JPS6219539A - アセチレンの精製法およびそれに用いる装置 - Google Patents

アセチレンの精製法およびそれに用いる装置

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JPS6219539A
JPS6219539A JP15928385A JP15928385A JPS6219539A JP S6219539 A JPS6219539 A JP S6219539A JP 15928385 A JP15928385 A JP 15928385A JP 15928385 A JP15928385 A JP 15928385A JP S6219539 A JPS6219539 A JP S6219539A
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稔 西田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアセチレンの精製法およびそれに用いる装置に
関する。
〔従来の技術〕
従来よりアセチレンがアセチレン熔接の分野や化学工業
における原料などとして使用されている。
アセチレン熔接の分野や化学工業における原料などとし
て使用されるアセチレンは、カーバイドや石油を原料と
して製造されており、製造直後の粗なカーバイドアセチ
レンや石油アセチレンから、人体に有害であったり溶接
用に用いたばあいに強度を低下させたりする”3 、H
2S 。
8N3 、 AS13などや、化学反応の触媒筒となる
Ot、PHa 、H2Sなどを除去し、JIS K 1
901.1902に規定されているように、98容泄%
以上の純度になるように精製されている。
たとえば、通常市販のカーバイドを原料にした溶解アセ
チレンのばあいには、アセチレンが98.0〜99.5
容量%含有されており、空気からの不純物である’2 
、Ot % Arなどが主要不純物として混入し、この
他に原料に起因するNH3、PH3、)+2Ss H2
、CH4などが不純物として混入している。溶解アセチ
レンのガス組成の大阪環境技術センターでの測定データ
の一例として、アセチレン99.45容1%、H20,
01容吊%、N20.2844容量%、Ot O,07
56容量%、COO101容量%未満、CO20,01
容昂%未満、CH40,13容量%なる結果が報告され
ている。
また、石油を原料にした市販の石油アセチレンのばあい
には、回収されたアセチレンは約99,5容量%含有さ
れており、不純物として02H4や002などが含まれ
ている。
最近の技術進歩にともなってアセチレンを原料として新
規材料が製造されるようになってきている。
たとえば導電性有機物であるポリアセチレンや感光性有
機物であるアセチレン誘導体などの原料としてアセチレ
ンが利用されるようになってきている。またファインセ
ラミックスと称される機能材料としての高純度の炭化物
の炭素源として、あるいは太陽電池の窓側半導体として
多く用いられている太陽光の変換効率の高いa−3iC
:Hを製造するばあいの原料として、反応性の高いアセ
チレンが利用されるようになってきている。
これらの新規材料に要求される特性をつるためには新規
材料の組成などが厳密に制御される必要があり、それら
の原料となるアセチレンにも高純度のものが要求される
ようになってきている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
新規材料の製造に用いるような精製アセチレンをうる方
法としては、液化チッ素浴でアセチレンを約−150℃
以下に冷却して固体アセチレンをつくり、気相弁を真空
引きして充分蒸気分を除去したのち蒸発させて精製アセ
チレンをうるという、小規模で研究用に適した方法があ
るが、圧力が1.4kO/ cd −abs、以上にな
ると分解爆発の危険性があり、工業用に必要な量を安全
かつ経済的に供給しうるものではない。
本発明は安全かつ工業的に必要なlのIIアセチレンを
うろことを目的としてなされたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、アセチレンを選択吸収する溶剤にアセチレン
を吸収させ、温度差による溶解量の差を利用して回分的
または連続的に放散・回収し、精製アセチレンを製造す
る際に、溶剤温度−20〜−81,8℃でアセチレンを
吸収させたのち一10〜+20℃に昇温し、放散したア
セチレンを−50〜−81.8℃に再冷却して溶剤など
を凝縮させ、さらに多孔質物質充填部を通すことによっ
て吸着により共存する溶剤などを除去することを特徴と
するアセチレンの精製法、および−20〜−81,8℃
でアセチレンを選択吸収する溶剤にアセチレンを吸収せ
しめるアセチレン吸収塔、アセチレンを選択吸収する溶
剤に吸収せしめたアセチレンを一10〜+20℃で放散
せしめるアセチレン放散塔、放散せしめられたアセチレ
ンを−50〜−81,8℃に再冷却する冷却塔および冷
却せしめられたアセチレン中の不純物を除去するための
多孔質物質を充填した吸着塔からなり、アセチレン吸収
塔内のアセチレンを吸収した前記溶剤をアセチレン放散
塔に送るための手段およびアセチレン放散塔でアセチレ
ンを放散した前記溶剤をアセチレン放散塔からアセチレ
ン吸収塔にもどすための手段が設けられていることを特
徴とするアセチレン精製装置に関する。
〔実施例〕
本発明においては、アセチレンを選択吸収する溶剤(以
下、アセチレン吸収溶剤という)にアセチレンを吸収さ
せ、温度差による溶解量の差を利用して回分的または連
続的に放散せしめることにより精製アセチレンが取得さ
れる。
アセチレン吸収溶剤に吸収せしめられるアセチレンとは
、カーバイドや石油を分解して製造した粗なアセチレン
であってもよ<、PH3、H2S 1NH3、ASH3
などを除去してJISに1901.1902の規定に適
合するように精製したアセチレンでもよく、アセチレン
を運搬などする際にその分解爆発の危険性を低下せしめ
るために多孔質物質を溶剤に浸漬含浸させたものを入れ
た容器に溶解させた溶解アセチレンでもよく、その純度
、原料などによって限定されるものではない。しかし、
精製アセチレンを効率よくえられるという観点からする
と、カーバイドアセチレンのばあいには特許第2036
22号明細書などのアセチレンの液体式精製法(通称「
エキセイ」という装置を用いた方法)により前処理した
ものであることが好ましい。
本明細書にいう精製アセチレンとは、合計不純物層が1
00ppI11以下のアセチレーンを意味し、たとえば
Ha 0.5ppm以下、ot  1.0−2.5pp
m 。
N21.0〜2.5ppm 、 CO0,5Dpm以下
、CO21,0ppm以下、PH3、ASH3および溶
剤はいずれも検出されず(0,lppm検出限界)のご
とき組成のものである。
前記アセチレンを溶剤に吸収させる際の温度としては、
溶解量および溶解速度を増加させ、かつアセチレンを液
化させない(アセチレンのの液化温度−81,8℃、7
60mmHg)で経済的に吸収させるという点から−2
0〜−81,8℃であることが必要であり、なかんずく
−40〜−60℃であることが好ましい。また吸収させ
る温度が一20℃をこえるばあいには、えられるアセチ
レン純度が99,9容量%程度のものしかえられなくな
る。
また前記−アセチレンを溶剤に吸収させる際の圧力とし
ては、溶剤と共存するときのアセチレンの分解爆発の危
険性の少ない7.0Kg / cd・abs、以下であ
ればとくに限定はないが、アセチレンの供給源によりお
のずからその範囲はきまる。たとえばカーバイドアセチ
レンや石油アセチレンのばあいには1.02〜1.5k
(1/ cd−abs。
程度、溶解アセチレンのばあいには1.2〜1.5kL
’ cd −abs、程度に圧力調整器で減圧して使用
するのが一般的である。
アセチレン吸収溶剤は前記のごとき条件下で液体として
存在し、アセチレンを選択吸収し、−10〜+20℃好
ましくは一5〜+5℃でアセチレンを放散してアセチレ
ンをWi製することができ、アセチレンと反応したりす
ることのない溶剤であればとくに限定はない。このよう
な溶剤の具体例としては、アセチレンの選択吸収性の高
いアセトン、N、N−ジメチルホルムアミド(DHF)
、トメチルピロリドンなどがあげられ、これらは単独で
用いてもよく、2種以上併用してもよい。
なお前記アセチレンを選択吸収するとは、不純物として
存在するChs  N2 、C01H2などとアセチレ
ンとの溶解度に著しい差があること、たとえばDHFに
ついては第1表に示すように溶解度に著しい差があるこ
とを意味し、アセチレンを放散するとは、吸収されたア
セチレンのうちの少なくとも溶剤1p当りアセチレンを
標準状態で約70p以上を一10〜+20℃で放散する
ことを意味する。なおりHF1jl当り −40℃で標
準状態で約23841、−60℃で標準状態で約382
p程度のアセチレンが吸収される。
[以下余白] 第  1  表 1気圧下でのDHFに対する各種ガスの溶解性カタログ
記載のデータ 溶剤に吸収されたアセチレンが放散される温度が一10
〜+20℃のばあいには、吸収時との温度差による溶解
度差が大きいため、回収効率が高く、経済的に好ましい
。とくに熱エネルギー効率の点からは一10〜θ℃程度
が好ましく、ア。
セチレンの精[1の点からはO〜+10℃が好ましい。
また放散時のアセチレンの圧力は、純粋なアセチレンの
みで取扱うばあいには空気を吸込まず、かつまちがって
点火可能なエネルギーが加わっても分解が伝播しない1
.0〜1.2ko/ cd・abs、であることが好ま
しい。
このよう−にして精製されたアセチレンには精製に用い
た溶剤などが混入しているため、アセチレンが液化せず
、しかも共存する溶剤などの蒸気の含有量をできるだけ
低下させるために−50〜−81,8℃に冷却させ、溶
剤やその凝縮物を吸着除去するために多孔質物質充填部
を通過させられる。
前記多孔質物質充填部とは、活性炭、モレキュラーシー
ブ、シリカゲルなどから形成された孔径が5人程度で4
〜14メツシュ程度の多孔体を、たとえば円筒形の筒に
入れた通常の冷却可能な充填塔に入れたようなものであ
る。
多孔質物質充填部に通すアセチレンの量や滞留時間など
は目的とするアセチレンの純度や精製効率などを考慮し
て適宜選択すればよいが、通常使用されるのは多孔質吸
着剤単位容積当り、吸着ガス容積が1時間当り10,0
00倍以下が適当である。
このような方法により、たとえば98〜99.5容量%
のアセチレンを99.99〜99.9999容]%程度
まで精製することができる。
精製したアセチレンはそのまま使用されたり、ボンベな
どに充填されたり、さらには一層端製するため再度本発
明の方法を適用して、従来えられなかった97 (セブ
ンナイン)以上というような精製アセチレンをうること
ができる。
本発明の方法は、第2図に示すように同一の槽中でアセ
チレンの吸収および放散を行なわしむる回分的方法であ
ってもよく、また第1図に示すように1つの槽中でアセ
チレンの吸収を行なわしめ、アセチレンを吸収した溶剤
を連続的に他の槽に移し、該他の槽でアセチレンの放散
を行なわしむる連続的な方法であってもよい。
つぎに本発明の方法を第1図にもとづき説明する。
(吸収工程) 1 冷却槽(6)でアセチレン吸収塔(1)内のアセチ
レン吸収溶剤(aを−20〜−81,8℃に冷却し、ア
セチレン吸収塔(1)内のアセチレン吸収溶剤(21に
アセチレンを吸収させる。またアセチレンが吸収される
ときに発熱するため、冷却槽(6)はこの熱を除去し、
アセチレン吸収溶剤(2)の温度を−20〜−81,8
℃の所定の温度に保つようにする。
アセチレンの吸込みはアセチレン吸収塔(1)の底に近
い部分で行ない、アセチレンはアセチレン吸収溶剤(2
)の中を上昇する際に吸収される。
2 アセチレン吸収溶剤(2)として、とくにアセチレ
ンを溶解するものが使用され、混入している02、N2
 、Co、N2などの不純物ガスの多くはアセチレン吸
収溶剤(2)に吸収されずアセチレン吸収塔(1)の上
部にたまる。これは、一部のアセチレンとともに排出弁
(11)の操作により排出口(10)より排出される。
3 アセチレン吸収溶剤(2の冷却は、冷却槽(6)に
メタノールにドライアイスを加えるとか、液化窒素をエ
チレングリコール水溶液に滴下するなどして冷却した低
温液をつくり、アセチレン吸収塔(1)の壁を介して冷
却してもよく、またアセチレン吸収塔(1)内に冷却管
を設置して、これに上述の低温液を通して冷却してもよ
い。
4−20〜−81.8℃においてアセチレンを充分吸収
溶解したアセチレン吸収溶剤(2はアセチレン吸収塔(
1)の上部気相に存在する不純物ガスが混入しないよう
に、たとえばアセチレン吸収溶剤(2の液中の下部まで
達している配管および定員ポンプ(9)よりなる手段、
あるいは前記配管および流量調整弁を用い、アセチレン
吸収塔(1)内の圧力〉アセチレン放散塔(3)内の圧
力になるようにした手段などを用い、アセチレン放散塔
(3)内に移送される。
(放散工程) 1 アセチレン放散塔(3)に移送されたアセチレン吸
収溶剤(21は一10〜+20℃程度の範囲まで加温さ
れ、この温度差により生ずるアセチレンの溶解度差の分
に当るアセチレンがアセチレン吸収溶剤(2Jから放散
せしめられる。
2 前記加温の1部は、アセチレン吸収塔(1)からア
セチレン放散塔(3)内に導入された−20〜−81.
8℃のアセチレン吸収溶剤とアセチレン放散塔(3)の
底部液溜部で一10〜+20℃となりアセチレンを放散
したものから定量ポンプ(8)により吸い上げられたア
セチレン吸収塔へもどされるアセチレン吸収溶剤とをア
セチレン放散塔(3)内の上部に熱交換部を設け、要す
れば充填材などを併用して熱交換させるようにすると熱
効率の点から好ましい。
3 アセチレン吸収溶剤からのアセチレンの放散は徐々
に定常的に行なうのが内部圧力の上昇を抑え、安全性の
点から重要であるとともに、熱経済上効率がよい。この
熱交換はアセチレン放散塔(3)内で行なわれ、アセチ
レン吸収溶剤(aの温度上昇により放散されるアセチレ
ンは、冷却塔(4)、吸着塔(51を経由して回収され
る。
4 好ましくはアセチレンの放散塔内の上部に設けられ
た熱交換部を経由して底部にためられたアセチレン吸収
溶剤には、要すれば10%エチレングリコール液などの
凍結しない液を加熱用熱交換器(15)に通して熱交換
し、−10〜+20℃の所定の温度まで昇温し、アセチ
レンを放散させる。
5 アセチレン放散塔(3)の液溜部の底部にまで達す
る配管から1部のアセチレン吸収溶剤を定量ポンプ(8
)により吸い上げ、好ましくは前記熱交換部を経由して
アセチレン吸収塔(1)の上部、好ましくは充填物を充
填して冷却効率をよくした上部に導入し、アセチレン吸
収塔(1)内のアセチレン吸収溶剤(2Jの量を一定に
保ち、継続して吸収工程、放散工程が行なえるようにす
る。
(溶剤蒸気等除去工程) アセチレン放散塔(3)で放散せしめられたアセチレン
には溶剤蒸気などが約30〜180ppm含まれている
ため、該アセチレンを冷却槽(刀で−50〜−81,8
℃に冷却中の冷却塔(4)、好ましくはシリカゲルある
いはSuSの細線などを充填して冷却効率をよくした冷
却塔(4)に導き、含まれている溶剤蒸気などの除去が
はかられる。さらにアセチレン中の溶剤蒸気などの除去
をさらに完全にするため、活性炭、モレキュラーシーブ
、シリカゲルなどの多孔質物質を充填した−50〜−8
1.8℃に冷却せしめられた吸着塔(5)を通される。
冷却塔(4)や吸着塔(Sは2組並列に設け、切換つる
ようにするのが好ましい。
前記のような操作によりアセチレン吸収溶剤1j!当り
標準状態で約55〜650pのアセチレンを精製するこ
とができる。
えられたアセチレンは99.99〜99.9999容量
%の精製アセチレンである。
前記冷却塔、吸着塔としては、−50〜−81,8℃に
効率よく冷却することができ、ガス中の溶剤蒸気を捕集
することができるものであればとくに限定はなく、たと
えばエチレングリコールあるいはメタノールにドライア
イスあるいは液体窒素を滴下するなどの方法により冷却
される。
上記説明においては、連続法による精製アセチレンの製
法についてのべたが、第2図に示すような回分式の装置
を用いても同様にして高純度アセチレンが製造される。
第2図に示すような装置を用いたばあいには、温度調節
管(13)によりアセチレン吸収分離塔(12)内のア
セチレン吸収溶剤(aを冷却してアセチレンを吸収せし
めたのち、あるいは吸収せしめながらアセチレン吸収溶
剤上の不純物ガスおよびアセチレンをバルブ(11)の
操作により排出口(10)から排出し、さらに真空ポン
プ(14)により排気し、気相中の不純物ガスを除去す
る。ついで温度調節管(13)によりアセチレンを吸収
させたアセチレン吸収溶剤の温度を上昇せしめ、放散し
たアセチレンを冷却塔(41および吸着塔(5)を通す
ことにより精製アセチレンがえられる。
つぎに本発明の方法および装置を実施例にもとづき説明
する。
実施例1 第1図に示すごとき装置を用いた。
アセチレン吸収塔は直径10α、高さ5GCIi、内容
積3925α3の円筒状のステンレススチール製の塔で
、アセチレン吹込みラインの開口、アセチレン放散塔か
らアセチレン吸収溶剤をもどすラインの開口およびアセ
チレン放散塔へアセチレン吸収溶剤を送るラインの開口
がそれぞれ底から 11:II、49αおよび1αのと
ころにあった。
またアセチレン放散塔は直径10G、高さ501、内容
積3925z3の円筒状のステンレススチール製の塔で
、アセチレン吸収塔からアセチレン吸収溶剤を送るライ
ンの間口およびアセチレン吸収塔へアセチレン吸収溶剤
をもどすラインの開口がそれぞれ底から49ORおよび
1αのところにあった。さらに冷却塔は直径2.S、、
、古さ50 Crtrの円筒状のものの内部にシリカゲ
ルを充填したステンレススチール製の塔で、吸着塔は直
径2.5α、高さ5Qc、の円筒状のものの内部に活性
炭を充填したステンレススチール製の塔であった。
アセチレン吸収塔およびアセチレン放散塔にアセチレン
吸収溶剤であるDHFをそれぞれ500d入れて圧力0
.5k(1/Cj G、流量500J /hrテアセチ
レンを吹込み、50分後アセチレン吸収塔内圧〉アセチ
レン放散塔内圧になり定常的になったのでアセチレン吸
収塔からアセチレン放散塔へアセチレンを吸収した溶剤
が微量流量調整弁を通って55d/ginづつ定量的に
流れるように弁を開いた。またアセチレン放散塔からア
セチレン吸収塔にアセチレンを放散したアセチレン吸収
溶剤が40ae/winづつ定量ポンプによりもどるよ
うにした。
アセチレン吸収塔の冷却は冷却槽(6)の冷媒を一60
℃に冷し、溶解アセチレン容器中のアセチレンをo1k
g/cIiGに減圧し、500M/hrの割合で吸収さ
せたばあいにアセチレン吸収塔の上部液で約−50℃に
なるように冷却した。
アセチレンの溶解速度は非常に速く、最初の約50分は
ほぼすべてのアセチレンが溶解し、アセチレン吸収塔の
内圧が0.2ka/7Gになるように排出弁(11)を
調整し、昇圧した余分なガスは積算流量計を通して大気
中へ放出した。
アセチレン放散塔に送られた約−50℃のアセチレン吸
収溶剤は、咳塔の上部からアセチレン吸収塔にもどす際
の温度が約O℃になるようにアセチレン放散塔内にメタ
ノール10%水溶液(液温的15℃)を流して加温し、
その際放散したアセチレンを冷媒としてメタノールにド
ライアイスを加えて一75℃に冷却した冷却塔に送り、
含有されている溶剤蒸気などを凝縮除去し、さらに吸着
塔を通して精製アセチレンをえた。
えられた精製アセチレンは、島津GCQA型ガスクロマ
トグラフTCDおよびFID自動切換検出器を用いた分
析の結果、検出′限界3.0ppmにおいてN23pp
m以下、o22ppm以下、CO23pD−以下でCO
は検出されず、検出限界1.0ppmにおいてPH3、
HaS 、 AsH,が検出サレない純度99.999
Xの精製アセチレンであった。
なお定常状態に達したのちのアセチレン精製量は425
41 / hr (EjA準状!lりであり、原料アセ
チレンに対する収率は85%であった。
実施例2 第2図に示すごとき装置を用いた。
アセチレン吸収放散塔は直径10c11、高さ50cI
R1内容積3925.3の円筒状のステンレススチール
製の塔で、アセチレン吸収溶剤の入る部分には温度調節
管が取付けられており、アセチレン吹込みラインの開口
はアセチレン吸収放散塔の底から10の位置にあった。
また冷却塔および吸着塔として直径2.51、高さ30
cIiの円筒状のものの内部に活性炭を充填したステン
レススチール製の塔を2段直列に接続したものを用いた
アセチレン吸収放散塔にアセチレン吸収溶剤であるDH
Fを11入れて、冷媒を用いて[lHFを一50℃にな
るように冷Wしながら、NH3、H2S 。
PH3、AsH3などを前記「エキセイ」を通した前処
理によって除去した溶解アセチレンを圧力0.5kg/
d aで流ffi 30041 /hrで吹込んだ。こ
のときアセチレン吸収放散塔内の気相の圧力を0.2に
!It/CiGに保持するようにパルプ(11)を調整
して、昇圧した余分なガスを積算流量計を通して大気中
へ放出した。
約1時間アセチレンを吹込むとアセチレン吸収溶剤はほ
ぼ飽和した。アセチレン吸収放散塔の気相部にはアセチ
レン吸収剤に吸収されに≦いアセチレン中の不純物ガス
が多くたまっているため、これを除去するためにアセチ
レン吸収溶剤を約−60℃までさらに冷却したのち真空
ポンプ(14)を用いて10−I Torrになるまで
真空引きした。ひきつづき高純度Arの注入および頁空
引きを10回になるまで繰返し、気相の不純物ガスを排
気した。そののちアセチレン吸収溶剤を温度調節管を空
にして徐々に昇温しで溶解しているアセチレンを放散さ
せた。
放散によりえられたアセチレンをメタノールにドライア
イスを加えて冷媒とした冷却槽を用いて約−75℃に冷
却した2段の吸着塔を通して精製アセチレンをえた。
えられた精製アセチレンは、島津GCQA型ガスクOマ
ドグラフTCDおよびFID自動切換分析器を用いた分
析の結果、検出限界3ppmにおいて’2 % Ol 
s CO2、H2はいずれも3ppm未満、検出限界l
ppmにおいてC01PH3、NH3、ASH3、H2
Sは検出されない純度99.999%のへ純度アセチレ
ンであった。
なおアセチレンの精製量は2時間を要する1バッチ当り
 18ON  (標準状態)であり、原料アセチレンに
対する収率は約60%であった。
〔発明の効果〕
本発明の方法によると従来研究室規模でしかえられなか
った高純度のアセチレンのみならず、従来えられていな
かった97以上のアセチレンをも工業的規模で経済的に
うろことができる。
また本発明の方法では溶解アセチレンのごとき市販のア
セチレンを原料として使用することができるため、高純
度アセチレンを使用する場所に本発明の装置を設置し、
本発明の方法により高純度アセチレンを製造すると、輸
送比の低減をはかりつる、ボンベ詰などのばあいに生ず
る純度の低下を防止しうる、必要な量のアセチレンを精
製して使用しうるなどの効果がえられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法に用いる本発明の装置の一実施例
態様に関する説明図、第2図は本発明の方法に用いる装
置の他の実施S様に関する説明図である。 (図面の主要符号) (1):アセチレン吸収塔 (2):アセチレン吸収溶剤 (3):アセチレン放散塔 (4):冷 却 塔 (S:吸 着 塔

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 アセチレンを選択吸収する溶剤にアセチレンを吸収
    させ、温度差による溶解量の差を利用して回分的または
    連続的に放散・回収し、精製アセチレンを製造する際に
    、溶剤温度 −20〜−81.8℃でアセチレンを吸収させたのち−
    10〜+20℃に昇温し、放散したアセチレンを−50
    〜−81.8℃に再冷却し、さらに多孔質物質充填部を
    通すことを特徴とするアセチレンの精製法。 2 前記溶剤がアセトン、N,N−ジメチルホルムアミ
    ド、N−メチルピロリドンまたはこれらの混合物である
    特許請求の範囲第1項記載の精製法。 3 前記吸収時のアセチレンの圧力が0.1〜7.0K
    g/cm^2・abs.である特許請求の範囲第1項記
    載の精製法。 4 前記放散時のアセチレンの圧力が0.1〜1.4k
    g/cm^2・abs.である特許請求の範囲第1項記
    載の精製法。 5 前記多孔質物質が活性炭、モレキユラーシーブまた
    はシリカゲルである特許請求の範囲第1項記載の精製法
    。 6 −20〜−81.8℃でアセチレンを選択吸収する
    溶剤にアセチレンを吸収せしめるアセチレン吸収塔、ア
    セチレンを選択吸収する溶剤に吸収せしめたアセチレン
    を−10〜+20℃で放散せしめるアセチレン放散塔、
    放散せしめられたアセチレンを−50〜−81.8℃に
    再冷却する冷却塔および冷却せしめられたアセチレン中
    の不純物を除去するための多孔質物質を充填した吸着塔
    からなり、アセチレン吸収塔内のアセチレンを吸収した
    前記溶剤をアセチレン放散塔に送るための手段およびア
    セチレン放散塔でアセチレンを放散した前記溶剤をアセ
    チレン放散塔からアセチレン吸収塔にもどすための手段
    が設けられていることを特徴とするアセチレン精製装置
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295518A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Toho Asechiren Kk アセチレンガスの精製方法
JPH0228539A (ja) * 1988-07-19 1990-01-30 Toho Asechiren Kk 原子吸光、原子発光分析用高純度アセチレンガス組成物
FR2853313A1 (fr) * 2003-04-04 2004-10-08 Air Liquide Procede d'elimination d'un solvant contenu dans l'acetylene, installation pour la mise en oeuvre du procede
JP2010070554A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Air Products & Chemicals Inc アセチレンを供給するための方法およびシステム
US20100154630A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-24 Matheson Tri-Gas, Inc. Acetylene process gas purification methods and systems
US20100297853A1 (en) * 2008-06-04 2010-11-25 Novellus Method for purifying acetylene gas for use in semiconductor processes
JP2011201809A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Taiyo Nippon Sanso Corp アセチレンの製造装置及び製造方法
US8435608B1 (en) 2008-06-27 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods of depositing smooth and conformal ashable hard mask films
US8563414B1 (en) 2010-04-23 2013-10-22 Novellus Systems, Inc. Methods for forming conductive carbon films by PECVD
US9618846B2 (en) 2013-02-25 2017-04-11 Lam Research Corporation PECVD films for EUV lithography
US10192759B2 (en) 2012-12-14 2019-01-29 Lam Research Corporation Image reversal with AHM gap fill for multiple patterning
CN114195614A (zh) * 2021-12-30 2022-03-18 大连科利德光电子材料有限公司 一种制备4n纯度乙炔气体的方法
US11837441B2 (en) 2019-05-29 2023-12-05 Lam Research Corporation Depositing a carbon hardmask by high power pulsed low frequency RF

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2467320A (en) * 2009-01-28 2010-08-04 Surrey Nanosystems Ltd Two methods of forming carbon nano-materials using filtered acetylene gas

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295518A (ja) * 1987-05-27 1988-12-01 Toho Asechiren Kk アセチレンガスの精製方法
JPH0228539A (ja) * 1988-07-19 1990-01-30 Toho Asechiren Kk 原子吸光、原子発光分析用高純度アセチレンガス組成物
FR2853313A1 (fr) * 2003-04-04 2004-10-08 Air Liquide Procede d'elimination d'un solvant contenu dans l'acetylene, installation pour la mise en oeuvre du procede
WO2004089859A3 (fr) * 2003-04-04 2004-11-25 Air Liquide Procede d'elimination d'un solvant contenu dans l'acetylene. installation pour la mise en oeuvre du procede
JP2006522079A (ja) * 2003-04-04 2006-09-28 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード アセチレンに含まれる溶媒の除去方法及び前記方法を実施するための装置
US8309473B2 (en) * 2008-06-04 2012-11-13 Novellus Systems, Inc. Method for purifying acetylene gas for use in semiconductor processes
US20100297853A1 (en) * 2008-06-04 2010-11-25 Novellus Method for purifying acetylene gas for use in semiconductor processes
US8435608B1 (en) 2008-06-27 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods of depositing smooth and conformal ashable hard mask films
US8915992B2 (en) 2008-09-16 2014-12-23 Air Products And Chemicals, Inc. Process and system for providing acetylene
US8129577B2 (en) 2008-09-16 2012-03-06 Air Products And Chemicals, Inc. Process and system for providing acetylene
JP2014055675A (ja) * 2008-09-16 2014-03-27 Air Products And Chemicals Inc アセチレンを供給するための方法およびシステム
JP2010070554A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Air Products & Chemicals Inc アセチレンを供給するための方法およびシステム
US8182589B2 (en) 2008-12-05 2012-05-22 Matheson Tri-Gas, Inc. Acetylene process gas purification methods and systems
US20100154630A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-24 Matheson Tri-Gas, Inc. Acetylene process gas purification methods and systems
JP2011201809A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Taiyo Nippon Sanso Corp アセチレンの製造装置及び製造方法
US8563414B1 (en) 2010-04-23 2013-10-22 Novellus Systems, Inc. Methods for forming conductive carbon films by PECVD
US10192759B2 (en) 2012-12-14 2019-01-29 Lam Research Corporation Image reversal with AHM gap fill for multiple patterning
US9618846B2 (en) 2013-02-25 2017-04-11 Lam Research Corporation PECVD films for EUV lithography
US11837441B2 (en) 2019-05-29 2023-12-05 Lam Research Corporation Depositing a carbon hardmask by high power pulsed low frequency RF
CN114195614A (zh) * 2021-12-30 2022-03-18 大连科利德光电子材料有限公司 一种制备4n纯度乙炔气体的方法

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