JPS6212008A - テ−プ電線の製造方法 - Google Patents
テ−プ電線の製造方法Info
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- JPS6212008A JPS6212008A JP14990285A JP14990285A JPS6212008A JP S6212008 A JPS6212008 A JP S6212008A JP 14990285 A JP14990285 A JP 14990285A JP 14990285 A JP14990285 A JP 14990285A JP S6212008 A JPS6212008 A JP S6212008A
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- metal
- thickness
- film
- vapor deposition
- conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
特定した蒸着法と、通常の蒸着法とをうまく併用して基
板プラスチックフイルム上に薄く、シかも強固に接着し
た導体層なもった可撓性に優れたテープ状又はシート状
の電線の製造方法に関するものである。
板プラスチックフイルム上に薄く、シかも強固に接着し
た導体層なもった可撓性に優れたテープ状又はシート状
の電線の製造方法に関するものである。
従来この種のテープ状又はシート状のプラスチック上に
形成された電気回路導体部は、いわゆる銅張積層板のエ
ツチングにより得るか、又は平らで細幅の金属導体をプ
ラスチックテープあるいはフィルム上に整列貼付させて
得ていた。
形成された電気回路導体部は、いわゆる銅張積層板のエ
ツチングにより得るか、又は平らで細幅の金属導体をプ
ラスチックテープあるいはフィルム上に整列貼付させて
得ていた。
このような従来の方法によると、導体層の厚みが通常1
8μm以上のものとなり、それより薄い厚さの導体層を
形成させるのは、導体製作と導体積層上限界であった。
8μm以上のものとなり、それより薄い厚さの導体層を
形成させるのは、導体製作と導体積層上限界であった。
さらに、細幅の金属導体の整列方法による場合は、ハン
ドリング上もつと厚くo.1略以上であった。
ドリング上もつと厚くo.1略以上であった。
しかるに、最近エレクトロニツクスの分野において、導
体層が薄い電気回路導体部をもったテープ状あるいはフ
ィルム状のiatsが要望された。本発明はかかる要望
に答えるべきものとして鋭意研究の結果、本発明方法が
見出された。
体層が薄い電気回路導体部をもったテープ状あるいはフ
ィルム状のiatsが要望された。本発明はかかる要望
に答えるべきものとして鋭意研究の結果、本発明方法が
見出された。
すなわち、本発明によるテープ電線の製造方法は、(a
)プラスチックフィルム上に、蒸発粒子エネルギーが1
eV以上の物理的蒸着手段によって、金属を厚さ0.1
μm−1μm付着せしめて電気回路導体部を形成した後
、(b)この上にさらに、蒸着法による同種あるいは異
種金属を少なくとも0.1μm厚さに付着せしめて、導
体層を所望の厚さに厚膜化形成することを特徴と子る〇 本発明におけるプラスチックフィルムとは、熱可塑性あ
るいは熱硬化性の樹脂フィルムを意味し、例えば、ポリ
エステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド
、ポリカーボネート、四7ツ化エチレンー六7ツ化プロ
ピレン共重合体等のフッ素系フィルム、ポリエーテルサ
ルフオン、ポリエーテル、エーテルケトンジアリルフタ
レート等が挙げられるが、その他のプラスチックフィル
ムも用いることができる。フィルムの厚さは、2μm〜
100μmで、通常12.5μm 〜50μm程度のも
のが用いられる。
)プラスチックフィルム上に、蒸発粒子エネルギーが1
eV以上の物理的蒸着手段によって、金属を厚さ0.1
μm−1μm付着せしめて電気回路導体部を形成した後
、(b)この上にさらに、蒸着法による同種あるいは異
種金属を少なくとも0.1μm厚さに付着せしめて、導
体層を所望の厚さに厚膜化形成することを特徴と子る〇 本発明におけるプラスチックフィルムとは、熱可塑性あ
るいは熱硬化性の樹脂フィルムを意味し、例えば、ポリ
エステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド
、ポリカーボネート、四7ツ化エチレンー六7ツ化プロ
ピレン共重合体等のフッ素系フィルム、ポリエーテルサ
ルフオン、ポリエーテル、エーテルケトンジアリルフタ
レート等が挙げられるが、その他のプラスチックフィル
ムも用いることができる。フィルムの厚さは、2μm〜
100μmで、通常12.5μm 〜50μm程度のも
のが用いられる。
本発明でいう蒸発粒子エネルギーが1eV以上の物理的
蒸着手段とは、つまりスパッタリング法ζイオンブレー
ティング法等が相当し、化学変化を伴なわない各種の金
属蒸気によるコーティング方法を指し、通常10 T
orr以下の真空中で、金属を原子のままでその集合状
態でイオン化しつつ、あるいは原子のままで飛ばすこと
により、基体フィルム上にコーティングするものである
。つまり、基体フィルムと金属との付着力を強靭にする
には上記の方法により金属を厚さ0.1μm〜1μm付
着せしめ、基体フィルムと金属との付導力が優れた金属
薄膜を形成した後、この上にさらに、10−4’1’o
rr以下の真空中で蒸着法による同種の金属あるいは異
種の金属を、例えば抵抗加熱法、電子ビーム法等による
真空蒸着により、少なくとも0.1μm以上の厚さに高
速度で金属を付着せしめて導体層を厚く形成するもので
ある。
蒸着手段とは、つまりスパッタリング法ζイオンブレー
ティング法等が相当し、化学変化を伴なわない各種の金
属蒸気によるコーティング方法を指し、通常10 T
orr以下の真空中で、金属を原子のままでその集合状
態でイオン化しつつ、あるいは原子のままで飛ばすこと
により、基体フィルム上にコーティングするものである
。つまり、基体フィルムと金属との付着力を強靭にする
には上記の方法により金属を厚さ0.1μm〜1μm付
着せしめ、基体フィルムと金属との付導力が優れた金属
薄膜を形成した後、この上にさらに、10−4’1’o
rr以下の真空中で蒸着法による同種の金属あるいは異
種の金属を、例えば抵抗加熱法、電子ビーム法等による
真空蒸着により、少なくとも0.1μm以上の厚さに高
速度で金属を付着せしめて導体層を厚く形成するもので
ある。
この場合に、スパッタリングやイオンプレーティン等の
方法のみで成膜すると、0.1μm程度〜1.0μm程
度の薄膜の場合は、蒸発粒子のエネルギーが大きく、付
着力に優れているが、付導した金属薄膜の厚さが1μm
以上になると、歪を生じて付着力及び屈曲性が逆に悪く
、なり、テープ111mとした場合、これらが問題とな
る。
方法のみで成膜すると、0.1μm程度〜1.0μm程
度の薄膜の場合は、蒸発粒子のエネルギーが大きく、付
着力に優れているが、付導した金属薄膜の厚さが1μm
以上になると、歪を生じて付着力及び屈曲性が逆に悪く
、なり、テープ111mとした場合、これらが問題とな
る。
しかも、一方の電子ビーム等の蒸着のみでは、スパッタ
リングより成膜速度が逐い利点があるが、蒸発粒子のエ
ネルギーは小さく、付着力は低い。
リングより成膜速度が逐い利点があるが、蒸発粒子のエ
ネルギーは小さく、付着力は低い。
従って本発明の方法により、基体フィルム上に、付着力
に優れかつ歪の少ない導体金属層が短時間で形成できる
のである。
に優れかつ歪の少ない導体金属層が短時間で形成できる
のである。
そこで、これらの蒸着方法において、プラスチックフィ
ルム上に金属を付着させるわけであるが、均一に、しか
も強い付着力をもって付着させることが大切である。そ
のためには、先ずスパッタリング法やイオンブレーティ
ング法のように粒子の有するエネルギーが大きいことが
望ましいのはそのためであるが、さらに、付着させるべ
き基体、すなわち基板フィルム表面の清浄性が極めて重
要である。通常、フィルム基材は、水分やガスやモノマ
ーを含有しており、できるだけそれらを除去する必要が
ある。そのため事前に真空中で80°C以上に加熱する
ことが望ましい。又、表面のミクロエツチングも効果が
あり、この採用も望ましい0ミクロエツチングの手段と
しては、真空槽内で物理的蒸着手段に先立って行なう必
要がある。何故なら、外気にさらされると再び外気層に
より不清浄な表面になるからである。ミクロエツチング
は、具体的には、アルゴンや酸素のRFプラズマ、DC
グロー放電等により行なわれる。
ルム上に金属を付着させるわけであるが、均一に、しか
も強い付着力をもって付着させることが大切である。そ
のためには、先ずスパッタリング法やイオンブレーティ
ング法のように粒子の有するエネルギーが大きいことが
望ましいのはそのためであるが、さらに、付着させるべ
き基体、すなわち基板フィルム表面の清浄性が極めて重
要である。通常、フィルム基材は、水分やガスやモノマ
ーを含有しており、できるだけそれらを除去する必要が
ある。そのため事前に真空中で80°C以上に加熱する
ことが望ましい。又、表面のミクロエツチングも効果が
あり、この採用も望ましい0ミクロエツチングの手段と
しては、真空槽内で物理的蒸着手段に先立って行なう必
要がある。何故なら、外気にさらされると再び外気層に
より不清浄な表面になるからである。ミクロエツチング
は、具体的には、アルゴンや酸素のRFプラズマ、DC
グロー放電等により行なわれる。
本発明にて導体層形成のために用いる金属とは、金、銀
、銅、鉄、ニッケル、クロム、錫、亜鉛等を指している
。形成させる導体金属層の厚さは、要求特性により異な
るが、上記の両者を合わせて1μm以上で10μm以下
、好ましくは5μmである。
、銅、鉄、ニッケル、クロム、錫、亜鉛等を指している
。形成させる導体金属層の厚さは、要求特性により異な
るが、上記の両者を合わせて1μm以上で10μm以下
、好ましくは5μmである。
これらの上限は、主として経済性からくるものである0
本発明における電気回路となすべき工程のエツチングと
は、例えば、フィルム基板上に一スパッタ、次に電子ビ
ームにより蒸着された金属層を電気回路導体部として必
要部を残して取り去ることを意味する。この取り去る部
分と、必要部分とを区別するために、何等かの方法によ
り、電気回路導体部に必要な部分にレジストを残すこと
により、エツチングによって取り来られることがない。
は、例えば、フィルム基板上に一スパッタ、次に電子ビ
ームにより蒸着された金属層を電気回路導体部として必
要部を残して取り去ることを意味する。この取り去る部
分と、必要部分とを区別するために、何等かの方法によ
り、電気回路導体部に必要な部分にレジストを残すこと
により、エツチングによって取り来られることがない。
導体回路の寸法精度は、レジストの組成とコート方法及
び硬化方法等により決定されるものである。
び硬化方法等により決定されるものである。
以下本発明の実施例を比較例と対比して説明する。
実施例1
真空槽内で温度105°Cに加熱し、ついで表面をRF
プラズマによりζクロエツチングした。
プラズマによりζクロエツチングした。
次いでスパッタリングにより銅を厚さ0・5μmまで連
続的にコートした。この上にさらに、電子ビーム蒸着法
により銅を2.5μmの厚さに連続的にコートし、導体
厚さを3μmとなした。
続的にコートした。この上にさらに、電子ビーム蒸着法
により銅を2.5μmの厚さに連続的にコートし、導体
厚さを3μmとなした。
比較例1
基体フィルムとして前記実施例1と同じフィルムを用い
て加熱及びミクロエツチング処理を行ない、電子ビーム
蒸着法により銅を2.5μm厚さで連続的にコートした
。
て加熱及びミクロエツチング処理を行ない、電子ビーム
蒸着法により銅を2.5μm厚さで連続的にコートした
。
比較例2
実施例1と同じ基体フィルムを用いて、加熱及びミクロ
エツチング処理を行ない、スパッタリングにより銅を2
゜5μm厚さに連続的にコートした。
エツチング処理を行ない、スパッタリングにより銅を2
゜5μm厚さに連続的にコートした。
前記実施例1及び比較例1〜2で得た各々め銅箔付きフ
ィルムについて、第1図に示す付着力測定方法によって
銅の密着力を測定した。
ィルムについて、第1図に示す付着力測定方法によって
銅の密着力を測定した。
又、エツチング性、屈曲性等を調べた。得られた結果等
を表−1に示す。
を表−1に示す。
なお、付着力の測定は、基体フィルム2と、この上に付
着された金属導体8とからなるサンプル1の導体層8と
の表面にエポキシセメダインによる接着層4を介して円
筒体5を接着させ、この円筒体5をり]張り、導体層8
が基体フィルム2かう剥れる際の引剥ぎ力(kgf/1
4” )を測定した。
着された金属導体8とからなるサンプル1の導体層8と
の表面にエポキシセメダインによる接着層4を介して円
筒体5を接着させ、この円筒体5をり]張り、導体層8
が基体フィルム2かう剥れる際の引剥ぎ力(kgf/1
4” )を測定した。
表−1試験結果
以上実施例1から明らかなように、本発明方法によれば
基板フィルムとの付着力が極めて高い導体層をもったテ
ープ電線が得られるものである。
基板フィルムとの付着力が極めて高い導体層をもったテ
ープ電線が得られるものである。
第1図は、本発明方法にて行なった蒸着金属とプラスチ
ックフィルムとの付着力測定方法を示す説明略図である
。 1・・・サンプル 2・・・プラスチックフィ
ルム8・・・金属の導体層 4・・・接導剤層5・
・・円筒体
ックフィルムとの付着力測定方法を示す説明略図である
。 1・・・サンプル 2・・・プラスチックフィ
ルム8・・・金属の導体層 4・・・接導剤層5・
・・円筒体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)プラスチックフィルム上に、蒸発粒子エネル
ギーが1eV以上の物理的蒸着手段によつて、金属を厚
さ0.1μm〜1μm付着せしめて電気回路導体部を形
成した後、 (b)この上にさらに、蒸着法による同種あるいは異種
金属を少なくとも0.1μm厚さに付着せしめて、導体
層を所望の厚さに形成することを特徴とするテープ電線
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14990285A JPS6212008A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | テ−プ電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14990285A JPS6212008A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | テ−プ電線の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6212008A true JPS6212008A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15485100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14990285A Pending JPS6212008A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | テ−プ電線の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6212008A (ja) |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP14990285A patent/JPS6212008A/ja active Pending
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