JPS62192719A - 光磁気ピツクアツプ用レンズ - Google Patents
光磁気ピツクアツプ用レンズInfo
- Publication number
- JPS62192719A JPS62192719A JP3406886A JP3406886A JPS62192719A JP S62192719 A JPS62192719 A JP S62192719A JP 3406886 A JP3406886 A JP 3406886A JP 3406886 A JP3406886 A JP 3406886A JP S62192719 A JPS62192719 A JP S62192719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phase difference
- substrate
- polarized light
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、複屈折を有する基板の複屈折の形響をやf減
する股をレンズに設けた光磁気ピックアップ用レンズに
関づる。
する股をレンズに設けた光磁気ピックアップ用レンズに
関づる。
[従来の技術]
近年、情報に関連する産業の進展が目ざましく、取扱わ
れる情報記が飛躍的に拡大する状況にある。
れる情報記が飛躍的に拡大する状況にある。
このため、従来の磁気ヘッドに代わってシー11光を用
いて円盤状の記録媒体(以下、ディスクと略記する。)
に情報を光学的にi0i密度に記録したり、^速度で再
生したりすることができる光学的情報記録再生装置が注
目されている。
いて円盤状の記録媒体(以下、ディスクと略記する。)
に情報を光学的にi0i密度に記録したり、^速度で再
生したりすることができる光学的情報記録再生装置が注
目されている。
前記光学的情報記録再生′JA置においては、光磁気現
象<!l磁気的カー効果を利用した光磁気方式のものが
、記録情報を凹き換えて記録あるいは再生づることがで
きるため、今後広く用いられると考えられる。
象<!l磁気的カー効果を利用した光磁気方式のものが
、記録情報を凹き換えて記録あるいは再生づることがで
きるため、今後広く用いられると考えられる。
このような光磁気方式の情?lj記録再生装置では、例
えば第 図に示されるように、基板2と、この基板2に
形成されたTbFe系合金等の光磁気材料よりなる記録
層3とからなるディスク1に、半導体レーIf等から出
alされた偏光したレーナビームを対物レンズで集光し
て照射する。
えば第 図に示されるように、基板2と、この基板2に
形成されたTbFe系合金等の光磁気材料よりなる記録
層3とからなるディスク1に、半導体レーIf等から出
alされた偏光したレーナビームを対物レンズで集光し
て照射する。
前記記録基板2を通って記録層3で反射した光は、記録
層3の光の照射部分における磁化の方向に応じて偏光方
向が回転する(磁気的カー効果)ので、この反射光を検
光子に通し、光検出器で受光して、偏光方向が回転した
ことを検知して、再生信号を(9る。
層3の光の照射部分における磁化の方向に応じて偏光方
向が回転する(磁気的カー効果)ので、この反射光を検
光子に通し、光検出器で受光して、偏光方向が回転した
ことを検知して、再生信号を(9る。
ところで、従来、前記基板2としては、ポリメチルアク
リレート(以T”、PMMAと略記する。)等のアクリ
ル樹脂が使われることが多かった。これはアクリル樹脂
が光学的特性に優れるとともに、再生信号のC/N比を
高める上で最適と考えられていたからである。しかしな
がら、アクリル樹脂は吸湿性が大きく媒体自体が反って
しまうという欠点を有していた。
リレート(以T”、PMMAと略記する。)等のアクリ
ル樹脂が使われることが多かった。これはアクリル樹脂
が光学的特性に優れるとともに、再生信号のC/N比を
高める上で最適と考えられていたからである。しかしな
がら、アクリル樹脂は吸湿性が大きく媒体自体が反って
しまうという欠点を有していた。
一方、近年このような記録媒体用の基板としてポリカー
ボネート(以下、PCと略記する。)樹脂が注目されて
いる。PC樹脂は、反りに対して強く、この点に関して
はアクリル樹脂に比べて優れた性質を持っている。
ボネート(以下、PCと略記する。)樹脂が注目されて
いる。PC樹脂は、反りに対して強く、この点に関して
はアクリル樹脂に比べて優れた性質を持っている。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、射出成形したPC板を前記基板2に用いた場
合、この基板2は、複屈折を示し、一般に基板面に対し
て垂直な方向に光学軸を持つ。そして、常光線に対して
はno=1.5800、異常光線に対してはne=1.
5806の屈折率となる。
合、この基板2は、複屈折を示し、一般に基板面に対し
て垂直な方向に光学軸を持つ。そして、常光線に対して
はno=1.5800、異常光線に対してはne=1.
5806の屈折率となる。
従って、この基板2に、光学軸(基板面に対して垂直な
方向)に対して傾いて入Q(した直線偏光は、その偏光
方向と入射面のなづ角度が特定の角度以外では複屈折の
ため位相差を生じ、その結果楕円化(直線偏光が楕円偏
光になる。)が生じる。
方向)に対して傾いて入Q(した直線偏光は、その偏光
方向と入射面のなづ角度が特定の角度以外では複屈折の
ため位相差を生じ、その結果楕円化(直線偏光が楕円偏
光になる。)が生じる。
この楕円化の生じる理由を第9図及び第6図を参照して
以下に説明する。
以下に説明する。
第5図は、対物レンズが基板2の一部にレーザビーム4
を絞り込lυでスポット状に照射する様子を示す説明図
である。同図においてディスク1は一部のみが示されて
いる。
を絞り込lυでスポット状に照射する様子を示す説明図
である。同図においてディスク1は一部のみが示されて
いる。
レーザビーム4は、偏光方向が符85で示されるように
基板の半径方向6に直交する直線偏光であり、偏光方向
に対して直交して入射するビーム部分(S偏光)11と
、偏光方向に対して平行に入射するビーム部分(P偏光
)12と、例えばこのビーム部分11.12に対してそ
れぞれ45度傾いて入射するビーム部分13.14を含
んでいる。このビーム部分13.14はS偏光とP偏光
との両成分を含む偏光となる。
基板の半径方向6に直交する直線偏光であり、偏光方向
に対して直交して入射するビーム部分(S偏光)11と
、偏光方向に対して平行に入射するビーム部分(P偏光
)12と、例えばこのビーム部分11.12に対してそ
れぞれ45度傾いて入射するビーム部分13.14を含
んでいる。このビーム部分13.14はS偏光とP偏光
との両成分を含む偏光となる。
一方、この基板2に、符@7で示される光学軸(基板面
に対して垂直な方向)7に対して、角度αだ1ノ傾いて
入射りるS偏光及びP偏光に対する屈折率は、以下の様
にして求められる。
に対して垂直な方向)7に対して、角度αだ1ノ傾いて
入射りるS偏光及びP偏光に対する屈折率は、以下の様
にして求められる。
第6図は、基板2に入射する先の入射角と屈折率の関係
を召す説明図である。
を召す説明図である。
射出成形された20基板2は一軸結晶性を示し、主屈折
率nl 、n2.n3のうち二つが等しい。
率nl 、n2.n3のうち二つが等しい。
n1=n2とし、Z軸方向がn3となるように座標軸を
選んでILi′III′r率楕円体を表示すると、光学
軸7はZ軸に一致する。
選んでILi′III′r率楕円体を表示すると、光学
軸7はZ軸に一致する。
ここで光学軸(盤面に対して垂直な方向)7に角度αだ
け傾いて入射するS偏光に対する屈折率n′及びP偏光
に対づる屈折率n”は、この入射光15の垂直切断面(
楕円16)の短軸17及び長軸18で表わされる。すな
わら、 n’=n、 ・・・■となる
。ここで、角度βは、入射後の屈折角度を表ねり。
け傾いて入射するS偏光に対する屈折率n′及びP偏光
に対づる屈折率n”は、この入射光15の垂直切断面(
楕円16)の短軸17及び長軸18で表わされる。すな
わら、 n’=n、 ・・・■となる
。ここで、角度βは、入射後の屈折角度を表ねり。
従って、この基板2に入射したS偏光のビーム部分11
及びP偏光のビーム部分12は直線偏光を保持するが、
例えば、前記ビーム部分11.12に対して45度傾い
て入射するビーム部分13゜14は、S偏光とP偏光と
の両成分を含む偏光であるため、S偏光成分とP偏光成
分とで位相差が生じ、直線偏光から楕円偏光になる。こ
の位相差δs−pは、基板2の厚さをd、レーザビーム
の波長をλとすると、 ただし、ここでλはレーザ光の波長であり、sinβ=
(1/n’ )s i nαとなる。従って、基板の
厚ざd及び入射角αが大きくなるほど位相差δs−pが
人さくなる。
及びP偏光のビーム部分12は直線偏光を保持するが、
例えば、前記ビーム部分11.12に対して45度傾い
て入射するビーム部分13゜14は、S偏光とP偏光と
の両成分を含む偏光であるため、S偏光成分とP偏光成
分とで位相差が生じ、直線偏光から楕円偏光になる。こ
の位相差δs−pは、基板2の厚さをd、レーザビーム
の波長をλとすると、 ただし、ここでλはレーザ光の波長であり、sinβ=
(1/n’ )s i nαとなる。従って、基板の
厚ざd及び入射角αが大きくなるほど位相差δs−pが
人さくなる。
第7図は、偏光方向が符n20で表わされる直線幅光で
ス・1物レンズに入射し、ディスク1で反射した後、再
び対物レンズを透過したビームの断面図である。基板2
に入射したビームは、ビームの周縁側程、つまり開口数
が大きくなる程、最大の入射角αが大きくなり、位相外
δ3−pも大きくなる。また、方位角(入射面と偏光方
向のなす角)が45度のところで楕円化゛は最大になる
。すなわら、第7図において矢印の方向に行く程楕円偏
光の度合が大きくなる。なお、この図において、領域2
1及び23は同方向に回転する楕円偏光となるが、領域
22及び24は領域21及び23と逆方向に回転する楕
円偏光となる。
ス・1物レンズに入射し、ディスク1で反射した後、再
び対物レンズを透過したビームの断面図である。基板2
に入射したビームは、ビームの周縁側程、つまり開口数
が大きくなる程、最大の入射角αが大きくなり、位相外
δ3−pも大きくなる。また、方位角(入射面と偏光方
向のなす角)が45度のところで楕円化゛は最大になる
。すなわら、第7図において矢印の方向に行く程楕円偏
光の度合が大きくなる。なお、この図において、領域2
1及び23は同方向に回転する楕円偏光となるが、領域
22及び24は領域21及び23と逆方向に回転する楕
円偏光となる。
上述したように、基板2の複屈折により、再生ビームの
断面は入射角αにより異、なった大きさの位相差をもつ
ことになる。再生ビームが楕円偏光になると、検光子に
より十分に消光できなくなり、再生信号のC/Nが劣化
する。前記位相差は、位相差を解消するために一般に使
用される例えば波長板(直交する二方向振動成分の相対
位相差を変換する素子)による位相差の補正は適当でな
い。
断面は入射角αにより異、なった大きさの位相差をもつ
ことになる。再生ビームが楕円偏光になると、検光子に
より十分に消光できなくなり、再生信号のC/Nが劣化
する。前記位相差は、位相差を解消するために一般に使
用される例えば波長板(直交する二方向振動成分の相対
位相差を変換する素子)による位相差の補正は適当でな
い。
なぜならば、波長板はビーム断面におけるずべての位置
の光に対して同じ位相差を与えるものであるが、前記基
板2を透過したビームは入射角αによって??、なった
大ぎざの位相差をイ1しているからである。
の光に対して同じ位相差を与えるものであるが、前記基
板2を透過したビームは入射角αによって??、なった
大ぎざの位相差をイ1しているからである。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、基板の
複屈折による直線偏光の楕円化を防止でき、C/Nを増
大ザることのできる光磁気ピックアップ用レンズを提供
することを目的とする。
複屈折による直線偏光の楕円化を防止でき、C/Nを増
大ザることのできる光磁気ピックアップ用レンズを提供
することを目的とする。
[問題点を解決するための手段及び作用]本発明では、
複屈折を示す基板を用いた記録媒体に集光照射し、その
戻り光を光ディテクタで受光する光学系のレンズに、基
板で生じる位相差を補償するための位相差補償用膜を設
けて、再生信号のC/Nを向上している。
複屈折を示す基板を用いた記録媒体に集光照射し、その
戻り光を光ディテクタで受光する光学系のレンズに、基
板で生じる位相差を補償するための位相差補償用膜を設
けて、再生信号のC/Nを向上している。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第1図及び第2図は第1実施例に係り、第1図は位相差
補償用膜が形成された対物レンズ系を示し、第2図は第
1実施例を備えた光磁気ピックアップvt置の光学系部
分を示す。
補償用膜が形成された対物レンズ系を示し、第2図は第
1実施例を備えた光磁気ピックアップvt置の光学系部
分を示す。
第2図に示すように第1実施例を備えた光磁気相ピック
アップ装ri131は、スピンドルモータ32によって
回転駆動される円盤状の光磁気記録媒体(以下光磁気デ
ィスクと配り。)33に対向して配置され、この光磁気
ピックアップ装置31はリニアモータ等で光磁気ディス
ク33の半径方向(つまり、記録トラックを横断する方
向)に移動でさるようにしてあり、目標トラックにラン
ダムにアクセスすることができる。
アップ装ri131は、スピンドルモータ32によって
回転駆動される円盤状の光磁気記録媒体(以下光磁気デ
ィスクと配り。)33に対向して配置され、この光磁気
ピックアップ装置31はリニアモータ等で光磁気ディス
ク33の半径方向(つまり、記録トラックを横断する方
向)に移動でさるようにしてあり、目標トラックにラン
ダムにアクセスすることができる。
上記(光磁気)ピックアップ装量31のハウジング内に
は光源としてレーザダイオード35がハウジング壁面等
に取付けられ、このレーザダイオード35の例えばS偏
光に偏光した光束【よ1、コリメータレンズ36によっ
て平行光束にされた後、ビームスプリッタ(又はハーフ
ミラ−)37に入射される。このビームスプリッタ37
を透過した光束は、対物レンズ38で集光されて、光磁
気ディスク33に黒用される。この光磁気ディスク33
は透明な°ディスク基板41と、このディスク基板41
に蒸着等で形成された磁気的な記録層42とからなり、
対物レンズ38で集光された光束は、ディスク基板41
を透過して、記録層42にスポット状にフォーカスされ
て照射される。しかして、この記録層42で反射された
光は、光照銅されたスポット位置の磁化の方向に応じて
偏光面の方向が微小角度回転することになる。しかして
、この記録層42で反射された戻り光は、対物レンズ3
8を通り、ビームスプリッタ37で一部が反射された後
、一方の磁化によって回転された偏光波のみを通すよう
にその方位が設定された検光子43を通り、光ディテク
タ44で受光される。
は光源としてレーザダイオード35がハウジング壁面等
に取付けられ、このレーザダイオード35の例えばS偏
光に偏光した光束【よ1、コリメータレンズ36によっ
て平行光束にされた後、ビームスプリッタ(又はハーフ
ミラ−)37に入射される。このビームスプリッタ37
を透過した光束は、対物レンズ38で集光されて、光磁
気ディスク33に黒用される。この光磁気ディスク33
は透明な°ディスク基板41と、このディスク基板41
に蒸着等で形成された磁気的な記録層42とからなり、
対物レンズ38で集光された光束は、ディスク基板41
を透過して、記録層42にスポット状にフォーカスされ
て照射される。しかして、この記録層42で反射された
光は、光照銅されたスポット位置の磁化の方向に応じて
偏光面の方向が微小角度回転することになる。しかして
、この記録層42で反射された戻り光は、対物レンズ3
8を通り、ビームスプリッタ37で一部が反射された後
、一方の磁化によって回転された偏光波のみを通すよう
にその方位が設定された検光子43を通り、光ディテク
タ44で受光される。
ところで、この第1実施例に用いられる対物レンズ38
は、第1図に示すように3枚のレンズ、つまり第2レン
ズL+、第2レンズL2.第3レンズ1−3で、第1.
第2レンズL+ 、L2どは貼着された2群3枚構成で
あり、開口数N、Δ、は0.5のものが用いである。
は、第1図に示すように3枚のレンズ、つまり第2レン
ズL+、第2レンズL2.第3レンズ1−3で、第1.
第2レンズL+ 、L2どは貼着された2群3枚構成で
あり、開口数N、Δ、は0.5のものが用いである。
しかして、上記光磁気ディスク33に、東光照射した場
合、ディスク基板41を透過する往路及び復路で複屈折
のため、S偏光とP偏光とで以下のように位相差が生じ
、これら両幅光成分を含むビームでは楕円化が生じてし
まうため、上記対物レンズ38には、位相差を解消する
膜を設【jるようにしである。
合、ディスク基板41を透過する往路及び復路で複屈折
のため、S偏光とP偏光とで以下のように位相差が生じ
、これら両幅光成分を含むビームでは楕円化が生じてし
まうため、上記対物レンズ38には、位相差を解消する
膜を設【jるようにしである。
即ら、ディスク基板41として、1.2#のPCを用い
ると、その屈折率【ま1)0述のように常光線に対して
はno=1.5800、異常光線に対してはne=1.
5806となる。従って、ディスク基板41への入射角
αがディスク基板41の板面に垂直、つまり光軸上の光
は垂直入射で、S偏光とP偏光とでは位相差が生じない
が、軸外、特に光束の周縁側からディスク基板41に入
射される場合、つまり入射角αが30”の場合には、入
射後の屈折角βは18.45°となり、第1式、第2式
によってS偏光、P偏光に対する屈折率は、それぞれn
’ =1.5800.n” =1.58006となり、
この場合の位相差δs−pはλ=83Qnmとすると第
3式によってδ5−p=−33゜になる。
ると、その屈折率【ま1)0述のように常光線に対して
はno=1.5800、異常光線に対してはne=1.
5806となる。従って、ディスク基板41への入射角
αがディスク基板41の板面に垂直、つまり光軸上の光
は垂直入射で、S偏光とP偏光とでは位相差が生じない
が、軸外、特に光束の周縁側からディスク基板41に入
射される場合、つまり入射角αが30”の場合には、入
射後の屈折角βは18.45°となり、第1式、第2式
によってS偏光、P偏光に対する屈折率は、それぞれn
’ =1.5800.n” =1.58006となり、
この場合の位相差δs−pはλ=83Qnmとすると第
3式によってδ5−p=−33゜になる。
このため、光軸上を通る光束は位相差が生じないので、
位相差補償手段側らこの先軸上の光束に対しては位相差
を生じない特性を示し、軸外を通る光束に対しては、そ
の光軸からずれるもの程、つまりディスク基板41面に
斜めで入射する光束では位相差δs−pが大ぎくなるの
で、このような光束に対してはこの位相差δs−pを打
消ηべく逆極性で大ぎな位相差δ’ s−pを生じる特
性を示す位相差補償手段が望ましい。
位相差補償手段側らこの先軸上の光束に対しては位相差
を生じない特性を示し、軸外を通る光束に対しては、そ
の光軸からずれるもの程、つまりディスク基板41面に
斜めで入射する光束では位相差δs−pが大ぎくなるの
で、このような光束に対してはこの位相差δs−pを打
消ηべく逆極性で大ぎな位相差δ’ s−pを生じる特
性を示す位相差補償手段が望ましい。
第1実施例では、このような特性を示づ位Iff差補1
0手段が下のように形成されている。
0手段が下のように形成されている。
第1図に示す対物レンズ38において、例えば第3レン
ズL3に注目する。対物レンズ38の第4面、84
(つまり第3レンズL3の入射側の面)に入射する光束
における入射角は、軸上ではOo、軸外では最大29.
7°まで変化する。又、対物レンズ38の第5而Ss
(つまり、第3レンズL3の出射側の面)では、出射
光束の角度は、軸上ではOo、最大では10.3°とな
る。
ズL3に注目する。対物レンズ38の第4面、84
(つまり第3レンズL3の入射側の面)に入射する光束
における入射角は、軸上ではOo、軸外では最大29.
7°まで変化する。又、対物レンズ38の第5而Ss
(つまり、第3レンズL3の出射側の面)では、出射
光束の角度は、軸上ではOo、最大では10.3°とな
る。
第1実施例では上記第4.第5面84.85の両面に表
に示ずような13層からなる多層膜による位相差補償膜
51を施している。尚、ここでTi Q2 は2.27
.MQF2は1.37′の屈折率を示す゛。
に示ずような13層からなる多層膜による位相差補償膜
51を施している。尚、ここでTi Q2 は2.27
.MQF2は1.37′の屈折率を示す゛。
これらの8膜は、膜形成物質、つまり誘電体材料を選択
してその屈折率及び膜厚を適当な値に設定することによ
って、S偏光、P偏光に対し、光学的に異る反射率、透
過率、位相差を示すようにできる。薄膜の光学的特性に
ついては、例えば、Wax Born and Emi
l Wolf : Pr1nciple of 0pt
ics(草用、横田訳:光学の原理1.pp91〜99
)等に詳しく記載されている。
してその屈折率及び膜厚を適当な値に設定することによ
って、S偏光、P偏光に対し、光学的に異る反射率、透
過率、位相差を示すようにできる。薄膜の光学的特性に
ついては、例えば、Wax Born and Emi
l Wolf : Pr1nciple of 0pt
ics(草用、横田訳:光学の原理1.pp91〜99
)等に詳しく記載されている。
上記(位相差)補償膜51を設けることによって、第4
面S4 に29.7°で入射される光で、S偏光及びP
偏光に対する位相差δ’ s−pは、δ’5−p=23
°となる。又、第5面S5の補償膜51においては、上
記10.3°で出射される光で、S偏光及びP偏光に対
Jる位相差δ’ s−pは、δ’ 5−1) =10.
6°となる。つまり、これら両補償股51.51による
合計の位相差はほぼ33°となり、PCを用いたディス
ク基板41の複屈折による位相x 65−p(=−33
°)を打消すことができる。
面S4 に29.7°で入射される光で、S偏光及びP
偏光に対する位相差δ’ s−pは、δ’5−p=23
°となる。又、第5面S5の補償膜51においては、上
記10.3°で出射される光で、S偏光及びP偏光に対
Jる位相差δ’ s−pは、δ’ 5−1) =10.
6°となる。つまり、これら両補償股51.51による
合計の位相差はほぼ33°となり、PCを用いたディス
ク基板41の複屈折による位相x 65−p(=−33
°)を打消すことができる。
又、上記補償膜51は、O〜30°の入OJ角の光に対
して、反射率RはRぐ1%となり、反射防止膜の動きも
十分果たしている。 尚、上記対物レンズ38における
第1.第3面S+ 、S3には、反射防止膜52がそれ
ぞれ設けである。
して、反射率RはRぐ1%となり、反射防止膜の動きも
十分果たしている。 尚、上記対物レンズ38における
第1.第3面S+ 、S3には、反射防止膜52がそれ
ぞれ設けである。
このように構成された第1実施例は以下の作用をなり。
複屈折を示すPCを用いたディスク基板41を集光され
て透過する際、位相差δs−pを生じ、この位相差δs
−pは入射角αの関数、つまりδ5−p=f(α)とな
り、入射角αと共に、単調に増加づる特性を示す。この
ため、通常考えられる位相補償板による位相差補fi1
手段では、特定の入射角の光に対して有効であり、他の
入射角に対しては有効に機能しないのに対し、この位相
補償膜51は上記ディスク基板41が示す位相差特性の
符号を逆にしたような特性を示ゴため、ディスク基板4
1によって生じる位相差δs−pを有効に消去できる。
て透過する際、位相差δs−pを生じ、この位相差δs
−pは入射角αの関数、つまりδ5−p=f(α)とな
り、入射角αと共に、単調に増加づる特性を示す。この
ため、通常考えられる位相補償板による位相差補fi1
手段では、特定の入射角の光に対して有効であり、他の
入射角に対しては有効に機能しないのに対し、この位相
補償膜51は上記ディスク基板41が示す位相差特性の
符号を逆にしたような特性を示ゴため、ディスク基板4
1によって生じる位相差δs−pを有効に消去できる。
従って、検光子43は信号成分を透過し、且つこの信号
成分以外の光束に対しては十分に透過防止機能を表すこ
とになり再生信号のC/Nを向上できる。
成分以外の光束に対しては十分に透過防止機能を表すこ
とになり再生信号のC/Nを向上できる。
第3図は本発明の第1実施例の変形例を示す。
この変形例では、第3.第4.第5面S3.S4、S5
の各面に位相差補償膜61が設けである。
の各面に位相差補償膜61が設けである。
第1面S1には反(ト)防止用膜52が設けである。
上記位相差補償膜61は、上記表とは数値的には異るも
のであるが、各位相差補償膜61は反射防止と共にこれ
ら位相差補償膜61,61.61による合計の位相差は
ディスク基板41の位相差を打消す特性を示すように設
定しである。
のであるが、各位相差補償膜61は反射防止と共にこれ
ら位相差補償膜61,61.61による合計の位相差は
ディスク基板41の位相差を打消す特性を示すように設
定しである。
このように位相差補償膜61,61.61を設ける面の
数を多くすると、6股の位相差補償機能を小さく設定で
きるので、設計の自由度を大きくできる。例えば、8補
tf111A61を形成する多層膜Tio2 、tV4
QF2等の膜厚をN牛に十分近い値に設定でき、反射防
止の機能を人さ・くできる。
数を多くすると、6股の位相差補償機能を小さく設定で
きるので、設計の自由度を大きくできる。例えば、8補
tf111A61を形成する多層膜Tio2 、tV4
QF2等の膜厚をN牛に十分近い値に設定でき、反射防
止の機能を人さ・くできる。
第4図は本発明の第2実施例を示づ。
この第2実施例では、第2図におけるコリメータレンズ
36の例えば入射側の面に対しで、位相差補償膜71を
設けている。このコリメータレンズ36の出射側の面に
は反則防止膜52を設けている。この面にも位相差補償
機能を設【ノでも良い。
36の例えば入射側の面に対しで、位相差補償膜71を
設けている。このコリメータレンズ36の出射側の面に
は反則防止膜52を設けている。この面にも位相差補償
機能を設【ノでも良い。
尚、対物レンズ38側にも第3図に示ず場合と同様に位
相補償膜71(膜厚等は第3図の場合と一般に異るため
ことなる符号が付けである。)が設けである。
相補償膜71(膜厚等は第3図の場合と一般に異るため
ことなる符号が付けである。)が設けである。
この場合には、さらに8膜71の位相補償し1能の分担
割合を小ざくできるので、設計が容易になると共に、反
射率をより小さくすることも可能である。
割合を小ざくできるので、設計が容易になると共に、反
射率をより小さくすることも可能である。
なお、本実施例は単なる数例にすぎず、誘電体の材料、
膜厚、層数等を変えることにより様々な構成が考えられ
、例えばディスク基板41による位相差が小さい場合に
は、単層又は複V、層の誘電体膜により位相差を補償す
ることも可能である。
膜厚、層数等を変えることにより様々な構成が考えられ
、例えばディスク基板41による位相差が小さい場合に
は、単層又は複V、層の誘電体膜により位相差を補償す
ることも可能である。
尚、複数の面に位相差補償膜を設ける場合、入射角等に
応じて複数層の構成等を変えるようにしてb良い。
応じて複数層の構成等を変えるようにしてb良い。
また、本発明はPCを用いたディスク基板の場合に限ら
ず複屈折を有する基板を用いた光磁気記録媒体に広く適
用できるものである。
ず複屈折を有する基板を用いた光磁気記録媒体に広く適
用できるものである。
尚、本発明は光源の光束を光磁気記録媒体に照射する往
路のレンズ又は光ディテクタで戻り光を受光する復路の
レンズに永ヂして広く適用できる。
路のレンズ又は光ディテクタで戻り光を受光する復路の
レンズに永ヂして広く適用できる。
[発明の効果]
以上述べたように本発明にJ:れば、位相補償手段を設
けているので、基板の複屈折による心線偏光の楕円化を
防止でき、C/Nを増大することができるという効果が
ある。
けているので、基板の複屈折による心線偏光の楕円化を
防止でき、C/Nを増大することができるという効果が
ある。
第1図及び第2図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は第1実施例の対物レンズを示す説明図、第2図は第1
実施例を備えた光磁気ピックアップ装置を示す構成図、
第3図は第2実施例の変形例を示す説明図、第4図は本
発明の第2実施例のコリメータレンズを示寸説明図、第
5図は直線偏光のビームが集光されて記録媒体に入射す
る様子を示寸斜視図、第6図は基板に入射する光の入射
角と屈折率の関係を示す説明図、第7図はディスクで反
則した後対物レンズを透過したビームの断面にJ3りる
位置ど楕円偏光の度合の関係を示す説明図である。 31・・・光磁気ピックアップ装置 33・・・光磁気ディスク 36・・・コリメータレンズ 38・・・ス・]物レしズ 41・・・ディスク基板
/12・・・記録層 51・・・位相差補償膜5
2・・・反射防止膜 第1図
は第1実施例の対物レンズを示す説明図、第2図は第1
実施例を備えた光磁気ピックアップ装置を示す構成図、
第3図は第2実施例の変形例を示す説明図、第4図は本
発明の第2実施例のコリメータレンズを示寸説明図、第
5図は直線偏光のビームが集光されて記録媒体に入射す
る様子を示寸斜視図、第6図は基板に入射する光の入射
角と屈折率の関係を示す説明図、第7図はディスクで反
則した後対物レンズを透過したビームの断面にJ3りる
位置ど楕円偏光の度合の関係を示す説明図である。 31・・・光磁気ピックアップ装置 33・・・光磁気ディスク 36・・・コリメータレンズ 38・・・ス・]物レしズ 41・・・ディスク基板
/12・・・記録層 51・・・位相差補償膜5
2・・・反射防止膜 第1図
Claims (1)
- 複屈折を有する基板に磁気的な記録層が形成された光磁
気記録媒体に、光ビームを集光して、記録情報の再生を
行うことのできる対物レンズ系を備えた光磁気ピックア
ップ装置において、前記記録層に集光照射する往路又は
記録層からの戻り光を光ディテクタで受光する復路の光
学レンズに、前記基板の複屈折により生じる位相差を補
償する膜を形成したことを特徴とする光磁気ピックアッ
プ用レンズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3406886A JPS62192719A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光磁気ピツクアツプ用レンズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3406886A JPS62192719A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光磁気ピツクアツプ用レンズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62192719A true JPS62192719A (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12403937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3406886A Pending JPS62192719A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 光磁気ピツクアツプ用レンズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62192719A (ja) |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP3406886A patent/JPS62192719A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5659531A (en) | Optical head device and birefringent diffraction grating polarizer and polarizing hologram element used therein | |
JP2655077B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
US5570333A (en) | Head device for magneto-optical disk | |
US6002653A (en) | Magneto-optical head unit capable of compensating the Kerr ellipticity | |
JP2008544323A (ja) | 反射型ホログラフィックデータ記憶担体 | |
JPH0250335A (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
JP3439903B2 (ja) | 光ディスク装置用光学ヘッド | |
JPS62192719A (ja) | 光磁気ピツクアツプ用レンズ | |
JPH06309690A (ja) | 光ピックアップ | |
JPH07121923A (ja) | 光学式ピックアップヘッド装置 | |
US5249171A (en) | Opto-magnetic pick-up device including phase difference correcting means | |
JPS61160852A (ja) | 光磁気ピツクアツプ装置 | |
US6026070A (en) | Optical pickup device | |
US5202789A (en) | Optical system for preserving a state of polarization of light beam | |
JPS63171438A (ja) | 偏光位相差が打ち消された光学ヘツド | |
JP2581779B2 (ja) | 光磁気記録媒体からの信号検出装置 | |
JPH0749627Y2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JPH0727906A (ja) | ビームスプリッタ及びこれを用いた光学的情報記録再生装置 | |
JPH01229445A (ja) | 光磁気記録媒体用光学ヘッド | |
JP2888280B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
JPS62172550A (ja) | 光磁気記録媒体用ピツクアツプ | |
JPH075457Y2 (ja) | 半透鏡型光アイソレータ | |
JPS62192049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS6297148A (ja) | 光学的情報処理装置 | |
JPH0622070B2 (ja) | 光磁気ピツクアツプ装置 |