JPS6154059A - 磁気光学記録膜 - Google Patents
磁気光学記録膜Info
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- JPS6154059A JPS6154059A JP17492584A JP17492584A JPS6154059A JP S6154059 A JPS6154059 A JP S6154059A JP 17492584 A JP17492584 A JP 17492584A JP 17492584 A JP17492584 A JP 17492584A JP S6154059 A JPS6154059 A JP S6154059A
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- film
- magneto
- optical recording
- alloy
- recording film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光磁気メモリー、磁気記憶素子等に用いられる
垂直磁化膜に係り、特に長寿命で、再生時の信号と雑音
の比Ｓ／ＮあるいはＣ／Ｎを向上するのに好適な磁気光
学効果大の光磁気記録材料に関する。
垂直磁化膜に係り、特に長寿命で、再生時の信号と雑音
の比Ｓ／ＮあるいはＣ／Ｎを向上するのに好適な磁気光
学効果大の光磁気記録材料に関する。
最近、高密度、大容量、情報の任意読み出し、書き換え
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。光磁気記録
においては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸のある磁性
薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによって任意
の位置に反転磁区を作ることし♀よって、それらの磁化
の向きに対応して、１（ｌ ＩＩ 、 ｕ Ｑ １１
の２値情報が記録される。一方かかる反転記録を行った
２値信号の読み出しは。
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。光磁気記録
においては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸のある磁性
薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによって任意
の位置に反転磁区を作ることし♀よって、それらの磁化
の向きに対応して、１（ｌ ＩＩ 、 ｕ Ｑ １１
の２値情報が記録される。一方かかる反転記録を行った
２値信号の読み出しは。
通常ポーラ−・カー効果あるいはファラデー効果を利用
して行なう。
して行なう。
従来、これらの磁気光学媒体として、ＭｎＢ１系結晶質
膜、希土類−鉄族系非晶質薄膜、ガーネット単結晶薄膜
等の垂直磁化膜が提案されている。
膜、希土類−鉄族系非晶質薄膜、ガーネット単結晶薄膜
等の垂直磁化膜が提案されている。
中でも希土類−鉄族系非晶質薄膜は媒体ノイズが小さく
、安価でしかも均質な大面積作製が容易であることから
現在量も有望視されている。これらの希土類−遷移金属
系非晶質薄膜として、例えば特開昭５２−３１７０３、
特公昭５７−３４５８８．特開昭５６−１２６９０７、
特開昭５７−９４９４１１、特開昭５８−７３７４６公
報等に示されるように、Ｃｏ基ではＧ ｄ −Ｇ ｏ
。
、安価でしかも均質な大面積作製が容易であることから
現在量も有望視されている。これらの希土類−遷移金属
系非晶質薄膜として、例えば特開昭５２−３１７０３、
特公昭５７−３４５８８．特開昭５６−１２６９０７、
特開昭５７−９４９４１１、特開昭５８−７３７４６公
報等に示されるように、Ｃｏ基ではＧ ｄ −Ｇ ｏ
。
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｃｏ、Ｆｅ基ではＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ
、Ｔｂ−Ｃｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−ＣｏｐＧ ｄ
Ｄ ｙ Ｔ ｂ Ｆ ｓ ＊ Ｄ ｙ
Ｆ ｅ Ｃｏ ＋Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｇｏ等の合金系が現在研究されており、膜自体の
残留磁化でのカー回転角も約０．３５＠ と向上してき
ている。
、Ｔｂ−Ｃｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−ＣｏｐＧ ｄ
Ｄ ｙ Ｔ ｂ Ｆ ｓ ＊ Ｄ ｙ
Ｆ ｅ Ｃｏ ＋Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｇｏ等の合金系が現在研究されており、膜自体の
残留磁化でのカー回転角も約０．３５＠ と向上してき
ている。
しかし実用化での再生信号レベルを得るには、これら従
来合金系で得られるカー回転角あるいはファラデー回転
角では不十分であり、さらに高い再生信号を得るための
瞑自体の磁気光学効果の向上が要求されている。また光
磁気記録媒体として要求される総合特性としては、これ
ら上記非晶質膜は耐食性、熱安定性、記録感度、磁気光
学効果（カー回転角あるいはファラデー回転角）のうち
いずれかの特性が劣っている問題を有していた。
来合金系で得られるカー回転角あるいはファラデー回転
角では不十分であり、さらに高い再生信号を得るための
瞑自体の磁気光学効果の向上が要求されている。また光
磁気記録媒体として要求される総合特性としては、これ
ら上記非晶質膜は耐食性、熱安定性、記録感度、磁気光
学効果（カー回転角あるいはファラデー回転角）のうち
いずれかの特性が劣っている問題を有していた。
これらの問題を解決するための他の提案として特開昭５
４−１２１７１９号公報と特開昭５８−７３０３０号公
報とで示されているように、単一膜内で同じ合金系１例
えばＧｄ−Ｇｏ二元系で膜厚方向に組成勾配を形成させ
て、記録ビットの熱安定性を高めたり、記録・再生特性
を向上させることを試みている。しかし、これらの暎で
は単一膜内に所定の組成勾配を形成して膜形成を行なわ
なければならないので、再現性良く均質な庭特性を得る
ことがむずかしく、また同一合金系で組成を変化させる
だけであるので、該合金系以上の特性が得られないとい
う欠点を有している。
４−１２１７１９号公報と特開昭５８−７３０３０号公
報とで示されているように、単一膜内で同じ合金系１例
えばＧｄ−Ｇｏ二元系で膜厚方向に組成勾配を形成させ
て、記録ビットの熱安定性を高めたり、記録・再生特性
を向上させることを試みている。しかし、これらの暎で
は単一膜内に所定の組成勾配を形成して膜形成を行なわ
なければならないので、再現性良く均質な庭特性を得る
ことがむずかしく、また同一合金系で組成を変化させる
だけであるので、該合金系以上の特性が得られないとい
う欠点を有している。
本発明の目的は磁気光学効果が十分に大きく。
高い再生Ｓ／Ｎ比（あるいはＣ／Ｎ比）が得られ。
実用に好適な光磁気記録媒体を提供することにある。
最近、異種金属あるいは異種物質を原子オーダのレベル
で層状に並べることにより新しい特性をもった物質、す
なわち人工格子をａ［ｌしようという試みがある。−力
先磁気材料では磁気光学効果大の記録媒体を得る他の提
案として、例えばＴｂ、、Ｆｅ、、垂直磁化膜の上に、
カー回転角がＴｂ−Ｆｅより大きいＧｄ−Ｇｏ、あるい
はＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ１１１等を波腹する二層構造
の膜を作製することにより、みかけ上のＴｂ−Ｆｅ膜の
カー回転角を増大させることを試みている（第７図日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９８３，１１ｐ２３３
参照）。
で層状に並べることにより新しい特性をもった物質、す
なわち人工格子をａ［ｌしようという試みがある。−力
先磁気材料では磁気光学効果大の記録媒体を得る他の提
案として、例えばＴｂ、、Ｆｅ、、垂直磁化膜の上に、
カー回転角がＴｂ−Ｆｅより大きいＧｄ−Ｇｏ、あるい
はＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ１１１等を波腹する二層構造
の膜を作製することにより、みかけ上のＴｂ−Ｆｅ膜の
カー回転角を増大させることを試みている（第７図日本
応用磁気学会学術講演概要集（１９８３，１１ｐ２３３
参照）。
これらの知見のもとに本発明者等は、従来の同種合金で
同一膜内で組成勾配をもたせる記録膜と異なり、異種金
属あるいは合金、あるいは異種物質を原子オーダのレベ
ルで層状に並べることにより磁気光学効果大で、耐食性
、熱安定性大の新規な光磁気記録媒体を得ることを試み
１本発明に至った。
同一膜内で組成勾配をもたせる記録膜と異なり、異種金
属あるいは合金、あるいは異種物質を原子オーダのレベ
ルで層状に並べることにより磁気光学効果大で、耐食性
、熱安定性大の新規な光磁気記録媒体を得ることを試み
１本発明に至った。
本発明は垂直磁化膜が容易に得られる合金膜。
例えばＴ ｂ ｚ ｘ Ｆ ｅ ＠ ＠非晶質膜を構成
膜の一つ（主垂直磁化膜）に選び、他のもπ成膜として
垂直磁化膜ではないが、磁気光学効果の大きい合金膜（
中間膜）、例えばＴ ｂｚｓ （Ｆ ｅｌｌ、ｓＣＯｏ
、ｓ） ｔｓ非晶質膜を選び、交互に多層積層すること
により、磁気光学効果の大きい合金膜の磁化の方向を主
垂直磁化膜からの交換相互作用により膜面に垂直方向に
向けて、各構成膜の各々の長所を兼ねそなえた優れた磁
気光学記録膜を容易に得られるようにしたものである。
膜の一つ（主垂直磁化膜）に選び、他のもπ成膜として
垂直磁化膜ではないが、磁気光学効果の大きい合金膜（
中間膜）、例えばＴ ｂｚｓ （Ｆ ｅｌｌ、ｓＣＯｏ
、ｓ） ｔｓ非晶質膜を選び、交互に多層積層すること
により、磁気光学効果の大きい合金膜の磁化の方向を主
垂直磁化膜からの交換相互作用により膜面に垂直方向に
向けて、各構成膜の各々の長所を兼ねそなえた優れた磁
気光学記録膜を容易に得られるようにしたものである。
ここで中間膜として耐食性大の合金膜を選ぶことにより
１例えばカー回転向火の００合金膜あるいはＴｂ−Ｆｅ
−Ｇｏ非晶質膜あるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｎｉ非晶質股を選
ぶことにより、磁気光学効果大で記録膜の耐食性を大き
く改善することが出来る。また主垂直磁化膜を各層間の
磁気的交換相互作用が失なわれない範囲で、ＳｉＯ，膜
等の緻密な透明誘電体膜を介して積層することにより。
１例えばカー回転向火の００合金膜あるいはＴｂ−Ｆｅ
−Ｇｏ非晶質膜あるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｎｉ非晶質股を選
ぶことにより、磁気光学効果大で記録膜の耐食性を大き
く改善することが出来る。また主垂直磁化膜を各層間の
磁気的交換相互作用が失なわれない範囲で、ＳｉＯ，膜
等の緻密な透明誘電体膜を介して積層することにより。
耐食性・耐酸化性、記録感度等を大巾に改善することも
出来る。さらには上記した多層膜は、屈折率の異なる異
種金属あるいは合金、あるいは異種物質の膜を層状に多
Ｗ？ｉべることから、各層間でも光の多重反射による干
渉効果が起こり、みかけ上刃−回転角あるいはファラデ
ー回転角等の磁気光学効果を単一合金膜よりもさらに大
きくする効果も有している。
出来る。さらには上記した多層膜は、屈折率の異なる異
種金属あるいは合金、あるいは異種物質の膜を層状に多
Ｗ？ｉべることから、各層間でも光の多重反射による干
渉効果が起こり、みかけ上刃−回転角あるいはファラデ
ー回転角等の磁気光学効果を単一合金膜よりもさらに大
きくする効果も有している。
本発明における主垂直磁化膜、中間ＷＡ透明誘電体膜の
各層の厚みは５Å以上５００Å以下、好適には５０〜２
５０人であることが望ましい、５人より小さくなると主
垂直磁化膜自体の垂直磁気異方性が小さくなるためある
いは膜自体の連続性が極度に悪くなるため好ましくない
、また５００人より大きくすると、記録膜全体の膜厚が
厚くなり。
各層の厚みは５Å以上５００Å以下、好適には５０〜２
５０人であることが望ましい、５人より小さくなると主
垂直磁化膜自体の垂直磁気異方性が小さくなるためある
いは膜自体の連続性が極度に悪くなるため好ましくない
、また５００人より大きくすると、記録膜全体の膜厚が
厚くなり。
そのため内部応力が大きくなり好ましくない、さらには
中間膜や透明誘電体膜のｒＩＡ厚が５００人より大きく
なると主垂直磁化膜からの磁気的な交換相互作用が弱ま
り、多層膜としての効果が薄れる。
中間膜や透明誘電体膜のｒＩＡ厚が５００人より大きく
なると主垂直磁化膜からの磁気的な交換相互作用が弱ま
り、多層膜としての効果が薄れる。
ここで主垂直磁化膜、中間膜、透明誘電体膜の積層枚数
は使用目的により要求される所望の特性が得られるよう
に選択するものである。しかし本発明の目的の効果を得
るためには少なくとも主垂直磁化膜の暦数を少なくとも
３層以上にする必要がある。
は使用目的により要求される所望の特性が得られるよう
に選択するものである。しかし本発明の目的の効果を得
るためには少なくとも主垂直磁化膜の暦数を少なくとも
３層以上にする必要がある。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
本発明の磁気光学記録膜は真空を破らずに、連続的に三
源スパッタが可能なマグネトロンＲＦスパッタ装置を用
いて作製した１作製条件は投入高周波電力１ｋＷ、Ａｒ
圧５ Ｘ Ｉ Ｑ−”ＴｏｒｒあるいはＡｒ＋Ｎ、混合
ガス圧５×１０□″Ｔｏｒｒの条件下で行なった。希土
類−鉄族系非晶質膜作製には。
源スパッタが可能なマグネトロンＲＦスパッタ装置を用
いて作製した１作製条件は投入高周波電力１ｋＷ、Ａｒ
圧５ Ｘ Ｉ Ｑ−”ＴｏｒｒあるいはＡｒ＋Ｎ、混合
ガス圧５×１０□″Ｔｏｒｒの条件下で行なった。希土
類−鉄族系非晶質膜作製には。
径１１０ｍφのＧｏあるいはＦｅ円板上に５膜５ｍ２の
希土類元素あるいは遷移金属元素のチップを面積比で所
定の組成になるように配置した複合ターゲットを用いて
スパッタすることにより、また非晶質軟磁性膜は、１１
０ｍφの００円板上に８ｍφの遷移金属元素のチップを
所定の面積化に配置した複合ターゲットを用いてスパッ
タすることにより、さらにはＧｏ、Ｆｅ、ＡＱ、Ｃｕ等
の金属膜、ＳｉＯ，ｔ ５ｉａＮ４．ＭｇＯ，ＡＱＮ等
の透明誘電体膜は径１１０ｍφの各ターゲットを用いて
作製した。
希土類元素あるいは遷移金属元素のチップを面積比で所
定の組成になるように配置した複合ターゲットを用いて
スパッタすることにより、また非晶質軟磁性膜は、１１
０ｍφの００円板上に８ｍφの遷移金属元素のチップを
所定の面積化に配置した複合ターゲットを用いてスパッ
タすることにより、さらにはＧｏ、Ｆｅ、ＡＱ、Ｃｕ等
の金属膜、ＳｉＯ，ｔ ５ｉａＮ４．ＭｇＯ，ＡＱＮ等
の透明誘電体膜は径１１０ｍφの各ターゲットを用いて
作製した。
第１図は主垂直磁化膜としてＴｂｔ、Ｆｅ□非晶質Ｉ！
Ｉ（厚さ〜５０人）を用い、中間１膜としてＡＱ金Ｊ３
［！ （厚さ〜１０人）を用いて、全膜厚が〜１０００
人になるように交互に積層した記録膜の断面図を示す０
図で１はＴ ｂ ｚＢ Ｆ ８７ｍ非晶質膜。
Ｉ（厚さ〜５０人）を用い、中間１膜としてＡＱ金Ｊ３
［！ （厚さ〜１０人）を用いて、全膜厚が〜１０００
人になるように交互に積層した記録膜の断面図を示す０
図で１はＴ ｂ ｚＢ Ｆ ８７ｍ非晶質膜。
２はＡＱ金属膜である。第２図は主垂直磁化膜のＴ ｂ
ｌｊＧ ｄ、、 Ｆ Ｏ，、非晶質膜（ＰＪ、さ〜５０
人）と透明ｉｙＩ主体膜のＡＱＮＷＡ（厚さ〜２０人）
とを交互に積層し、全膜厚が〜１０００人とした膜の断
面図を示す１図で３はＡＱＮ膜、４は Ｔｂ１．Ｇｄ１．Ｆｅｔｇ非晶質膜を示す。第３図は主
垂直磁化膜のＴｂ、□Ｆａ、４Ｃｏｇ非晶質膜（厚さ〜
５０人）と透明誘電体膜Ｍｇ○（〜５０人）とを交互に
積層し、全ｆｌ厚が〜１０００人とした膜の断面図を示
す０図で５はＭｇＯ膜、６はＴ ｂ２１ Ｆ （！？４
ＣＯｓ非晶質膜を示す、第４図は主垂直磁化膜のＴｂｔ
ｏＦｅ□非晶質膜（厚さ〜ＳＯ人）と希±３頂−鉄族系
非晶質膜のＴ ｂ１！ｌ Ｆ ｅｖ ｘ Ｃ（１ｇ膜（
厚さ〜５０人）とを交互に積層し、全膜厚が〜１０００
人とした膜の断面図を示す、回で７゛はＴｂ１．Ｆｅ、
、Ｃ：ｏ、非晶質膜、８はＴｂｔＩＩＦ６．。
ｌｊＧ ｄ、、 Ｆ Ｏ，、非晶質膜（ＰＪ、さ〜５０
人）と透明ｉｙＩ主体膜のＡＱＮＷＡ（厚さ〜２０人）
とを交互に積層し、全膜厚が〜１０００人とした膜の断
面図を示す１図で３はＡＱＮ膜、４は Ｔｂ１．Ｇｄ１．Ｆｅｔｇ非晶質膜を示す。第３図は主
垂直磁化膜のＴｂ、□Ｆａ、４Ｃｏｇ非晶質膜（厚さ〜
５０人）と透明誘電体膜Ｍｇ○（〜５０人）とを交互に
積層し、全ｆｌ厚が〜１０００人とした膜の断面図を示
す０図で５はＭｇＯ膜、６はＴ ｂ２１ Ｆ （！？４
ＣＯｓ非晶質膜を示す、第４図は主垂直磁化膜のＴｂｔ
ｏＦｅ□非晶質膜（厚さ〜ＳＯ人）と希±３頂−鉄族系
非晶質膜のＴ ｂ１！ｌ Ｆ ｅｖ ｘ Ｃ（１ｇ膜（
厚さ〜５０人）とを交互に積層し、全膜厚が〜１０００
人とした膜の断面図を示す、回で７゛はＴｂ１．Ｆｅ、
、Ｃ：ｏ、非晶質膜、８はＴｂｔＩＩＦ６．。
非晶質膜を示す、第５図は主垂直磁化膜のＴ ｂ、、
Ｆ ｅＩ１１非晶質膜（厚さ〜５ｏ人）、９とＣＯＯ属
膜（厚さ〜５人）、１０とを交互に積層し、全膜厚が〜
１０００λとした膜の断面図を示す。ｆ５６図は主垂直
磁化膜のＴ ｂ、、 Ｆ ａ、、非晶質膜（膜厚〜５０
人）、１１と希土類−鉄族系非晶質謀のＴ ｂ１３Ｇ
ｄ、、 Ｆ Ｃ４，Ｃｏ、、膜（厚さ〜１゜人）、１２
とを交互に積層した単位積層磁性体膜（厚さ〜２３０人
）を透明誘電体膜のＳ ｉ Ｏｘ膜（厚さ〜２０人）、
１３を介して積層した膜の断面図を示す。
Ｆ ｅＩ１１非晶質膜（厚さ〜５ｏ人）、９とＣＯＯ属
膜（厚さ〜５人）、１０とを交互に積層し、全膜厚が〜
１０００λとした膜の断面図を示す。ｆ５６図は主垂直
磁化膜のＴ ｂ、、 Ｆ ａ、、非晶質膜（膜厚〜５０
人）、１１と希土類−鉄族系非晶質謀のＴ ｂ１３Ｇ
ｄ、、 Ｆ Ｃ４，Ｃｏ、、膜（厚さ〜１゜人）、１２
とを交互に積層した単位積層磁性体膜（厚さ〜２３０人
）を透明誘電体膜のＳ ｉ Ｏｘ膜（厚さ〜２０人）、
１３を介して積層した膜の断面図を示す。
以上の実施例で示した第１図から第６図の積層多層Ｗは
、カー回転角θ８では植成層のＴｂ−Ｆ 、ｅ膜やＴｂ
−Ｇｄ−Ｆｅ１１ｉＳあるいはＴ ｂ −Ｆ ｅ−Ｃｏ
膜各々単独の主垂直磁化膜だけの０゜と比べて、約１．
５〜２倍の改善が得られ、カーヒステリシスも垂直磁化
膜特有の角型特性が１で、保磁力が２〜１０ｋＯｅの実
用に好適な値を示した。
、カー回転角θ８では植成層のＴｂ−Ｆ 、ｅ膜やＴｂ
−Ｇｄ−Ｆｅ１１ｉＳあるいはＴ ｂ −Ｆ ｅ−Ｃｏ
膜各々単独の主垂直磁化膜だけの０゜と比べて、約１．
５〜２倍の改善が得られ、カーヒステリシスも垂直磁化
膜特有の角型特性が１で、保磁力が２〜１０ｋＯｅの実
用に好適な値を示した。
また６０℃、９５％の環境試験では、上記主垂直磁化ｍ
単独では５〜１０日で反射率が７０％も変化するのに対
して、上記実施例の第１図〜第６図の積層多層膜では反
射率の変化は１０％以下と小さな値を示し、高い耐食性
を示した。
単独では５〜１０日で反射率が７０％も変化するのに対
して、上記実施例の第１図〜第６図の積層多層膜では反
射率の変化は１０％以下と小さな値を示し、高い耐食性
を示した。
第７図は第４図の実施例で示した！ｔｔ層多層膜層膜ｉ
ａＮ４１４の干渉膜と保３膜とで（各膜厚は約１０００
人）はさんだ時の磁気光学記録Ｓを示す。
ａＮ４１４の干渉膜と保３膜とで（各膜厚は約１０００
人）はさんだ時の磁気光学記録Ｓを示す。
このような干渉膜を被膜することによりカー回転角はさ
らに１．５〜２倍向上した。
らに１．５〜２倍向上した。
以上の説明から明らかなように１本発明の積層多層膜は
高い耐食性と高い熱安定性を示し、しかも高い磁気光学
効果を有した優れた光磁気記録材料である。なお上記実
施例では多ＪｒＩ膜をスパッタ法で形成したが、ＭＢＥ
、ＥＢ、抵抗加熱等のあらゆる方法の蒸着法で多層膜を
形成することによっても同様の効果が得られることは明
らかである。
高い耐食性と高い熱安定性を示し、しかも高い磁気光学
効果を有した優れた光磁気記録材料である。なお上記実
施例では多ＪｒＩ膜をスパッタ法で形成したが、ＭＢＥ
、ＥＢ、抵抗加熱等のあらゆる方法の蒸着法で多層膜を
形成することによっても同様の効果が得られることは明
らかである。
図面のｆｆｆｆ単な説明
第１図はＴ ｂｌｓＦ ｅｔｓ非晶質膜とＡＱ金属膜と
から成る積層磁気光学記録膜の断面図、第２図はＴｂ工
３ Ｇ ｄ ＞ｚ Ｆ ｅ ７ｓ非晶質膜と透明誘電体
のＡＱＮ膜とから成る積層磁気光学記録膜の断面図。
から成る積層磁気光学記録膜の断面図、第２図はＴｂ工
３ Ｇ ｄ ＞ｚ Ｆ ｅ ７ｓ非晶質膜と透明誘電体
のＡＱＮ膜とから成る積層磁気光学記録膜の断面図。
第３図はＴ ｂｘｌＦ ｅ、、Ｇ ｏ、、非晶質１模と
透明誘電体膜ＭｇＯとから成る積層磁気８光学記録膜の
断面図、第４図はＴｂ、。Ｆ Ｑｌｌｏ非晶質１漠とＴ
ｂ工ｓ Ｆ ｅ １＠ Ｃｏ ＠非晶質膜とから成る積
層−磁気光学記録膜の断面図、第５図はＣＯ金金膜膜Ｔ
ｂ、、Ｆｅ、、非晶質膜とから成る積層磁気光学記録膜
の断面図、第６図はＴ ｂ ＨｌＦ ｅ ＠ｑ非晶質膜
とＴ ｂ ｘ ３ Ｇ ｄ ｔ ｔ Ｆ ｅ ４ ｓ
ＣＯｓ ｏ非晶質膜との単位積層膜をＳｉ、０．膜を介
して積層した積層磁気光学記録膜の断面図、第７図はＴ
ｂ、。Ｆｅ、、、非晶質膜とＴｂ□＊Ｆｅｔ、Ｇｏ、非
晶質膜とからなる私Ｋｉ膜を透明なｓｉ３Ｎ、謀ではさ
んだ磁気光学記録媒体の断面図を示す。
透明誘電体膜ＭｇＯとから成る積層磁気８光学記録膜の
断面図、第４図はＴｂ、。Ｆ Ｑｌｌｏ非晶質１漠とＴ
ｂ工ｓ Ｆ ｅ １＠ Ｃｏ ＠非晶質膜とから成る積
層−磁気光学記録膜の断面図、第５図はＣＯ金金膜膜Ｔ
ｂ、、Ｆｅ、、非晶質膜とから成る積層磁気光学記録膜
の断面図、第６図はＴ ｂ ＨｌＦ ｅ ＠ｑ非晶質膜
とＴ ｂ ｘ ３ Ｇ ｄ ｔ ｔ Ｆ ｅ ４ ｓ
ＣＯｓ ｏ非晶質膜との単位積層膜をＳｉ、０．膜を介
して積層した積層磁気光学記録膜の断面図、第７図はＴ
ｂ、。Ｆｅ、、、非晶質膜とＴｂ□＊Ｆｅｔ、Ｇｏ、非
晶質膜とからなる私Ｋｉ膜を透明なｓｉ３Ｎ、謀ではさ
んだ磁気光学記録媒体の断面図を示す。
１ ”＝ Ｔ ｂ ｔｓ Ｆ ｅ ｔｉ非晶質ｇ、２＝
−ＡＩ２全２金 Ｖ、３・・−ＡＪＮ透明ａ、 ４ ・
＝Ｔ ｂ ｘ３Ｇ ｃ！ １２Ｆ ｅ、ｎ非晶質膜、５
・・・ＭｇＯ透明膜、６・・・Ｔｂ、□Ｆｅ？、、Ｇｏ
５°非晶質膜１．７ ”・Ｔ ｂ□、 Ｆ ａ、、Ｃａ
ｓｎ非晶質膜８・Ｔ ｂ 、。Ｆ Ｏａａ非晶？ｔＩＩ
！！！、’Ｊ ・・・Ｔ ｂ １１Ｆ ｅ ＠ ｎ非晶
質膜、１０・＝Ｃｏ金属膜、 １１−Ｔ ｂ、、Ｆ ｅ
、、非晶質膜、１２・・・Ｔｂ□、Ｇ ｄ、、 Ｆ Ｃ
４，ｃｏ、ｌ、非晶質膜、１３・・・５ｉｎｓ透明股、
１４・・・Ｓ １２Ｎ４透明竿１喝 等
２図 茅３囚 某４図 １用 ギ匝
−ＡＩ２全２金 Ｖ、３・・−ＡＪＮ透明ａ、 ４ ・
＝Ｔ ｂ ｘ３Ｇ ｃ！ １２Ｆ ｅ、ｎ非晶質膜、５
・・・ＭｇＯ透明膜、６・・・Ｔｂ、□Ｆｅ？、、Ｇｏ
５°非晶質膜１．７ ”・Ｔ ｂ□、 Ｆ ａ、、Ｃａ
ｓｎ非晶質膜８・Ｔ ｂ 、。Ｆ Ｏａａ非晶？ｔＩＩ
！！！、’Ｊ ・・・Ｔ ｂ １１Ｆ ｅ ＠ ｎ非晶
質膜、１０・＝Ｃｏ金属膜、 １１−Ｔ ｂ、、Ｆ ｅ
、、非晶質膜、１２・・・Ｔｂ□、Ｇ ｄ、、 Ｆ Ｃ
４，ｃｏ、ｌ、非晶質膜、１３・・・５ｉｎｓ透明股、
１４・・・Ｓ １２Ｎ４透明竿１喝 等
２図 茅３囚 某４図 １用 ギ匝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、膜面に強い垂直磁気異方性を有する金属磁性合金か
らなる所定厚さ、３層以上の所定層数の主垂直磁化膜を
、前記合金系と異なる合金組成の金属あるいは合金、あ
るいは異種物質からなる所定厚さの中間膜を介して積層
されていることを特徴とする磁気光学記録膜。 ２、特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記録膜におい
て、膜面に強い垂直磁気異方性を有する金属磁性合金か
らなる所定厚さ、３層以上の所定層数の主垂直磁化膜を
、前記合金系と異なる合金組成の金属あるいは合金、あ
るいは合金異種物質からなる所定厚さの中間膜を介して
積層した単位積層磁性体膜が透明誘電体膜を介して所定
層数積層されていることを特徴とする磁気光学記録膜。 ３、特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記録膜におい
て、膜面に強い垂直磁気異方性を有する金属磁性合金か
らなる所定厚さ、３層以上の所定層数の主垂直磁化膜を
、所定厚さの透明電体膜を介して所定層数積層されてい
ることを特徴とする磁気光学記録膜。 ４、特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかの項に
記載の磁気光学記録膜において、前記主垂直磁化膜が希
土類−鉄族系非晶質膜からなり、前記中間膜が結晶質あ
るいは非晶質軟磁性合金からなることを特徴とする磁気
光学記録膜。 ５、特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかの項に
記載の磁気光学記録膜において、前記主垂直磁化膜と中
間膜とが相異なる合金系の希土類−鉄族系非晶質膜から
なることを特徴とする磁気光学記録膜。 ６、特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれかの項に
記載の磁気光学記録膜において、前記主垂直磁化膜の一
層の膜厚および前記中間膜の一層の膜厚が５〜５００Å
であることを特徴とする磁気光学記録膜。 ７、特許請求の範囲第２項乃至第６項のいずれかの項に
記載の磁気光学記録膜において、前記透明誘電体膜がＳ
ｉＯ＿２等の酸化物、Ｓｉ＿３Ｎ＿４等の窒化物、Ｚｎ
Ｓ等の硫化物等の膜であり、該膜の膜厚が５〜５００Å
であることを特徴とする磁気光学記録膜。 ８、特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれかの項に
記載の磁気光学記録膜において、積層した前記記録膜を
透明な誘電体膜からなる干渉膜と保護膜とで挾んだこと
を特徴とする磁気光学記録膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17492584A JPS6154059A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気光学記録膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17492584A JPS6154059A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気光学記録膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154059A true JPS6154059A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=15987110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17492584A Pending JPS6154059A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気光学記録膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154059A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232738A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用媒体 |
| JPS62264463A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63316343A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| EP0314518A2 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Magnetooptical recording media |
| US5400307A (en) * | 1987-08-26 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium with stacked layer structure |
| KR100499665B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-07-07 | 국방과학연구소 | 광대역 감마 방사선 측정장치 및 방법 |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17492584A patent/JPS6154059A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232738A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用媒体 |
| JPS62264463A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63316343A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0522303B2 (ja) * | 1987-06-18 | 1993-03-29 | Canon Kk | |
| US5400307A (en) * | 1987-08-26 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium with stacked layer structure |
| EP0314518A2 (en) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Magnetooptical recording media |
| KR100499665B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2005-07-07 | 국방과학연구소 | 광대역 감마 방사선 측정장치 및 방법 |
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