JPS6185649A - スタンパの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は繰り返し使用が可能な光デイスク用スタンバの
製造方法に関する。

光ディスクはレー１す光を使用して情報の記録と再生を
行うメモリであって、大容量記録が可能であり、非接触
で記録と再生ができ、また塵埃の影■を受は難いなど優
れた特徴を備えている。

か賢る光ディスクはニッケル（Ｎｉ）製のスタンパを用
いてアクリル樹脂のような透明樹脂を成型し、このよう
にして作った透明基板の上にテルル（Ｔｅ　）　、セレ
ン（Ｓｅ　）などの非金属元素或いはこの化合物からな
る記録媒体を膜形成した後、かかる二枚の基板を記録媒
体面を内側とするエアサンドインチ型の構造をとって作
られている。

〔従来の技術〕

スタンパは平滑なガラス基板にレジストを被覆し、これ
に写真食刻技術（ホトリソグラフィ）を用いて同心円状
の多数のプリグループを作り、か＼るレジスト被覆基板
にＮｉ　を真空蒸着し、その後このＮｉ蒸着膜を陰極と
してＮｉの電鋳メンキを行い、カラス基板から２ＪＩ　
１ｉｘｉすることにより作られている。

第２図（Ａ）〜（Ｅ）は従来の製造工程を示すもので具
体的に説明すると次のようになる。

表面をｇｆ磨して平坦にした厚さ約１　ｃｍのガラス基
板１の上にスピンコード法により）７さ約７００　人の
レジスト膜２を形成する（同図へ）。

次にか＼るレジスト膜２に写真食刻技術を用い−ζ同上
円状のプリグループ３お数多くパターン形成する（同図
Ｂ）。

二＼でプリグループ３は約０１）（μｍの幅と約１゜（
ｉ　）ｔ　ｍ　ｃ、）　ｌニノナをもって形成されてお
り、直径３ｂ（、ｍのティスフの（；５合、プリグルー
プの故は４８０００Ｉ−フッ゛７と１すｊｙ）て多い。

次！’二、’ｌ・・べ′、Ｗ板上に真空凍着法Ｇこより
Ｎ１膜をキ、’、１　：ｌ　Ｅｌ　ｆ＋　、覧’）　Ｉ
′、！ごに形成して電Ｈｉｌｌう１，１とする（同図０
）　　。

次にこの電１５ｉ　ＩＩり４を陰ｉ墳としてＮｉ　メッ
キ浴にｌ；／（”ｊし、；Ｌ鋳メッキを行って′上極ｊ
模４の上うこ厚さｉ’Ｊ３００　Ｉｔｍのメッキ層５を
形成する（同図１〕）。

次ＧこＪ、・キ層５を力うス拮（反１かり’Ｍ’ｌ　；
’Ｊｔするごと；こ、Ｌリスタンパ６が形成される（同
図Ｅ）。

以上のようにしてスタンパ６を形成し、これをｔＥ用し
−ご樹脂鋳型することにより光ティスフＷ　ｌ）ｊ。

が形成されている。

が：し、多数の光ティスフ４　Ｕｙ、を鋳込み成形する
とｔノを型が（１’、耗するため、成る回数に互２．て
使用するとスタンパ６を更新することが必要であるが、
今までは第２図（Ｂ）に示すプリグループ原盤７からは
一個のスタンパしか形成できなかったために改めて（Δ
）の工程に遡ってやり直すことが必要であり、そのため
多大の工数を必要とし、この改とが要望されていた。

（発明か解決しようとする問題点〕 以上記したように光ディスク基板を樹脂成形するのに使
用するスタンパは型寿命があり、そのため規定回数使用
すると更新か必要であるが、この場合にプリクループ原
盤は再使用ができないために初めから作り直すことが必
要で、その度毎に多くの工数を要することが問題であっ
た。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の問題点はレジスト原盤に電極膜を被覆した後、該
電極１りに電鋳メッキを施してスタンパを形成する光デ
イスク基板の形成工程において、レジスト原盤に金属薄
膜を被覆し、該金属薄膜を酸化する処理を行った該被処
理基板に電極膜の被覆と電ｔノｔメッキ処理を行ってス
タンパを形成することを特徴とするスタンパの製造方法
をとることにより解決することができる。

〔作用〕

従来行われてきたスタンパの製造方法において一個のプ
リグループ原盤より一個のスタンパしか製造できない理
由は第２図（Ｄ）に示すメッキ層５をカラス基板１から
７８１１■して同ｔｆｌ　（Ｅ）に不ずス壬“ンバ（ｊ
を形成する際、プリクループ原盤のし一′・ストち部分
的に：ｔ、＋＋　＃ＩＩｔされて精度か低トするために
原；斥ｒとして使えなくなることによる。

そこで）コ）゛こ明はメッキ層５を′ｌ、すｊ言；Ｉ［
する際にレジストか７１１：１１１１シないように保護
膜を設けることにより代↓々Ｈの使用をｉｉＪ能にする
ものである。

（実晦例〕 第１図は本発明を実施したスタンパの製造り程１・′１
て従、＋６の一１程と５１（なる所はブリクルーフ原詔
上に硬くまた。７＋１型作用のある保、ｉｉｉ　ｌｌ夕
を設りたことである。

以丁図面により本発明を説明する。

第１　＋：’＜Ｉ　（Δ）はガラス基ｔｅｌのににスピ
ンコ−１・法によりレノスト膜２を形成した状態、同図
（Ｂ）はこのレジスト膜２を選択エノヂングしてプリグ
ループ３を形成した状態で従来工程と変わらない。

本発明の特徴はこのようにして形成した従来のプリグル
ープ原盤の上にＮｉ或いはクローｌ、（Ｃｒ）のような
金属薄膜を真空蒸着法などにより形成し、これを酸化し
て金属酸化物からなる硬くて薄い保護膜を形成する。

この場合、保護ｎりはパターン精度をｔ員なわぬよう成
るべく薄＜且つ硬いことが必要であり、また酸化処理に
当たってプリグループパターンに変形を起こさせないこ
とが必要である。

その方法として本実施例においては真空前１１１法によ
りＮｉ　金Ｊ、７７ｓ膜８を約３００人の厚さに形成し
く同図０）、次にこれをプラズマ処理！装置にセ−／　
トし、ＦＺＳＷ分圧２．３　Ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、電
力２００ワツトの条件でプラズマ酸化してＮ１金属Ｉり
８を酸化物に変え、これを保護ｌり９とする（同図Ｄ）
。

ごこて本発明においては、同図（Ｄ）に示すように従来
のプリグループ原盤の上に保護膜９を設Ｕたちのかブリ
クルリーフ原２’：：７１１）となる。

なお、プラス−１°酸化」−程を通してＬシス）　Ｉｌ
’ｚ！２は或イ）稈吸加熱されるが数ＩＯ℃程匿であり
、一方レノスト膜２はスビンコーｌ−後の焼付処理にお
いて１５（１℃程ｌ艷の加熱処理を経ているので、この
程度の処理で変形が起こることはない。

次にこの保、：集成９の」二にに来と同様にｒη空蒸着
法によりＮｉ　を約３００　人の厚さに形成して電極膜
・１を形成しく同図Ｅ）、この重し＋＋；＞４を１℃極
としてメッキ層５を形成しく同図Ｆ）、これをガラス）
２４Ｊｘ　ｌから剥離することによりスタンバ６が形成
される。

ここて剥；掘に当たってはスタンバ６はプリグループ原
盤１０の」二から２１１離されるため原盤の精度をｂｔ
なうことはなく、そのため繰り返して使用することがで
きる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明はプリクループを形成したし・シス
ト１１りの上に金属酸化物からなる保護膜を設けたもの
をプリグループ原盤とするものであり、そのため反復使
用かｉｉＪ能である。

然し、スタンパらを使用して樹脂ｉｈ型する場合も同様
であるが繰り返して使用するに従ってパターン精度は低
下するので５回程度の使用で止めるのが信頼性保持の点
から無難である。

【図面の簡単な説明】

第１図（Δ）〜（Ｇ）は本発明の製造工程を説明する断
面図、 第２図（Ａ）〜（Ｅ）は従来の製造工程を説明する断面
図、 である。 図において、 １はガラス基板、　　　　　２はレジスト膜、３はプリ
グループ、　　　　４は電極１１り、５はメッキ層、　
　　　　　６はスタンパ、７、ＩＯはプリグループ原盤
、 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レジスト原盤に電極膜を被覆した後、該電極膜に電鋳メ
   ッキを施してスタンパを形成する光ディスク基板の形成
   工程において、レジスト原盤に金属薄膜を被覆し、該金
   属薄膜を酸化する処理を行った該被処理基板に電極膜の
   被覆と電鋳メッキ処理を行ってスタンパを形成すること
   を特徴とするスタンパの製造方法。