1重量部の範囲で使用される。しかし
ながら、得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性
の点では結着剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲がよシ好
ましい。
輝尽性螢光体層用塗布液の調製に用いられる溶剤の例と
しては、メタノール、エタノール、インプロパツール、
n−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−
ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル
、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル
、エチレンクリコールモノメチルエーテルナトノエーテ
ル、トリオール、キジロールなどの芳香族化合物、メチ
レンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化
炭化水素およびそれらの混合物などが挙げられる。
しては、メタノール、エタノール、インプロパツール、
n−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−
ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル
、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル
、エチレンクリコールモノメチルエーテルナトノエーテ
ル、トリオール、キジロールなどの芳香族化合物、メチ
レンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化
炭化水素およびそれらの混合物などが挙げられる。
なお、輝尽性螢光体層用塗布液中に、輝尽性螢光体層螢
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可榎
剤を添加してもよい。
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可榎
剤を添加してもよい。
前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族2塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族2塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。
輝尽性螢光体層用塗布液の調製は、ボールミル、サンド
ミル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー
分散機、1(ady ミル、および超音波分散機などの
分散装置を用いて行なわれる。調製された塗布液をドク
ターブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどの
塗布機を用いて支持体上に塗布し、乾燥することによシ
輝尽性螢光体層が形成される。前記塗布液を保護層上に
塗布し、乾燥した後に輝尽性螢光体層と支持体とを接着
してもよい。
ミル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー
分散機、1(ady ミル、および超音波分散機などの
分散装置を用いて行なわれる。調製された塗布液をドク
ターブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどの
塗布機を用いて支持体上に塗布し、乾燥することによシ
輝尽性螢光体層が形成される。前記塗布液を保護層上に
塗布し、乾燥した後に輝尽性螢光体層と支持体とを接着
してもよい。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性螢光
体の種類、結着剤と輝尽性螢光体との混合比等によって
異なるが、10μm〜1000μmの範囲から選ばれる
のが好ましく、10μm〜500μmの範囲から選ばれ
るのがより好ましい。尚、本発明の放射線画像変換パネ
ルの鮮鋭性向上を目的として、特開昭55−14644
7号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝
尽性螢光体層中に白色粉末を分散させてもよいし、特開
昭55−163500号に開示されているように放射線
画像変換パネルの輝尽性螢光体層もしくは入射する輝尽
励起光に対して螢光体層底面にある支持体もしくは保護
層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色してもよ
い。
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性螢光
体の種類、結着剤と輝尽性螢光体との混合比等によって
異なるが、10μm〜1000μmの範囲から選ばれる
のが好ましく、10μm〜500μmの範囲から選ばれ
るのがより好ましい。尚、本発明の放射線画像変換パネ
ルの鮮鋭性向上を目的として、特開昭55−14644
7号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝
尽性螢光体層中に白色粉末を分散させてもよいし、特開
昭55−163500号に開示されているように放射線
画像変換パネルの輝尽性螢光体層もしくは入射する輝尽
励起光に対して螢光体層底面にある支持体もしくは保護
層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色してもよ
い。
また、特開昭59−202100号に開示されているよ
うに輝尽性螢光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭59−186859号に述べられているよう
に1輝尽性螢光体粒子が輝尽性螢光体層の層厚方向に所
定の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。
うに輝尽性螢光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭59−186859号に述べられているよう
に1輝尽性螢光体粒子が輝尽性螢光体層の層厚方向に所
定の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルは前述の輝尽性螢光体の
少くとも1種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性螢
光体層から成る輝尽性螢光体層群を有してもよい。それ
ぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体は同一で
あってもよいし異っていてもよい。
少くとも1種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性螢
光体層から成る輝尽性螢光体層群を有してもよい。それ
ぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体は同一で
あってもよいし異っていてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取υ扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。
体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取υ扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μm〜1000μmでs
p、取り扱い上の点から、さらに好ましくは80/1m
〜500μmである。
って異なるが、一般的には80μm〜1000μmでs
p、取り扱い上の点から、さらに好ましくは80/1m
〜500μmである。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性螢
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。
さらに、これら支持体は、輝尽性螢光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性螢光体層が露呈する面に、輝尽性螢光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン
、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩
化エチレン、四フッ化エチレン−六7フ化プロピレン共
重合体。
記輝尽性螢光体層が露呈する面に、輝尽性螢光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン
、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩
化エチレン、四フッ化エチレン−六7フ化プロピレン共
重合体。
塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体等の保護層用材料が用いら
れる。
−アクリロニトリル共重合体等の保護層用材料が用いら
れる。
本発明の放射線画像変換パネルは第1図に概略的に示さ
れた放射線画像変換方法に用、いられた場合、優れた鮮
鋭性と感度を与える。すなわち、第1図において、11
は放射線発生装置、Ilj:被写体、13は本発明の放
射線画像変換パネル、14は輝尽励起光源、15は該放
射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、16は15で検出された信号を画像とし
て再生する装置、17は再生された画像を表示する装置
、18は輝尽励起と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみ
を透過させるフィルターである。伺15以降は13から
の光情報を何らかの形で画像として再生できるものであ
ればよく、上記に限定されるものではない。
れた放射線画像変換方法に用、いられた場合、優れた鮮
鋭性と感度を与える。すなわち、第1図において、11
は放射線発生装置、Ilj:被写体、13は本発明の放
射線画像変換パネル、14は輝尽励起光源、15は該放
射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、16は15で検出された信号を画像とし
て再生する装置、17は再生された画像を表示する装置
、18は輝尽励起と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみ
を透過させるフィルターである。伺15以降は13から
の光情報を何らかの形で画像として再生できるものであ
ればよく、上記に限定されるものではない。
第1図に示されるように、放射線発生装置11からの放
射線は被写体12を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル13に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル]3の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積てれ、放射線透過像の蓄積像が形成される。
射線は被写体12を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル13に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル]3の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積てれ、放射線透過像の蓄積像が形成される。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源14からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。
励起して輝尽発光として放出せしめる。
放射される輝尽廃光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー景に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置15で光電変換し、画像表示装置17
によって表示することにより、被写体の放射線透過像を
観察することができる。
ー景に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置15で光電変換し、画像表示装置17
によって表示することにより、被写体の放射線透過像を
観察することができる。
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例
ポリエチレン1重量部をキシレン30重量部に加温しな
がら溶解した溶液に、RbBr : 0.0002 T
l輝尽性螢光体粒子8重量部を加えて懸濁させた。この
懸濁液に塩化アミルを少量ずつ添υ口し、相分離を起こ
させて、ポリエチレン濃厚液相が輝尽性螢光体粒子を被
包したマイクロカプセルを形成させた。次に相全体を室
温まで冷却後、前記マイクロカプセルを遠心分離により
回収し、乾燥して、ポリエチレン壁膜な有する輝尽性螢
光体マイクロカプセル粉末を得た。
がら溶解した溶液に、RbBr : 0.0002 T
l輝尽性螢光体粒子8重量部を加えて懸濁させた。この
懸濁液に塩化アミルを少量ずつ添υ口し、相分離を起こ
させて、ポリエチレン濃厚液相が輝尽性螢光体粒子を被
包したマイクロカプセルを形成させた。次に相全体を室
温まで冷却後、前記マイクロカプセルを遠心分離により
回収し、乾燥して、ポリエチレン壁膜な有する輝尽性螢
光体マイクロカプセル粉末を得た。
下記の成分をサンドミルによυ混合分散して輝尽性螢光
体層用塗布液を調製した。
体層用塗布液を調製した。
前記塗布液を250μm厚のポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にドクターブレードを用いて塗布し、40
°Cで乾燥して、約300μm厚の輝尽性螢光体層を有
する本発明の放射線画像変換パネルAを製造した。
トフィルム上にドクターブレードを用いて塗布し、40
°Cで乾燥して、約300μm厚の輝尽性螢光体層を有
する本発明の放射線画像変換パネルAを製造した。
このようにして得られた本発明のパネルAを乾燥ボック
ス内に2日間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。
ス内に2日間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。
本発明のパネルAに管電圧80KVpのX線を10 m
R照射した後、半導体レーザ光(波長780nm)で輝
尽励起し、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光
検出器(光電子増倍管)で光電変換し、この信号の大き
さよりX線に対する感度を調べた。
R照射した後、半導体レーザ光(波長780nm)で輝
尽励起し、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光
検出器(光電子増倍管)で光電変換し、この信号の大き
さよりX線に対する感度を調べた。
ここでX線照射から半導体レーザ光照射までの時間を5
秒および2分と変えてそれぞれ感度を測定した。前者の
結果を5o(5sec )、 後者の結果をSo(2m
1n)と表わす。次にパネルAを40℃80%RHの恒
温恒湿槽内に48時間放置して強制劣化させた後再び5
秒後の感度および2分後の感度を測定し、その値をそれ
ぞれSr (55ec)、 s、 (2min )とし
た。
秒および2分と変えてそれぞれ感度を測定した。前者の
結果を5o(5sec )、 後者の結果をSo(2m
1n)と表わす。次にパネルAを40℃80%RHの恒
温恒湿槽内に48時間放置して強制劣化させた後再び5
秒後の感度および2分後の感度を測定し、その値をそれ
ぞれSr (55ec)、 s、 (2min )とし
た。
5o(5sec ) 、Sr (55ec)/So (
55ec)および(81(2min ) / S、 (
55ec) 〕/[So(2m1n)/So(55ec
) )の値を第1表に示す。ここで、S、 (55ec
) /So(5sec)およびC81C2min )/
S+(55ec) ]/(So(2m1n ) / S
o (55ec) :]はそれぞれ強制劣化後の感度劣
化の目安および層像視性速度の増大の目安となる値であ
る。また、第1表において5o(5sec)は本発明の
パネルAを100として相対値で示しである〇 一方、本発明のパネルAは、輝尽性螢光体層中に、輝尽
性螢光体が凝集固化してできたムラは観察されず、本発
明のパネルAを用いて得られた放射線画像にもムラは現
われなかった。
55ec)および(81(2min ) / S、 (
55ec) 〕/[So(2m1n)/So(55ec
) )の値を第1表に示す。ここで、S、 (55ec
) /So(5sec)およびC81C2min )/
S+(55ec) ]/(So(2m1n ) / S
o (55ec) :]はそれぞれ強制劣化後の感度劣
化の目安および層像視性速度の増大の目安となる値であ
る。また、第1表において5o(5sec)は本発明の
パネルAを100として相対値で示しである〇 一方、本発明のパネルAは、輝尽性螢光体層中に、輝尽
性螢光体が凝集固化してできたムラは観察されず、本発
明のパネルAを用いて得られた放射線画像にもムラは現
われなかった。
比較例
実施例において、輝尽性螢光体のマイクロカプセル化の
工程を省き、マイクロカプセル化された輝尽性螢光体の
かわりにマイクロカプセル化されていない輝尽性螢光体
を用いる以外は実施例と同様;にして混合分散、塗布お
よび乾燥の作業を行って比較のパネルBを製造した。
工程を省き、マイクロカプセル化された輝尽性螢光体の
かわりにマイクロカプセル化されていない輝尽性螢光体
を用いる以外は実施例と同様;にして混合分散、塗布お
よび乾燥の作業を行って比較のパネルBを製造した。
このようにして得られた比較のパネルBは、実施例と同
様にして強制劣化試験を行い、結果を第1表に併記した
。
様にして強制劣化試験を行い、結果を第1表に併記した
。
また、比較のパネルBは、輝尽性螢光体層中に、輝尽性
螢光体が凝集固化して結着剤中への分散が不均一である
ために生じたムラが観察でれた。比較のパネルBを用い
て得られた放射線画像には、前記ムラが原因である両像
ムラが生じた。
螢光体が凝集固化して結着剤中への分散が不均一である
ために生じたムラが観察でれた。比較のパネルBを用い
て得られた放射線画像には、前記ムラが原因である両像
ムラが生じた。
第1表より明らかなように、輝尽性螢光体がマイクロカ
プセル化された本発明のパネルAは、輝尽性螢光体がマ
イ、クロカプセル化されていない比較のパネルBに比べ
て、強制劣化後においても感度劣化の程度−および潜像
槌打速度の増大の程度が小さい。すなわち、本発明のパ
ネルAにおいては、輝尽性螢光体層の吸湿による障害が
抑制されている。゛ また、本発明のパネルAは、比較のパネルBと異なり、
輝尽性螢光体の結着剤への分散性が良好でろジ、高画質
の画像が得られる。
プセル化された本発明のパネルAは、輝尽性螢光体がマ
イ、クロカプセル化されていない比較のパネルBに比べ
て、強制劣化後においても感度劣化の程度−および潜像
槌打速度の増大の程度が小さい。すなわち、本発明のパ
ネルAにおいては、輝尽性螢光体層の吸湿による障害が
抑制されている。゛ また、本発明のパネルAは、比較のパネルBと異なり、
輝尽性螢光体の結着剤への分散性が良好でろジ、高画質
の画像が得られる。
(発明の効果)
本発明のpo < 、輝尽性螢光体を独立した微小カプ
セル中に閉込めて外部環境から隔絶すること建よって輝
尽性螢光体を直接囲繞する環境を該螢光体に最適に、か
つ、結着剤中に環境付与物質を浪。
セル中に閉込めて外部環境から隔絶すること建よって輝
尽性螢光体を直接囲繞する環境を該螢光体に最適に、か
つ、結着剤中に環境付与物質を浪。
費するこ゛となく整えることができ、また、結着剤も螢
光体への影響を考慮することなく、結着剤として最適の
ものが選択できる。
光体への影響を考慮することなく、結着剤として最適の
ものが選択できる。
その効果は既に述べたようなパネルの耐湿性、螢光体粒
子の分散性などから来る耐久性及び耐用性、パネルの高
画質化、高感度化等、生産技術上の利得等に限らす粂件
の選び方によって自由に性能制御ができ、本発明の効果
は爾後ますます発揮されてくる。
子の分散性などから来る耐久性及び耐用性、パネルの高
画質化、高感度化等、生産技術上の利得等に限らす粂件
の選び方によって自由に性能制御ができ、本発明の効果
は爾後ますます発揮されてくる。
第1図は、本発明の放射線画像変換パネルを使用する放
射線画像変換方法を説明する概要図である。 第2図は、本発明の放射線画像変換パネルに関わるマイ
クロカプセルの断面の例を示す模式図である。 出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 11−m−襲(IJす見1を主意こ」112−・搗′J
−木 13−、−扱w/L画泉良識パネル 14−・−#、励匙t5ff、。 15− 充電JL模狡装 16−・・旅財牒画嵌#)主執五 17・−・ 万ダjづ一岩灸画舖Ltb−h #五18
・・−フィルクー 第2図 2〇 20−−−−”イクロカづ91し 21−暉胡踵しaチ 22−ヱ腺
射線画像変換方法を説明する概要図である。 第2図は、本発明の放射線画像変換パネルに関わるマイ
クロカプセルの断面の例を示す模式図である。 出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 11−m−襲(IJす見1を主意こ」112−・搗′J
−木 13−、−扱w/L画泉良識パネル 14−・−#、励匙t5ff、。 15− 充電JL模狡装 16−・・旅財牒画嵌#)主執五 17・−・ 万ダjづ一岩灸画舖Ltb−h #五18
・・−フィルクー 第2図 2〇 20−−−−”イクロカづ91し 21−暉胡踵しaチ 22−ヱ腺
Claims (1)
- 輝尽性螢光体を結着剤中に分散してなる輝尽性螢光体
層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性螢
光体がマイクロカプセル化されていることを特徴とする
放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5327086A JPS62209399A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5327086A JPS62209399A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62209399A true JPS62209399A (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=12938056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5327086A Pending JPS62209399A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 輝尽性螢光体粒子をマイクロカプセル化した放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62209399A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004138440A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線画像変換パネル |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6283700A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5327086A patent/JPS62209399A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6283700A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004138440A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線画像変換パネル |
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