JPH0513584A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0513584A JPH0513584A JP16275291A JP16275291A JPH0513584A JP H0513584 A JPH0513584 A JP H0513584A JP 16275291 A JP16275291 A JP 16275291A JP 16275291 A JP16275291 A JP 16275291A JP H0513584 A JPH0513584 A JP H0513584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- layer wiring
- bonding pad
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｕ配線を使用し、耐湿性に優れた高信頼性
の半導体装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１の上に形成された各素子とボン
ディングパッド１１とを、第１層配線７および第１層配
線７の上に形成された層間絶縁膜８の上に形成され、か
つコンタクト部９を介して第１層配線７と接続された第
２層配線１０とで接続した。
の半導体装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１の上に形成された各素子とボン
ディングパッド１１とを、第１層配線７および第１層配
線７の上に形成された層間絶縁膜８の上に形成され、か
つコンタクト部９を介して第１層配線７と接続された第
２層配線１０とで接続した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高信頼性が要求される半
導体装置、特にＡｕ配線を有する半導体装置およびその
製造方法に関する。
導体装置、特にＡｕ配線を有する半導体装置およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置はますます進歩し、高
集積度で高速動作を目指したＬＳＩが開発されている。
高速動作が要求されるＬＳＩでは構成素子の高速化はも
ちろんのこと配線抵抗による遅延が問題となり、配線の
低抵抗化が不可欠となっている。特に超高速動作が可能
なＧａＡｓＩＣでは配線抵抗低減のため厚膜のＡｕ配線
が用いられている。
集積度で高速動作を目指したＬＳＩが開発されている。
高速動作が要求されるＬＳＩでは構成素子の高速化はも
ちろんのこと配線抵抗による遅延が問題となり、配線の
低抵抗化が不可欠となっている。特に超高速動作が可能
なＧａＡｓＩＣでは配線抵抗低減のため厚膜のＡｕ配線
が用いられている。
【０００３】以下に従来の半導体装置について説明す
る。図５（ａ）は従来の半導体装置の一例としてのＧａ
ＡｓＩＣの要部断面図、図５（ｂ）は同ＧａＡｓＩＣの
要部平面図である。これらの図において、２１は半導体
基板、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板、２２は活性
層、２３は絶縁膜、２４はオーミック電極、２５はゲー
ト電極、２６は電界効果トランジスタ、２７はＡｕ配
線、２８はボンディングパッド、２９は保護膜である。
一般にＧａＡｓＩＣでは、電界効果トランジスタ２６や
抵抗（図示せず）のオーミック電極にＡｕＧｅ系の合金
を用いており、そのために配線金属にはＡｕ配線２７を
用いる。またＧａＡｓＩＣでは、たとえば電界効果トラ
ンジスタ２６のオーミック電極２４とボンディングパッ
ド２８はＡｕ配線２７で直接接続されている。
る。図５（ａ）は従来の半導体装置の一例としてのＧａ
ＡｓＩＣの要部断面図、図５（ｂ）は同ＧａＡｓＩＣの
要部平面図である。これらの図において、２１は半導体
基板、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板、２２は活性
層、２３は絶縁膜、２４はオーミック電極、２５はゲー
ト電極、２６は電界効果トランジスタ、２７はＡｕ配
線、２８はボンディングパッド、２９は保護膜である。
一般にＧａＡｓＩＣでは、電界効果トランジスタ２６や
抵抗（図示せず）のオーミック電極にＡｕＧｅ系の合金
を用いており、そのために配線金属にはＡｕ配線２７を
用いる。またＧａＡｓＩＣでは、たとえば電界効果トラ
ンジスタ２６のオーミック電極２４とボンディングパッ
ド２８はＡｕ配線２７で直接接続されている。
【０００４】次に従来の半導体装置の製造方法について
説明する。図６は従来の半導体装置の製造方法を示す工
程図であり、図５（ｂ）をＡ−Ａ’線で切断した断面図
で示している。まず、図６（ａ）に示すように、半導体
基板２１、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板にイオン注
入法で選択的に活性層２２を形成した後、全面に絶縁膜
２３、たとえばシリコン窒化膜を形成する。次に図６
（ｂ）に示すように、絶縁膜２３に所望のコンタクト部
を形成してオーミック電極２４およびゲート電極２５を
形成し電界効果トランジスタ２６を形成する。次に図６
（ｃ）に示すように、一端がオーミック電極２４に接続
されたＡｕ配線２７、たとえばＴｉ／Ａｕ配線を形成す
る。このＡｕ配線２７の他端がボンディングパッド２８
を構成している。次に図６（ｄ）に示すように、保護膜
２９、たとえばシリコン窒化膜を形成し、ボンディング
パッド開口部を形成してＩＣを完成する。
説明する。図６は従来の半導体装置の製造方法を示す工
程図であり、図５（ｂ）をＡ−Ａ’線で切断した断面図
で示している。まず、図６（ａ）に示すように、半導体
基板２１、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板にイオン注
入法で選択的に活性層２２を形成した後、全面に絶縁膜
２３、たとえばシリコン窒化膜を形成する。次に図６
（ｂ）に示すように、絶縁膜２３に所望のコンタクト部
を形成してオーミック電極２４およびゲート電極２５を
形成し電界効果トランジスタ２６を形成する。次に図６
（ｃ）に示すように、一端がオーミック電極２４に接続
されたＡｕ配線２７、たとえばＴｉ／Ａｕ配線を形成す
る。このＡｕ配線２７の他端がボンディングパッド２８
を構成している。次に図６（ｄ）に示すように、保護膜
２９、たとえばシリコン窒化膜を形成し、ボンディング
パッド開口部を形成してＩＣを完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、オーミック電極２４からボンディングパ
ッド２８へのＡｕ配線２７が単一配線で形成されている
ため、配線金属であるＡｕとその上に形成される保護膜
２９としてのシリコン窒化膜との密着性が悪く、水分が
オーミック電極２４まで達し、不良の原因になるという
課題を有していた。このことは、特に樹脂封止されたＩ
Ｃで耐湿性の低下を招き、信頼性上大きな問題であっ
た。
来の構成では、オーミック電極２４からボンディングパ
ッド２８へのＡｕ配線２７が単一配線で形成されている
ため、配線金属であるＡｕとその上に形成される保護膜
２９としてのシリコン窒化膜との密着性が悪く、水分が
オーミック電極２４まで達し、不良の原因になるという
課題を有していた。このことは、特に樹脂封止されたＩ
Ｃで耐湿性の低下を招き、信頼性上大きな問題であっ
た。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、Ａｕ配線を用いても耐湿性に優れた高信頼性の半導
体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
で、Ａｕ配線を用いても耐湿性に優れた高信頼性の半導
体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、半導体基板の上に形成された
各素子とボンディングパッドとの間を単一配線で接続す
るのではなく、第１層配線と第１層配線の上の層間絶縁
膜の上に形成された第２層配線とが１個以上のコンタク
ト部を介して直列に接続された配線によって接続した構
成を有している。
に本発明の半導体装置は、半導体基板の上に形成された
各素子とボンディングパッドとの間を単一配線で接続す
るのではなく、第１層配線と第１層配線の上の層間絶縁
膜の上に形成された第２層配線とが１個以上のコンタク
ト部を介して直列に接続された配線によって接続した構
成を有している。
【０００８】また本発明の半導体装置の製造方法は、第
１層配線で素子からボンディングパッドへの配線のうち
の一部分を形成する工程と、層間絶縁膜を全面に形成す
る工程と、層間絶縁膜にコンタクト部を形成する工程
と、コンタクト部を介して第１層配線と接続され、素子
からボンディングパッドへの配線のうちの残された部分
を接続する第２層配線を形成する工程とからなる構成を
有している。
１層配線で素子からボンディングパッドへの配線のうち
の一部分を形成する工程と、層間絶縁膜を全面に形成す
る工程と、層間絶縁膜にコンタクト部を形成する工程
と、コンタクト部を介して第１層配線と接続され、素子
からボンディングパッドへの配線のうちの残された部分
を接続する第２層配線を形成する工程とからなる構成を
有している。
【０００９】
【作用】この構成によって、ボンディングパッドから侵
入する水分をコンタクト部で遮断し、素子への水分の侵
入を防止することができ、高信頼性、特に耐湿性に優れ
た半導体装置を実現できる。
入する水分をコンタクト部で遮断し、素子への水分の侵
入を防止することができ、高信頼性、特に耐湿性に優れ
た半導体装置を実現できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の半導体装置およびその製造方法
について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は
本発明の一実施例における半導体装置の一例としてのＧ
ａＡｓＩＣの要部断面図、図１（ｂ）は同ＧａＡｓＩＣ
の要部平面図である。これらの図において、１は半導体
基板、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板、２は活性層、
３は絶縁膜、４はオーミック電極、５はゲート電極、６
は電界効果トランジスタ、７は第１層配線、８は層間絶
縁膜、９はコンタクト部、１０は第２層配線、１１はボ
ンディングパッド、１２は保護膜である。図１（ａ），
（ｂ）に示すように、本実施例ではオーミック電極４と
ボンディングパッド１１の間の配線を第１層配線７だけ
でなく、一部を第１層配線７で、残りの部分を層間絶縁
膜８を介して形成した第２層配線１０で形成している。
について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は
本発明の一実施例における半導体装置の一例としてのＧ
ａＡｓＩＣの要部断面図、図１（ｂ）は同ＧａＡｓＩＣ
の要部平面図である。これらの図において、１は半導体
基板、たとえば半絶縁性のＧａＡｓ基板、２は活性層、
３は絶縁膜、４はオーミック電極、５はゲート電極、６
は電界効果トランジスタ、７は第１層配線、８は層間絶
縁膜、９はコンタクト部、１０は第２層配線、１１はボ
ンディングパッド、１２は保護膜である。図１（ａ），
（ｂ）に示すように、本実施例ではオーミック電極４と
ボンディングパッド１１の間の配線を第１層配線７だけ
でなく、一部を第１層配線７で、残りの部分を層間絶縁
膜８を介して形成した第２層配線１０で形成している。
【００１１】次に本発明の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図２は本発明の一実施例における半導体装
置の製造方法を示す工程図であり、図１（ｂ）をＡ−
Ａ’線で切断した断面図で示している。まず図２（ａ）
に示すように、半導体基板１、たとえば半絶縁性のＧａ
Ａｓ基板にイオン注入法で選択的に活性層２を形成した
後、全面に絶縁膜３、たとえばシリコン窒化膜を形成す
る。次に図２（ｂ）に示すように、絶縁膜３に形成した
開口部にオーミック電極４を、またゲート電極５を形成
し電界効果トランジスタ６を形成する。次に図２（ｃ）
に示すように、第１層配線７を、たとえばＴｉ／Ａｕで
形成する。次に図２（ｄ）に示すように、全面に層間絶
縁膜８を、たとえばシリコン窒化膜で形成し、第１層配
線７の上の層間絶縁膜８に第２層配線１０への接続のた
めのコンタクト部９を形成する。次に図２（ｅ）に示す
ように、第２層配線１０を形成する。この第２層配線１
０の一端はオーミック電極４に接続されており、他端が
ボンディングパッド１１を形成している。次に図２
（ｆ）に示すように、保護膜１２を、たとえばシリコン
窒化膜で形成し、その保護膜１２にボンディングパッド
開口部を形成する。
て説明する。図２は本発明の一実施例における半導体装
置の製造方法を示す工程図であり、図１（ｂ）をＡ−
Ａ’線で切断した断面図で示している。まず図２（ａ）
に示すように、半導体基板１、たとえば半絶縁性のＧａ
Ａｓ基板にイオン注入法で選択的に活性層２を形成した
後、全面に絶縁膜３、たとえばシリコン窒化膜を形成す
る。次に図２（ｂ）に示すように、絶縁膜３に形成した
開口部にオーミック電極４を、またゲート電極５を形成
し電界効果トランジスタ６を形成する。次に図２（ｃ）
に示すように、第１層配線７を、たとえばＴｉ／Ａｕで
形成する。次に図２（ｄ）に示すように、全面に層間絶
縁膜８を、たとえばシリコン窒化膜で形成し、第１層配
線７の上の層間絶縁膜８に第２層配線１０への接続のた
めのコンタクト部９を形成する。次に図２（ｅ）に示す
ように、第２層配線１０を形成する。この第２層配線１
０の一端はオーミック電極４に接続されており、他端が
ボンディングパッド１１を形成している。次に図２
（ｆ）に示すように、保護膜１２を、たとえばシリコン
窒化膜で形成し、その保護膜１２にボンディングパッド
開口部を形成する。
【００１２】以上のように本実施例では、半導体基板１
の上に形成された各素子のオーミック電極４からボンデ
ィングパッド１１への配線が、第１層配線７および層間
絶縁膜８を介して形成され、コンタクト部９で接続され
た第２層配線１０からなるため、ボンディングパッド１
１から水分が第２層配線１０と保護膜１２との界面を侵
入してきても第１層配線７とのコンタクト部９で水分の
侵入は遮断され、オーミック電極４への水分の侵入が防
止され、電界効果トランジスタ６の劣化を防止できる。
の上に形成された各素子のオーミック電極４からボンデ
ィングパッド１１への配線が、第１層配線７および層間
絶縁膜８を介して形成され、コンタクト部９で接続され
た第２層配線１０からなるため、ボンディングパッド１
１から水分が第２層配線１０と保護膜１２との界面を侵
入してきても第１層配線７とのコンタクト部９で水分の
侵入は遮断され、オーミック電極４への水分の侵入が防
止され、電界効果トランジスタ６の劣化を防止できる。
【００１３】なお、本実施例ではオーミック電極４から
ボンディングパッド１１までの間に一箇所のコンタクト
部９を設けた例について説明したが、コンタクト部９は
数が多い程水分のオーミック電極４への侵入を防ぎ易
く、図３に示すように３箇所のコンタクト部９を形成
し、ボンディングパッド１１から順に第２層配線１０、
第１層配線７、第２層配線１０でボンディングパッド１
１とオーミック電極４の間を接続することによりさらに
効果がある。
ボンディングパッド１１までの間に一箇所のコンタクト
部９を設けた例について説明したが、コンタクト部９は
数が多い程水分のオーミック電極４への侵入を防ぎ易
く、図３に示すように３箇所のコンタクト部９を形成
し、ボンディングパッド１１から順に第２層配線１０、
第１層配線７、第２層配線１０でボンディングパッド１
１とオーミック電極４の間を接続することによりさらに
効果がある。
【００１４】図４は本実施例の半導体装置について行っ
た高温加湿試験結果を示す図である。なお図４は本実施
例のＧａＡｓＩＣおよび従来のＧａＡｓＩＣについて高
温加圧加湿試験を行ったもので、電界効果トランジスタ
の特性（Ｉｄｓｓ）の経時変化を観察した結果を示して
いる。なお、本実施例のＧａＡｓＩＣに関してはコンタ
クト部９が１箇所および３箇所のサンプルを試験した。
図４に示すように、従来のＧａＡｓＩＣの場合約４０時
間でＩｄｓｓは変化し始め、５０時間で規格以上の変化
をし不良となっている。一方、本実施例のＧａＡｓＩＣ
ではコンタクト部９が１箇所のもので３００時間、３箇
所のものでは４００時間まで特性は変化していない。コ
ンタクト部９の個数による耐湿性の向上がこの結果から
もよくわかる。なお、コンタクト部９が３箇所のサンプ
ルで４００時間で特性変化し始めたのは配線部からの水
分の侵入が原因でなく、他に原因があるものと思われ
る。なお、本実施例では配線金属にＴｉ／Ａｕを用いた
例について説明したが、これは他の配線金属であっても
同様の効果が得られる。
た高温加湿試験結果を示す図である。なお図４は本実施
例のＧａＡｓＩＣおよび従来のＧａＡｓＩＣについて高
温加圧加湿試験を行ったもので、電界効果トランジスタ
の特性（Ｉｄｓｓ）の経時変化を観察した結果を示して
いる。なお、本実施例のＧａＡｓＩＣに関してはコンタ
クト部９が１箇所および３箇所のサンプルを試験した。
図４に示すように、従来のＧａＡｓＩＣの場合約４０時
間でＩｄｓｓは変化し始め、５０時間で規格以上の変化
をし不良となっている。一方、本実施例のＧａＡｓＩＣ
ではコンタクト部９が１箇所のもので３００時間、３箇
所のものでは４００時間まで特性は変化していない。コ
ンタクト部９の個数による耐湿性の向上がこの結果から
もよくわかる。なお、コンタクト部９が３箇所のサンプ
ルで４００時間で特性変化し始めたのは配線部からの水
分の侵入が原因でなく、他に原因があるものと思われ
る。なお、本実施例では配線金属にＴｉ／Ａｕを用いた
例について説明したが、これは他の配線金属であっても
同様の効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体装置を構
成する素子からボンディングパッドへの配線を単一配線
とはせずに、第１層配線と第１層配線の上の層間絶縁膜
の上に形成された第２層配線とが１個以上のコンタクト
部を介して直列に接続された配線によって接続された構
成とすることにより、ボンディングパッドより侵入する
水分をコンタクト部で遮断し、素子への水分の侵入を防
止することができ、耐湿性に優れた高信頼性の半導体装
置およびその製造方法を実現できるものである。
成する素子からボンディングパッドへの配線を単一配線
とはせずに、第１層配線と第１層配線の上の層間絶縁膜
の上に形成された第２層配線とが１個以上のコンタクト
部を介して直列に接続された配線によって接続された構
成とすることにより、ボンディングパッドより侵入する
水分をコンタクト部で遮断し、素子への水分の侵入を防
止することができ、耐湿性に優れた高信頼性の半導体装
置およびその製造方法を実現できるものである。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例における半導体装置
の要部断面図 （ｂ）は本発明の一実施例における半導体装置の要部平
面図
の要部断面図 （ｂ）は本発明の一実施例における半導体装置の要部平
面図
【図２】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を示す工程図
法を示す工程図
【図３】本発明の一実施例における半導体装置でコンタ
クト部を３箇所設けた例を示す平面図
クト部を３箇所設けた例を示す平面図
【図４】本発明の一実施例における半導体装置について
行った高温加湿試験結果を示す図
行った高温加湿試験結果を示す図
【図５】（ａ）は従来の半導体装置の要部断面図
（ｂ）は従来の半導体装置の要部平面図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
１ 半導体基板
７ 第１層配線
８ 層間絶縁膜
９ コンタクト部
１０ 第２層配線
１１ ボンディングパッド
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板の上に形成された各素子とボ
ンディングパッドとの間が、第１層配線とその第１層配
線の上の層間絶縁膜の上に形成された第２層配線とが１
個以上のコンタクト部を介して直列に接続された配線に
よって接続された半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板の上に形成されたトランジス
タや抵抗などの素子とボンディングパッドとの間に配線
を形成する工程において、第１層配線で素子からボンデ
ィングパッドへの配線のうちの一部分を形成する工程
と、層間絶縁膜を全面に形成する工程と、層間絶縁膜に
コンタクト部を形成する工程と、コンタクト部を介して
第１層配線と接続され、素子からボンディングパッドへ
の配線のうちの残された部分を接続する第２層配線を形
成する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】第１または第２の配線層が金（Ａｕ）を含
む金属である請求項１項記載の半導体装置。 - 【請求項４】第１または第２の配線層が金（Ａｕ）を含
む金属である請求項２項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275291A JPH0513584A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275291A JPH0513584A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513584A true JPH0513584A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15760585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16275291A Pending JPH0513584A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990039156A (ko) * | 1997-11-11 | 1999-06-05 | 윤종용 | 반도체 소자의 패드 및 그 제조방법 |
| US6127715A (en) * | 1995-07-24 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photodetector element containing circuit element and manufacturing method thereof |
| WO2011105056A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP16275291A patent/JPH0513584A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127715A (en) * | 1995-07-24 | 2000-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photodetector element containing circuit element and manufacturing method thereof |
| KR19990039156A (ko) * | 1997-11-11 | 1999-06-05 | 윤종용 | 반도체 소자의 패드 및 그 제조방법 |
| WO2011105056A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
| JP2011199267A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
| US8878250B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-11-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Electronic device and method for producing electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5061985A (en) | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same | |
| EP0019883B1 (en) | Semiconductor device comprising a bonding pad | |
| US4656055A (en) | Double level metal edge seal for a semiconductor device | |
| JPH0513584A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05218015A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3395747B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH06177200A (ja) | 半導体集積回路装置の形成方法 | |
| JPH01130545A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS615562A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09148326A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2559102B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3413653B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003218231A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05251497A (ja) | 半導体装置 | |
| US7498194B2 (en) | Semiconductor arrangement | |
| JP2947800B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR19990061338A (ko) | 본딩 패드를 구비한 반도체 소자 | |
| JPH03209823A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60245257A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5823451A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05275501A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6232636A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226325A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01298743A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63160274A (ja) | 砒化ガリウム半導体装置 |