JPS6149728B2 - - Google Patents
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- JPS6149728B2 JPS6149728B2 JP56081970A JP8197081A JPS6149728B2 JP S6149728 B2 JPS6149728 B2 JP S6149728B2 JP 56081970 A JP56081970 A JP 56081970A JP 8197081 A JP8197081 A JP 8197081A JP S6149728 B2 JPS6149728 B2 JP S6149728B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小スポツト状に絞つた光を照射して
デイスク上の記録媒体に情報を記録しまた記録さ
れた情報を再生する光学装置に関し、特に記録媒
体上での微小スポツト光の大きさが記録再生動作
に対し常に最適径に保持されるように焦点制御を
行ないまた記録再生動作においてデイスクの情報
が記録されたトラツク上に常に正確に微少スポツ
ト光が照射されるようにトラツキング制御を行な
う光学装置に関するものである。
デイスク上の記録媒体に情報を記録しまた記録さ
れた情報を再生する光学装置に関し、特に記録媒
体上での微小スポツト光の大きさが記録再生動作
に対し常に最適径に保持されるように焦点制御を
行ないまた記録再生動作においてデイスクの情報
が記録されたトラツク上に常に正確に微少スポツ
ト光が照射されるようにトラツキング制御を行な
う光学装置に関するものである。
デイスクに記録された情報を光学的に再生する
手段としてはVLP等のようなビデオデイスクがよ
く知られている。ビデオデイスクでは、直径約1
μm程度に絞つたスポツト光を焦点制御、トラツ
キング制御等の制御を行ないながらあらかじめ記
録された情報トラツク上に照射し、トラツク上を
正しく追跡することによつて情報が再生される。
しかしながら、ビデオデイスクのデイスク板は読
取動作において高速で回転駆動されるため、回転
時の面振れあるいは外部振動等によつてスポツト
光照射点の位置が絶えず変動する。従つて、情報
を正確に読取るためにはこのデイスク板の位置変
動を追従してスポツト光の焦点制御及びトラツキ
ング制御を確実に行なうことが要求され、デイス
ク板及び情報トラツクの位置検出機構及びスポツ
ト光照射系の駆動制御機構が必要となる。
手段としてはVLP等のようなビデオデイスクがよ
く知られている。ビデオデイスクでは、直径約1
μm程度に絞つたスポツト光を焦点制御、トラツ
キング制御等の制御を行ないながらあらかじめ記
録された情報トラツク上に照射し、トラツク上を
正しく追跡することによつて情報が再生される。
しかしながら、ビデオデイスクのデイスク板は読
取動作において高速で回転駆動されるため、回転
時の面振れあるいは外部振動等によつてスポツト
光照射点の位置が絶えず変動する。従つて、情報
を正確に読取るためにはこのデイスク板の位置変
動を追従してスポツト光の焦点制御及びトラツキ
ング制御を確実に行なうことが要求され、デイス
ク板及び情報トラツクの位置検出機構及びスポツ
ト光照射系の駆動制御機構が必要となる。
本発明は、上述の焦点制御とトラツキング制御
を簡単な光学系で行なうことのできるピツクアツ
プ装置に焦点検出機構とトラツキング検出機構を
備えた新規有用な光学装置を提供することを目的
とするものである。
を簡単な光学系で行なうことのできるピツクアツ
プ装置に焦点検出機構とトラツキング検出機構を
備えた新規有用な光学装置を提供することを目的
とするものである。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。
がら詳説する。
第1図は本発明を用いたピツクアツプ装置の一
実施例を示す構成図である。
実施例を示す構成図である。
半導体レーザ1から放射されたレーザ光はその
偏光面が紙面と平行になるように設定されている
ため、偏光膜を有するビームスプリツター2に入
射した場合、偏光膜の有する特性によつてビーム
スプリツター2をほぼ完全に透過しコリメートレ
ンズ3に入射する。コリメートレンズ3によつて
平行にされた光束はλ/4板4を通過することに
より円偏光に変換された後、対物レンズ5に入射
される。対物レンズ5を出射した光束は集光され
て対物レンズ5の焦点位置に配置されたデイスク
6面上に微少な光スポツトを形成する。デイスク
6面から反射された光束は入射時の光束に対し逆
回りの円偏光になつて再び対物レンズ5に入射さ
れ、合焦状態で平行光束となりλ/4板4に入射
する。λ/4板4を出射した光束は入射時の光束
に対し直線偏光の向きが90゜変換され、再びコリ
メートレンズ3を通過した後偏光膜を有するビー
ムスプリツター2に入射され、ビームスプリツタ
ー2でほぼ完全に反射し検出器8に入射される。
偏光面が紙面と平行になるように設定されている
ため、偏光膜を有するビームスプリツター2に入
射した場合、偏光膜の有する特性によつてビーム
スプリツター2をほぼ完全に透過しコリメートレ
ンズ3に入射する。コリメートレンズ3によつて
平行にされた光束はλ/4板4を通過することに
より円偏光に変換された後、対物レンズ5に入射
される。対物レンズ5を出射した光束は集光され
て対物レンズ5の焦点位置に配置されたデイスク
6面上に微少な光スポツトを形成する。デイスク
6面から反射された光束は入射時の光束に対し逆
回りの円偏光になつて再び対物レンズ5に入射さ
れ、合焦状態で平行光束となりλ/4板4に入射
する。λ/4板4を出射した光束は入射時の光束
に対し直線偏光の向きが90゜変換され、再びコリ
メートレンズ3を通過した後偏光膜を有するビー
ムスプリツター2に入射され、ビームスプリツタ
ー2でほぼ完全に反射し検出器8に入射される。
第2図は本発明を用いたピツクアツプ装置の他
の実施例を示す構成図である。
の実施例を示す構成図である。
本実施例の場合、半導体レーザ1から放射され
たレーザ光はまずコリメートレンズ3に入射さ
れ、平行光速にされた後ビームスプリツター2に
入射され、その後第1図と同様にλ/4板4、対
物レンズ5を透過した後デイスク6に集光され
る。デイスク6面から反射された光束は第1図と
同様に対物レンズ5、λ/4板4を透過後ビーム
スプリツター2に入射され、ビームスプリツター
2でほぼ完全に反射しカツプリングレンズ7に入
射される。カツプリングレンズ7を通過したレー
ザ光は検出器8上に所定のビーム径で入射する。
たレーザ光はまずコリメートレンズ3に入射さ
れ、平行光速にされた後ビームスプリツター2に
入射され、その後第1図と同様にλ/4板4、対
物レンズ5を透過した後デイスク6に集光され
る。デイスク6面から反射された光束は第1図と
同様に対物レンズ5、λ/4板4を透過後ビーム
スプリツター2に入射され、ビームスプリツター
2でほぼ完全に反射しカツプリングレンズ7に入
射される。カツプリングレンズ7を通過したレー
ザ光は検出器8上に所定のビーム径で入射する。
第3図は上述の実施例で用いた検出器8の受光
面の配置を示す構成図である。この検出器8の受
光面は両側に大きな受光面をもつ1組の分割検出
器8−a,8−bと中央部に小さな受光面をもつ
1組の分割検出器8−c,8−dからなつてお
り、各分割検出器の境界方向が同一になるように
配置されている。又検出器8は第1図ではコリメ
ートレンズ3の光軸上に、第2図ではカツプリン
グレンズ7の光軸上に検出器中心が一致するよう
に垂直に設置されており、コリメートレンズ3あ
るいはカツプリングレンズ7からの検出器8まで
の間隔は検出器8の大きさを、コリメートレンズ
3あるいはカツプリングレンズ7の焦点距離及び
口径で決まる所定の位置に設定されている。
面の配置を示す構成図である。この検出器8の受
光面は両側に大きな受光面をもつ1組の分割検出
器8−a,8−bと中央部に小さな受光面をもつ
1組の分割検出器8−c,8−dからなつてお
り、各分割検出器の境界方向が同一になるように
配置されている。又検出器8は第1図ではコリメ
ートレンズ3の光軸上に、第2図ではカツプリン
グレンズ7の光軸上に検出器中心が一致するよう
に垂直に設置されており、コリメートレンズ3あ
るいはカツプリングレンズ7からの検出器8まで
の間隔は検出器8の大きさを、コリメートレンズ
3あるいはカツプリングレンズ7の焦点距離及び
口径で決まる所定の位置に設定されている。
次に第4図に従つて焦点制御を行なうための合
焦、非合焦状態を検出する原理について説明す
る。第4図では理解を容易にするため、光がデイ
スク6から反射して検出器8に入射するまでを図
示し、対物レンズ5とコリメートレンズ3あるい
はカツプリングレンズ7を1個の対物レンズ9で
代用している。また、対物レンズ9とデイスク6
との各位置での検出器上に照射される光スポツト
10の形状も合せて図示する。
焦、非合焦状態を検出する原理について説明す
る。第4図では理解を容易にするため、光がデイ
スク6から反射して検出器8に入射するまでを図
示し、対物レンズ5とコリメートレンズ3あるい
はカツプリングレンズ7を1個の対物レンズ9で
代用している。また、対物レンズ9とデイスク6
との各位置での検出器上に照射される光スポツト
10の形状も合せて図示する。
まず第4図bに示すように合焦位置ではデイス
ク6から反射してきた光束は検出器8上に光スポ
ツト10−b形状で照射され、この時中央の2個
の分割検出器8−c,8−dの出力の和と両側の
2個の分割検出器8−a,8−bの出力の和が相
等しくなるように検出器8が設置される。従つ
て、中央の2個の分割検出器8−cと8−dの出
力の和Vc+Vdと両側の2個の分割検出器8−a
と8−bの出力の和Va+Vbとの差VFはVF=
(Va+Vb)−(Vc+Vd)=Oとなる。しかしながら
デイスク6が合焦状態からずれて、対物レンズ9
から遠ざかるにつれ検出器8上の光スポツト10
−aは小さくなり、このため両側の2個の分割検
出器8−a,8−bへの入射光量は少なくなり、
一方中央の2個の分割検出器8−c,8−dへの
入射光量は増加する。このため中央の2個の分割
検出器8−c,8−dの出力の和Vc+Vdと両側
の2個の分割検出器8−a,8−bの出力の和
Va+Vbとに出力差VF(キO)が現われる。
ク6から反射してきた光束は検出器8上に光スポ
ツト10−b形状で照射され、この時中央の2個
の分割検出器8−c,8−dの出力の和と両側の
2個の分割検出器8−a,8−bの出力の和が相
等しくなるように検出器8が設置される。従つ
て、中央の2個の分割検出器8−cと8−dの出
力の和Vc+Vdと両側の2個の分割検出器8−a
と8−bの出力の和Va+Vbとの差VFはVF=
(Va+Vb)−(Vc+Vd)=Oとなる。しかしながら
デイスク6が合焦状態からずれて、対物レンズ9
から遠ざかるにつれ検出器8上の光スポツト10
−aは小さくなり、このため両側の2個の分割検
出器8−a,8−bへの入射光量は少なくなり、
一方中央の2個の分割検出器8−c,8−dへの
入射光量は増加する。このため中央の2個の分割
検出器8−c,8−dの出力の和Vc+Vdと両側
の2個の分割検出器8−a,8−bの出力の和
Va+Vbとに出力差VF(キO)が現われる。
一方、第4図cに示すようにデイスク6が合焦
状態からずれて対物レンズ6に接近すると結像位
置は後方に移行し、図に示すように検出器8上で
の光スポツト10−cは大きくなる。このため両
側の2個の分割検出器8−a,8−bへの入射光
量は増大し、中央の2個の分割検出器8−c,8
−dへの入射光量は減少する。このため中央の2
個の分割検出器8−c,8−dの出力の和Vc+
Vdと両側の2個の分割検出器8−a,8−bの
出力の和Va+Vbとに第4図aの場合と逆符号の
出力差VFが現われる。
状態からずれて対物レンズ6に接近すると結像位
置は後方に移行し、図に示すように検出器8上で
の光スポツト10−cは大きくなる。このため両
側の2個の分割検出器8−a,8−bへの入射光
量は増大し、中央の2個の分割検出器8−c,8
−dへの入射光量は減少する。このため中央の2
個の分割検出器8−c,8−dの出力の和Vc+
Vdと両側の2個の分割検出器8−a,8−bの
出力の和Va+Vbとに第4図aの場合と逆符号の
出力差VFが現われる。
このようにして中央の2個の分割検出器8−
c,8−dからの出力と両側の2個の分割検出器
8−a,8−bからの出力との出力差VFから、
合焦位置を境としてデイスク6位置に対応した符
号の信号が検出されることになる。次に第4図a
に示す位置よりも更にデイスク6が対物レンズ9
より遠ざかつた場合にはレーザ光は検出器8前方
で結像した後各受光面に照射されるため検出器8
上の光スポツトはしだいに大きくなる。このため
中央の2個の分割検出器8−c,8−dからの出
力の和Vc+Vdと両側の2個の分割検出器8−
a,8−bからの出力の和Va+Vbとの出力差VF
はデイスク6位置が更に対物レンズ9から遠ざか
るにつれて第4図bから第4図cに示すデイスク
位置を経由して得られる出力差VFと同じ符号の
出力差VFが得られる。
c,8−dからの出力と両側の2個の分割検出器
8−a,8−bからの出力との出力差VFから、
合焦位置を境としてデイスク6位置に対応した符
号の信号が検出されることになる。次に第4図a
に示す位置よりも更にデイスク6が対物レンズ9
より遠ざかつた場合にはレーザ光は検出器8前方
で結像した後各受光面に照射されるため検出器8
上の光スポツトはしだいに大きくなる。このため
中央の2個の分割検出器8−c,8−dからの出
力の和Vc+Vdと両側の2個の分割検出器8−
a,8−bからの出力の和Va+Vbとの出力差VF
はデイスク6位置が更に対物レンズ9から遠ざか
るにつれて第4図bから第4図cに示すデイスク
位置を経由して得られる出力差VFと同じ符号の
出力差VFが得られる。
第5図は対物レンズ9にデイスク6を密着させ
順次対物レンズ9から遠ざけていつた場合の2組
の検出器の出力差VFの変化を示す説明図であ
る。図中Pa,Pb,Pcはそれぞれ第4図a,b,
cの位置に対応する。
順次対物レンズ9から遠ざけていつた場合の2組
の検出器の出力差VFの変化を示す説明図であ
る。図中Pa,Pb,Pcはそれぞれ第4図a,b,
cの位置に対応する。
このように2組の検出器の出力差JF=(Va+
Vb)−(Vc+Vd)が雰になるデイスク位置は第4
図bの合焦点位置と擬合焦点位置の2ケ所存在す
るが例えばデイスク6を対物レンズ9から順次遠
ざけて行くことによつて出力差VFが正符号ら負
符号に変化する位置が合焦状態で、負符号から正
符号に変化する位置が擬合焦状態となり区別する
ことができる。また、デイスク6を対物レンズ9
に近付けていく場合は上記の場合と逆になること
は明らかであり、出力差VF′=(Vc+Vd)−(Va
+Vd)を得る場合も同様に上記の場合と逆にな
ることは明らかである。このように2組の検出器
の出力差VFの変化の様子をみれば合焦状態と擬
合焦状態との区別を行うことができる。
Vb)−(Vc+Vd)が雰になるデイスク位置は第4
図bの合焦点位置と擬合焦点位置の2ケ所存在す
るが例えばデイスク6を対物レンズ9から順次遠
ざけて行くことによつて出力差VFが正符号ら負
符号に変化する位置が合焦状態で、負符号から正
符号に変化する位置が擬合焦状態となり区別する
ことができる。また、デイスク6を対物レンズ9
に近付けていく場合は上記の場合と逆になること
は明らかであり、出力差VF′=(Vc+Vd)−(Va
+Vd)を得る場合も同様に上記の場合と逆にな
ることは明らかである。このように2組の検出器
の出力差VFの変化の様子をみれば合焦状態と擬
合焦状態との区別を行うことができる。
尚、第4図dに示すように合焦状態で結像点よ
り後方に検出器8を設置しても上記と同じ原理に
従つてデイスク6の合焦位置を境としてデイスク
6位置により互いに逆符号の信号が検出され、合
焦位置と擬合焦位置の区別も行なうことができ
る。
り後方に検出器8を設置しても上記と同じ原理に
従つてデイスク6の合焦位置を境としてデイスク
6位置により互いに逆符号の信号が検出され、合
焦位置と擬合焦位置の区別も行なうことができ
る。
次に第6図a,b,cに従つてトラツキング制
御を行なうためのトラツク位置を検出する原理に
ついて説明する。第6図にはトラツク上のピツト
11と集光スポツト光13の各位置関係とそれに
対応する検出器8への入射光スポツト10−b、
ピツト像12の模式図を示している。
御を行なうためのトラツク位置を検出する原理に
ついて説明する。第6図にはトラツク上のピツト
11と集光スポツト光13の各位置関係とそれに
対応する検出器8への入射光スポツト10−b、
ピツト像12の模式図を示している。
まず第6図bに示す如く、ピツト11中心とス
ポツト光中心が合致するようにトラツク上に光が
照射されているときには検出器上の入射光スポツ
ト10−bの中央にピツト像12ができる。この
ため検出器8の図中上半分の2個の分割検出器8
−aと8−cの和の出力Va+Vcと下半分の2個
の分割検出器8−bと8−dの和の出力Vb+Vd
は相等しくなり、分割検出器8−aと8−cの和
に対応する出力と、分割検出器8−bと8−dの
和に対応する出力の差VT=(Va+Vc)−(Vb+
Vd)は雰になる。
ポツト光中心が合致するようにトラツク上に光が
照射されているときには検出器上の入射光スポツ
ト10−bの中央にピツト像12ができる。この
ため検出器8の図中上半分の2個の分割検出器8
−aと8−cの和の出力Va+Vcと下半分の2個
の分割検出器8−bと8−dの和の出力Vb+Vd
は相等しくなり、分割検出器8−aと8−cの和
に対応する出力と、分割検出器8−bと8−dの
和に対応する出力の差VT=(Va+Vc)−(Vb+
Vd)は雰になる。
次に第6図aに示す如くピツト11中心がスポ
ツト光13中心からはずれ、図中では上方に移行
した場合には、検出器上の入射光スポツト10−
bの上方にピツト像12ができピツト像12部分
は光量が減少する。このため検出器8の図中の上
半分の2個の分割検出器8−aと8−cの和の出
力Va+Vcは下半分の2個の分割検出器8−bと
8−dの和の出力Vb+Vdより小さくなり図中の
分割検出器8−aと8−cの和に対応する出力
Va+Vcと分割検出器8−bと8−dの和に対応
する出力Vb+Vdの差VTが現われる。
ツト光13中心からはずれ、図中では上方に移行
した場合には、検出器上の入射光スポツト10−
bの上方にピツト像12ができピツト像12部分
は光量が減少する。このため検出器8の図中の上
半分の2個の分割検出器8−aと8−cの和の出
力Va+Vcは下半分の2個の分割検出器8−bと
8−dの和の出力Vb+Vdより小さくなり図中の
分割検出器8−aと8−cの和に対応する出力
Va+Vcと分割検出器8−bと8−dの和に対応
する出力Vb+Vdの差VTが現われる。
一方第6図cに示す如くピツト11中心がスポ
ツト光13中心からずれて図中では下方に移行し
た場合は、第6図aとは逆の結果になり検出器上
の入射光スポツト10−bの下方にピツト像12
ができる。このため、検出器8の図中上半分の2
個の分割検出器8−aと8−cの和の出力Va+
Vcは下半分の2個の分割検出器8−bと8−d
の和の出力Vb+Vdより大きくなるため図中の分
割検出器8−aと8−cの和に対応する出力Va
+Vcと分割検出器8−bと8−dの和に対応す
る出力Vb+Vdの差VTが現われる。
ツト光13中心からずれて図中では下方に移行し
た場合は、第6図aとは逆の結果になり検出器上
の入射光スポツト10−bの下方にピツト像12
ができる。このため、検出器8の図中上半分の2
個の分割検出器8−aと8−cの和の出力Va+
Vcは下半分の2個の分割検出器8−bと8−d
の和の出力Vb+Vdより大きくなるため図中の分
割検出器8−aと8−cの和に対応する出力Va
+Vcと分割検出器8−bと8−dの和に対応す
る出力Vb+Vdの差VTが現われる。
即ち、第6図aのようにピツト11中心がスポ
ツト光13中心より上方に位置した場合と、第6
図cのように下方に位置した場合とでは第6図b
のようにピツト11中心とスポツト光13中心が
一致した状態を境にして、分割検出器8−aと8
−cの和に対応する出力Va+Vcと分割検出器8
−bと8−dの和に対応する出力Vb+Vdは反転
するため分割検出器8−aと8−cの和に対応す
る出力Va+Vcと分割検出器8−bと8−dの和
に対応する出力Vb+Vdの差動増幅を行なうこと
によつてピツト位置即ちトラツク位置に対応した
互いに逆符号の信号が検出されることになる。
ツト光13中心より上方に位置した場合と、第6
図cのように下方に位置した場合とでは第6図b
のようにピツト11中心とスポツト光13中心が
一致した状態を境にして、分割検出器8−aと8
−cの和に対応する出力Va+Vcと分割検出器8
−bと8−dの和に対応する出力Vb+Vdは反転
するため分割検出器8−aと8−cの和に対応す
る出力Va+Vcと分割検出器8−bと8−dの和
に対応する出力Vb+Vdの差動増幅を行なうこと
によつてピツト位置即ちトラツク位置に対応した
互いに逆符号の信号が検出されることになる。
第7図はトラツク位置検出信号の1例を示す説
明図であり、トラツクずれに対する和信号及び差
信号VTの変化を表わしている。図中のPb′は第6
図bの位置に対応する信号である。
明図であり、トラツクずれに対する和信号及び差
信号VTの変化を表わしている。図中のPb′は第6
図bの位置に対応する信号である。
このようにして得られたデイスク位置検出信号
とトラツク位置検出信号を各々の制御用コイルに
帰還して焦点制御、トラツキング制御を行なうこ
とにより常に合焦状態で正確にトラツク上にスポ
ツト光を照射することができ、安定した情報再生
動作が確立される。
とトラツク位置検出信号を各々の制御用コイルに
帰還して焦点制御、トラツキング制御を行なうこ
とにより常に合焦状態で正確にトラツク上にスポ
ツト光を照射することができ、安定した情報再生
動作が確立される。
尚、トラツク位置を検出するには上半分の2個
の分割検出器8−aと8−cの和の出力と下半分
の2個の分割検出器8−bと8−dの和の出力の
差の出力VTを検出するだけでなく、上下各一対
の分割検出器の出力の差の出力例えば分割検出器
8−aと分割検出器8−bの差の出力または分割
検出器8−cと分割検出器8−dの差の出力を検
出することによつても同様の原理によりトラツク
位置を検出することができる。
の分割検出器8−aと8−cの和の出力と下半分
の2個の分割検出器8−bと8−dの和の出力の
差の出力VTを検出するだけでなく、上下各一対
の分割検出器の出力の差の出力例えば分割検出器
8−aと分割検出器8−bの差の出力または分割
検出器8−cと分割検出器8−dの差の出力を検
出することによつても同様の原理によりトラツク
位置を検出することができる。
以上詳述したように少なくとも三分割された光
検出器よりなる検出器系を用いることによつて焦
合制御とトラツキング制御を簡単な光学系で行な
うことのできる焦点制御機構及びトラツク制御機
構を備えたピツクアツプ光学系を構成することが
でき、情報読取を確実に実行し得る光学装置が得
られる。
検出器よりなる検出器系を用いることによつて焦
合制御とトラツキング制御を簡単な光学系で行な
うことのできる焦点制御機構及びトラツク制御機
構を備えたピツクアツプ光学系を構成することが
でき、情報読取を確実に実行し得る光学装置が得
られる。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明のデイスク
位置検出系を有するピツクアツプ装置の1実施例
を示す構成図である。第3図は第1図及び第2図
に示す検出器の1実施例を示す説明図である。第
4図は焦点誤差検出機構の原理を説明する説明図
である。第5図はデイスク位置検出信号の1実施
例を示す説明図である。第6図はトラツク誤差検
出機構の原理を説明する説明図である。第7図は
トラツク位置検出信号の1実施例を示す説明図で
ある。 1……半導体レーザ素子、2……ゲ−ムスプリ
ツター、3……コリメートレンズ、4……λ/4
板、5……対物レンズ、6……デイスク、7……
カツプリングレンズ、8……検出器、9……対物
レンズ、10−a〜10−d……入射スポツト
光、11……ピツト、12……ピツト像、13…
…集光スポツト。
位置検出系を有するピツクアツプ装置の1実施例
を示す構成図である。第3図は第1図及び第2図
に示す検出器の1実施例を示す説明図である。第
4図は焦点誤差検出機構の原理を説明する説明図
である。第5図はデイスク位置検出信号の1実施
例を示す説明図である。第6図はトラツク誤差検
出機構の原理を説明する説明図である。第7図は
トラツク位置検出信号の1実施例を示す説明図で
ある。 1……半導体レーザ素子、2……ゲ−ムスプリ
ツター、3……コリメートレンズ、4……λ/4
板、5……対物レンズ、6……デイスク、7……
カツプリングレンズ、8……検出器、9……対物
レンズ、10−a〜10−d……入射スポツト
光、11……ピツト、12……ピツト像、13…
…集光スポツト。
Claims (1)
- 1 デイスク面上の記録トラツクに対し微少スポ
ツト光を照射して光学的に情報の記録再生を実行
する光学情報処理装置に於いて、前記デイスク面
が前記微少スポツト光の合焦位置でその反射光が
検出光学系に結像される結像位置の前方あるいは
後方に少なくとも三分割されかつ1列に近接して
配置され、両側の検出器の受光面積が中央部の受
光面積に比べて充分大きくかつ中央部の検出器の
配列方向と垂直方向の寸法が両側の検出器に比べ
て短かくなるように配置された検出器を配設し、
両側の2個の検出器と中央の検出器の出力差を焦
点位置検出信号とするとともに両側の検出器の出
力差若しくは中央の検出器を2分割しその1組の
検出器の出力差あるいは両側の各々の検出器と同
じ側にある2分割された中央の検出器の2組の和
の出力の出力差をトラツク位置検出信号とし、前
記焦点位置検出信号及びトラツク位置検出信号に
基いて焦点制御及びトラツキング制御を実行する
ようにしたことを特徴とする光学式情報処理装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8197081A JPS57198547A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Optical information processor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8197081A JPS57198547A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Optical information processor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57198547A JPS57198547A (en) | 1982-12-06 |
JPS6149728B2 true JPS6149728B2 (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13761346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8197081A Granted JPS57198547A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Optical information processor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57198547A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5870434A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-26 | Toshiba Corp | 光学ヘツド |
JPS59215029A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 光学情報再生装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5644126A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-23 | Sony Corp | Optical signal head |
-
1981
- 1981-05-28 JP JP8197081A patent/JPS57198547A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5644126A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-23 | Sony Corp | Optical signal head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57198547A (en) | 1982-12-06 |
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