JPS62144355A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS62144355A JPS62144355A JP28612485A JP28612485A JPS62144355A JP S62144355 A JPS62144355 A JP S62144355A JP 28612485 A JP28612485 A JP 28612485A JP 28612485 A JP28612485 A JP 28612485A JP S62144355 A JPS62144355 A JP S62144355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- layer
- aluminum
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超高速電子計算機や高速信号処理回路などに用
いることのできる半導体集積回路に関するものである。
いることのできる半導体集積回路に関するものである。
従来の技術
近年、半導体集積回路はキーデバイスとして使われてい
る。
る。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の半導体
集積回路を化合物半導体集積回路を仮りにして説明する
。
集積回路を化合物半導体集積回路を仮りにして説明する
。
第２図は従来の砒化ガリウム集積回路の購遣ｔ１ｈ面図
を示すものである。第２図において、１は集積回路が形
成される半絶縁性砒化ガリウム基板である。２は電界効
果トランジスタやダイオードなど集積回路を構成する素
子の電極で金もしくは金糸合金から成っている。３は絶
縁膜で電極２と上；・Δ配線１ｊη４とを電気的に絶縁
している。４は個々の電極を電気的に接続するアルミニ
ウム・配線層である。
を示すものである。第２図において、１は集積回路が形
成される半絶縁性砒化ガリウム基板である。２は電界効
果トランジスタやダイオードなど集積回路を構成する素
子の電極で金もしくは金糸合金から成っている。３は絶
縁膜で電極２と上；・Δ配線１ｊη４とを電気的に絶縁
している。４は個々の電極を電気的に接続するアルミニ
ウム・配線層である。
発明が解決しようとする問題点
上記のように構成された集積回路では金もしくは金糸合
金からなる電（ｊ２とアルミニウムからなる配線層４と
が絶縁膜３に設けられた開孔部において直接接触してい
るため、長時間の高温放置によって容易に金とアルミニ
ウムの合金が形成される。よく知られているようにこの
金とアルミニウムの合金は非常にもろく電極と配線層と
の接触抵抗の増大をまねき最後には素子の動作を停止せ
しめるという欠点を有していた。
金からなる電（ｊ２とアルミニウムからなる配線層４と
が絶縁膜３に設けられた開孔部において直接接触してい
るため、長時間の高温放置によって容易に金とアルミニ
ウムの合金が形成される。よく知られているようにこの
金とアルミニウムの合金は非常にもろく電極と配線層と
の接触抵抗の増大をまねき最後には素子の動作を停止せ
しめるという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、金とアルミニウムの合金化を
防止しは・１γ１１姓の高い配線層（ｉを有する導体集
積回路を提供するものである。
防止しは・１γ１１姓の高い配線層（ｉを有する導体集
積回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路
は、電極が金もしくは金糸合金、配線層がタングステン
層とアルミニウム層を含む多層金、ｌ萬膜からそれぞれ
削成され、電極とアルミニウム層の間にタングステン層
が介在する構造からなっている。
は、電極が金もしくは金糸合金、配線層がタングステン
層とアルミニウム層を含む多層金、ｌ萬膜からそれぞれ
削成され、電極とアルミニウム層の間にタングステン層
が介在する構造からなっている。
作用
この構成によって、中間に設けられたタングステン層が
金およびアルミニウムの拡散を抑制する働きをし、金と
アルミニウムの合金が形成するのを防止することができ
信頼性の高い半導体集積回路が得られることとなる。
金およびアルミニウムの拡散を抑制する働きをし、金と
アルミニウムの合金が形成するのを防止することができ
信頼性の高い半導体集積回路が得られることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体集積回
路の配線部分の構造断面図を示すものである。第１図に
おいて、１は比抵抗１０’Ωα以上の半絶縁性砒化ガリ
ウム基板、２は金−ゲルマニウム合金、３はシリコン窒
ｆヒ）漢で以上は第２図と同じ］イ４成である。４は基
板側よりチタン／タングステン／アルミニウムの］頃に
形成された多１俗配線層である。
路の配線部分の構造断面図を示すものである。第１図に
おいて、１は比抵抗１０’Ωα以上の半絶縁性砒化ガリ
ウム基板、２は金−ゲルマニウム合金、３はシリコン窒
ｆヒ）漢で以上は第２図と同じ］イ４成である。４は基
板側よりチタン／タングステン／アルミニウムの］頃に
形成された多１俗配線層である。
以上のようにＩ’！成されだ砒化ガリウム集積回路にお
いて電極を形成する金−ゲルマニウム合金と配線層のア
ルミニウムは直接接触しておらず間にタングステン層が
介在しておりこれが金およびアルミニウムの拡散を止め
る役割を果たす。本発明の砒化ガリウム集積回路に２５
０°Ｃの高温保存試験を行なったが２００時間以上経過
しても異常は見られず配線層の高信頼性が確認された。
いて電極を形成する金−ゲルマニウム合金と配線層のア
ルミニウムは直接接触しておらず間にタングステン層が
介在しておりこれが金およびアルミニウムの拡散を止め
る役割を果たす。本発明の砒化ガリウム集積回路に２５
０°Ｃの高温保存試験を行なったが２００時間以上経過
しても異常は見られず配線層の高信頼性が確認された。
なお、本実施例では配線層をチタン／タングステン／ア
ルミニウムとしたがチタンは層間絶縁膜と配線層の密着
性をよくするためのもので、チタン以外にクロムなどで
もよい。
ルミニウムとしたがチタンは層間絶縁膜と配線層の密着
性をよくするためのもので、チタン以外にクロムなどで
もよい。
発明の効果
以上のように本発明は、金もしくは金糸合金を電極とし
て用いた半導体集積回路において、配線層に電ｆｌ １
１１１よりタングステン層、アルミニウム層の頓でこれ
らを含む多層金属層を設けることにより金とアルミニウ
ムの合金反応を防止することができ、高信頼性の半導体
集積回路を得ることができその実用的効果は大なるもの
がある。
て用いた半導体集積回路において、配線層に電ｆｌ １
１１１よりタングステン層、アルミニウム層の頓でこれ
らを含む多層金属層を設けることにより金とアルミニウ
ムの合金反応を防止することができ、高信頼性の半導体
集積回路を得ることができその実用的効果は大なるもの
がある。
第１図は本発明の一実施例における化合物半導体集積回
路の構造断面図、第２図は従来の化合物半導体集積回路
の構造断面図である。 １・・・・・砒化ガリウム基板、２・・・・・金−ゲル
マニウム合金重囲、４−・・・・・アルミニウム層、５
・・・・・チタン、苦、６・・・タングステンｍ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一砥化Ｍ９りに基板 ５− チタン１ ６−−−タシグヌテン、１１ ＼ム゛ 第 ２ 図
路の構造断面図、第２図は従来の化合物半導体集積回路
の構造断面図である。 １・・・・・砒化ガリウム基板、２・・・・・金−ゲル
マニウム合金重囲、４−・・・・・アルミニウム層、５
・・・・・チタン、苦、６・・・タングステンｍ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一砥化Ｍ９りに基板 ５− チタン１ ６−−−タシグヌテン、１１ ＼ム゛ 第 ２ 図
Claims (1)
- （１）電極が金もしくは金糸合金からなり、配線層が前
記電極側より順にタングステン層とアルミニウム層を含
む多層金属膜からなることを特徴とする半導体集積回路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28612485A JPS62144355A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28612485A JPS62144355A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144355A true JPS62144355A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17700238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28612485A Pending JPS62144355A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125446A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Nec Corp | 金電極多層配線構造 |
| US5416971A (en) * | 1991-07-18 | 1995-05-23 | Hegazi; Gamal M. | Method of assembling a monolithic gallium arsenide phased array using integrated gold post interconnects |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28612485A patent/JPS62144355A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125446A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Nec Corp | 金電極多層配線構造 |
| US5416971A (en) * | 1991-07-18 | 1995-05-23 | Hegazi; Gamal M. | Method of assembling a monolithic gallium arsenide phased array using integrated gold post interconnects |
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