JPS6191243A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6191243A JPS6191243A JP21296584A JP21296584A JPS6191243A JP S6191243 A JPS6191243 A JP S6191243A JP 21296584 A JP21296584 A JP 21296584A JP 21296584 A JP21296584 A JP 21296584A JP S6191243 A JPS6191243 A JP S6191243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thermal conductivity
- filler
- resin composition
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱伝導性に優れた半導体封止用樹脂組成物の構
成に関する。
成に関する。
大量の情報を高速に処理するために電算機を構成する主
要部品であるIC,LSIなどの半導体部品は小形化と
大容量化が行われている。
要部品であるIC,LSIなどの半導体部品は小形化と
大容量化が行われている。
すなわちIC,LSIなどを構成する単位素子はます゛
ます小形化すると共に各単位素子を回路接続する導
体パターン幅は縮小し、一方半導体チツブ(以下チップ
)の構成素子数は増加している。
ます小形化すると共に各単位素子を回路接続する導
体パターン幅は縮小し、一方半導体チツブ(以下チップ
)の構成素子数は増加している。
然し、これらのICやLSIを動作させる駆動電流値や
信号電流値は殆ど変わらないためにチップの発熱量は急
激に増加してくる。
信号電流値は殆ど変わらないためにチップの発熱量は急
激に増加してくる。
例えば大容量化が進んでLSIよりVLS Tへと高密
度化されると使用時のチップ発熱量は3W/チツプから
10W/チップ程度にまで上昇する。
度化されると使用時のチップ発熱量は3W/チツプから
10W/チップ程度にまで上昇する。
ここで半導体部品の外装にはハーメチックシールタイプ
のものと樹脂モールドタイプのものがあり、後者は価格
的に有利であることから一般に使用されており需要が多
い。
のものと樹脂モールドタイプのものがあり、後者は価格
的に有利であることから一般に使用されており需要が多
い。
本発明はリードフレームに装着したチップを樹脂モール
ドする熱伝導性の良い封止用樹脂の組成に関するもので
ある。
ドする熱伝導性の良い封止用樹脂の組成に関するもので
ある。
チップは導電性接着剤或いは共晶ボンディングなどの方
法でリードフレームに接着した後樹脂成形が行われてい
る。
法でリードフレームに接着した後樹脂成形が行われてい
る。
ここで従来は半導体封止用樹脂とし′ζエポキシ樹脂に
フェノール樹脂1酸無水物、アミン等の硬化剤とシリカ
(以下SsOz ) +酸化アルミニュウム(以下^1
203)+ クレー等の充填剤を配合したものが用いら
れており、これらエポキシ樹脂組成物の熱伝導率はその
殆どが10〜50X10−4cal/・・・・工 ・℃
程度の値を示している。
フェノール樹脂1酸無水物、アミン等の硬化剤とシリカ
(以下SsOz ) +酸化アルミニュウム(以下^1
203)+ クレー等の充填剤を配合したものが用いら
れており、これらエポキシ樹脂組成物の熱伝導率はその
殆どが10〜50X10−4cal/・・・・工 ・℃
程度の値を示している。
ここで半導体部品は信頼性を維持するためには使用状態
において最高使用温度として定められている85℃以下
に保持することが必要である。
において最高使用温度として定められている85℃以下
に保持することが必要である。
然し、先に記したようにチップの高密度化が進むに従っ
てチップの温度上昇は増加しており、そのために樹脂を
通じての放熱を増大させることが必要で熱伝導性の優れ
た封止用樹脂組成物の実用化が必要であった。
てチップの温度上昇は増加しており、そのために樹脂を
通じての放熱を増大させることが必要で熱伝導性の優れ
た封止用樹脂組成物の実用化が必要であった。
既に記したようにチップの高密度化に伴って発熱量は増
加しているが、樹脂成形された半導体部品の場合、従来
の樹脂組成物では熱伝導率が少なく、そのため最高使用
温度以内にチップの温度を維持することが困難なことが
問題である。
加しているが、樹脂成形された半導体部品の場合、従来
の樹脂組成物では熱伝導率が少なく、そのため最高使用
温度以内にチップの温度を維持することが困難なことが
問題である。
上記の問題点はエポキシ樹脂と充填剤を主成分とする半
導体封止用樹脂組成物において、窒化アルミニュウムを
充填剤として使用したことを特徴とする半導体封止用樹
脂組成物を使用することにより解決することができる。
導体封止用樹脂組成物において、窒化アルミニュウムを
充填剤として使用したことを特徴とする半導体封止用樹
脂組成物を使用することにより解決することができる。
本発明は半導体封止用樹脂組成物において、充填剤が4
0〜85重量%と大部分の容積を占め、従って封止用樹
脂の熱伝導率が充填剤に大きく依存する点に着目し、こ
の充填剤として熱伝導率が0.4cal/cJII−8
eC・℃と非常に高い窒化アルミニュウム(以下^IN
>を使用することによって熱伝導性の良い封止用樹脂
組成物を実現するものである。
0〜85重量%と大部分の容積を占め、従って封止用樹
脂の熱伝導率が充填剤に大きく依存する点に着目し、こ
の充填剤として熱伝導率が0.4cal/cJII−8
eC・℃と非常に高い窒化アルミニュウム(以下^IN
>を使用することによって熱伝導性の良い封止用樹脂
組成物を実現するものである。
すなわちAINは従来使用さているAt203やSiO
2の熱伝導率がそれぞれ0.08cal /cm−se
c ・’C+ 0.004cal/cm −sec
・”Cであるのと較べると格段に大きい。
2の熱伝導率がそれぞれ0.08cal /cm−se
c ・’C+ 0.004cal/cm −sec
・”Cであるのと較べると格段に大きい。
そこで本発明は封止用樹脂の流動性、パリ特性および機
械的特性を損なわない範囲で充填剤としてAINの粉末
を配合することによって高熱伝導性の半導体封止用樹脂
組成物を実現させるものである。
械的特性を損なわない範囲で充填剤としてAINの粉末
を配合することによって高熱伝導性の半導体封止用樹脂
組成物を実現させるものである。
クレゾール・ノボラック樹脂(エポキシ当1i215、
軟化点70°C)100重量部、フェノール・ノボラッ
ク樹脂(軟化点85℃)50重量部、2メチルイミダゾ
ール1.2重量部、カルナバワックス2.5重量部、充
填剤として平均粒径25〜35μm (最大粒径60μ
m)のAINを300重量部それぞれ配合したものを9
0℃のロール混練機で充分に混練した後、冷却して粉砕
し、直径3鰭以下の成形材料(半纏体封止用樹脂)を作
った。
軟化点70°C)100重量部、フェノール・ノボラッ
ク樹脂(軟化点85℃)50重量部、2メチルイミダゾ
ール1.2重量部、カルナバワックス2.5重量部、充
填剤として平均粒径25〜35μm (最大粒径60μ
m)のAINを300重量部それぞれ配合したものを9
0℃のロール混練機で充分に混練した後、冷却して粉砕
し、直径3鰭以下の成形材料(半纏体封止用樹脂)を作
った。
次にこの成形材料を用い、100 X200 X 5
鶴の成形品を作成し、熱伝導率計(京都電子工業、 T
C−31型)で熱伝導率を測定した。
鶴の成形品を作成し、熱伝導率計(京都電子工業、 T
C−31型)で熱伝導率を測定した。
その結果熱伝導率は73X10−’cat / cm
・sec ・℃と^1203を充填剤とする従来量も熱
伝導率の良い封止用樹脂に較べて1.5倍の性能を得る
ことができた。
・sec ・℃と^1203を充填剤とする従来量も熱
伝導率の良い封止用樹脂に較べて1.5倍の性能を得る
ことができた。
次にこの封止用樹脂組成物を用いてICチップのモール
ド成形を行った結果は従来と較べて発熱量が少なく、8
5℃の最高使用温度以下に部品温度を保持することが可
能となった。
ド成形を行った結果は従来と較べて発熱量が少なく、8
5℃の最高使用温度以下に部品温度を保持することが可
能となった。
以上記したように従来使用されてきた充填剤に代わって
熱伝導率の優れたAINの粉末を使用することにより熱
伝導性の良い封止用樹脂を作ることができ、これにより
樹脂モールド型半導体部品の信頼度を向上することがで
きる。
熱伝導率の優れたAINの粉末を使用することにより熱
伝導性の良い封止用樹脂を作ることができ、これにより
樹脂モールド型半導体部品の信頼度を向上することがで
きる。
なお本充填剤は単独で使用できるばかりでなく、樹脂成
形時の流れ性や熱膨張を調整するために5i021A1
2031 タルク、クレーなど従来使用されていた充填
剤とブレンドして使用することもできる。
形時の流れ性や熱膨張を調整するために5i021A1
2031 タルク、クレーなど従来使用されていた充填
剤とブレンドして使用することもできる。
Claims (1)
- エポキシ樹脂と充填剤を主成分とする半導体封止用樹
脂組成物において、窒化アルミニュウムを充填剤として
使用したことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21296584A JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21296584A JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6191243A true JPS6191243A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16631221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21296584A Pending JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6191243A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
JPH03157447A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物 |
JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US7214761B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-05-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Highly thermal-conductive resin composition |
JP2008049194A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-03-06 | Koken Ltd | 使い捨て式防じんマスク |
SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21296584A patent/JPS6191243A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
JPH03157447A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物 |
JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
US7214761B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-05-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Highly thermal-conductive resin composition |
JP2008049194A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-03-06 | Koken Ltd | 使い捨て式防じんマスク |
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