JPS62122103A - 積層型チツプバリスタの製造方法 - Google Patents
積層型チツプバリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS62122103A JPS62122103A JP60262162A JP26216285A JPS62122103A JP S62122103 A JPS62122103 A JP S62122103A JP 60262162 A JP60262162 A JP 60262162A JP 26216285 A JP26216285 A JP 26216285A JP S62122103 A JPS62122103 A JP S62122103A
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- JP
- Japan
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- chip varistor
- multilayer chip
- powder
- silver
- varistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする積層型チッ
プバリスタの製造方法に関するものである。
プバリスタの製造方法に関するものである。
従来の技術
従来より、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする積層型チ
ップバリスタは印加電圧によって著しく抵装置が変わ9
.電圧−電流特性が顕著な非直線性を示す。このため、
エレクトロニクス機器の電圧の安定化や、サージ電流に
対する回路保護用素子として、幅広く使用されてきた。
ップバリスタは印加電圧によって著しく抵装置が変わ9
.電圧−電流特性が顕著な非直線性を示す。このため、
エレクトロニクス機器の電圧の安定化や、サージ電流に
対する回路保護用素子として、幅広く使用されてきた。
最近では機器の小型化及び低電圧化が進み、これに対応
してセラミックシートの積層技術を応用して、小型で低
バ、リスク電圧・高サージ耐量を特徴とする酸化亜鉛系
の積層型チップバリスタが注目されている。
してセラミックシートの積層技術を応用して、小型で低
バ、リスク電圧・高サージ耐量を特徴とする酸化亜鉛系
の積層型チップバリスタが注目されている。
積層型チップバリヌタの製造方法は、酸化亜鉛を主成分
とするセラミック粉末と有機物とからなるセラミックグ
リーンシート上に、白金、パラジウム、銀などの高温で
安定な貴金属ペーストをセラミックシート層と交互にく
し型構造になるように印刷し、その後、所定の形状に切
断し、グリーンチップをつくる。これを、大気中で焼成
し焼結体を得、この焼結体の両端に銀−パラジウムの合
金を焼付けて外部電極を形成させ、積層型のチップバリ
スタを製造しているものであった。
とするセラミック粉末と有機物とからなるセラミックグ
リーンシート上に、白金、パラジウム、銀などの高温で
安定な貴金属ペーストをセラミックシート層と交互にく
し型構造になるように印刷し、その後、所定の形状に切
断し、グリーンチップをつくる。これを、大気中で焼成
し焼結体を得、この焼結体の両端に銀−パラジウムの合
金を焼付けて外部電極を形成させ、積層型のチップバリ
スタを製造しているものであった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、積層型のセラミック体の端
子電極を銀だけで形成すると、銀によるマイグレーショ
ンが発生したりハンダ付性が悪ぐなシ、これを改善する
ために20%前後のパラジウムを添加した銀−パラジウ
ム合金が用いられている。しかしながら、パラジウムは
1gあたシの市価700〜900円と高価であり、これ
を添加することによシミ極のコストが3〜5倍になる。
子電極を銀だけで形成すると、銀によるマイグレーショ
ンが発生したりハンダ付性が悪ぐなシ、これを改善する
ために20%前後のパラジウムを添加した銀−パラジウ
ム合金が用いられている。しかしながら、パラジウムは
1gあたシの市価700〜900円と高価であり、これ
を添加することによシミ極のコストが3〜5倍になる。
さらにパラジウムの添加に代えて、例えばNati o
nal、Technical、 Rep’i1M、 V
o 131、A3の第145頁に記載された「積層セラ
ミックコンデンサ用高誘電率誘電体材料」のように銀電
極上にメッキするという方法も行われているが、ZnO
系積層型チップバリスタはセラミックスの内部気孔が多
くさらに端子電極とチップバリスタとの密着性が悪い。
nal、Technical、 Rep’i1M、 V
o 131、A3の第145頁に記載された「積層セラ
ミックコンデンサ用高誘電率誘電体材料」のように銀電
極上にメッキするという方法も行われているが、ZnO
系積層型チップバリスタはセラミックスの内部気孔が多
くさらに端子電極とチップバリスタとの密着性が悪い。
このため酸性のメッキ液が内部に浸透し、バリスタ電圧
。
。
耐量などの電気的特性が劣化し、良好な特性のものが得
られないという問題があった。
られないという問題があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、ジルコニア粉末
とガラス粉末の混合粉末中に、積層研チップバリスタの
焼結体を埋込んで熱処理を行い、ガラス成分を拡散させ
、素体の表面にガラス成分層を形成し、しかる後銀電憧
及び金属メッキ層を形成するものである。
とガラス粉末の混合粉末中に、積層研チップバリスタの
焼結体を埋込んで熱処理を行い、ガラス成分を拡散させ
、素体の表面にガラス成分層を形成し、しかる後銀電憧
及び金属メッキ層を形成するものである。
作 用
このような方法を用いることによシ、ガラス成分が積層
型チップバリスタの内部気孔・や、欠陥部を補い、素体
を緻密化させ、さらK、素体と端子電極との密着性を向
上させ接着強度を大きぐすることによシ、酸性メッキ液
の積層体内部への浸透を防ぎ、メッキ後の電気的特性の
劣化を防ぐものである。
型チップバリスタの内部気孔・や、欠陥部を補い、素体
を緻密化させ、さらK、素体と端子電極との密着性を向
上させ接着強度を大きぐすることによシ、酸性メッキ液
の積層体内部への浸透を防ぎ、メッキ後の電気的特性の
劣化を防ぐものである。
実 施 例
本発明を以下、実施例に基づいて説明する。
酸化亜鉛を主成分とするセラミック粉末に有機結合剤、
有機溶剤を加えてスラリー化し、ドクターブレードで厚
さ50層程度のグリーンシートを造る。これを所定の大
きさに切断し白金ペーストを印刷し1層シートと交互の
くし形構造をなすようにグリーンシートの積層と、ペー
ストの印刷を行い10層の構造とした。その後、所望の
形状に切断しグリーンチップを作成する。
有機溶剤を加えてスラリー化し、ドクターブレードで厚
さ50層程度のグリーンシートを造る。これを所定の大
きさに切断し白金ペーストを印刷し1層シートと交互の
くし形構造をなすようにグリーンシートの積層と、ペー
ストの印刷を行い10層の構造とした。その後、所望の
形状に切断しグリーンチップを作成する。
このグリーンチップの有機物を脱脂して、1200〜1
300℃で焼結させ、積層型チップバリスタを製造した
。この焼結体チップの大きさは1,5 x 3 x O
,55Cmm)であった。
300℃で焼結させ、積層型チップバリスタを製造した
。この焼結体チップの大きさは1,5 x 3 x O
,55Cmm)であった。
この積層チップバリスタの焼結体を、酸化ジルコニア粉
末1001景部に対して第1表のようにガラス粉末を混
合して得られた混合粉末中に埋込み、この状態において
800°Cで熱処理した。このようにして得られたチッ
プバリスタの両端に銀電極ペーストを塗布し焼付を行な
った。銀電極の上にはNiメッキを1〜2μ、さらに、
ハンダメッキを4〜6μ形成することによシ、端子電憧
を形成した。第1図は本発明の製造方法によって得られ
た積層チップバリスタを示し1図において(1)は酸化
亜鉛系のセラミック体、(2)は白金電瞳、(3)はガ
ラス粉末拡散層、(4)は銀被覆、(5)はNiメッキ
、(6)はハンダメッキである。
末1001景部に対して第1表のようにガラス粉末を混
合して得られた混合粉末中に埋込み、この状態において
800°Cで熱処理した。このようにして得られたチッ
プバリスタの両端に銀電極ペーストを塗布し焼付を行な
った。銀電極の上にはNiメッキを1〜2μ、さらに、
ハンダメッキを4〜6μ形成することによシ、端子電憧
を形成した。第1図は本発明の製造方法によって得られ
た積層チップバリスタを示し1図において(1)は酸化
亜鉛系のセラミック体、(2)は白金電瞳、(3)はガ
ラス粉末拡散層、(4)は銀被覆、(5)はNiメッキ
、(6)はハンダメッキである。
第1表は従来の製造方法の一つとして端子電極に銀−パ
ラジウムを用いた方法と、別の従来方法として銀電極を
形成し、チップへのガラス粉末の拡散なしに前記銀電極
にメッキした方法と1本発明の製造方法に基づく場合の
積層チップバリスタの、V、mAのバリスタ電圧サージ
耐量の電気的特性素体の抗折強度、引張シ強度の物理的
特性を示す。
ラジウムを用いた方法と、別の従来方法として銀電極を
形成し、チップへのガラス粉末の拡散なしに前記銀電極
にメッキした方法と1本発明の製造方法に基づく場合の
積層チップバリスタの、V、mAのバリスタ電圧サージ
耐量の電気的特性素体の抗折強度、引張シ強度の物理的
特性を示す。
上記第1表からも明らかなように、本発明の積層型チッ
プバリスタは、従来方法に比較してメッキ後の電気的特
性(特にサージ耐量)の劣化がなく、従来方法のいずれ
に対しても抗折強度、引張強度が著しく向上しているこ
とが認められ、良好な結果が得られた。なお、Brzo
3゜B203−5i02系のガラス粉末の良好な添加量
の範囲は5〜20%であった。すなわち、5係以下では
ガラス成分の拡散の効果が十分に表われず、逆に20チ
を越えると、ガラス成分が多すぎて、組成ずれが発生し
、バリスタ電圧、サージ耐量がずれてくるからである。
プバリスタは、従来方法に比較してメッキ後の電気的特
性(特にサージ耐量)の劣化がなく、従来方法のいずれ
に対しても抗折強度、引張強度が著しく向上しているこ
とが認められ、良好な結果が得られた。なお、Brzo
3゜B203−5i02系のガラス粉末の良好な添加量
の範囲は5〜20%であった。すなわち、5係以下では
ガラス成分の拡散の効果が十分に表われず、逆に20チ
を越えると、ガラス成分が多すぎて、組成ずれが発生し
、バリスタ電圧、サージ耐量がずれてくるからである。
なお、上記実施例では、 Bib、 Br203.5i
02系のガラス粉末を用いたが積層型チップバリスタの
電気的、物理的特性を劣化させないものであれば、いか
なるガラス入粉末にも適用できるものである。
02系のガラス粉末を用いたが積層型チップバリスタの
電気的、物理的特性を劣化させないものであれば、いか
なるガラス入粉末にも適用できるものである。
発明の効果
以上、述べたように1本発明の積層型チップバリスタは
、Ni、ハンダメッキ後の電気的特性がきわめて浸れて
いるため、これをプリント基板だ直に半田付けする場合
にクランクを防止することができるとともに、電極コス
トを大きく下げることに貢献し、本発明の効果は大なる
ものである。
、Ni、ハンダメッキ後の電気的特性がきわめて浸れて
いるため、これをプリント基板だ直に半田付けする場合
にクランクを防止することができるとともに、電極コス
トを大きく下げることに貢献し、本発明の効果は大なる
ものである。
積層型チップパリヌタの断面図である。
(1) −−−−一酸化亜鉛系士ラミック体(2) −
−−−一白金電極 (31−−−−−ガラス粉末の拡散層 (4) −−−−一銀 (51−−−−−Niメッキ [61−−−−−ハンダメッキ
−−−一白金電極 (31−−−−−ガラス粉末の拡散層 (4) −−−−一銀 (51−−−−−Niメッキ [61−−−−−ハンダメッキ
Claims (1)
- 酸化亜鉛を主成分とするセラミック体層及び金属電極
層が交互に積層されてなる積層焼結体を、ジルコニア粉
末及びガラス粉末の混合粉末中に埋込んだ後、熱処理す
ることにより上記焼結体内部に上記ガラス成分を拡散さ
せてなる積層型チップバリスタの素体を形成し、この素
体の両端に銀電極を被覆形成するとともに、金属メッキ
処理を施すことを特徴とする積層型チップバリスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60262162A JPS62122103A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60262162A JPS62122103A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62122103A true JPS62122103A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17371922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60262162A Pending JPS62122103A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62122103A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295403A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | チップバリスタ |
JPH0468502A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | バリスタの製造方法 |
JPH05283206A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | チップ型サーミスタの製造方法 |
WO1997047017A1 (fr) * | 1996-06-03 | 1997-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication de varistor |
WO2008142793A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Panasonic Corporation | 積層セラミック電子部品とその製造方法 |
JP2020119935A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60262162A patent/JPS62122103A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295403A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | チップバリスタ |
JPH0468502A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | バリスタの製造方法 |
JPH05283206A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | チップ型サーミスタの製造方法 |
WO1997047017A1 (fr) * | 1996-06-03 | 1997-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication de varistor |
US6260258B1 (en) | 1996-06-03 | 2001-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing varistor |
WO2008142793A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Panasonic Corporation | 積層セラミック電子部品とその製造方法 |
JP2020119935A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタおよびその製造方法 |
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