JPS6191243A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6191243A JPS6191243A JP21296584A JP21296584A JPS6191243A JP S6191243 A JPS6191243 A JP S6191243A JP 21296584 A JP21296584 A JP 21296584A JP 21296584 A JP21296584 A JP 21296584A JP S6191243 A JPS6191243 A JP S6191243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thermal conductivity
- filler
- resin composition
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱伝導性に優れた半導体封止用樹脂組成物の構
成に関する。
成に関する。
大量の情報を高速に処理するために電算機を構成する主
要部品であるＩＣ，ＬＳＩなどの半導体部品は小形化と
大容量化が行われている。
要部品であるＩＣ，ＬＳＩなどの半導体部品は小形化と
大容量化が行われている。
すなわちＩＣ，ＬＳＩなどを構成する単位素子はます゛
ます小形化すると共に各単位素子を回路接続する導
体パターン幅は縮小し、一方半導体チツブ（以下チップ
）の構成素子数は増加している。
ます小形化すると共に各単位素子を回路接続する導
体パターン幅は縮小し、一方半導体チツブ（以下チップ
）の構成素子数は増加している。
然し、これらのＩＣやＬＳＩを動作させる駆動電流値や
信号電流値は殆ど変わらないためにチップの発熱量は急
激に増加してくる。
信号電流値は殆ど変わらないためにチップの発熱量は急
激に増加してくる。
例えば大容量化が進んでＬＳＩよりＶＬＳ Ｔへと高密
度化されると使用時のチップ発熱量は３Ｗ／チツプから
１０Ｗ／チップ程度にまで上昇する。
度化されると使用時のチップ発熱量は３Ｗ／チツプから
１０Ｗ／チップ程度にまで上昇する。
ここで半導体部品の外装にはハーメチックシールタイプ
のものと樹脂モールドタイプのものがあり、後者は価格
的に有利であることから一般に使用されており需要が多
い。
のものと樹脂モールドタイプのものがあり、後者は価格
的に有利であることから一般に使用されており需要が多
い。
本発明はリードフレームに装着したチップを樹脂モール
ドする熱伝導性の良い封止用樹脂の組成に関するもので
ある。
ドする熱伝導性の良い封止用樹脂の組成に関するもので
ある。
チップは導電性接着剤或いは共晶ボンディングなどの方
法でリードフレームに接着した後樹脂成形が行われてい
る。
法でリードフレームに接着した後樹脂成形が行われてい
る。
ここで従来は半導体封止用樹脂とし′ζエポキシ樹脂に
フェノール樹脂１酸無水物、アミン等の硬化剤とシリカ
（以下ＳｓＯｚ ） ＋酸化アルミニュウム（以下＾１
２０３）＋ クレー等の充填剤を配合したものが用いら
れており、これらエポキシ樹脂組成物の熱伝導率はその
殆どが１０〜５０Ｘ１０−４ｃａｌ／・・・・工 ・℃
程度の値を示している。
フェノール樹脂１酸無水物、アミン等の硬化剤とシリカ
（以下ＳｓＯｚ ） ＋酸化アルミニュウム（以下＾１
２０３）＋ クレー等の充填剤を配合したものが用いら
れており、これらエポキシ樹脂組成物の熱伝導率はその
殆どが１０〜５０Ｘ１０−４ｃａｌ／・・・・工 ・℃
程度の値を示している。
ここで半導体部品は信頼性を維持するためには使用状態
において最高使用温度として定められている８５℃以下
に保持することが必要である。
において最高使用温度として定められている８５℃以下
に保持することが必要である。
然し、先に記したようにチップの高密度化が進むに従っ
てチップの温度上昇は増加しており、そのために樹脂を
通じての放熱を増大させることが必要で熱伝導性の優れ
た封止用樹脂組成物の実用化が必要であった。
てチップの温度上昇は増加しており、そのために樹脂を
通じての放熱を増大させることが必要で熱伝導性の優れ
た封止用樹脂組成物の実用化が必要であった。
既に記したようにチップの高密度化に伴って発熱量は増
加しているが、樹脂成形された半導体部品の場合、従来
の樹脂組成物では熱伝導率が少なく、そのため最高使用
温度以内にチップの温度を維持することが困難なことが
問題である。
加しているが、樹脂成形された半導体部品の場合、従来
の樹脂組成物では熱伝導率が少なく、そのため最高使用
温度以内にチップの温度を維持することが困難なことが
問題である。
上記の問題点はエポキシ樹脂と充填剤を主成分とする半
導体封止用樹脂組成物において、窒化アルミニュウムを
充填剤として使用したことを特徴とする半導体封止用樹
脂組成物を使用することにより解決することができる。
導体封止用樹脂組成物において、窒化アルミニュウムを
充填剤として使用したことを特徴とする半導体封止用樹
脂組成物を使用することにより解決することができる。
本発明は半導体封止用樹脂組成物において、充填剤が４
０〜８５重量％と大部分の容積を占め、従って封止用樹
脂の熱伝導率が充填剤に大きく依存する点に着目し、こ
の充填剤として熱伝導率が０．４ｃａｌ／ｃＪＩＩ−８
ｅＣ・℃と非常に高い窒化アルミニュウム（以下＾ＩＮ
＞を使用することによって熱伝導性の良い封止用樹脂
組成物を実現するものである。
０〜８５重量％と大部分の容積を占め、従って封止用樹
脂の熱伝導率が充填剤に大きく依存する点に着目し、こ
の充填剤として熱伝導率が０．４ｃａｌ／ｃＪＩＩ−８
ｅＣ・℃と非常に高い窒化アルミニュウム（以下＾ＩＮ
＞を使用することによって熱伝導性の良い封止用樹脂
組成物を実現するものである。
すなわちＡＩＮは従来使用さているＡｔ２０３やＳｉＯ
２の熱伝導率がそれぞれ０．０８ｃａｌ ／ｃｍ−ｓｅ
ｃ ・’Ｃ＋ ０．００４ｃａｌ／ｃｍ −ｓｅｃ
・”Ｃであるのと較べると格段に大きい。
２の熱伝導率がそれぞれ０．０８ｃａｌ ／ｃｍ−ｓｅ
ｃ ・’Ｃ＋ ０．００４ｃａｌ／ｃｍ −ｓｅｃ
・”Ｃであるのと較べると格段に大きい。
そこで本発明は封止用樹脂の流動性、パリ特性および機
械的特性を損なわない範囲で充填剤としてＡＩＮの粉末
を配合することによって高熱伝導性の半導体封止用樹脂
組成物を実現させるものである。
械的特性を損なわない範囲で充填剤としてＡＩＮの粉末
を配合することによって高熱伝導性の半導体封止用樹脂
組成物を実現させるものである。
クレゾール・ノボラック樹脂（エポキシ当１ｉ２１５、
軟化点７０°Ｃ）１００重量部、フェノール・ノボラッ
ク樹脂（軟化点８５℃）５０重量部、２メチルイミダゾ
ール１．２重量部、カルナバワックス２．５重量部、充
填剤として平均粒径２５〜３５μｍ （最大粒径６０μ
ｍ）のＡＩＮを３００重量部それぞれ配合したものを９
０℃のロール混練機で充分に混練した後、冷却して粉砕
し、直径３鰭以下の成形材料（半纏体封止用樹脂）を作
った。
軟化点７０°Ｃ）１００重量部、フェノール・ノボラッ
ク樹脂（軟化点８５℃）５０重量部、２メチルイミダゾ
ール１．２重量部、カルナバワックス２．５重量部、充
填剤として平均粒径２５〜３５μｍ （最大粒径６０μ
ｍ）のＡＩＮを３００重量部それぞれ配合したものを９
０℃のロール混練機で充分に混練した後、冷却して粉砕
し、直径３鰭以下の成形材料（半纏体封止用樹脂）を作
った。
次にこの成形材料を用い、１００ Ｘ２００ Ｘ ５
鶴の成形品を作成し、熱伝導率計（京都電子工業、 Ｔ
Ｃ−３１型）で熱伝導率を測定した。
鶴の成形品を作成し、熱伝導率計（京都電子工業、 Ｔ
Ｃ−３１型）で熱伝導率を測定した。
その結果熱伝導率は７３Ｘ１０−’ｃａｔ ／ ｃｍ
・ｓｅｃ ・℃と＾１２０３を充填剤とする従来量も熱
伝導率の良い封止用樹脂に較べて１．５倍の性能を得る
ことができた。
・ｓｅｃ ・℃と＾１２０３を充填剤とする従来量も熱
伝導率の良い封止用樹脂に較べて１．５倍の性能を得る
ことができた。
次にこの封止用樹脂組成物を用いてＩＣチップのモール
ド成形を行った結果は従来と較べて発熱量が少なく、８
５℃の最高使用温度以下に部品温度を保持することが可
能となった。
ド成形を行った結果は従来と較べて発熱量が少なく、８
５℃の最高使用温度以下に部品温度を保持することが可
能となった。
以上記したように従来使用されてきた充填剤に代わって
熱伝導率の優れたＡＩＮの粉末を使用することにより熱
伝導性の良い封止用樹脂を作ることができ、これにより
樹脂モールド型半導体部品の信頼度を向上することがで
きる。
熱伝導率の優れたＡＩＮの粉末を使用することにより熱
伝導性の良い封止用樹脂を作ることができ、これにより
樹脂モールド型半導体部品の信頼度を向上することがで
きる。
なお本充填剤は単独で使用できるばかりでなく、樹脂成
形時の流れ性や熱膨張を調整するために５ｉ０２１Ａ１
２０３１ タルク、クレーなど従来使用されていた充填
剤とブレンドして使用することもできる。
形時の流れ性や熱膨張を調整するために５ｉ０２１Ａ１
２０３１ タルク、クレーなど従来使用されていた充填
剤とブレンドして使用することもできる。
Claims (1)
- エポキシ樹脂と充填剤を主成分とする半導体封止用樹
脂組成物において、窒化アルミニュウムを充填剤として
使用したことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21296584A JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21296584A JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191243A true JPS6191243A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16631221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21296584A Pending JPS6191243A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191243A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
| JPH03157447A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物 |
| JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7214761B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-05-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Highly thermal-conductive resin composition |
| JP2008049194A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-03-06 | Koken Ltd | 使い捨て式防じんマスク |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21296584A patent/JPS6191243A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
| JPH03157447A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂硬化物 |
| JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
| US7214761B2 (en) | 2004-05-14 | 2007-05-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Highly thermal-conductive resin composition |
| JP2008049194A (ja) * | 2007-11-09 | 2008-03-06 | Koken Ltd | 使い捨て式防じんマスク |
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