JPS6029996A - 光磁気記録担体 - Google Patents
光磁気記録担体Info
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- JPS6029996A JPS6029996A JP13754183A JP13754183A JPS6029996A JP S6029996 A JPS6029996 A JP S6029996A JP 13754183 A JP13754183 A JP 13754183A JP 13754183 A JP13754183 A JP 13754183A JP S6029996 A JPS6029996 A JP S6029996A
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- garnet
- magnetic
- magneto
- thin film
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はレーザー光を用いて情報の記録・再生・消去を
行う光磁気記録に係シ、特に性能指数を改善し、Ｓ／Ｎ
比を向上させた光磁気記録担体に関するものである。
行う光磁気記録に係シ、特に性能指数を改善し、Ｓ／Ｎ
比を向上させた光磁気記録担体に関するものである。
情報量の増大、愼器のコンパクト化と伴に記録密度は今
後益々萬密度化の傾向にあシ、高密度・大容量・情厭の
任意読み出し、簀き候え等々が可能な光磁気記録が最近
注目を浴びている。光磁気記録においては、換向と垂直
な方向に磁化容易軸のある磁性薄膜（垂直磁化膜）が用
いられ、光ビームによって任意の位置に反転磁区を作る
ことによって、それらの磁化の向きに対応して′１”。
後益々萬密度化の傾向にあシ、高密度・大容量・情厭の
任意読み出し、簀き候え等々が可能な光磁気記録が最近
注目を浴びている。光磁気記録においては、換向と垂直
な方向に磁化容易軸のある磁性薄膜（垂直磁化膜）が用
いられ、光ビームによって任意の位置に反転磁区を作る
ことによって、それらの磁化の向きに対応して′１”。
０”の２値情報が記録される。一方、かかる反転配球を
行なった２値信号の読み出しは、通常ポーラ−・カー効
果あるいは７アラデー効果を利用して行なう。
行なった２値信号の読み出しは、通常ポーラ−・カー効
果あるいは７アラデー効果を利用して行なう。
従来、これら光磁気記録用磁性薄膜として、ＭｎＢ１系
結晶負膜、布上婿−遷移金属系非晶買薄換、ガーネット
に代表される化合物単結晶薄膜等の垂直磁化薄膜が提粟
されている。中でも希土類−迩移金属系非晶貞薄膜は、
結晶粒界がないので媒体ノイズが小さく、大面積薄膜作
製が６易でおることから、現在最も有望視されている。
結晶負膜、布上婿−遷移金属系非晶買薄換、ガーネット
に代表される化合物単結晶薄膜等の垂直磁化薄膜が提粟
されている。中でも希土類−迩移金属系非晶貞薄膜は、
結晶粒界がないので媒体ノイズが小さく、大面積薄膜作
製が６易でおることから、現在最も有望視されている。
しかしこれら非晶質垂直磁化薄膜から、反射光を利用し
てポーラ−・カー効果によシ情報の絖み出しを行なう方
式においては、膜自体のカー回転角が小さいため、再生
信号レベル（Ｓ／Ｎ比）が低いという欠点がある。そこ
でこの再生信号レベルを高めるため、７アラデ一回転角
の比較的大きいガーネット系単結晶ｐｇ膜、あるいは反
射膜等を垂直磁性薄膜と組み仕わせて多層化することに
よ、！ＤＳ／Ｎ比向上が試みられている。
てポーラ−・カー効果によシ情報の絖み出しを行なう方
式においては、膜自体のカー回転角が小さいため、再生
信号レベル（Ｓ／Ｎ比）が低いという欠点がある。そこ
でこの再生信号レベルを高めるため、７アラデ一回転角
の比較的大きいガーネット系単結晶ｐｇ膜、あるいは反
射膜等を垂直磁性薄膜と組み仕わせて多層化することに
よ、！ＤＳ／Ｎ比向上が試みられている。
しかし、ガーネット系単結晶薄層と非晶質磁性薄膜の多
層膜では、カー回転角は約１．５倍に増力Ｕするが膜か
らの反射率が、非晶質磁性薄膜単独の場合と比べて約半
分に減するため、Ｓ／Ｎ比の大きな増加が得られず、ま
た単結晶薄膜を用いるため高価であ多いまた大面積化が
困難である。一方、反射膜を非晶質磁性薄膜に設けた多
層膜でもＳ／Ｎ比は約１．２倍程匿に増加するのみであ
る。
層膜では、カー回転角は約１．５倍に増力Ｕするが膜か
らの反射率が、非晶質磁性薄膜単独の場合と比べて約半
分に減するため、Ｓ／Ｎ比の大きな増加が得られず、ま
た単結晶薄膜を用いるため高価であ多いまた大面積化が
困難である。一方、反射膜を非晶質磁性薄膜に設けた多
層膜でもＳ／Ｎ比は約１．２倍程匿に増加するのみであ
る。
本発明の目的は、θｒ／αで表わされる性能指数の大き
い（ここでθＦは７アラデ一回転角、αは吸収係ｅ）、
保磁力が小さい、磁化曲線の角型比の高いＢｉ元累全含
有するガーネット系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着膜
を垂直磁化膜の上あるいは下に配設し、さらに金属反射
膜、非磁性ｄ゛亀体膜を備えた多層膜を形成することに
よシ、光磁気記録媒体の性能指数７１・θＫ（ここでＲ
は反射率、θにはカー回転角を表わす）を増加させ、実
用に十分逸した８／Ｎ比が得られる安価な光磁気配録担
体を提供することにある。
い（ここでθＦは７アラデ一回転角、αは吸収係ｅ）、
保磁力が小さい、磁化曲線の角型比の高いＢｉ元累全含
有するガーネット系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着膜
を垂直磁化膜の上あるいは下に配設し、さらに金属反射
膜、非磁性ｄ゛亀体膜を備えた多層膜を形成することに
よシ、光磁気記録媒体の性能指数７１・θＫ（ここでＲ
は反射率、θにはカー回転角を表わす）を増加させ、実
用に十分逸した８／Ｎ比が得られる安価な光磁気配録担
体を提供することにある。
磁性ガーネットが強磁性金属や合金に比べて、著しく光
に透明であシ、しかもファラデー効果が比較的大きいこ
とはよく知られている。特にＢｌを含む磁性ガーネット
は、Ｂｉ無添加のそれと比べて可視から近赤外光波長領
域まで性能指数（θＦ／α）が著しく大きくなシ、光応
用素子材料として優れた性質をもっている。
に透明であシ、しかもファラデー効果が比較的大きいこ
とはよく知られている。特にＢｌを含む磁性ガーネット
は、Ｂｉ無添加のそれと比べて可視から近赤外光波長領
域まで性能指数（θＦ／α）が著しく大きくなシ、光応
用素子材料として優れた性質をもっている。
本発明者等はこの光応用素子材料として優れた性質をも
つＢｉを含む磁性ガーネット系の博ｔ＆をスパッタ法あ
るいは蒸着法で作製することによυ大面積化を行ない、
垂直磁化金属磁性薄膜の片側に配設することによシ、そ
の記録情報を磁気転写させてカー効果のエンハンストを
図シ、磁性ガーネット系薄膜を設けたことによる反射率
の低下を、垂直磁性薄膜のもう一方の片側に金属反射膜
を設けて防ぎ、同時に反射膜による反射光が垂直磁性薄
膜とガーネット系薄膜を通過することによシさらにカー
回転角が増大する仁とを考案し、本発明に至った。また
この多層膜の反射膜上あるいはガーネット系薄膜上にＳ
ｉＯ２あるいはＳｉＯ等の非磁性訪亀体換を設けること
により、酸化防止効果あるいは誘電体膜内の多室反射に
よシカ−効果のエンハンストをさらに上げることも見い
出した。本発明の多層編構造において、金属磁性薄膜を
透過した光の反射膜での反射光によるカー効果のエンハ
ンスト、及び多層膜の反射率の増大効果をより有利にす
るためには、垂直磁化金属磁性薄膜の厚さを、連続均質
膜作製が比軟的容易な厚さ以上で、レーザー光が透過可
能な厚さ以下にすることが望ましく、そのために膜厚を
８０−１５００人にするのが望ましい。まｔｃＢｉを含
むガーネット糸洛膜が垂直磁化金属磁性薄膜に記録され
た情報を正確に磁気転写するためには、該ガーネット族
の保磁力Ｈａが小で、残留磁化が大きく、角型比が大で
あることが望ましい。また垂直磁化金属磁性薄膜の記録
情報を正確に磁気転写し、さらに磁気光学効果による再
生ノイズを低くするためには、よシ好ましくはガーネッ
ト系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着膜は非晶′Ｘ構造
であることが望ましい。
つＢｉを含む磁性ガーネット系の博ｔ＆をスパッタ法あ
るいは蒸着法で作製することによυ大面積化を行ない、
垂直磁化金属磁性薄膜の片側に配設することによシ、そ
の記録情報を磁気転写させてカー効果のエンハンストを
図シ、磁性ガーネット系薄膜を設けたことによる反射率
の低下を、垂直磁性薄膜のもう一方の片側に金属反射膜
を設けて防ぎ、同時に反射膜による反射光が垂直磁性薄
膜とガーネット系薄膜を通過することによシさらにカー
回転角が増大する仁とを考案し、本発明に至った。また
この多層膜の反射膜上あるいはガーネット系薄膜上にＳ
ｉＯ２あるいはＳｉＯ等の非磁性訪亀体換を設けること
により、酸化防止効果あるいは誘電体膜内の多室反射に
よシカ−効果のエンハンストをさらに上げることも見い
出した。本発明の多層編構造において、金属磁性薄膜を
透過した光の反射膜での反射光によるカー効果のエンハ
ンスト、及び多層膜の反射率の増大効果をより有利にす
るためには、垂直磁化金属磁性薄膜の厚さを、連続均質
膜作製が比軟的容易な厚さ以上で、レーザー光が透過可
能な厚さ以下にすることが望ましく、そのために膜厚を
８０−１５００人にするのが望ましい。まｔｃＢｉを含
むガーネット糸洛膜が垂直磁化金属磁性薄膜に記録され
た情報を正確に磁気転写するためには、該ガーネット族
の保磁力Ｈａが小で、残留磁化が大きく、角型比が大で
あることが望ましい。また垂直磁化金属磁性薄膜の記録
情報を正確に磁気転写し、さらに磁気光学効果による再
生ノイズを低くするためには、よシ好ましくはガーネッ
ト系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着膜は非晶′Ｘ構造
であることが望ましい。
以下兼通例によシ本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す記録担体の断面図を示
す。透明なガラスあるいは合成高分子樹脂等の基板（１
）の上面にＢｉ金含有ガーネット系薄膜（２）を、スパ
ッタリング法あるいは蒸着法等で形成し、該ガーネット
系薄膜（２）の上面に、磁化容易軸が膜面に垂直な磁性
薄膜（３）をスパッタリング法あるいは蒸着法で形成し
、然る後に同様の方法で彊属反射膜＋４）、ＳｉＯｘあ
るいはＳｉＯの非磁性誘電体膜（５）を形成させる。こ
こで垂直磁化薄膜（３）とにはＭｎ系あるいはＣｏ系結
晶質磁性＃ｌ膜、あるいはＲ，Ｅ−ＴＭ系系非晶質磁性
模膜ここで几ＥはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙｔ ＴＭはＦｅ、Ｃ
ｏから選ばれた少なくとも一つ以上の元素から成る）で
おれば良い。例えばガーネット系薄膜（２）として、厚
さ約０．４μｍＯ該非晶負膜を布上ｏ、ｙＹ２．５Ｆｅ
ｓＯｔｚ化合物の焼結体（径１００■φ）をターゲット
として用いてスパッタリング法で作製し、然る後真空蒸
庸法で垂直磁化膜として、厚さ約０．０４μｍのＦｅ、
ＣｏＨＴｂｘｒの非晶買換（３）を作製し、該ｐｅＣｏ
Ｔｂ非晶５ｊＬ換上に反射膜（４八非磁性膜（５）とし
て約０．１μｍのＡｔ膜とＳｉＣｈｍをそれぞれ形成さ
せた。この場合ガラス基板からのＨｅ−Ｎｅレーザー光
による該記録媒体の性能指数ｖＴｔ・θには約０．５で
、その再生Ｓ／Ｎ比は約５０ｄＢと従来の光磁気記録媒
体と比べて約１０ｄＢ向上した。
す。透明なガラスあるいは合成高分子樹脂等の基板（１
）の上面にＢｉ金含有ガーネット系薄膜（２）を、スパ
ッタリング法あるいは蒸着法等で形成し、該ガーネット
系薄膜（２）の上面に、磁化容易軸が膜面に垂直な磁性
薄膜（３）をスパッタリング法あるいは蒸着法で形成し
、然る後に同様の方法で彊属反射膜＋４）、ＳｉＯｘあ
るいはＳｉＯの非磁性誘電体膜（５）を形成させる。こ
こで垂直磁化薄膜（３）とにはＭｎ系あるいはＣｏ系結
晶質磁性＃ｌ膜、あるいはＲ，Ｅ−ＴＭ系系非晶質磁性
模膜ここで几ＥはＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙｔ ＴＭはＦｅ、Ｃ
ｏから選ばれた少なくとも一つ以上の元素から成る）で
おれば良い。例えばガーネット系薄膜（２）として、厚
さ約０．４μｍＯ該非晶負膜を布上ｏ、ｙＹ２．５Ｆｅ
ｓＯｔｚ化合物の焼結体（径１００■φ）をターゲット
として用いてスパッタリング法で作製し、然る後真空蒸
庸法で垂直磁化膜として、厚さ約０．０４μｍのＦｅ、
ＣｏＨＴｂｘｒの非晶買換（３）を作製し、該ｐｅＣｏ
Ｔｂ非晶５ｊＬ換上に反射膜（４八非磁性膜（５）とし
て約０．１μｍのＡｔ膜とＳｉＣｈｍをそれぞれ形成さ
せた。この場合ガラス基板からのＨｅ−Ｎｅレーザー光
による該記録媒体の性能指数ｖＴｔ・θには約０．５で
、その再生Ｓ／Ｎ比は約５０ｄＢと従来の光磁気記録媒
体と比べて約１０ｄＢ向上した。
第２図は他の実施例を示す配録担体の断面図であシ、透
明なガラスあるいは合成高分子樹脂等の基板ｆｌ）の上
面にＡｔ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属反射膜（４）をスパッタ
法あるいは蒸着法で形成し、更に該金橋反射膜上にスパ
ッタ法あるいは蒸着法で非晶質あるいは結晶質垂直磁化
膜（３）を形成させ、その垂直磁化膜（３）の上面にＢ
ｉ金含有ガーネット系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着
膜（２）全配設したものでるる。例えばガーネット系薄
膜（２）として、厚さ約０．２μｍのスパッタ非晶質膜
をＧｄ２ Ｂ ！ ｔＦ ｅｓＯ１ｔガーネット焼結体
をスパッタリングすることによシ作製し、当直磁化膜（
３）として、厚さ約０．０３μｍのＦｅ１２Ｔｂ２１１
非晶質磁性膜をスパッタ法で形成して、該垂直磁化膜（
５）の下面に厚さ約０．１μｍのＭｇ蒸宥腺を形成させ
た場合、ガーネット膜（２）側から偏光）１ ｅ −Ｎ
ｅレーザビームを照射し、前記非晶質垂直磁化膜（３
ンを通過し、反射膜（４）で反射され、再度非晶質垂直
磁化膜（３）とガーネット膜（２）を通過することによ
り生じる偏光面の回転角が、非晶質垂直磁化膜だけによ
るカー効果による回転角よりも約３倍大きくなシ、その
結果再生８／Ｎ比も第１図の多層膜と同様約１０ｄＢ向
上した。
明なガラスあるいは合成高分子樹脂等の基板ｆｌ）の上
面にＡｔ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属反射膜（４）をスパッタ
法あるいは蒸着法で形成し、更に該金橋反射膜上にスパ
ッタ法あるいは蒸着法で非晶質あるいは結晶質垂直磁化
膜（３）を形成させ、その垂直磁化膜（３）の上面にＢ
ｉ金含有ガーネット系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着
膜（２）全配設したものでるる。例えばガーネット系薄
膜（２）として、厚さ約０．２μｍのスパッタ非晶質膜
をＧｄ２ Ｂ ！ ｔＦ ｅｓＯ１ｔガーネット焼結体
をスパッタリングすることによシ作製し、当直磁化膜（
３）として、厚さ約０．０３μｍのＦｅ１２Ｔｂ２１１
非晶質磁性膜をスパッタ法で形成して、該垂直磁化膜（
５）の下面に厚さ約０．１μｍのＭｇ蒸宥腺を形成させ
た場合、ガーネット膜（２）側から偏光）１ ｅ −Ｎ
ｅレーザビームを照射し、前記非晶質垂直磁化膜（３
ンを通過し、反射膜（４）で反射され、再度非晶質垂直
磁化膜（３）とガーネット膜（２）を通過することによ
り生じる偏光面の回転角が、非晶質垂直磁化膜だけによ
るカー効果による回転角よりも約３倍大きくなシ、その
結果再生８／Ｎ比も第１図の多層膜と同様約１０ｄＢ向
上した。
第３図、第４図は記録担体の上下両面からポーラ−・カ
ー効果方式によ多情報の記録・再生を行なうことができ
、記録’Ｇ１１ｔを倍増したものの断面図でおる。第３
図では反射膜（４）の上下両面に垂直磁化膜の金属磁性
膜（３）、（３）を配置し、更に該谷金属磁性＃（３）
、（３）の上面にスパッタリング法によシ作製したＢｉ
含有ガーネット系薄膜（２）、（２）を形成し、更には
該ガーネット系薄膜（２）、（２）上に透明ガラスある
いは透明合成高分子樹脂膜を夫々配設している。また第
４図では８ｊＯｘあるいはＳｉＯ等の非磁性誘電体膜（
５）上に金属反射膜（４）、（４）を形成し、史に該谷
反射編上に垂直磁化膜（３）、（３）を形成し、更には
該各金属輯性膜（３Ｊ、＋３）上向にスパッタリング法
あるいは蒸着法によシ作製したＢｉ含有ガーネット系薄
膜＋２）、＋２）を形成し、該ガーネット膜（２）、（
２）上に透明ガラスあるいは透明合成高分子樹脂膜を夫
々配設している。上記第３図、第４図の記録担体は本質
的には前記第１図、第４図に記載した記録媒体を、各膜
層が中心Ｎ膜に対して対称になるように重ね合わせたも
のであシ、そのため各中心層の反射膜層（４）内あるい
は非磁性膜層（５）内に樹脂接着層があっても上記と同
様の効果が得られる。
ー効果方式によ多情報の記録・再生を行なうことができ
、記録’Ｇ１１ｔを倍増したものの断面図でおる。第３
図では反射膜（４）の上下両面に垂直磁化膜の金属磁性
膜（３）、（３）を配置し、更に該谷金属磁性＃（３）
、（３）の上面にスパッタリング法によシ作製したＢｉ
含有ガーネット系薄膜（２）、（２）を形成し、更には
該ガーネット系薄膜（２）、（２）上に透明ガラスある
いは透明合成高分子樹脂膜を夫々配設している。また第
４図では８ｊＯｘあるいはＳｉＯ等の非磁性誘電体膜（
５）上に金属反射膜（４）、（４）を形成し、史に該谷
反射編上に垂直磁化膜（３）、（３）を形成し、更には
該各金属輯性膜（３Ｊ、＋３）上向にスパッタリング法
あるいは蒸着法によシ作製したＢｉ含有ガーネット系薄
膜＋２）、＋２）を形成し、該ガーネット膜（２）、（
２）上に透明ガラスあるいは透明合成高分子樹脂膜を夫
々配設している。上記第３図、第４図の記録担体は本質
的には前記第１図、第４図に記載した記録媒体を、各膜
層が中心Ｎ膜に対して対称になるように重ね合わせたも
のであシ、そのため各中心層の反射膜層（４）内あるい
は非磁性膜層（５）内に樹脂接着層があっても上記と同
様の効果が得られる。
第５図は前記第３図、第４図で作製した記録媒体の各中
心層の反射層層内おるいは非磁性層内に空気層（６）を
該基板外周にスペーサーを入れることによシ設け、片側
の垂直磁化膜のもれ磁界が他方の垂直磁化膜の磁化の状
態に影響を与えないようにしたことを特徴としている。
心層の反射層層内おるいは非磁性層内に空気層（６）を
該基板外周にスペーサーを入れることによシ設け、片側
の垂直磁化膜のもれ磁界が他方の垂直磁化膜の磁化の状
態に影響を与えないようにしたことを特徴としている。
第５図の多ノー膜構造は特に保磁力の比較的小さい垂直
磁化膜を記録膜として用いた時に有効である。第５図で
（６）は窒気層（４）、（４）は反射膜、（３）、（３
）は膜に垂直に容易軸を有する金属磁性膜、＋２）、（
２）はスパッタリング法あるいは蒸着法によシ作製した
Ｂｉ含有ガーネット系薄膜、（１）、（１）は透明基板
を示す。
磁化膜を記録膜として用いた時に有効である。第５図で
（６）は窒気層（４）、（４）は反射膜、（３）、（３
）は膜に垂直に容易軸を有する金属磁性膜、＋２）、（
２）はスパッタリング法あるいは蒸着法によシ作製した
Ｂｉ含有ガーネット系薄膜、（１）、（１）は透明基板
を示す。
以上の説明から明らかなように、本発明の光磁気記録担
体は、本質的にはスパッタ法、蒸着法により垂直磁化膜
の片側の面上に金属反射膜を他方の片側の面上に１３ｉ
を含むガーネット系薄膜を形成してなることを特徴とし
ておシ、偏光ビームガーネット展側から入射した時、記
録担体の反射率を低下させずに、スパッタ法あるいは蒸
Ｎ法で作製した磁気光学効果の大きいＪ３ｉを含むガー
ネット系薄膜で、カー回転角が強調され、記録担体の性
能指数ＶＫ・θＸを向上し、再生Ｓ／Ｎ比を増大するの
に著しい効果があることがわかった。なお本発明の多）
＠膜構造では１３ｉを含むガーネット膜の代わりに磁気
光学効果の大きい透明磁性膜を用いても同じ効果を発揮
できることは明らかである。また透明基板上にスパッタ
法、蒸着法によシ形成したガーネット膜を熱処理するこ
とによシ、ガーネット膜の特性を段適化することも出来
る。
体は、本質的にはスパッタ法、蒸着法により垂直磁化膜
の片側の面上に金属反射膜を他方の片側の面上に１３ｉ
を含むガーネット系薄膜を形成してなることを特徴とし
ておシ、偏光ビームガーネット展側から入射した時、記
録担体の反射率を低下させずに、スパッタ法あるいは蒸
Ｎ法で作製した磁気光学効果の大きいＪ３ｉを含むガー
ネット系薄膜で、カー回転角が強調され、記録担体の性
能指数ＶＫ・θＸを向上し、再生Ｓ／Ｎ比を増大するの
に著しい効果があることがわかった。なお本発明の多）
＠膜構造では１３ｉを含むガーネット膜の代わりに磁気
光学効果の大きい透明磁性膜を用いても同じ効果を発揮
できることは明らかである。また透明基板上にスパッタ
法、蒸着法によシ形成したガーネット膜を熱処理するこ
とによシ、ガーネット膜の特性を段適化することも出来
る。
第１図乃至第５図は夫々いずれも本発明の実厖例におけ
る光磁気記録担体を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・Ｂｉを含むガーネット系薄
膜、３・・・垂直磁化膜、４・・・反射膜、５・・・非
磁性族、６第 １ （２） 第 ４ 図 第１頁の続き ０発 明 者 細 江 譲 国分寺市東恋ケ窪央研究所
内
る光磁気記録担体を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・Ｂｉを含むガーネット系薄
膜、３・・・垂直磁化膜、４・・・反射膜、５・・・非
磁性族、６第 １ （２） 第 ４ 図 第１頁の続き ０発 明 者 細 江 譲 国分寺市東恋ケ窪央研究所
内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明な基板上に、Ｂｉを含有するガーネット系化合
物のスパッタ膜あるいは蒸着膜を配設し、該薄膜の上面
に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する金属磁性膜を
備え、該金属磁性層の上面に金属反射族を設け、該反射
膜上に必要に応じて透明非磁性誘電体膜を順次形成した
ことを特徴とする光磁気記録担体。 ２、透明な基板上に金属反射膜を設け、該金属反射膜上
に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する金属磁性層
を配設し、該金属磁性層の上面にＢｉを含有するガーネ
ット系化合物のスパッタ膜あるいは蒸着膜を配設し、心
安に応じて非磁性防電体膜を順次形成したことを特徴と
する光磁気記録担体。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録担体におい
て、該記録担体の基板側が最外部になるようにお互に近
接あるいは密着配置したことを特徴とする光磁気記録担
体。 ４、％許請求のｋ１１１１１第１項乃至第３項のいずれ
かの項に記載の光磁気記録担体において、該ガーネット
系化合物のスパッタ族あるいは蒸着膜が優位的に非晶質
化していることを％徴とする光磁気記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754183A JPS6029996A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光磁気記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754183A JPS6029996A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光磁気記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029996A true JPS6029996A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15201094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13754183A Pending JPS6029996A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 光磁気記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029996A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316624U (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | ||
| US5932139A (en) * | 1994-03-17 | 1999-08-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance, fluorescent composition, fluorescent mark carrier and optical reader thereof |
| US7726792B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink tank for liquid printing apparatus, method of manufacturing same, liquid printing apparatus with same, and method of detecting remaining ink |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP13754183A patent/JPS6029996A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316624U (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | ||
| US5932139A (en) * | 1994-03-17 | 1999-08-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance, fluorescent composition, fluorescent mark carrier and optical reader thereof |
| US6303929B1 (en) | 1994-03-17 | 2001-10-16 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance, fluorescent composition, fluorescent mark carrier and optical reader therefor |
| US6436314B1 (en) | 1994-03-17 | 2002-08-20 | Hitachi Maxell, Ltd. | Particulate fluorescent substance |
| US6458294B2 (en) | 1994-03-17 | 2002-10-01 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent ink compositions |
| US6471887B2 (en) | 1994-03-17 | 2002-10-29 | Hitachi Maxell, Ltd. | Neodymium, ytterbium and/or erbium containing organic fluorescent compositions |
| US6688789B2 (en) | 1994-03-17 | 2004-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Fluorescent substance, fluorescent composition, fluorescent mark carrier and optical reader therefor |
| US7726792B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink tank for liquid printing apparatus, method of manufacturing same, liquid printing apparatus with same, and method of detecting remaining ink |
| US8240826B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink tank for liquid printing apparatus, method of manufacturing same, liquid printing apparatus with same, and method of detecting remaining ink |
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