JPS62232738A - 光磁気記録用媒体 - Google Patents
光磁気記録用媒体Info
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- JPS62232738A JPS62232738A JP7591786A JP7591786A JPS62232738A JP S62232738 A JPS62232738 A JP S62232738A JP 7591786 A JP7591786 A JP 7591786A JP 7591786 A JP7591786 A JP 7591786A JP S62232738 A JPS62232738 A JP S62232738A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 25
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 25
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- -1 Ag1 Chemical compound 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光学的記録媒体における光磁気記録用媒体に関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては特開昭52−31
703号公報、および特開昭52−109193号公報
に記載されるものがあった。以下、その構成を説明する
。
703号公報、および特開昭52−109193号公報
に記載されるものがあった。以下、その構成を説明する
。
従来の光磁気記録用媒体は、希土類−遷移金属非晶質合
金膜(以下、RE−TM膜という)からなる光磁気記録
層を、基板上に形成した構造をしている。
金膜(以下、RE−TM膜という)からなる光磁気記録
層を、基板上に形成した構造をしている。
ここで、RE−T)1膜は、具体的にはREとしてガド
リニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy等
、TMとして鉄FeまたはコバルトCoを主成分として
いる。このRE −E膜は膜面に対して垂直な磁化を持
つ、いわゆる垂直磁化膜である。
リニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy等
、TMとして鉄FeまたはコバルトCoを主成分として
いる。このRE −E膜は膜面に対して垂直な磁化を持
つ、いわゆる垂直磁化膜である。
このようなRE−1M膜を用いた光磁気記録用媒体は、
1μmφ程度に絞られたレーザビーム及び外部磁界を用
いた熱磁気書込み方式によって108bit /cmh
いうきわめて高密度な記録が可能で、しかも原理的には
無限回に近い消去及び再書込みができるという非常に優
れた特徴を有する。
1μmφ程度に絞られたレーザビーム及び外部磁界を用
いた熱磁気書込み方式によって108bit /cmh
いうきわめて高密度な記録が可能で、しかも原理的には
無限回に近い消去及び再書込みができるという非常に優
れた特徴を有する。
RE−1M膜には大きく分けてRE−鉄系とRE−コバ
ルト系に分類される。
ルト系に分類される。
RE−鉄系は、優れた磁気および光磁気特性を有し、し
かも均一な特性分布を持つ膜をつくりやすい。反面、耐
食性が非常に悪く、特に孔食の発生、発達が顕著である
という欠点を持っている。
かも均一な特性分布を持つ膜をつくりやすい。反面、耐
食性が非常に悪く、特に孔食の発生、発達が顕著である
という欠点を持っている。
一方、RE−コバルト系は、耐食性の点では優れている
が、均一特性の膜が得にくく、またキュリ一点が高いた
めに熱磁気書込み特性の点で、RE−鉄系よりも劣って
いる。
が、均一特性の膜が得にくく、またキュリ一点が高いた
めに熱磁気書込み特性の点で、RE−鉄系よりも劣って
いる。
RE−鉄系に少量のCoを添加することで、耐食性およ
び磁気・光磁気特性の両方を改善できることは良く知ら
れている。ところか、Co添加はキュリ一点の急上昇を
ひきおこし、Coの過度の添加は熱磁気書込みを困難に
するため、少量しか添加できない。少量のCoを添加し
たRE−鉄膜コバルト膜は、磁気および光磁気特性にお
いてI?E−鉄系およびRE−コバルト系層のいずれよ
りも優れている。その反面、耐食性に対してはRE−鉄
系よりも若干改善されるものの、はなはだ不満足である
。そこで、保護層を被覆(コート)して耐食性の改善が
試みられている。
び磁気・光磁気特性の両方を改善できることは良く知ら
れている。ところか、Co添加はキュリ一点の急上昇を
ひきおこし、Coの過度の添加は熱磁気書込みを困難に
するため、少量しか添加できない。少量のCoを添加し
たRE−鉄膜コバルト膜は、磁気および光磁気特性にお
いてI?E−鉄系およびRE−コバルト系層のいずれよ
りも優れている。その反面、耐食性に対してはRE−鉄
系よりも若干改善されるものの、はなはだ不満足である
。そこで、保護層を被覆(コート)して耐食性の改善が
試みられている。
(発明が解決しようとする問題点)
上記のRE−鉄膜、RE−鉄膜コバルト膜は、光磁気材
料として優れた特性を有するものの、耐食性が著しく悪
く、それを防ぐために保護層で被覆することが必要とな
る。
料として優れた特性を有するものの、耐食性が著しく悪
く、それを防ぐために保護層で被覆することが必要とな
る。
しかしながら、十分な保護性のある保護層の形成は容易
ではない。例えば膜厚600へのRE−鉄−コバルト膜
を1000人厚の二酸化ケイ素5in2、酸化ケイ素S
iOまたは窒化ケイ素513N4で被覆した場合、85
°C185%相対湿度での50時間エイジング(age
ing 、放置)で、多数の孔食が発生してしまう。
ではない。例えば膜厚600へのRE−鉄−コバルト膜
を1000人厚の二酸化ケイ素5in2、酸化ケイ素S
iOまたは窒化ケイ素513N4で被覆した場合、85
°C185%相対湿度での50時間エイジング(age
ing 、放置)で、多数の孔食が発生してしまう。
耐食性を改善する他の方法としてRE−1M膜に種々の
元素を添付することも行われている。ところが、種々の
元素の添加によって磁気・光磁気特性が劣化することが
多いため、該元素の添加を少量に抑える必要があり、十
分な耐食性が得られないことが多い。逆に、十分な耐食
性が必要な場合には、磁気・光磁気特性を多少犠牲にす
る必要があった。
元素を添付することも行われている。ところが、種々の
元素の添加によって磁気・光磁気特性が劣化することが
多いため、該元素の添加を少量に抑える必要があり、十
分な耐食性が得られないことが多い。逆に、十分な耐食
性が必要な場合には、磁気・光磁気特性を多少犠牲にす
る必要があった。
このように、光磁気材料として優れた特性を有するRE
−鉄膜、RE−鉄−コバルト膜の耐食性改善方法として
、保護層及び添加元素のいずれも十分に満足のいくもの
でなかった。
−鉄膜、RE−鉄−コバルト膜の耐食性改善方法として
、保護層及び添加元素のいずれも十分に満足のいくもの
でなかった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点のうち、十
分な耐食性と良好な光磁気特性を合わせ持った光磁気記
録用媒体を1qることか困難である点について解決した
光磁気記録用媒体を提供するものである。
分な耐食性と良好な光磁気特性を合わせ持った光磁気記
録用媒体を1qることか困難である点について解決した
光磁気記録用媒体を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は前記問題点を解決するために、基板上に少なく
とも光磁気記録層を形成すると共にその光磁気記録層を
保護する保護層を形成した光磁気記録用媒体において、
前記光磁気記録層は、RE−Fe−Co合金からなる厚
みaの希土類−遷移金属非晶質合金膜と、厚みbの不働
態形成活性金属膜またはその合金膜とを、複数段積層し
て形成した組成変調多層膜(いわゆる人工格子膜)とし
ている。
とも光磁気記録層を形成すると共にその光磁気記録層を
保護する保護層を形成した光磁気記録用媒体において、
前記光磁気記録層は、RE−Fe−Co合金からなる厚
みaの希土類−遷移金属非晶質合金膜と、厚みbの不働
態形成活性金属膜またはその合金膜とを、複数段積層し
て形成した組成変調多層膜(いわゆる人工格子膜)とし
ている。
前記RE−Fe−Co合金におりるREは、該RE−F
e−C0合金全体伍の18〜35原子%を待った希土類
元素で、前記Feは鉄で、前記Coは前記全体団のO〜
20原子%を持ったコバルトで、それぞれ構成し、前記
不働態形成活性金属膜またはその合金膜は、アルミニウ
ムAg1クロムCr1チタン刊、ジリコニウムZr、タ
ングステンW1モリブデンNo、タンタル丁a、ニオブ
NbまたはバナジウムVのいずれか1種の金属、あるい
はそれら2種以上の合金で構成している。さらに、前記
厚みa、bの条件をa/b≧4、かつ1b≦0人とした
ものである。
e−C0合金全体伍の18〜35原子%を待った希土類
元素で、前記Feは鉄で、前記Coは前記全体団のO〜
20原子%を持ったコバルトで、それぞれ構成し、前記
不働態形成活性金属膜またはその合金膜は、アルミニウ
ムAg1クロムCr1チタン刊、ジリコニウムZr、タ
ングステンW1モリブデンNo、タンタル丁a、ニオブ
NbまたはバナジウムVのいずれか1種の金属、あるい
はそれら2種以上の合金で構成している。さらに、前記
厚みa、bの条件をa/b≧4、かつ1b≦0人とした
ものである。
(作 用)
本発明によれば、以上のように光磁気記録用媒体を構成
したので、RE−用膜と不動態形成活性金属膜またはそ
の合金膜との積層構造からなる光磁気記録層は、磁気・
光磁気特性の劣化を抑制し、ざらに不働態形成活性金属
膜またはその合金の混入量を増して耐食性を向上させる
ように動く。これにより、書込み、再生特性の経時的劣
化の抑制が計れる。従って前記問題点を除去できるので
ある。
したので、RE−用膜と不動態形成活性金属膜またはそ
の合金膜との積層構造からなる光磁気記録層は、磁気・
光磁気特性の劣化を抑制し、ざらに不働態形成活性金属
膜またはその合金の混入量を増して耐食性を向上させる
ように動く。これにより、書込み、再生特性の経時的劣
化の抑制が計れる。従って前記問題点を除去できるので
ある。
(実施例)
第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図である。
断面図である。
この光磁気記録用媒体は、透明度が高くかつ光学特性の
良いカラス板、あるいは樹脂板からなる基板1を有し、
その基板1上には、誘電体層2、人工格子膜からなる光
磁気記録層3、及び保護層4が、順次積層状態に形成さ
れている。
良いカラス板、あるいは樹脂板からなる基板1を有し、
その基板1上には、誘電体層2、人工格子膜からなる光
磁気記録層3、及び保護層4が、順次積層状態に形成さ
れている。
誘電体層2は、カー効果エンハンスメントのwおきを持
つもので、例えば膜厚800人のSiO等で形成されて
いる。
つもので、例えば膜厚800人のSiO等で形成されて
いる。
光磁気記録層3は、厚みaのRE−T)lff!3Aと
、厚みbの不働態形成活性金属膜またはその合金膜(以
下、単に活性金属膜という)3Bとを、交互に複数段積
層して形成した人工格子膜で構成されている。
、厚みbの不働態形成活性金属膜またはその合金膜(以
下、単に活性金属膜という)3Bとを、交互に複数段積
層して形成した人工格子膜で構成されている。
RE −T)1膜3AはRE−Fe−Co合金で構成さ
れティる。
れティる。
REはTb等の希土類元素であり、その量を該RE−F
e−Co合金全体量の18〜35原子%とする。Coの
量は前記全体量のO〜20原子%、[eの母はRE及び
Coの残部である。活性金属膜38は、AN 、 Cr
、Ti、Zr、WlNo、 Ta、 NbまたはVのい
ずれか1種の金属、あるいはそれら2種以上の合金で構
成されている。
e−Co合金全体量の18〜35原子%とする。Coの
量は前記全体量のO〜20原子%、[eの母はRE及び
Coの残部である。活性金属膜38は、AN 、 Cr
、Ti、Zr、WlNo、 Ta、 NbまたはVのい
ずれか1種の金属、あるいはそれら2種以上の合金で構
成されている。
RE−TH膜3A及び活性金属膜3Bにあける厚みa、
bの条件は、a/b≧4、かつ1b≦0人に設定され
る。
bの条件は、a/b≧4、かつ1b≦0人に設定され
る。
本実施例の光磁気記録層3では、例えばRE−T)l膜
3AとしてTl)30 (Co8Feg2) 70膜を
用い、活性金属膜3BとしてA、!! 、CrまたはT
iを用い、ざらにTb30 (Coa Fe92) 7
0各層の厚みを95.90.80人、それに対応してA
、I) 、 CrまたはTi層の厚みを5.10.20
八とし、これらを10周期積層して1000人厚の人工
格子層とした。
3AとしてTl)30 (Co8Feg2) 70膜を
用い、活性金属膜3BとしてA、!! 、CrまたはT
iを用い、ざらにTb30 (Coa Fe92) 7
0各層の厚みを95.90.80人、それに対応してA
、I) 、 CrまたはTi層の厚みを5.10.20
八とし、これらを10周期積層して1000人厚の人工
格子層とした。
光磁気記録層3を被覆する保護層4は、不働態形成活性
金属膜またはその合金等により、厚さが例えば1000
人に形成されている。
金属膜またはその合金等により、厚さが例えば1000
人に形成されている。
(1)以上のように構成された光磁気記録用媒体を用い
て光磁気記録ディスクを作り、そのディスクの回転数を
90Orpm、該ディスク面に照射する半導体レーザ光
を6mw以下とした場合、1μm程度の微小記録を得、
さらに10万回以上の消去および再書込みの反復に耐え
ることが確認できた。
て光磁気記録ディスクを作り、そのディスクの回転数を
90Orpm、該ディスク面に照射する半導体レーザ光
を6mw以下とした場合、1μm程度の微小記録を得、
さらに10万回以上の消去および再書込みの反復に耐え
ることが確認できた。
(2)第2図は本実施例の光磁気記録用媒体に対するカ
ー回転角θにの特性図である。
ー回転角θにの特性図である。
第2図における縦軸のカー回転角比θには、光磁気記録
層3としてA、ll 、CrまたはTi層のない、いわ
ゆる丁b30 (Coa Fe92) 70単層とした
場合のカー回転角θkoを基準として表わしである。横
軸はRE−用膜3Aと、A、Q 、 CrまたはTiか
らなる活性金属膜3Bとの膜厚比で決まる組成比Xで示
しておる。
層3としてA、ll 、CrまたはTi層のない、いわ
ゆる丁b30 (Coa Fe92) 70単層とした
場合のカー回転角θkoを基準として表わしである。横
軸はRE−用膜3Aと、A、Q 、 CrまたはTiか
らなる活性金属膜3Bとの膜厚比で決まる組成比Xで示
しておる。
中、実線が本実施例の光磁気記録用媒体を示し、比較の
ために積層構造でなくRE−用膜にA、ll 、Crま
たはTiを合金した場合の組果も合わせて破線曲線とし
て示しておる。これらの曲線は次式で表わせる。
ために積層構造でなくRE−用膜にA、ll 、Crま
たはTiを合金した場合の組果も合わせて破線曲線とし
て示しておる。これらの曲線は次式で表わせる。
MX (1b30 (008F892) 70) 10
0−X但し、M=Cr、 A、Q 、Ti AJ! 、 CrまたはTiを過度に添加することによ
り、カー回転角の減少がおこる。活性金属膜3BをZr
、W、HO1丁a、 NbまたはVで構成した場合も、
同様にカー回転角の減少が観察される。しかし、本実施
例の光磁気記録層3は合金でなく、積層構造のため、A
、!! 、Cr、 Ti等のRE−TH層に対する影響
が小さく、組成比Xで20%のところでも、カー回転角
の減少が小さく抑えられている。
0−X但し、M=Cr、 A、Q 、Ti AJ! 、 CrまたはTiを過度に添加することによ
り、カー回転角の減少がおこる。活性金属膜3BをZr
、W、HO1丁a、 NbまたはVで構成した場合も、
同様にカー回転角の減少が観察される。しかし、本実施
例の光磁気記録層3は合金でなく、積層構造のため、A
、!! 、Cr、 Ti等のRE−TH層に対する影響
が小さく、組成比Xで20%のところでも、カー回転角
の減少が小さく抑えられている。
(3)一方、耐食性に対してはA、ll 、Cr、 T
i等の添加mが多いほど、耐食性が向上することが知ら
れているが、本実施例の光磁気記録用媒体も非常に良好
な耐食性を示す。
i等の添加mが多いほど、耐食性が向上することが知ら
れているが、本実施例の光磁気記録用媒体も非常に良好
な耐食性を示す。
第3図は、本実施例における次の表のような試料NO,
2〜N014を85°C185%相対湿度雰囲気中に保
持した後の孔食発生による光透過率変化を示したもめで
ある。合わせて、光磁気記録層3を丁b30 (Coa
Feg2) yo単層とした場合の試料No、 1も
示しである。
2〜N014を85°C185%相対湿度雰囲気中に保
持した後の孔食発生による光透過率変化を示したもめで
ある。合わせて、光磁気記録層3を丁b30 (Coa
Feg2) yo単層とした場合の試料No、 1も
示しである。
表
第3図から明らかなように、本実施例の試料No、 2
〜No、 4は非常に耐食性が優れていることがわかる
。試料No、 1の場合も、上部にTiコートを施しで
あるため、コート無しの場合よりも著しく耐食性に優れ
ているが、保護層4の欠陥等からの孔食はさけられない
。
〜No、 4は非常に耐食性が優れていることがわかる
。試料No、 1の場合も、上部にTiコートを施しで
あるため、コート無しの場合よりも著しく耐食性に優れ
ているが、保護層4の欠陥等からの孔食はさけられない
。
(4)本実施例の光磁気記録層3において、RE−T)
l膜3AにおけるCoは、カー回転角を増加させるが、
その反面キュリ一点を急上昇させるため、過度に添加す
ると熱磁気書込みが困難となる。そのためCoの添加量
は20%以下とした。RE−TH膜3Aの厚みaと活性
金属膜3Bの厚みbとの膜厚比a/b=4以上としたの
は、RE−TM膜3Aの割合が小さくなると、第2図の
ようにカー回転角特性の劣化をきたすからである。また
、活性金属膜3Bが厚すぎると、繰返し周期が少なくな
り、積層構造の意味がなくなる。
l膜3AにおけるCoは、カー回転角を増加させるが、
その反面キュリ一点を急上昇させるため、過度に添加す
ると熱磁気書込みが困難となる。そのためCoの添加量
は20%以下とした。RE−TH膜3Aの厚みaと活性
金属膜3Bの厚みbとの膜厚比a/b=4以上としたの
は、RE−TM膜3Aの割合が小さくなると、第2図の
ようにカー回転角特性の劣化をきたすからである。また
、活性金属膜3Bが厚すぎると、繰返し周期が少なくな
り、積層構造の意味がなくなる。
本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形が可能で
ある。その変形例として例えば次のようなものがおる。
ある。その変形例として例えば次のようなものがおる。
(i) RE−TM膜3^におけるREは、希土類とし
てTbを用いたが、これに限定されるものではなく、丁
b、Oy、 Gd、 Nd、等の1種または2種以上の
希土類を用いた場合でも、活性金属膜3Bとの積層は同
様に有効である。
てTbを用いたが、これに限定されるものではなく、丁
b、Oy、 Gd、 Nd、等の1種または2種以上の
希土類を用いた場合でも、活性金属膜3Bとの積層は同
様に有効である。
(ii) 光磁気記録用媒体の断面構造は、第1図の
ものに限定されず、例えば基板1と光磁気記録層3との
間に誘電体層2がない構造であってもよい。
ものに限定されず、例えば基板1と光磁気記録層3との
間に誘電体層2がない構造であってもよい。
また、保護層4の上に接着層を介してカバー基板を貼着
した構造等、種々の変形が可能である。
した構造等、種々の変形が可能である。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、光磁気記
録層゛をRE−TH膜と活性金属膜との積層構造で構成
したので、従来のように活性金属膜をR[−用膜に合金
化した場合に比べ、磁気・光磁気特性の劣化が少なく、
かつ該活性金属を多口に混入できるために耐食性が向上
する。この耐食性の向上に起因して記録の安定性が著し
く良くなり、書込み、再生特性の経時的劣化も抑制でき
る。さらに、保護層に対する制限や要求も著しく緩和さ
れ、光磁気記録用媒体の分留りも向上し、従って媒体コ
ストの低減化という効果も期待できる。
録層゛をRE−TH膜と活性金属膜との積層構造で構成
したので、従来のように活性金属膜をR[−用膜に合金
化した場合に比べ、磁気・光磁気特性の劣化が少なく、
かつ該活性金属を多口に混入できるために耐食性が向上
する。この耐食性の向上に起因して記録の安定性が著し
く良くなり、書込み、再生特性の経時的劣化も抑制でき
る。さらに、保護層に対する制限や要求も著しく緩和さ
れ、光磁気記録用媒体の分留りも向上し、従って媒体コ
ストの低減化という効果も期待できる。
第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図、第2図はカー回転角特性図、第3図は光透過率
特性図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・誘電体層、3・・
・・・・光磁気記録層、3A・・・・・・RE−TH膜
、3B・・・・・・不働態形成活性金属膜またはその合
金膜(活性金属膜)、4・・・・・・保護層。
断面図、第2図はカー回転角特性図、第3図は光透過率
特性図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・誘電体層、3・・
・・・・光磁気記録層、3A・・・・・・RE−TH膜
、3B・・・・・・不働態形成活性金属膜またはその合
金膜(活性金属膜)、4・・・・・・保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に少なくとも光磁気記録層を形成すると共にそ
の光磁気記録層を保護する保護層を形成した光磁気記録
用媒体において、 前記光磁気記録層は、RE−Fe−Co合金からなる厚
みaの希土類−遷移金属非晶質合金膜と、厚みbの不働
態形成活性金属膜またはその合金膜とを、複数段積層し
て形成した組成変調多層膜とし、前記RE−Fe−Co
合金におけるREは、該RE−Fe−Co合金全体量の
18〜35原子%を持った希土類元素で、前記Feは鉄
で、前記Coは前記全体量の0〜20%を持ったコバル
トで、それぞれ構成し、 前記不働態形成活性金属膜またはその合金膜は、アルミ
ニウムAl、クロムCr、チタンTi、ジリコニウムZ
r、タングステンW、モリブデンMo、タンタルTa、
ニオブNbまたはバナジウムVのいずれか1種の金属、
あるいはそれら2種以上の合金で構成し、 さらに、前記厚みa、bの条件をa/b≧4、かつb≦
50Åとしたことを特徴とする光磁気記録用媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7591786A JPS62232738A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光磁気記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7591786A JPS62232738A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光磁気記録用媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62232738A true JPS62232738A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13590147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7591786A Pending JPS62232738A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光磁気記録用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62232738A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342054A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録媒体 |
JPS6421732A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Ricoh Kk | Magnetic-optical recording medium |
US4877690A (en) * | 1989-03-01 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Magnetooptical recording element |
JPH0296951A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-09 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154059A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気光学記録膜 |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP7591786A patent/JPS62232738A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154059A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気光学記録膜 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342054A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録媒体 |
JPS6421732A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Ricoh Kk | Magnetic-optical recording medium |
JPH0296951A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-09 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
US4877690A (en) * | 1989-03-01 | 1989-10-31 | Eastman Kodak Company | Magnetooptical recording element |
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