JPS6142796A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

Info

Publication number
JPS6142796A
JPS6142796A JP59164388A JP16438884A JPS6142796A JP S6142796 A JPS6142796 A JP S6142796A JP 59164388 A JP59164388 A JP 59164388A JP 16438884 A JP16438884 A JP 16438884A JP S6142796 A JPS6142796 A JP S6142796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage
refresh
control part
control unit
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59164388A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Kushii
学 櫛井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59164388A priority Critical patent/JPS6142796A/ja
Publication of JPS6142796A publication Critical patent/JPS6142796A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は一定周期で記憶内容のリフレッシュ(ref
resh) f必要とするダイナミックメモリ素子を使
用した記憶装置に関し、特に停電時における記憶内容の
保持に関するものである。
〔従来技術〕
従来この狸の装置として第1図に示すものがあった。図
において、+I+はダイナミックメモリ素子で(1q成
された記憶部、(2)は記憶部全制御する記憶制御部、
(31は記憶制御部(2)内に含まれ、ダイナミックメ
モリ素子を定期的にリフレッシュするリフレッシュ制御
部である。+41 、 [51はそれぞれ信号を表し、
たとえば信号(41は書込み/読出しの制御信号、アド
レス信号、データ信号から構成され、信号15+はリフ
レッシュのため順次変化するアドレス信号から構成され
る。
ダイナミックメモリ素子では電荷によって情報を記憶し
ているので、時間と共にこの電荷が自然放電して記憶し
た情報が漸次不鮮明にな、るので、定期的に再充電しな
ければならない。この再充電は記憶装置+11内の任意
のアドレスからデータを読出しこの読出したデータをそ
のアドレスへ書込むことによって行われ、アドレスを順
次変化して行って、記憶装置(11内のすべてのデータ
に対して再充電を行うことができる。このような動作全
リフレッシュと言い、この製作はリフレッシュ制御部(
3)によシ行われる。
リフレッシュ制御部(3)を除く記憶制御部(2)では
記憶部[11のアドレスを指定してそのアドレスに新し
いデータを誓込み、又はそのアドレスのデータを読出す
したがって信号(4)に含まれるアドレス信号と信号(
51に含まれるアドレス信号とは記憶制御部(21内の
アドレスカウンタによって共通に生成される場合もちυ
、また、信号(4)によって記憶部(1)へアクセスし
ている間は信号[51によってリフレッシュ全行わない
よう記憶制御部(21内で制御する。
停電時に、記憶部(υの記憶内容が消されないようにす
るためには、記憶部il+と記憶制御部(2)とへ電池
電源を供給し、周期的なリフレッシュの実行を継続しな
けれはならない。
従来の装置は以上のように構成されており、記憶flu
ff (1111部(2)には高速化のため仄L (e
mitt ercoupled logic )素子を
使用することもちゃ、これ圧電源供給するための電池電
源が複雑になシ、かつ容量も大きくなるという欠点があ
った。
〔発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、この発明では記憶制御部とは別に
リフレッシュ制御部を設け、停電時には記憶部とリフレ
ッシュ制御部とにだけ電池電源を供給するようにして、
電源供給の設計を簡単にし、電池′[電源の消費を少な
くしたものである。
〔発明の実施例〕
以下この発明の実施例を図面について説明する。
第2図はこの発IJIJの一実施例金示すブロック図で
第1図と同一符号は同−又は相当部分を示し、(2a)
はリフレッシュ制御部を含まない記憶制御部、(3a)
は記憶制御部とは別に設けられたリフレッシュ制御部、
+61 Vi競合制御部、(7)はリフレッシュ要求信
号である。
リフレッシュ制御部(3&)は記憶制御部(2a)から
分離して設けられているためリフレッシュ制御のために
必要なすべての機能を備えていなければならない。すな
わち、たとえば、信号(5)として送出する順次変化す
るアドレス信号を生成するためのアドレスカウンタ(こ
の明細書ではこのアドレスカウンタをリフレッシュカウ
ンタという)及びこのリフレッシュカウンタに入力する
クロックパルスを発生するクロック発振器はリフレッシ
ュ制御部(3a)に内蔵される。
競合制御部(6)はリフレッシュ制御部(3a)から記
憶部(1)へのアクセス安来信号であるリフレッシュ要
求信号(7)ヲ受けて、記憶制御部(2a)からのアク
セス要求との間の競合全制御し、優先すべきアクセス要
求に対し許可を与える。
停電時の′1池′亀源は記憶部(1)とリフレッシュ制
御部(3a)だけに供給され、かつ競合制御部;6)は
機能を停止し、リフレッシュ制御部(3a)が随時記憶
部(1)にアクセスできるように接続される。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、停′亀時には記憶部と
リフレッシュ制御部だけに電池電源を供給するようにし
たので、電源回路が簡単になり、電池電源の消費を抑制
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の装置を示すブロック図、第2図はこの発
明の一実施例を示すブロック図である。 ■・・・記憶部、(2a)・・・記憶制御部、(3a)
・・・リフレッシュ制御部、(6)・・・競合制御部。 尚、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  一定周期で記憶内容のリフレッシュを必要とするダイ
    ナミックメモリ素子を使用した記憶部、この記憶部に対
    する情報の書込み及び読出しを制御する記憶制御部、 この記憶制御部とは別に設けられ、リフレッシュカウン
    タと、このリフレッシュカウンタを駆動するクロック発
    振器を内蔵して、上記記憶部の上記リフレッシュを実行
    するリフレッシュ制御部、このリフレッシュ制御部から
    上記記憶部に対するアクセス要求と上記記憶制御部から
    上記記憶部に対するアクセス要求とを受けて、その競合
    を制御する競合制御部、 停電時には上記記憶部及び上記リフレッシュ制御部へだ
    け電池電源を供給し、かつ上記競合制御部の制御を停止
    し上記リフレッシュ制御部から上記憶部へ随時アクセス
    できるよう接続する手段を備えた記憶装置。
JP59164388A 1984-08-06 1984-08-06 記憶装置 Pending JPS6142796A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59164388A JPS6142796A (ja) 1984-08-06 1984-08-06 記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59164388A JPS6142796A (ja) 1984-08-06 1984-08-06 記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6142796A true JPS6142796A (ja) 1986-03-01

Family

ID=15792172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59164388A Pending JPS6142796A (ja) 1984-08-06 1984-08-06 記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6142796A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009055055A (ja) * 2002-12-27 2009-03-12 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009259210A (ja) * 2007-12-27 2009-11-05 Huawei Technologies Co Ltd 停電保護のための方法、装置、論理デバイスおよび記憶システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009055055A (ja) * 2002-12-27 2009-03-12 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009259210A (ja) * 2007-12-27 2009-11-05 Huawei Technologies Co Ltd 停電保護のための方法、装置、論理デバイスおよび記憶システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653573B (zh) 管理記憶體功耗之方法及其系統
US5148546A (en) Method and system for minimizing power demands on portable computers and the like by refreshing selected dram cells
KR100429724B1 (ko) 고성능 dma 콘트롤러
US5550781A (en) Semiconductor apparatus with two activating modes of different number of selected word lines at refreshing
US7675800B2 (en) Semiconductor memory, memory controller, system, and operating method of semiconductor memory
US8374047B2 (en) Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells
US20070171753A1 (en) Method and system for low power refresh of dynamic random access memories
US7391666B2 (en) DRAM power bus control
CN102737706A (zh) 控制易失性存储器中的刷新的方法和***
KR0142795B1 (ko) 디램 리프레쉬 회로
JP2003132677A (ja) 半導体記憶装置
JPS6142796A (ja) 記憶装置
JP4077349B2 (ja) Dmaコントローラ
EP0715311A2 (en) A semiconductor memory apparatus
CN105824760B (zh) 存储装置和其电力控制方法
JP2000260180A (ja) 半導体メモリ
JPH04195890A (ja) メモリシステム、メモリ素子およびリフレッシュ方式
JPS6326892A (ja) メモリ装置
JPH04252490A (ja) 半導体記憶装置のリフレッシュ回路
JP2011154761A (ja) 半導体装置及びその制御方法
JPH0283760A (ja) I/oアドレス変換機構
JPS6231091A (ja) ダイナミツクメモリのリフレツシユ制御方式
JPH04192176A (ja) D―ram
JPH0346184A (ja) メモリカートリッジ
JPH0253293A (ja) ダイナミックメモリ