JPS6189661A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS6189661A JPS6189661A JP59211708A JP21170884A JPS6189661A JP S6189661 A JPS6189661 A JP S6189661A JP 59211708 A JP59211708 A JP 59211708A JP 21170884 A JP21170884 A JP 21170884A JP S6189661 A JPS6189661 A JP S6189661A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイメージセンサの製造方法、特に同一絶縁基板
上にアモルファス・シリコンダイオードとスイッチング
用アモルファス・シリコン薄膜トランジスタを集積し、
高密度かつ安価なイメージセンサを構成する方法に関す
る。
上にアモルファス・シリコンダイオードとスイッチング
用アモルファス・シリコン薄膜トランジスタを集積し、
高密度かつ安価なイメージセンサを構成する方法に関す
る。
従来イメージセンサは、第４図の平面図に示される如く
、絶縁性ガラス基板２１上に配設されたダイオード２２
のグループとプリント基板２３上に設けられたスイッチ
ング用トランジスタ２４のグループとによって構成され
ている。
、絶縁性ガラス基板２１上に配設されたダイオード２２
のグループとプリント基板２３上に設けられたスイッチ
ング用トランジスタ２４のグループとによって構成され
ている。
従来のイメージセンサの構成方法は第３図から理解され
るように、絶縁基板上にアモルファス・シリコンダイオ
ードを作製した後、別のプリント基板上等に設置された
スイッチング用アナログ・スイッチをボンディング結線
している。そのため、アナログ・スイッチ用スペースを
確保する必要があり、集積化が制限されるという欠点が
ある。
るように、絶縁基板上にアモルファス・シリコンダイオ
ードを作製した後、別のプリント基板上等に設置された
スイッチング用アナログ・スイッチをボンディング結線
している。そのため、アナログ・スイッチ用スペースを
確保する必要があり、集積化が制限されるという欠点が
ある。
本発明は、上記問題点を解消したイメージセンサの製造
方法を提供するもので、その手段は、同一絶縁基板上に
、アモルファス・シリコンダイオードとスイッチング用
アモルファス・シリコン薄膜トランジスタとを集積する
ことを特徴とするイメージセンサの製造方法によって、
より具体的には絶縁基板上にゲート電極を形成する工程
、同一絶縁基板上にゲート絶縁膜、活性層、チャンネル
部保護絶縁膜を順に成膜する工程、チャンネル部以外の
保護絶縁膜を除去しアモルファスシリコン股を成膜し、
続いてソース・ドレイン電極材を全面被着する工程、電
極材をパターニングしてソース・ドレイン電極を形成す
る工程、全面に保護膜を形成しそれをパターニングする
工程、同一絶縁基板上にダイオード用ショットキー電極
または透明電極を形成しその上にアモルファスシリコン
膜形成後それをパターニングする工程、および前記ドレ
イン電極とショットキー電極または透明電極を接続する
工程を含むことを特徴とする方法によってなされる。
方法を提供するもので、その手段は、同一絶縁基板上に
、アモルファス・シリコンダイオードとスイッチング用
アモルファス・シリコン薄膜トランジスタとを集積する
ことを特徴とするイメージセンサの製造方法によって、
より具体的には絶縁基板上にゲート電極を形成する工程
、同一絶縁基板上にゲート絶縁膜、活性層、チャンネル
部保護絶縁膜を順に成膜する工程、チャンネル部以外の
保護絶縁膜を除去しアモルファスシリコン股を成膜し、
続いてソース・ドレイン電極材を全面被着する工程、電
極材をパターニングしてソース・ドレイン電極を形成す
る工程、全面に保護膜を形成しそれをパターニングする
工程、同一絶縁基板上にダイオード用ショットキー電極
または透明電極を形成しその上にアモルファスシリコン
膜形成後それをパターニングする工程、および前記ドレ
イン電極とショットキー電極または透明電極を接続する
工程を含むことを特徴とする方法によってなされる。
本発明は、同一絶縁基板上にアモルファス・シリコンダ
イオードとスイッチング用アモルファス・シリコン薄膜
トランジスタを集積することにより、高密度なイメージ
センサを提供することを目的とするもので、同一基板上
に、フォト・ダイオードとしてアモルファス・シリコン
ダイオードを、スイッチング用としてアモルファス・シ
リコン薄膜トランジスタを集積することにより、高密度
、かつ、大面積のイメージセンサを実現するものである
。
イオードとスイッチング用アモルファス・シリコン薄膜
トランジスタを集積することにより、高密度なイメージ
センサを提供することを目的とするもので、同一基板上
に、フォト・ダイオードとしてアモルファス・シリコン
ダイオードを、スイッチング用としてアモルファス・シ
リコン薄膜トランジスタを集積することにより、高密度
、かつ、大面積のイメージセンサを実現するものである
。
以下、図面を参照□して本発明実施例を詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）には本発明の第１実施例が断面図で示され
、同図において、１は絶縁基板（例えばガラス基板）、
２はモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル／クロム（ＮｉＣｒ
）またはクロム（Ｃｒ）で作ったゲー゛ト電橿、３は二
酸化シリコン（Ｓｉ、０２）またはシリコン窒化膜（Ｓ
ｉ、５Ｎｇ ）のゲート絶縁膜、４はアモルファス・シ
リコン（ａ−Ｓｉ）の活性層、５はチャンネル部保護の
ための５ｉ０２またはシリコン窒化膜の絶縁膜、６はｎ
＋型ａ−５ｉ膜、７ａ、 ７ｂは、チタン（ｈ） ＋
ＮｉＣｒ、 Ｃｒまたはアルミニウム（Ａｎのドレイン
およびソース電極、８は５ｉ０２膜（保護膜）、をそれ
ぞれ示し、これらでショットキーダイオードをスキャン
するａ−Ｓｉ薄膜トランジスタＴＰＴが構成され、９は
ダイオード用ショットキー電極または透明電極、１０は
ａ−Ｓｉ膜、１）はＩＩまたはＮｉＣｒ電極材、をそれ
ぞれ示し、これらでａ−５ｔシヨツトキーダイオードＤ
が構成される。
、同図において、１は絶縁基板（例えばガラス基板）、
２はモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル／クロム（ＮｉＣｒ
）またはクロム（Ｃｒ）で作ったゲー゛ト電橿、３は二
酸化シリコン（Ｓｉ、０２）またはシリコン窒化膜（Ｓ
ｉ、５Ｎｇ ）のゲート絶縁膜、４はアモルファス・シ
リコン（ａ−Ｓｉ）の活性層、５はチャンネル部保護の
ための５ｉ０２またはシリコン窒化膜の絶縁膜、６はｎ
＋型ａ−５ｉ膜、７ａ、 ７ｂは、チタン（ｈ） ＋
ＮｉＣｒ、 Ｃｒまたはアルミニウム（Ａｎのドレイン
およびソース電極、８は５ｉ０２膜（保護膜）、をそれ
ぞれ示し、これらでショットキーダイオードをスキャン
するａ−Ｓｉ薄膜トランジスタＴＰＴが構成され、９は
ダイオード用ショットキー電極または透明電極、１０は
ａ−Ｓｉ膜、１）はＩＩまたはＮｉＣｒ電極材、をそれ
ぞれ示し、これらでａ−５ｔシヨツトキーダイオードＤ
が構成される。
第１図（ａ）から理解される如く、第１実施例において
は、同一絶縁基板１上に、ａ−Ｓｉダイオード、Ｄとそ
れをスキャンするａ−Ｓｔ薄膜トランジスタＴＰＴとが
構成され、高密度集積イメージセンサが得られるもので
ある。
は、同一絶縁基板１上に、ａ−Ｓｉダイオード、Ｄとそ
れをスキャンするａ−Ｓｔ薄膜トランジスタＴＰＴとが
構成され、高密度集積イメージセンサが得られるもので
ある。
次に、第１実施例を形成する方法を説明する。
先ず、絶縁基板上にスイッチング用アモルファス・シリ
コン薄膜トランジスタＴＰＴを形成する。
コン薄膜トランジスタＴＰＴを形成する。
その工程は、絶縁基板上１にゲート電極２を形成し、続
いてゲート絶縁膜３、活性層アモルファス・シリコン４
、チャンネル部保護のための絶縁膜５をグロー放電分解
法により連続成膜する。その後、チャンネル部以外の保
護用絶縁膜５をレジスト１２を用いてエツチングした後
、続いて、オミーンク改善のためのｎ”ａ−Ｓｉ膜６を
成膜し、ソース・ドレイン電極を全面蒸着する。その後
通常のフォト・リソグラフィーによりソース・ドレイン
電極７ａ、 ７ｂを形成する。更に薄膜トランジスタを
保護するため５ｉ０２膜８を成膜後パターン形成する。
いてゲート絶縁膜３、活性層アモルファス・シリコン４
、チャンネル部保護のための絶縁膜５をグロー放電分解
法により連続成膜する。その後、チャンネル部以外の保
護用絶縁膜５をレジスト１２を用いてエツチングした後
、続いて、オミーンク改善のためのｎ”ａ−Ｓｉ膜６を
成膜し、ソース・ドレイン電極を全面蒸着する。その後
通常のフォト・リソグラフィーによりソース・ドレイン
電極７ａ、 ７ｂを形成する。更に薄膜トランジスタを
保護するため５ｉ０２膜８を成膜後パターン形成する。
しかる後にアモルファス・シリコンダイオードＤを形成
する。その工程は、ダイオード用ショットキー電極また
は、透明電極９成膜後、グロー放電分解法によりアモル
ファス・シリコン膜１０を形成した後にパターニングを
行う。その後、薄膜トランジスタのドレイン電極７ａと
、アモルファス・シリコンダイオードのショットキー電
極９を電極材１）で結線すると、第１図（ａ）に示され
るデバイスが完成する。なお、第１図（ｂ）は第１図ｆ
ａ）のデバイスの等価回路を示す図である。なお、第１
図（ａｌと（ｂｌにおいてｈνは入射光を示す。
する。その工程は、ダイオード用ショットキー電極また
は、透明電極９成膜後、グロー放電分解法によりアモル
ファス・シリコン膜１０を形成した後にパターニングを
行う。その後、薄膜トランジスタのドレイン電極７ａと
、アモルファス・シリコンダイオードのショットキー電
極９を電極材１）で結線すると、第１図（ａ）に示され
るデバイスが完成する。なお、第１図（ｂ）は第１図ｆ
ａ）のデバイスの等価回路を示す図である。なお、第１
図（ａｌと（ｂｌにおいてｈνは入射光を示す。
第２図（ａ）は本発明の第２実施例を示す断面図で、ア
モルファス・シリコンダイオードの極性を逆向きにした
ものであり、第１図に示したものと同じ部分は同一符号
を付して表示し、第２図（ｂｌは同図（ａｌに示される
デバイスの等価回路図である。
モルファス・シリコンダイオードの極性を逆向きにした
ものであり、第１図に示したものと同じ部分は同一符号
を付して表示し、第２図（ｂｌは同図（ａｌに示される
デバイスの等価回路図である。
更に第１図の第１実施例において、アモルファス・シリ
コンダイオードの半導体層をボロンドープａ−Ｓｉ （
１） ’ ａ−Ｓｉ） Ｉ ／リンドープ（ｎ” ａ−
Ｓｉ）に積層し、高感度イメージセンサ（ＰＩＮ）を実
現することも可能である。
コンダイオードの半導体層をボロンドープａ−Ｓｉ （
１） ’ ａ−Ｓｉ） Ｉ ／リンドープ（ｎ” ａ−
Ｓｉ）に積層し、高感度イメージセンサ（ＰＩＮ）を実
現することも可能である。
以上説明したように本発明によれば、同一絶縁基板上に
フォト・ダイオードとスイッチング用アモルファス・シ
リコン薄膜トランジスタを積層できるので、高密度集積
イメージセンサを安価に実現できる効果がある。
フォト・ダイオードとスイッチング用アモルファス・シ
リコン薄膜トランジスタを積層できるので、高密度集積
イメージセンサを安価に実現できる効果がある。
第１図（ａｌは本発明第１実施例のイメージセンサの断
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のデバイスの等価回
路図、第２図（ａｌは本発明第２実施例の断面図、第２
図（ｂ）は同図（ａ）のデバイスの等価回路図、第３図
は従来例の平面図である。 図中、１は絶縁基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁
膜、４は活性層、５は絶縁膜、６はｎ＋ａ−５ｔ膜、７
ａはドレイン電極、７ｂはソース電極、８はＳｉＯ２膜
（保護膜）、９はショントキーダイオード、１０はａ−
５ｉ膜、１）は電極材、をそれぞれ示す。 第１図 第２図
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のデバイスの等価回
路図、第２図（ａｌは本発明第２実施例の断面図、第２
図（ｂ）は同図（ａ）のデバイスの等価回路図、第３図
は従来例の平面図である。 図中、１は絶縁基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁
膜、４は活性層、５は絶縁膜、６はｎ＋ａ−５ｔ膜、７
ａはドレイン電極、７ｂはソース電極、８はＳｉＯ２膜
（保護膜）、９はショントキーダイオード、１０はａ−
５ｉ膜、１）は電極材、をそれぞれ示す。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）同一絶縁基板上に、アモルファス・シリコンダイ
オードとスイッチング用アモルファス・シリコン薄膜ト
ランジスタとを集積することを特徴とするイメージセン
サの製造方法。 - （２）絶縁基板上にゲート電極を形成する工程、同一絶
縁基板上にゲート絶縁膜、活性層、チャンネル部保護絶
縁膜を順に成膜する工程、チャンネル部以外の保護絶縁
膜を除去しアモルファス・シリコン膜を成膜し、続いて
ソース・ドレイン電極材を全面被着する工程、電極材を
パターニングしてソース・ドレイン電極を形成する工程
、全面に保護膜を形成しそれをパターニングする工程、
同一絶縁基板上にダイオード用ショットキー電極または
、透明電極を形成しその上にアモルファスシリコン膜形
成後それをパターニングする工程、および前記ドレイン
電極とショットキー電極を接続する工程を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211708A JPS6189661A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211708A JPS6189661A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189661A true JPS6189661A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16610275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211708A Pending JPS6189661A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189661A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0304335A2 (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor device |
| US4979007A (en) * | 1986-06-17 | 1990-12-18 | Tokyo Electric Company, Ltd. | Photoelectric conversion device |
| CN100353511C (zh) * | 2003-08-26 | 2007-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法 |
| CN102394240A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-03-28 | 贵州大学 | 一种tft-led彩色阵列显示基板及其制造方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59211708A patent/JPS6189661A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4979007A (en) * | 1986-06-17 | 1990-12-18 | Tokyo Electric Company, Ltd. | Photoelectric conversion device |
| EP0304335A2 (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor device |
| US5043785A (en) * | 1987-08-20 | 1991-08-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor device photodiode and switch |
| CN100353511C (zh) * | 2003-08-26 | 2007-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法 |
| CN102394240A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-03-28 | 贵州大学 | 一种tft-led彩色阵列显示基板及其制造方法 |
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