JP2015076610A - 表面処理銅箔及びそれを含む銅張積層板、並びにそれを用いた印刷回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
100μmの厚さを有するキャリア(PET)を準備し、前記PETの一表面に剥離層を形成した。この際、前記剥離層は、Siを用いて表面処理して、500nmの厚さに形成した。前記剥離層を形成するために、イオン交換水を溶媒として5g/lの濃度を有するようにシリコンを混合した後、前記混合液をシャワリング法で前記PETの表面に吸着処理した。その後、乾燥器で表面温度が150℃となる雰囲気下で、4秒間水分を蒸発させることで、キャリア上に剥離層が形成された試験片を製造した。
0.1モル(M)のシスタミンジヒドロクロリドのリン酸塩溶液に銅箔層を1時間浸漬させて表面処理層を形成したことを除き、前記実施例1と同一の条件下で銅張積層板を製造した。
0.1モル(M)のシスタミンジヒドロクロリドのリン酸塩溶液に前記銅箔層を3時間浸漬させて表面処理層を形成したことを除き、前記実施例1と同一の条件下で銅張積層板を製造した。
18μmの厚さを有するキャリア(銅箔)を準備し、前記銅箔の一表面に剥離層を形成した。この際、前記剥離層は、ベンゾトリアゾール(benzotriazole)を用いて表面処理して、200nmの厚さに形成した。前記剥離層を形成するために、イオン交換水を溶媒として5g/lの濃度を有するようにベンゾトリアゾールを混合した後、前記混合液をシャワリング法で前記銅箔の表面に吸着処理した。その後、乾燥器で表面温度が150℃となる雰囲気下で、4秒間水分を蒸発させることで、キャリア上に剥離層が形成された試験片を製造した。
0.1モル(M)のシスチン(cystine)のアセトン溶液に銅箔層を5分間浸漬させて表面処理層を形成したことを除き、前記実施例4と同一の条件下で銅張積層板を製造した。
0.1モル(M)のシスチン(cystine)のアセトン溶液に銅箔層を30分間浸漬させて表面処理層を形成したことを除き、前記実施例4と同一の条件下で銅張積層板を製造した。
前記実施例1で製造されたキャリア上に銅箔層が形成された試験片を準備した。次に、前記試験片の銅箔層上に表面処理層が形成されていない銅張積層板を製造した。
前記実施例4で製造されたキャリア上に銅箔層が形成された試験片を準備した。次に、前記試験片の銅箔層を、0.1モル(M)のシスチン(cystine)のアセトン溶液に2分間浸漬させて表面処理層を形成し、前記銅箔層及び表面処理層をデスミア(desmear)処理して銅張積層板を製造した。
[印刷回路基板の製造]
エポキシ樹脂を含有する絶縁基材(絶縁層)の両面に、前記実施例3及び実施例6で製造された前記銅張積層板を、それぞれMorton CVA 725真空ラミネートを用いて温度90℃、圧力2MPaの条件で20秒間真空ラミネートすることで、印刷回路基板を製造した。
前記実施例1〜6、比較例1及び比較例2で製作された銅張積層板の物性評価の結果を下記表1に示した。
3 銅張積層板
4 印刷回路基板
10 銅箔層
20 表面処理層
30 キャリア
40 剥離層
400 絶縁層
410 回路パターン
420 表面処理層
Claims (23)
- 銅箔層と、
前記銅箔層上に形成された表面処理層と、を含む表面処理銅箔。 - 前記銅箔層の厚さは0.1μm〜5μmである、請求項1に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層は、チオール(thiol)系化合物を含有する、請求項1に記載の表面処理銅箔。
- キャリアと、
前記キャリア上に形成された剥離層と、
前記剥離層上に形成された銅箔層と、
前記銅箔層上に形成された表面処理層と、を含む銅張積層板。 - 前記キャリアは、高分子または前記銅箔層と離型界面を形成する金属からなる、請求項4に記載の銅張積層板。
- 前記高分子からなるキャリアは、ポリエチレンテレフタレート(poly(ethyleneterephthalate):PET)、ポリフェニレンスルフィド(poly(phenylenesulfide:PPS)、テフロン(Teflon)、フッ素を含有するフィルムから選択される一つ以上である、請求項5に記載の銅張積層板。
- 前記高分子からなるキャリアの厚さは15μm〜200μmである、請求項5に記載の銅張積層板。
- 前記金属からなるキャリアは、銅、アルミニウム、またはこれらの組み合わせから選択される、請求項5に記載の銅張積層板。
- 前記金属からなるキャリアの厚さは10〜30μmである、請求項5に記載の銅張積層板。
- 前記剥離層は、シリコン系化合物、アゾール系化合物、またはこれらの混合物から選択される、請求項4に記載の銅張積層板。
- 前記銅箔層の厚さは0.1μm〜5μmである、請求項4に記載の銅張積層板。
- 前記表面処理層は、チオール系化合物を含有する、請求項4に記載の銅張積層板。
- 絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された表面処理層と、
前記表面処理層上に形成された回路パターンと、を含む印刷回路基板。 - 前記表面処理層は、チオール系化合物を含有する、請求項13に記載の印刷回路基板。
- 前記回路パターンの厚さは0.1μm〜5μmである、請求項13に記載の印刷回路基板。
- 前記表面処理層と絶縁層との剥離強度は0.6kgf/cm以上に形成される、請求項13に記載の印刷回路基板。
- 前記絶縁層に用いられるエポキシ樹脂は、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂、及びビスフェノールF型エポキシ樹脂から選択される一つ以上である、請求項13に記載の印刷回路基板。
- キャリア、剥離層、銅箔層、及び表面処理層を含む銅張積層板と絶縁層とを接合する段階と、
前記銅張積層板のキャリア及び剥離層を剥離する段階と、
前記銅張積層板の銅箔層及び表面処理層をパターニングする段階と、を含む、印刷回路基板の製造方法。 - 前記銅張積層板の銅箔層及び表面処理層をパターニングする段階は、
前記銅箔層上にレジストを塗布する段階と、
前記塗布されたレジストフィルムの一部を露光及び現像して開口部を形成する段階と、
前記開口部が形成された領域の銅箔層及び表面処理層をエッチングする段階と、を含む請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。 - 前記銅箔層は、スパッタ、電子ビーム、化学気相蒸着(chemical vapor deposition;CVD)、物理気相蒸着(Physical Vapor Deposition;PVD)、真空蒸着、イオンプレーティング、及びプラズマ蒸着から選択される何れか一つの工程により形成する、請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記剥離層は、シリコン系化合物、アゾール系化合物、またはこれらの混合物を含有する溶液を用いて、浸漬法、シャワリング法、噴霧法から選択される何れか一つの工程により形成する、請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記銅箔層の厚さは0.1μm〜5μmである、請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。
- 前記表面処理層と絶縁層との剥離強度は0.6kgf/cm以上に形成される、請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。
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