JPS59119751A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59119751A
JPS59119751A JP57230789A JP23078982A JPS59119751A JP S59119751 A JPS59119751 A JP S59119751A JP 57230789 A JP57230789 A JP 57230789A JP 23078982 A JP23078982 A JP 23078982A JP S59119751 A JPS59119751 A JP S59119751A
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JP
Japan
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synthetic resin
lead
leads
package
resin container
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JP57230789A
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English (en)
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「つ」守　昌彦
Masahiko Tsumori
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置に係り、特に半導体集積回路（Ｉ
Ｃ）等の端子構造の改良に関する。
第１図は従来のＩＣ，の縦断面を示している。放熱板２
及び複数のリード４１．４２　　・・・４ｎは、金属板
を一体成形したものである。放熱板２にはＩＣペレット
６を支持する台形状の支持部８が一体に形成され、この
支持部８の端部には棒状の突部１０が形成されている。
支持部８の上面に配置された前記ＩＣペレット６の各電
極には、各リード４１ないし４ｎが細い金線等の導線１
１を介して電気的に接続されている。そして、放熱板２
の下辺部、その支持部８及びその突部１０、ＩＣペレッ
ト６並びにリード４１ないし４ｎの一部は、合成樹脂容
器１２の内部にモールドに妻って一体に封入されている
。
放熱板２の上部中央には実装上用いる取付孔１４が形成
され、また、放熱板２の下辺両側には３個ずつの透孔１
６が形成されている。透孔１６は合成樹脂容器１２の封
止状態を高めるためのもので、成形時における合成樹脂
の流動を助長させるために形成されている。さらに、こ
の放熱板２の側部には、凹部１８が形成されている。
°また、リード４１ないし４ｎは、前記ＩＣペレット６
に臨む端部を細く、合成樹脂容器１２の内部にモールド
によって支持される部分及び外部に引き出される部分を
幅広く形成し、しかも合成樹脂容器１２の内部にモール
ドされる部分には前記透孔１６と同様に１又は２個の透
孔２０が形成されている。
一般に合成樹脂容器１２の形成には、熱硬化性合成樹脂
が使用されるが、合成樹脂と放熱板２及びリード４Ｉな
いし４ｎとを密着させ、容器１２の気密性を高めるため
に、放熱板２及びリード４１ないし４ｎには、複数の透
孔１６．２０がそれぞれ形成されている。
しかしながら、このような封止構造では、リード４１な
いし４ｎと合成樹脂容器１２との境界面に、狭隘な隙間
がリード４Ｉないし４ｎに沿って形成されるおそれがあ
る。このような隙間の形成は合成樹脂のモールド条件等
によって大きく左右されるが、このような隙間が形成さ
れている場合には、空気中の水蒸気が毛細管現象によっ
て合成樹脂容器１２の内部に浸透し、これは配線に腐食
等の化学変化を生じさせる原因になり、これを放置する
と電気的特性の悪化や故障の発生を招来する。
この発明は、リードの機械的強度を低下させることなく
リードと合成樹脂容器の界面面積を縮小し、リードと合
成樹脂容器の密着性を向上させて耐湿性の向上を図った
半導体装置の提供を目的とする。
、この発明は、半導体素子とともにその一部が合成樹脂
容器内に封入されるリードに、合成樹脂容器の内外に跨
る切り欠きを形成したことを特徴とする。
この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。第
２図はこの発明の半導体装置の実施例を示し、第１図と
同一部分には同一符号を付しである。図において、リー
ド４１ないし４ｎの一部は、半導体素子であるＩＣペレ
ット６とともに、合成樹脂容器１２の内部にモールドに
よって一体に封入されている。
このリード４Ｉないし４ｎの中間部分には、合成樹脂容
器１２の内外に跨る切欠き２２が形成されている。即ち
、この実施例の場合、リード４１ないし４ｎは合成樹脂
容器１２から引き出される部分を幅広く形成するととも
に、この部分に丁字形の切欠き２２が形成されており、
この切欠き２２は一方に開放されている。換言すれば、
この切欠き２２の形成の結果、第３図に拡大して示すよ
うに、ＩＣペレット８に向かう内部リード部２４は細く
形成され、これに対向してリード４１ないし４ｎを支持
強度を高めるためにリード支持片２６が形成され、この
支持片２６の端部近傍には突片２８が形成されている。
そして、切欠き２２の内部には合成樹脂容器１２を構成
している合成樹脂が充填されている。
また、この実施例の場合、放熱板２の下辺部には合成樹
脂の密着性を向上させるために複数の透孔１６が等間隔
に形成されている。
以上のように構成したので、リード４Ｉないし４ｎの切
欠き２２の内部に合成樹脂容器１２を構成する合成樹脂
が一体成形加工により侵入し、内部リード２４か細く形
成されているために内部リード２４と合成樹脂容器１２
との界面面積を縮小し、その気密性が高くなり、耐湿性
を向上させることができる。この場合、切欠き２２の形
成の結果、内部リード２４に対応してリード支持片２６
が形成され、このリード支持片２６でリード４１ないし
４ｎは、合成樹脂容器１２の内部に強固に支持され、従
来のものと同様の機械的支持強度を得ることができる。
特に、この実施例のように、切欠き２２の形成で内部リ
ード２４か細くなる結果、内部リード２４に沿って隙間
が生じても、その隙間が小さく、内部リード２４がクラ
ンク状に形成されていることも関係して毛細管現象の発
生を効果的に低下させることができ、水蒸気の侵入を極
力抑制することができる。
第４図ないし第７図はこの発明の他の実施例を示してい
る。゛ 第４図に示すように、切欠き２２の内部に合成樹脂容器
１２の一部の合成樹脂３０を侵入させれば、リード４Ｉ
ないし４ｎの支持強度をより高めることでき、耐湿性に
ついては同様の効果が期待できる。
第５図に示すように、リード支持片２６の端部近傍の内
側に突部２８ａを形成しても同様の効果が期待できる。
リード支持片２６の形状については、第６図に示すよう
に、フラットな形態としても同様の効果が期待できる。
また、切欠き２２は、第７図に示すように、長孔に形成
してもほぼ同等の効果が期待でき、この場合、リード４
Ｉないし４ｎの支持強度はより高くできる。
以上説明したようにこの発明によれば、合成樹脂容器か
ら引き出される各リードの支持強度を低下させることな
く、各リードと合成樹脂容器との密着性を高くでき、界
面面積を縮小したので、耐湿性の向上を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置を示す縦断面図、第２図はこ
の発明の半導体装置の実施例を示す一部を切り欠いた正
面図、第３図はリード部分の一部を拡大した説明図、第
４図ないし第７図はこ−の発明の他の実施例を示す説明
図である。 ４１　．４２　　・　・　・　４ｎ・　・　・リード、
６・　・　・ＩＣベレット、１２・・・合成樹脂容器、
２２・・・切欠き。 第１図 ４ 第２図 “°シ 第３図 第４図 第６図 第５図 第７図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子とともにその一部が合成樹脂容器の内部に封
    入されるリードに、合成樹脂容器の内外に跨る切欠きを
    形成したことを特徴とする半導体装置。
JP57230789A 1982-12-25 1982-12-25 半導体装置 Pending JPS59119751A (ja)

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JP57230789A JPS59119751A (ja) 1982-12-25 1982-12-25 半導体装置

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JP57230789A JPS59119751A (ja) 1982-12-25 1982-12-25 半導体装置

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ID=16913286

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JP57230789A Pending JPS59119751A (ja) 1982-12-25 1982-12-25 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63148668A (ja) * 1986-12-11 1988-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
US4987474A (en) * 1987-09-18 1991-01-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH067255U (ja) * 1992-06-26 1994-01-28 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5234945U (ja) * 1975-09-02 1977-03-11
JPS5623765A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Molded type electronic device

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