JPS63219115A - 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 - Google Patents
積層型半導体磁器電子部品の製造方法Info
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- JPS63219115A JPS63219115A JP62052606A JP5260687A JPS63219115A JP S63219115 A JPS63219115 A JP S63219115A JP 62052606 A JP62052606 A JP 62052606A JP 5260687 A JP5260687 A JP 5260687A JP S63219115 A JPS63219115 A JP S63219115A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、結晶粒界に絶縁層を設【ブてなる粒界絶縁
型の積層型半導体磁器電子部品の製造方法の改良に関す
る。
型の積層型半導体磁器電子部品の製造方法の改良に関す
る。
[従来の技術]
特開昭54−53248号は、積層型の半導体磁器コン
デンυ゛の製造グラ法を開示している。ここでは、チタ
ン酸スi〜ロンヂウムを主成分どし、これに半導体化剤
として5iO7、焼結助剤どしてA見203を含有させ
た材料のシー1−十に、多孔層を形成するためのセラミ
ック・ペース1〜が塗イ■iされたものを積層し、還元
雰囲気上で焼成することにより、多孔質層が形成された
半導体磁器を1!:する。得られた半導体磁器を、酸化
銀あるいは酸化銅などの拡散剤を含む分散液中に浸漬し
、それによって多孔質層から拡散剤を含浸させる。さら
に、この半導体磁器を酸化性雰囲気下で焼成することに
より、半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を形成する。次に
、たとえば7−nやp bのような低融点金属を溶融さ
せて多孔質層に注入4ることにより、内部電極を形成し
、最後に半導体磁器の外周面に内部電極と接続される外
部電極を付与覆る。
デンυ゛の製造グラ法を開示している。ここでは、チタ
ン酸スi〜ロンヂウムを主成分どし、これに半導体化剤
として5iO7、焼結助剤どしてA見203を含有させ
た材料のシー1−十に、多孔層を形成するためのセラミ
ック・ペース1〜が塗イ■iされたものを積層し、還元
雰囲気上で焼成することにより、多孔質層が形成された
半導体磁器を1!:する。得られた半導体磁器を、酸化
銀あるいは酸化銅などの拡散剤を含む分散液中に浸漬し
、それによって多孔質層から拡散剤を含浸させる。さら
に、この半導体磁器を酸化性雰囲気下で焼成することに
より、半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を形成する。次に
、たとえば7−nやp bのような低融点金属を溶融さ
せて多孔質層に注入4ることにより、内部電極を形成し
、最後に半導体磁器の外周面に内部電極と接続される外
部電極を付与覆る。
上記した特開昭54−5324. (3号に開示されて
いる製造方法では、粒界に絶縁層を形成するために拡散
物を拡散さけるに際し、多孔質層を利用して拡散させる
ものであるため半導体磁器の内部まで十分に拡散させる
ことができる。
いる製造方法では、粒界に絶縁層を形成するために拡散
物を拡散さけるに際し、多孔質層を利用して拡散させる
ものであるため半導体磁器の内部まで十分に拡散させる
ことができる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、低融点金属により内部電極を構成するも
のであるため、1qられた半導体磁器コンアン4ノは耐
熱性の点で難があり、はんだ付1ノに際し内部電極が部
分的に溶融することがあった。
のであるため、1qられた半導体磁器コンアン4ノは耐
熱性の点で難があり、はんだ付1ノに際し内部電極が部
分的に溶融することがあった。
また、多孔質層を形成し、該多孔質層から拡散剤を拡散
させ、さらに多孔質層に低融点金属を注入することによ
り内部電極を形成するという多数の工程を必要とするた
め、コス[〜が高くつくという問題もあった。
させ、さらに多孔質層に低融点金属を注入することによ
り内部電極を形成するという多数の工程を必要とするた
め、コス[〜が高くつくという問題もあった。
よって、この発明の目的は、耐熱性に優れた積層型の半
導体磁器電子部品を比較的簡単な工程で製造し得る方法
を提供することにある。
導体磁器電子部品を比較的簡単な工程で製造し得る方法
を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
この発明の半導体磁器電子部品の製造り法では、まず半
導体磁器粉末を主成分とし、これに酸化剤およびガラス
成分を含まけた材料よりなるセラミックグリーンシート
を用意する。このセラミックグリーンシート上に、該セ
ラミックグリーンシートのいずれかの端縁に至るように
導電性ペーストを塗布する。次に、セラミックグリーン
シー1−を複数枚積層してfra層体を得る。さらに、
この積層体を空気中または酸化性雰囲気下で焼成して半
導体磁器を得る。この半導体磁器の外周面に、上述した
導電性ペース1へにより構成された内部電極に電気的に
接続される外部電極を付ノ)する。
導体磁器粉末を主成分とし、これに酸化剤およびガラス
成分を含まけた材料よりなるセラミックグリーンシート
を用意する。このセラミックグリーンシート上に、該セ
ラミックグリーンシートのいずれかの端縁に至るように
導電性ペーストを塗布する。次に、セラミックグリーン
シー1−を複数枚積層してfra層体を得る。さらに、
この積層体を空気中または酸化性雰囲気下で焼成して半
導体磁器を得る。この半導体磁器の外周面に、上述した
導電性ペース1へにより構成された内部電極に電気的に
接続される外部電極を付ノ)する。
上記半導体磁器粉末としては、チタン耐ス[〜ロンヂウ
ム系またはヂタン酸バリウム系の半導体磁器粉末を用い
ることができる。これらの半導体磁器粉末は、たとえば
ヂタン酸ストロンチウムに[rzo3またはY、Os#
の半導体化剤を混合し、1350〜1500℃程度の温
度にて中性または還元性雰囲気中で焼成することにより
5rTi03半導体セラミック体を1q1用途に応じ適
当な大きさに粉砕することにより得られる。
ム系またはヂタン酸バリウム系の半導体磁器粉末を用い
ることができる。これらの半導体磁器粉末は、たとえば
ヂタン酸ストロンチウムに[rzo3またはY、Os#
の半導体化剤を混合し、1350〜1500℃程度の温
度にて中性または還元性雰囲気中で焼成することにより
5rTi03半導体セラミック体を1q1用途に応じ適
当な大きさに粉砕することにより得られる。
この発明では、この半導体磁器粉末に対し、Cu O,
Bi 703 、Pi 30< 、Na 2 CO3,
1i2G()aおよびMn CO3の1種以上を酸化剤
、!=Lr0.01〜1.5ffifi%、St 07
、F320、およびΔ(,03からなる群から選択し
た1種以上をガラス成分どじで2〜15重■%加えで混
合した材料によりセラミックグリーンシートを作成する
。
Bi 703 、Pi 30< 、Na 2 CO3,
1i2G()aおよびMn CO3の1種以上を酸化剤
、!=Lr0.01〜1.5ffifi%、St 07
、F320、およびΔ(,03からなる群から選択し
た1種以上をガラス成分どじで2〜15重■%加えで混
合した材料によりセラミックグリーンシートを作成する
。
1?ラミックグリーンシート−Lに塗布する導電性ペー
ストとしては、八〇やP dなどの金属粉末に、ワニス
またはガラスフリット等を混合してなるものを用いるこ
とができる。
ストとしては、八〇やP dなどの金属粉末に、ワニス
またはガラスフリット等を混合してなるものを用いるこ
とができる。
導電性ペーストの塗布されたセラミックグリーンシート
は積層後、積層方向に加圧することにより相互に圧着さ
せる。
は積層後、積層方向に加圧することにより相互に圧着さ
せる。
上記積層体の焼成は、空気中またはN2−O2雰囲気の
ような酸化性雰囲気下で行なわれる。これは、粒界に上
記酸化剤により酸化層すなわち誘電体層や高抵抗層を形
成するためである。焼成は、900〜1200℃程度の
温度で行なわれる。この焼成により、半導体磁器を得る
と同時に、磁器内部に上記導電性ペーストにより内部電
極が形成される。
ような酸化性雰囲気下で行なわれる。これは、粒界に上
記酸化剤により酸化層すなわち誘電体層や高抵抗層を形
成するためである。焼成は、900〜1200℃程度の
温度で行なわれる。この焼成により、半導体磁器を得る
と同時に、磁器内部に上記導電性ペーストにより内部電
極が形成される。
外部電極は、半導体磁器の外周面に、導電性ペーストに
より構成された内部電極に電気的に接続されるように付
与される。外部電極の付与は、めっきあるいは焼イ」け
等の種々の方法で行ない4r:Iる。
より構成された内部電極に電気的に接続されるように付
与される。外部電極の付与は、めっきあるいは焼イ」け
等の種々の方法で行ない4r:Iる。
[作用および発明の効果]
この発明では、半導体磁器粉末に、予め絶縁層を形成す
るための酸化剤と、ガラス成分とを混合してセラミック
グリーンシートを作成し、このセラミックグリーンシー
トを用いて粒界絶縁型の半導体磁器が1qられる。よっ
て、粒界に絶縁層を形成するための酸化剤が、焼成前に
均一に分散されているため、酸化剤を分散さけた分散液
に浸消させるような繁雑な工程を行なわずとも、粒界に
確実に絶縁層を形成することがnJ (11:とされて
いる。
るための酸化剤と、ガラス成分とを混合してセラミック
グリーンシートを作成し、このセラミックグリーンシー
トを用いて粒界絶縁型の半導体磁器が1qられる。よっ
て、粒界に絶縁層を形成するための酸化剤が、焼成前に
均一に分散されているため、酸化剤を分散さけた分散液
に浸消させるような繁雑な工程を行なわずとも、粒界に
確実に絶縁層を形成することがnJ (11:とされて
いる。
のみならず、内部電極は、」−記セラミックグリーンシ
ーlへ上に¥J電ペース1−を塗(11シ、半導体磁器
の焼成と同時に焼成することにより形成される。
ーlへ上に¥J電ペース1−を塗(11シ、半導体磁器
の焼成と同時に焼成することにより形成される。
したがって、従来法のような、内部電極形成のtこめに
低融点金属を注入する工程を必要としないため、工程数
を飛躍的に低減することが可能である。
低融点金属を注入する工程を必要としないため、工程数
を飛躍的に低減することが可能である。
なお、上記セラミックグリーンシート上にSiO2、B
20aまたはAuzO3’Mのガラス成分を含ませるの
は、焼結温度を低くするためであり、それによって導電
ペーストと半導体磁器の同時焼成が可能とされている。
20aまたはAuzO3’Mのガラス成分を含ませるの
は、焼結温度を低くするためであり、それによって導電
ペーストと半導体磁器の同時焼成が可能とされている。
したがって、この発明によれば、比較的簡単な工程で積
層型の半導体磁器電子部品を得ることができる。しかも
、導電性ペーストとして、上述したような八〇やPdな
どの通常の貴金属粉末を含むものを用いることができる
ので、耐熱性に優れた積層型の半導体磁器電子部品を得
ることができる。
層型の半導体磁器電子部品を得ることができる。しかも
、導電性ペーストとして、上述したような八〇やPdな
どの通常の貴金属粉末を含むものを用いることができる
ので、耐熱性に優れた積層型の半導体磁器電子部品を得
ることができる。
この発明は、積層型の半導体磁器コンデンサやバリスタ
等の種々の半導体磁器電子部品の製造に用い1qるもの
であることを指摘しておく。
等の種々の半導体磁器電子部品の製造に用い1qるもの
であることを指摘しておく。
[実施例の説明]
実施例1
SrTi03粉末に、半導体化剤どして微量のY2O3
を加え、1350〜1500℃の温度で、中性または還
元性雰囲気下で焼成を行ない、Srr+ 03半導体セ
ラミックスを作製する。この半導体セラミックスを粉砕
することにより、5rTio、系半導体磁器粉末を得る
。
を加え、1350〜1500℃の温度で、中性または還
元性雰囲気下で焼成を行ない、Srr+ 03半導体セ
ラミックスを作製する。この半導体セラミックスを粉砕
することにより、5rTio、系半導体磁器粉末を得る
。
上記半導体磁器粉末に、酸化剤どしてCuO1Bi20
5、PIzO+およびM n CO、iを金側で1重量
%、ガラス成分としてS:07、BzO3およびAu2
0.を合計で7重量%加えて混合し、さらに有機バイン
ダを加えてセラミックグリーンシー[〜を1qる。
5、PIzO+およびM n CO、iを金側で1重量
%、ガラス成分としてS:07、BzO3およびAu2
0.を合計で7重量%加えて混合し、さらに有機バイン
ダを加えてセラミックグリーンシー[〜を1qる。
次に、第1図に示すように、冑られ7.: セラミック
グリーンシート1に、△o、Pd粉末、ワニスおよびガ
ラスフリットを含む導電性ペースト2を内部電極パター
ンに応じて印刷する。なお、第1図から明らかなように
、最−F層および最下製のけラミックグリーンシート1
には導電性ペース1へは塗布しく【い。
グリーンシート1に、△o、Pd粉末、ワニスおよびガ
ラスフリットを含む導電性ペースト2を内部電極パター
ンに応じて印刷する。なお、第1図から明らかなように
、最−F層および最下製のけラミックグリーンシート1
には導電性ペース1へは塗布しく【い。
また、中間に積層さVるセラミックグリーンシート1上
に塗イ1された導電性ペースト2は、交Hに対向する端
縁に至るように塗布する。
に塗イ1された導電性ペースト2は、交Hに対向する端
縁に至るように塗布する。
次に、第1図の向ぎのままセラミックグリーンシート1
を積層し、加圧・圧着する。
を積層し、加圧・圧着する。
圧着後に、空気中またはN、、−02雰囲気中で一つ−
1000〜1200℃の温度で焼成する。この焼成によ
り、セラミックグリーンシー1〜中に含まれていた酸化
剤により3rTiOa半導体結晶表面に酸化層す41わ
ら絶縁層が形成される。同時に、上記導電性ペースI〜
も半導体磁器と同時に焼成され、内部電極が形成される
。
り、セラミックグリーンシー1〜中に含まれていた酸化
剤により3rTiOa半導体結晶表面に酸化層す41わ
ら絶縁層が形成される。同時に、上記導電性ペースI〜
も半導体磁器と同時に焼成され、内部電極が形成される
。
焼成後に、第2図に示すように、外部電極3゜3を付与
することにより、積層型の半導体磁器コンデンサ4を1
qる。
することにより、積層型の半導体磁器コンデンサ4を1
qる。
実施例2
実施例1と同様にして、Sr−■−103系半導体磁器
粉末を1qる。この半導体磁器粉末に、酸化剤としTC
u O,Na p CO3、l−f 2 CO3および
MncOaを合泪で0.2重量%、ガラス成分としてS
t O2、B203およびAu20.を合J1で7重量
%混合し、この混合材料によりセラミックグリーンシー
トを作製する。
粉末を1qる。この半導体磁器粉末に、酸化剤としTC
u O,Na p CO3、l−f 2 CO3および
MncOaを合泪で0.2重量%、ガラス成分としてS
t O2、B203およびAu20.を合J1で7重量
%混合し、この混合材料によりセラミックグリーンシー
トを作製する。
得られたセラミックグリーンシー1へを、複数枚用意し
、実施例1ど同様に導電性ペーストをその上に塗布する
。また、実施例1と同様に積層し、加圧・圧着し、空気
中またはN2.−02雰囲気下で焼成する。焼成は、9
00〜1200℃の温度で行なう。この焼成により、−
し記酸化剤により5rTiQ、半導体結晶粒の表面に高
抵抗層が形成される。
、実施例1ど同様に導電性ペーストをその上に塗布する
。また、実施例1と同様に積層し、加圧・圧着し、空気
中またはN2.−02雰囲気下で焼成する。焼成は、9
00〜1200℃の温度で行なう。この焼成により、−
し記酸化剤により5rTiQ、半導体結晶粒の表面に高
抵抗層が形成される。
焼成後、実施例1と同様に外部電極を付与することによ
り、積層型の半導体磁器バリスタを得ることができる。
り、積層型の半導体磁器バリスタを得ることができる。
第1図は、この発明の一実施例を説明する1、−めの斜
視図であり、積層するセラミックグリーンシートおよび
その上に塗布される導電ペーストの形状を説明するため
の図であり、第2図はこの発明の一実施例により(qら
れた積層型の半導体磁器コンデンサを示す斜視図である
。 図において、1は廿ラミックグリーンシート、2は導電
性ペース1〜.3は外部電極、4は半導体磁器コンデン
サを示す。
視図であり、積層するセラミックグリーンシートおよび
その上に塗布される導電ペーストの形状を説明するため
の図であり、第2図はこの発明の一実施例により(qら
れた積層型の半導体磁器コンデンサを示す斜視図である
。 図において、1は廿ラミックグリーンシート、2は導電
性ペース1〜.3は外部電極、4は半導体磁器コンデン
サを示す。
Claims (4)
- (1)半導体磁器粉末を主成分とし、さらに酸化剤およ
びガラス成分を含む材料よりなるセラミックグリーンシ
ートを用意し、 前記セラミックグリーンシート上に該セラミックグリー
ンシートのいずれかの端縁に至るように導電性ペースト
を塗布し、 次に前記セラミックグリーンシートを複数枚積層して積
層体を得、 前記積層体を空気中または酸化性雰囲気下で焼成して半
導体磁器を得、 前記半導体磁器の外周面に、前記導電性ペーストにより
構成された内部電極に電気的に接続される外部電極を付
与する各工程を備えることを特徴とする積層型半導体磁
器電子部品の製造方法。 - (2)前記半導体磁器粉末として、チタン酸ストロンチ
ウム系またはチタン酸バリウム系の半導体磁器粉末を用
いる、特許請求の範囲第1項記載の積層型半導体磁器電
子部品の製造方法。 - (3)前記酸化剤として、CuO、Bi_2O_3、P
b_3O_4、Na_2CO_3、Li_2CO_3お
よびMnCO_3からなる群から選択した1種以上を用
いる特許請求の範囲第1項または第2項記載の積層型半
導体磁器電子部品の製造方法。 - (4)前記ガラス成分として、SiO_2、B_2O_
3およびAl_2O_3からなる群から選択した1種以
上を用いる特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれかに
記載の積層型半導体磁器電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052606A JPH07114174B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052606A JPH07114174B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63219115A true JPS63219115A (ja) | 1988-09-12 |
JPH07114174B2 JPH07114174B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=12919449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62052606A Expired - Lifetime JPH07114174B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07114174B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5075818A (en) * | 1989-02-16 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure and a method for producing the same |
US5166759A (en) * | 1989-03-15 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
US5208727A (en) * | 1989-03-22 | 1993-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure and a method for producing the same |
US5268006A (en) * | 1989-03-15 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052606A patent/JPH07114174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5075818A (en) * | 1989-02-16 | 1991-12-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure and a method for producing the same |
US5166759A (en) * | 1989-03-15 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
US5268006A (en) * | 1989-03-15 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
US5208727A (en) * | 1989-03-22 | 1993-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor-type laminated ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure and a method for producing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07114174B2 (ja) | 1995-12-06 |
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