JPS62190923A - レベル変換回路 - Google Patents
レベル変換回路Info
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- JPS62190923A JPS62190923A JP61034521A JP3452186A JPS62190923A JP S62190923 A JPS62190923 A JP S62190923A JP 61034521 A JP61034521 A JP 61034521A JP 3452186 A JP3452186 A JP 3452186A JP S62190923 A JPS62190923 A JP S62190923A
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- JP
- Japan
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- voltages
- level
- terminal
- resistances
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00369—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
- H03K19/00384—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電源電圧振幅で動作しているロジック回路の
出力振幅レベルをそれより低い他の電圧値に変換するレ
ベル変換回路に関するものである。
出力振幅レベルをそれより低い他の電圧値に変換するレ
ベル変換回路に関するものである。
従来の技術
従来のレベル変換回路では第３図に示すように、電源の
２つの電圧値ｖ ｎｏ Ｖｌ！５間に複数、たとえば、
トランジスタ’Ｎ ＋Ｍ１２ ＋”＋３ ＋’１４
の４個を縦続接続して、それら間の電圧降下を利用して
出力電圧のレベル変換を実現している。２つの電源電圧
値をｖＤＯ＊ＶｓＳｓ ４個の各トランジスタを、しき
い値ｖＴＰ１７）Ｐ型ＭＯＳトランジスタｌｌ＋＋ 、
Ｍ１２およびしきイ値ｖ、Ｎ（７） Ｎ型Ｍｏｓトラン
ジスｐ Ｍ、５．Ｍ、４で第３図示の反転回路を構成す
ると、その入出力レベルＷＩＮ 、 ”ＯＵＴは、第４
図のように、出力・・イレペルはＶＤＤ ＶＴＰ 、
出力ロウレベルはＶＳＳ＋ＶＴＮが得られる。
２つの電圧値ｖ ｎｏ Ｖｌ！５間に複数、たとえば、
トランジスタ’Ｎ ＋Ｍ１２ ＋”＋３ ＋’１４
の４個を縦続接続して、それら間の電圧降下を利用して
出力電圧のレベル変換を実現している。２つの電源電圧
値をｖＤＯ＊ＶｓＳｓ ４個の各トランジスタを、しき
い値ｖＴＰ１７）Ｐ型ＭＯＳトランジスタｌｌ＋＋ 、
Ｍ１２およびしきイ値ｖ、Ｎ（７） Ｎ型Ｍｏｓトラン
ジスｐ Ｍ、５．Ｍ、４で第３図示の反転回路を構成す
ると、その入出力レベルＷＩＮ 、 ”ＯＵＴは、第４
図のように、出力・・イレペルはＶＤＤ ＶＴＰ 、
出力ロウレベルはＶＳＳ＋ＶＴＮが得られる。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の回路では、電圧レベルのシフト量がＭ
ＯＳ）ランジスタのしきい値によってきまるため、製造
条件の影響を受け、常に一定の値を得ることが困難であ
る。また、温度変化による変動も大きい。
ＯＳ）ランジスタのしきい値によってきまるため、製造
条件の影響を受け、常に一定の値を得ることが困難であ
る。また、温度変化による変動も大きい。
本発明は、このような問題点を改善し、製造条件、温度
の影響を受けない出力電圧レベルを得るためのレベル変
換回路を提供することを目的としている。
の影響を受けない出力電圧レベルを得るためのレベル変
換回路を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、使用されている
電源電圧を抵抗器で多分割して所望の出力電圧のハイレ
ベルとロウレベルとに相当する端子電圧を得、これらの
各端子電圧間で反転電圧回路を動作させることによって
出力波形のレベルを変換させるものである。
電源電圧を抵抗器で多分割して所望の出力電圧のハイレ
ベルとロウレベルとに相当する端子電圧を得、これらの
各端子電圧間で反転電圧回路を動作させることによって
出力波形のレベルを変換させるものである。
作用
本発明は、上記した構成によシ、出力電圧レベルが、抵
抗分割比によってきまるため、製造条件。
抗分割比によってきまるため、製造条件。
温度に依存せずに、安定な出力を得ることができる。
実施例
第１図は、本発明のレベル変換回路であシ、電源電圧の
振幅で動作しているロジック回路の出力振幅を小さくす
る回路である。第２図に入出力波形を示す。電源電圧（
ＶＤＤ−ＶＳＳ ｌただしＶｓｓ＝Ｏ）を抵抗器Ｒ，、
Ｒ２，Ｒ３で分割し、次式で示されるｖｌ ＊ ｖ２
の各電圧を得る。
振幅で動作しているロジック回路の出力振幅を小さくす
る回路である。第２図に入出力波形を示す。電源電圧（
ＶＤＤ−ＶＳＳ ｌただしＶｓｓ＝Ｏ）を抵抗器Ｒ，、
Ｒ２，Ｒ３で分割し、次式で示されるｖｌ ＊ ｖ２
の各電圧を得る。
Ｐ型ＭＯ３）ランジスタＭ１とＮ型ＭＯＳ）ランジスタ
Ｍ２によってＣＭＯＳインバータを構成し、動作電圧と
して、上記の各端子電圧Ｖ、、Ｖ２を用いる。
Ｍ２によってＣＭＯＳインバータを構成し、動作電圧と
して、上記の各端子電圧Ｖ、、Ｖ２を用いる。
この回路の入力ｖＩＮに電源電圧ＶＤＤの振幅で信号が
入力される場合、Ｐ型ＭＯ８）、ランジスタＭ１がオン
、Ｎ型ＭＯＳ ）ランジスタＭ２がオフの場合は、高い
側の端子電圧ｖ１が出力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
Ｍ２がオン、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＭ１がオフの場合
は、低い側の端子電圧ｖ２が出力される。各端子電圧Ｖ
＋ ＋ ｖ２は抵抗の比によってきまるため抵抗器Ｒ
１＋Ｒ２，Ｒｓを同一工程で製造すると、抵抗の絶対値
が変っても各抵抗の変化分が均等であり、したがって、
その比率が不変のため、一定の値が得られる。また、抵
抗の温度変化があっても、抵抗の比は変らないため、温
度変化に対しても一定の出力電圧が得られる。抵抗器を
ＭＯ３型トランジスタで製作した場合にも同様に利用す
ることができる。
入力される場合、Ｐ型ＭＯ８）、ランジスタＭ１がオン
、Ｎ型ＭＯＳ ）ランジスタＭ２がオフの場合は、高い
側の端子電圧ｖ１が出力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
Ｍ２がオン、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＭ１がオフの場合
は、低い側の端子電圧ｖ２が出力される。各端子電圧Ｖ
＋ ＋ ｖ２は抵抗の比によってきまるため抵抗器Ｒ
１＋Ｒ２，Ｒｓを同一工程で製造すると、抵抗の絶対値
が変っても各抵抗の変化分が均等であり、したがって、
その比率が不変のため、一定の値が得られる。また、抵
抗の温度変化があっても、抵抗の比は変らないため、温
度変化に対しても一定の出力電圧が得られる。抵抗器を
ＭＯ３型トランジスタで製作した場合にも同様に利用す
ることができる。
発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、きわめて簡易な
回路構成で、電源電圧の振幅の信号を、任意の電圧レベ
ルに、しかも安定に変換することができ、きわめて有用
である。
回路構成で、電源電圧の振幅の信号を、任意の電圧レベ
ルに、しかも安定に変換することができ、きわめて有用
である。
第１図は本発明の一実施例におけるレベル変換回路図、
第２図は本発明の入出力波形を示す波形図、第３図は従
来のレベル変換回路図、第４図は従来の回路の入出力波
形を示す波形図である。 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５・・・・・・抵抗器、Ｍｌ・・川・Ｐ
型ＭＯＳトランジスタ、Ｍ２・・・・・・Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｒイ
〜Ｒｙ−−＄τ九でｈ、 第２図
第２図は本発明の入出力波形を示す波形図、第３図は従
来のレベル変換回路図、第４図は従来の回路の入出力波
形を示す波形図である。 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５・・・・・・抵抗器、Ｍｌ・・川・Ｐ
型ＭＯＳトランジスタ、Ｍ２・・・・・・Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｒイ
〜Ｒｙ−−＄τ九でｈ、 第２図
Claims (1)
- 抵抗器により電源電圧を多分割し、それらのうちから選
定された２つの電圧を反転回路の動作電圧源として、そ
れぞれ、高電圧側端子および低電圧側端子に供給するこ
とにより、電源電圧より振幅の小さい波形に変換するレ
ベル変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034521A JPS62190923A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レベル変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034521A JPS62190923A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レベル変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190923A true JPS62190923A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12416569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034521A Pending JPS62190923A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レベル変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190923A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290327A (ja) * | 1988-04-29 | 1990-11-30 | Tektronix Inc | デジタル・インタフェース回路、デジタル入力回路及びデジタル変換回路 |
| JPH03212021A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 入力バッファ回路 |
| US6034549A (en) * | 1996-10-30 | 2000-03-07 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Level shift circuit |
| JP2006197568A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
| US8054111B2 (en) | 2004-12-13 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
| US8861288B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Level-shift circuit and semiconductor integrated circuit |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034521A patent/JPS62190923A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290327A (ja) * | 1988-04-29 | 1990-11-30 | Tektronix Inc | デジタル・インタフェース回路、デジタル入力回路及びデジタル変換回路 |
| JPH03212021A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 入力バッファ回路 |
| US6034549A (en) * | 1996-10-30 | 2000-03-07 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Level shift circuit |
| JP2006197568A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
| US8054111B2 (en) | 2004-12-13 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
| US8179170B2 (en) | 2004-12-13 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
| US8861288B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Level-shift circuit and semiconductor integrated circuit |
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