JPS62118540A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS62118540A JPS62118540A JP25885685A JP25885685A JPS62118540A JP S62118540 A JPS62118540 A JP S62118540A JP 25885685 A JP25885685 A JP 25885685A JP 25885685 A JP25885685 A JP 25885685A JP S62118540 A JPS62118540 A JP S62118540A
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- JP
- Japan
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- metal wiring
- wiring layer
- wiring
- layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層金属配線（’Ｍ造を有する半導体集積回路
に関する。ものである。
に関する。ものである。
従来の多層金属配線構造を有する半導体集積回路、例え
ばグー１〜アレーで用いられている３Ｒ金属配線を用い
る半導体集積回路では否定績（ＮＡＮＤ）、否定相（Ｎ
ＯＲ）等の基本論理セルの配線を第１層金属配線で行な
い、セル間の配線を第２層及び第３層金属配線で行ない
、電源線の配線を第１層、第２層、第３層の全ての金属
配線層で行なっていた。
ばグー１〜アレーで用いられている３Ｒ金属配線を用い
る半導体集積回路では否定績（ＮＡＮＤ）、否定相（Ｎ
ＯＲ）等の基本論理セルの配線を第１層金属配線で行な
い、セル間の配線を第２層及び第３層金属配線で行ない
、電源線の配線を第１層、第２層、第３層の全ての金属
配線層で行なっていた。
上述した従来の多層金属配線の設計法を、チップ面積最
小化の必要性から人手設計しざるを得ない汎用の１チツ
プマイクロコンピユータ、マイクロプロセッサ等に適用
すると各金属配線層で電源線と信号線を共有する為、電
源線の配線と信号線の配線を各々考慮して両方の配線の
最適設計をすることは現実的には不可能であり、設計の
複雑化をもたらし、隔通性に欠け、設計工期の長期化及
び設計ミスをひきおこす欠点がある。
小化の必要性から人手設計しざるを得ない汎用の１チツ
プマイクロコンピユータ、マイクロプロセッサ等に適用
すると各金属配線層で電源線と信号線を共有する為、電
源線の配線と信号線の配線を各々考慮して両方の配線の
最適設計をすることは現実的には不可能であり、設計の
複雑化をもたらし、隔通性に欠け、設計工期の長期化及
び設計ミスをひきおこす欠点がある。
本発明の目的は、設計の隔通性が大きく、配線の変更が
容易に実施でき、また設計が容易になり設計工期の短縮
、設計ミスを低減できる半導体集積回路を提供すること
にある。
容易に実施でき、また設計が容易になり設計工期の短縮
、設計ミスを低減できる半導体集積回路を提供すること
にある。
本発明の半導体集積回路は、半導体基板」二に２層以上
の金属配線層を有する半導体集積回路において、前記２
層以上の金属配線のある金属配線層を電源線の配線にの
み便用し、信号線の配線は前記電源線とした金属配線層
とは異なる配線層で行うことにより構成される。
の金属配線層を有する半導体集積回路において、前記２
層以上の金属配線のある金属配線層を電源線の配線にの
み便用し、信号線の配線は前記電源線とした金属配線層
とは異なる配線層で行うことにより構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例を示すチップレイアウト図
である。なお、第１図においては理解し易くするため第
２金属配線のみに斜線を施した。第１図において、Ａ〜
Ｆは論理機能ブロック、１０１及び１．’０２はＡブロ
ックとＢブロックを結ぶ配線群、１０３はＢブロックと
Ｃブロックを結ぶ配線群、１．０４はＣブロックとＤブ
ロックを結ぶ配線群、１０５はＢブロックとＥブロック
を結ぶ配線群、１０６はＥブロックとＦブロックを結ぶ
配線群、１０７はＤブロックとＦブロックを結ぶ配線群
、２０１はＡブロックとＦブロックを結ぶ配線群、２０
２はＢブロックとＣブロックとＤブロックを結ぶ配線群
、２０３はＢブロックとＥブロックとＦブロックとＤブ
ロックを結ぶ配線群であり、各配線群の矢印は信号の流
れる方向を示す。１０１〜１０７は第１層金属配線、２
０１〜２０３は第２層金属配線である。一方３０１及び
３０２は各々電源線で第３層金属配線である。
。第１図は本発明の一実施例を示すチップレイアウト図
である。なお、第１図においては理解し易くするため第
２金属配線のみに斜線を施した。第１図において、Ａ〜
Ｆは論理機能ブロック、１０１及び１．’０２はＡブロ
ックとＢブロックを結ぶ配線群、１０３はＢブロックと
Ｃブロックを結ぶ配線群、１．０４はＣブロックとＤブ
ロックを結ぶ配線群、１０５はＢブロックとＥブロック
を結ぶ配線群、１０６はＥブロックとＦブロックを結ぶ
配線群、１０７はＤブロックとＦブロックを結ぶ配線群
、２０１はＡブロックとＦブロックを結ぶ配線群、２０
２はＢブロックとＣブロックとＤブロックを結ぶ配線群
、２０３はＢブロックとＥブロックとＦブロックとＤブ
ロックを結ぶ配線群であり、各配線群の矢印は信号の流
れる方向を示す。１０１〜１０７は第１層金属配線、２
０１〜２０３は第２層金属配線である。一方３０１及び
３０２は各々電源線で第３層金属配線である。
第１層及び第２層金属配線が信号線の配線に使用され、
第３層金属配線は電源線にのみ使用されている。
第３層金属配線は電源線にのみ使用されている。
第２図は本発明の一実施例の３層金属配線構造を有する
半導体集積回路の要部のマスクパターン図である。なお
、第２図では理解をたすけるため第２層金属配線及び多
結晶シリコン層には斜線を施しな。
半導体集積回路の要部のマスクパターン図である。なお
、第２図では理解をたすけるため第２層金属配線及び多
結晶シリコン層には斜線を施しな。
第２図において、２点鎖線１００で囲まれた領域が論理
機能ブロックの一つである。また１０は拡散層、１１は
第１層金属配線、２２は第２層金属配線、３３は第３層
金属配線で電源線のみに使用している。また４０は多結
晶シリコン層、１１１はコンタクＩ・、１１２は第１層
金属配線−第２層金属配線スルーホール、１２３は第２
層金属配線−第３層金属配線スルーホールである。
機能ブロックの一つである。また１０は拡散層、１１は
第１層金属配線、２２は第２層金属配線、３３は第３層
金属配線で電源線のみに使用している。また４０は多結
晶シリコン層、１１１はコンタクＩ・、１１２は第１層
金属配線−第２層金属配線スルーホール、１２３は第２
層金属配線−第３層金属配線スルーホールである。
なお、第２層金属配線２２及び第１層金属配線１１は信
号線のみで構成しである。
号線のみで構成しである。
以上説明したとおり第２１’Ｋに示した実施例も信号配
線と電源配線は別層金属配線で扱うので、信号線を配線
する際には電源線を、逆に電源線を配線する際に信号線
を考慮せずに設計できる。
線と電源配線は別層金属配線で扱うので、信号線を配線
する際には電源線を、逆に電源線を配線する際に信号線
を考慮せずに設計できる。
以上説明したように本発明は、多層金属配線構造を有す
る半導体集積回路において信号線の配線と電源線の配線
を別層の金属配線を用いている為、設計の融通性が増し
配線の変更が容易に行なえまた設計自体も容易になる為
設計工期を短縮し設計ミスを低減できる効果がある。
る半導体集積回路において信号線の配線と電源線の配線
を別層の金属配線を用いている為、設計の融通性が増し
配線の変更が容易に行なえまた設計自体も容易になる為
設計工期を短縮し設計ミスを低減できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のチップレイアウト図、第２
図は本発明の他の実施例のマスクパターン図である。 １０１〜］０７・・・第１層金属配線（信号配線）、２
０１、〜２０３・・・第２層金属配線（信号配線）、３
０１．３０２・・・第３層金属配線（電源配線）、Ａ〜
Ｆ・・・論理機能ブロック、１ｏ・・・拡散層、４゜・
・・多結晶シリコン、１１・・・第１層金属配線、２２
・・・第２層金属配線、３３・・・第３層金属配線、１
゜Ｏ・・・論理機能ブロック、１１１・・・コンタクト
、１１２・・・第１層金属配線−第２層金属配線スルー
ボール、１２３・・・第２層金属配線−第３層金属配線
スルーホール。 躬１ 区
図は本発明の他の実施例のマスクパターン図である。 １０１〜］０７・・・第１層金属配線（信号配線）、２
０１、〜２０３・・・第２層金属配線（信号配線）、３
０１．３０２・・・第３層金属配線（電源配線）、Ａ〜
Ｆ・・・論理機能ブロック、１ｏ・・・拡散層、４゜・
・・多結晶シリコン、１１・・・第１層金属配線、２２
・・・第２層金属配線、３３・・・第３層金属配線、１
゜Ｏ・・・論理機能ブロック、１１１・・・コンタクト
、１１２・・・第１層金属配線−第２層金属配線スルー
ボール、１２３・・・第２層金属配線−第３層金属配線
スルーホール。 躬１ 区
Claims (1)
- 半導体基板上に２層以上の金属配線層を有する半導体集
積回路において、前記２層以上の金属配線のある金属配
線層を電源線の配線にのみ使用し、信号線の配線は前記
電源線の配線とした金属配線層とは異なる配線層で行な
うことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25885685A JPS62118540A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25885685A JPS62118540A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118540A true JPS62118540A (ja) | 1987-05-29 |
Family
ID=17325983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25885685A Pending JPS62118540A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62118540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149823A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toshiba Corp | 多層配線構造の半導体装置 |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25885685A patent/JPS62118540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03149823A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toshiba Corp | 多層配線構造の半導体装置 |
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