JPS6138938A - 基板に形成された光電変換装置 - Google Patents

基板に形成された光電変換装置

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JPS6138938A
JPS6138938A JP16110984A JP16110984A JPS6138938A JP S6138938 A JPS6138938 A JP S6138938A JP 16110984 A JP16110984 A JP 16110984A JP 16110984 A JP16110984 A JP 16110984A JP S6138938 A JPS6138938 A JP S6138938A
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JP
Japan
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optical
optical waveguide
substrate
photovoltaic
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP16110984A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Takagi
高木 潤一
Naohisa Inoue
直久 井上
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
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Publication of JPS6138938A publication Critical patent/JPS6138938A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は、基板に形成された光電変換装置に関し、特
に基板に集積化された光論理回路のために有用であり、
光信号から起電力を発生させるための装置に関する。
近年、オプトエレクトロニクス技術の進展はめざましく
、光ICの実現も開発課題の1つにあげられている。事
実、光ICの基本となる論理回路、たとえば光論理和(
OR)回路や光排他的論理和回路が提案されている。出
願人も電気光学効果をもつ基板上に集積化された種々の
光論理回路を提案している(たとえば特願昭59−.1
17552〜117554号など)。これらの光論理回
路では、光信号を電気量に変換し、基板のもつ電気光学
効果を利用してこの電気量により種々の光の制御が達成
されている。
所望の光の制御を達成するためには充分な電気量、たと
えば充分に高い電圧が必要である、発明の概要 この発明は、基板に形成されlC光導波路を伝播する光
を効率的に利用して、光論理回路等の動作のために必要
かつ充分な電気量が得られるような光電変換装置を提供
するものである。
この発明による光電変換装置は、基板に形成された光導
波路の表面に凹凸が形成され、この凹凸面に光起電力索
子が形成されていることを特徴とする。光導波路を伝播
する光は光導波路表面に形成された凹凸によって放射ま
たは散乱され、光起電力索子に入力し、光導波路を伝播
しできた光の多(が起電力発生のために利用され、効率
の高い光電変換が達成される。
実施例の説明 この発明による光電変換装置を、光論理回路の基本要素
である光NOT回路に適用した実施例について以下に詳
述する。
まず、光NOT論理について説明しておく。
光NOT論理は、電気信号のNOT論理と同じである。
第1図において、入力光信号がBin’−c”表わされ
Cいる。この入力光信号が光NOT論理演算された結果
出力される出力光信号が1outで示されている。光行
が論理値の「1」を表わし、光熱が論理値の「0」を表
わしている。
入力光信号1inが「0」の場合に出力光信号l011
tは「1」となり、入力が「1」の場合に出力は「0」
となる。
第2図において、基板(10)どして1−iNb03結
晶が用いられ、この基板(10)上に3つの光導波路(
11)  (12)および(13)が形成されている。
これらの光導波路の作成は、たとえば基板(10)表面
全面にTiを蒸着またはスパッタし、このTi1lIを
利用してTiによる導波路パターンをリフトオフ法によ
り形成し、さらにこのTiを酸素雰囲気中において97
0℃で5時間、基板(10)内に熱拡散させることによ
り行なわれる。
第1の光導波路(11)は、基板(10)の一端から基
板(10)の中央付近または基板(10)の他端まで形
成されており、光導波路(11)の終端部または途上に
は光起電力索子(15)が作製されている。光起電力索
子(15)としてはたとえばCd Teがよい。第3図
(A)に拡大して示されているように、光導波路(11
)の表面上の一部に、光の伝播する方向に直交する方向
のグレーティングが形成され、このグレーティングの上
にCdTeが蒸着されかつ適当な箇所(たとえばcdT
Oの上面両側)に端子を形成することにより光起電力索
子ができる。
第3図(B)は、光導波路(11)内を伝播する光のう
ち光導波路(11)から放射される光のエネルギを、光
の進行方向の距離を横軸にして示している。光起電力索
子(15)の手前の位置において光導波路(11)を伝
播する先のエネルギを1としている。このグラフからも
分かるように、グレーティングの存在によって、光導波
路(11)を伝播する光は光起電力索子(15)に入射
する方向に放射され、かなり多くの光のエネルギが光起
電力索子(15)で利用されている。
光起電力索子(15)に入射しなかった光は光導波路(
11)をさらに伝播していって他の用途に用いられるか
、または他の用途が無い場合には光起電力索子<15)
の位置が光導波路(11)の終端とされる。この場合に
は、光導波路(11)の端面で反射した光の一部もまた
光起電力索子(15)に入射するであろう。
第2図において、第2の光導波路(12)は基板(10
〉の一端から他端まで形成されている。
第3の光導波路(13)はその一端部が第2の光導波路
(12)の一部に近接し、かつ伯の部分においては第2
の光導波路(12)から離れてl、Nる。
第2の光導波路(12)と第3の光導波路(13)との
互いに近接1ノだ部分は方向性結合器を構成している。
この方向性結合器を構成J−る光導波路部分上には1対
の電極(14)が設りられてしする。この電極(14)
には配線パターン(16)によって光起電力索子(15
)の両端子が接続され、索子(15)の起電力が電極(
14)に印加されるようになっている。電極(14)、
配線パターン(16)および光起電力索子(15)の端
子はAIを所定のパターンにリフトオフすることにより
作製される。
方向性結合器は近接した2木の平行光導波路間で光のパ
ワーのやりとりを生じさけるbのである。光導波路(1
2)と(13)との互いに近接()た部分によって構成
される方向性結合器は、一方の光導波路(12)を伝播
する光の100%−のパワーが他方の光導波路(13〉
に移行するようにその相互作用長、結合係数、位相定数
等が設定されている。
LiNbO3は電気光学効果をもつ結晶であるから、こ
の結晶に電界を印加するとその屈折率が変化Jる。光起
電力索子(15)から発生した電圧が電極(14)に印
加されると、光導波路(12)  (13)の電極直下
における屈折率が変化し光導波路(12>  (13)
のこれらの部分における位相定数が変化する(Zカット
LiNbO3の場合)、または光導波路<12>  (
13)におけるこれらの光導波路部分間の屈折率が変化
することにより結合の強さが変化する(Yカットし1N
t103の場合)。このような結合の強さ、位相整合の
変化によって、光導波路(12)  (13)の近接部
分から構成される方向性結合器においては光パワーの移
行が生じなくなる。
さて、第2図に示された光NOT回路の動作を統一的に
説明づる。入力光信号■inは第1の光導波路(11)
に導入される。第2の光導波路(12)には、基準光l
1nRが常時入力している。
出力光信号Ioutは第3の光導波路(13)から得ら
れる。
入力光信Q I、nが「○」の場合には、光起電力索子
(15)から起電力は発生しないので、電極(14)に
は電圧は印加されない。したがって、光導波路(12)
を伝播する光は方向性結合器から光導波路(13〉にそ
の100%が移行し、出力光信号1outは「1」とな
る。
入力光信号1inが「1」の場合には、光導波路(11
)を伝播する光によって光起電力索子(15)に電圧が
発生し、これが電極(14)に印加される。したがって
、光導波路(12)を伝播する光は、方向性結合器から
光導波路(13)に移行せずに、光導波路り12〉を伝
播していく。
このため、出力光信H1outはrOJとなる。
上述の説明においては方向性結合器における光パワーの
移行量を理想的に100%としているが、もちろん10
0%である必要はない。なぜなら、光導波路(13)か
ら出ノコされる光信号l outのパワーをレベル弁別
して論理値「1」、rOJを判別すればよいからである
第4図(A>は変形例を示している。ここでは、光導波
路(11)の上面が粗面とされ、この粗面上に光起電力
索子(15)が形成されている。
この場合にも、同図(B)より明らかなように、光導波
路(11)を伝播する光の多くが粗面で敗乱し光起電力
索子(15)に大剣する。
いずれにしても、光起電力索子(15)は光導波路(1
1)表面に形成された凹凸面上に形成されているので、
光導波路(11)を伝播してきた光の多くが光起電力索
子に入力して利用される。
したがって、効率が高く、かつ大ぎな起電力が得られ、
上述のような電気光学効果を利用した光信号の制衝1用
に適用することができる。
この発明が応用される光論理回路は上述の光NOT回路
に限られないのはいうま′r:L)すいし、この発明は
光論理回路以外の基板上に形成された索子等に応用可能
である。光起電力索子は、CdTeに限らず、プラズマ
CVD法により作製されるa−3iなど種々のもので実
現(・きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光NOT論理演算を示ず波形図、第2図はこの
発明を光NOT回路に適用した実施例を示す斜視図、第
3図(A>は第2図のI−■線にそう拡大断面図、第3
図(B)は光導波路から放射される光エネルギを示すグ
ラフ、第4図は変形例を示すものであって、第4図(A
)は第3図(△)相当の断面図、第4図(B)は光導波
路から放射される光エネルギを示すグラフである。 (10)・・・基板、(11)  (12)  (13
>・・・光導波路、(15)・・・光起電力索子。 以上 特許出願人  立石電機 株式会社 @1図 1゜ 図面の浄書−(内容に変更なし) 第8図 CB) rliji(5i1+ 、’l): i1’+4 ′°
; (、: f 、ig すL )第4図 距 岨−−→− 手続補正書C方式) %式% 2、発明の名称 基板に形成された光電変換装置3、補
正をする音 事件との関係    特許出願人 住  所京都市右京区花園土堂町10番地氏名・名称 
(294)立石電機株式会社4、代 理 Å 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板に形成された光導波路の表面に凹凸が形成され、こ
    の凹凸面上に光起電力索子が形成されている、基板に形
    成された光電変換装置。
JP16110984A 1984-07-30 1984-07-30 基板に形成された光電変換装置 Pending JPS6138938A (ja)

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JP16110984A JPS6138938A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 基板に形成された光電変換装置

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JPS6138938A true JPS6138938A (ja) 1986-02-25

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414241A (en) * 1987-04-03 1989-01-18 Rhone Poulenc Chimie Contracted polymer/metal composite particle, aqueous dispersion of said particle and its production and biological use

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422883A (en) * 1977-07-21 1979-02-21 Agency Of Ind Science & Technol Laser power detector
JPS5923305A (ja) * 1982-07-29 1984-02-06 Omron Tateisi Electronics Co 光学的計測器

Patent Citations (2)

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