JPS6132822A - 光論理回路 - Google Patents

光論理回路

Info

Publication number
JPS6132822A
JPS6132822A JP15641784A JP15641784A JPS6132822A JP S6132822 A JPS6132822 A JP S6132822A JP 15641784 A JP15641784 A JP 15641784A JP 15641784 A JP15641784 A JP 15641784A JP S6132822 A JPS6132822 A JP S6132822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical waveguide
light guide
light
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15641784A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Takagi
高木 潤一
Naohisa Inoue
直久 井上
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP15641784A priority Critical patent/JPS6132822A/ja
Publication of JPS6132822A publication Critical patent/JPS6132822A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は光論理回路に関する。
近年、オプトエレクトロニクス技術の進展はめざましく
、光ICの実現も開発課題の1つにあげられている。事
実、光ICの基本となる論理回路、たとえば光論理用(
OR)回路や光排他的論理和回路が提案されている。し
かしながら、光論理積(AND)回路は最も基本的な論
理回路であるにもかかわらず、その構造の提案や実験報
告はいまのところ、皆無である。
発明の概要 この発明は、光ICの実現のための最も基本的な論理回
路である光AND回路を含む光論理を演算する光論理回
路を提供するものである。
この発明による光論理回路は、電気光学効果をもつ基板
、基板に形成され、少なくとも1つの光信号が導入され
る少なくとも1つの第1の光導波路、基板に形成された
光信号導入用の第2の光導波路、基板に形成され、第2
の光導波路の一部と近接した部分を有する第3の光導波
路、第1の光導波路を伝播する光によって励起される光
起電力素子、および第2の光導波路と第3の光導波路と
の互いに近接した部分に設けられ、光起電力素子の発生
電圧が印加される電極からなることを特徴とする。
第2の光導波路と第3の光導波路との互いに近接した部
分は方向性結合器を構成しており、一定の条件のもとて
第2の光導波路を伝播する光が第3の光導波路に移行す
る。この方向性結合器に設けられた電極への電圧の印加
によって第2の光導波路から第3の光導波路への光−の
移行を制御することが可能である。第1の光導波路を伝
播する光によって励起された光起電力素子から発生する
電圧が上記方向性結合器の電極に印加されるので、第2
の光導波路に光信号が入力していれば、第1の光導波路
に導入される光信号の有無に応じて第2または第3の光
導波路のいずれか一方から何らかの論理演算結果を表わ
す光信号が出力される。たとえば、第1の光導波路およ
び第2の光導波路にともに光信号が入力している場合に
のみ得られる出力光信号は、第1および第2の光導波路
に導入された2つの光信号の光AND論理を表わしてい
ることになる。このようにして光AND論理演算の実行
を含む光論理回路が実現される。
この発明による光AND回路を含む光論理回路は一基板
上に作製することが可能であるから、光IC実現のため
の1つの機能素子となりうる。
実施例の説明 まず、光AND論理について説明しておく。
光AND論理は、電気信号のAND論理(とくに正論理
)と同じである。第1図において、2つの入力光信号が
■inAおよびI inBで表わされている。これらの
入力光信号が光AND論理演算された結果出力される出
力光信号が1outで示されている。光有が論理値の「
1」を表わし、光無が論理値の「0」を表わしている。
入力光信号■inAとl in3が、「0」と「0」、
「1」とrOJまたは「0」と「1」の場合に出力光信
号1 outは「0」となり、入力が「1」とrIJの
場合にのみ出力は「1」となる。
第2図において、基板(10)としてZカットLtNl
]Oa結晶が用いられ、この基板(、i o )上に3
つの光導波路(11)  (12)および(13)が形
成されている。これらの光導波路の作成はたとえば、基
板(10)表面全面にTiを蒸着またはスパッタし、こ
のTi1lを利用してT1による導波路パターンをリフ
トオフ法により形成し、さらにこのTiを酸素雰囲気中
において970℃で5時間、基板(10)内に熱拡散さ
せることにより行なわれる。
第1の光導波路(11)は、基板(10)の一端から基
板(10)の中央付近まで形成されており、光導波路(
11)の終端部上には光起電力素子(15)が作製され
ている。光起電力素子(15)としてはたとえばCd 
Teがよい。光導波路(11)上にCdTeを単に蒸着
するだけでも、光導波路(11)内の光の界分布は光起
電力素子(15)にも及ぶので、光起電力素子(15)
からは起電力が発生する。発生する電圧が低い場合には
、光導波路(11)よりも屈折率の大きな材料による中
間層、たとえばTiO2膜を光起電力素子(15)と光
導波路(11)との間に介在させるようにするとよい。
TlO2膜はたとえばスパッタにより形成される。さら
に、光起電力素子(15)が光導波路(11)を30’
程度の角度で上下方向に斜めに横切るように形成するこ
ともできる。また、光導波路(11)上面の光起電力素
子(15)と接する箇所にグレーティングを設けるよう
にしてもよい。光起電力素子(15)は光導波路(11
)の終端部に形成されているから、光導波路終端での光
の反射、散乱等によって光起電力素子(15)に感知さ
れる光量は増大し、光起電力素子(15)からより高い
電圧が得られるであろう。
第2図において、第2の光導波路(12)は基板(10
)の一端から他端まで形成されている。
第3の光導波路(13)はその一端部が、第2の光導波
路(12)の一部に近接しかつ他の部分においては第2
の光導波路(12)から離れている。
第2の光導波路(12)と第3の光導波路(13)との
互いに近接した部分は方向性結合器を構成している。こ
の方向性結合器を構成する光導波路部分上には1対の電
極(14)が設けられている。この電極(14)には配
線パターン(16)によって光起電力素子(15)の両
端子が接続され°、素子(15)の起電力が電極(14
)に印加されるようになっている。電極(14)および
配線パターン(16)はA/を所定のパターンにリフト
オフすることにより作製される。
方向性結合器は近接した2本の平行光導波路間で光のパ
ワーのやりとりを生じさせるものである。第4図に方向
性結合器における光パワーの移行の様子が示されている
。印加電圧0の曲線において、相互作用長りの場合に一
方の光導波路(12)の光の100%のパワーが他方の
光導波路(13)に移行する。
1−iNbo3は電気光学効果をもつ結晶であるから、
この結晶に電界を印加するとその屈折率が変化する。第
3図は電極(14)間に電圧■が印加された様子を示し
ている。2カツト1iNbOaでは電極(14)の直下
においてZ方向に電界Eが発生し、光導波路(12> 
 (13)の屈折率が変化するので(+Δn1−Δn)
、光導波路(12)  (13)を伝播する光の位相速
度(位相定数)が変化する。したがって、これらの光導
波路(12)  (13)の部分により構成される方向
性結合器の位相整合の度合が変化し、光導波路間を移行
する光パワーが変化する。第4図において、印加電圧V
の曲線で示されているように、光導波路(12)から光
導波路(13)に移行した光パワーは再び光導波路(1
2)に戻るようになる。上述の相互作用長りにおいて、
光導波路(12)から光導波路(13)に移行した光が
すべて光導波路(12)に戻ってしまうような印加電圧
Vが存在する。この実施例では、光導波路(12)と(
13)の相互に近接した部分の長さおよび光起電力素子
(15)の発生電圧が上述の相互作用長しおよび印加電
圧■に等しいものとする。
基板(10,)としてYカットLiNb0aを用いた場
合には、電極(14)への電圧印加によつて方向性結合
器の結合係数を変化させ、同じように2つの光導波路間
における光パワーの移行を制御することができる。
さて、第2図に戻ってこの光AND回路の動作を統一的
に説明する。光導波路(11)および光導波路(12)
にそれぞれ入力される光を、入力光信号(inAおよび
[in3とする。また、光導波路(12)から得られる
出力光信号をIoutとする。
入力光信号1 inAおよび■inBがともに論理値「
0」 (光熱)の場合には、当然、出力光信号1out
も「0」である。
入力光信号1 inAが論理値「1」であっても、入力
光信号1 in3が「0」であれば、出力光信号10L
Itは「0」である。
入力光信号1 in、6.がrOJ 、I in3が「
1」の場合には、光起電力素子(15)から起電′力は
発生しないので、電極(14)には電圧は印加されない
。したがって、光導波路(12)を伝播する光は方向性
結合器から光導波路(13)にその100%が移行して
しまい、出力光信号Ioutは「0」である。
入力光信号l1nAとl in3がともに「1」の場合
には、光導波路(11)を伝播する光によって光起電力
素子(15)に電圧が発生し、これが電極(14)に印
加される。したがって、光導波路(12)を伝播する光
は方向性結合器において一旦光導波路(13)に移行す
るが再び光導波路(12)に戻ってくるので出力光信号
Joutは「1」となる。
上述の説明においては方向性、結合器における光パワー
の移行量を理想的に100%としているが、もちろん1
00%である必要はない。なぜなら、光導波路(12)
から出力される光信号Ioutのパワーをレベル弁別し
て論理値「1」、rOJを判別すればよいからである。
方向性結合器の相互作用長し、光起電力素子(15)の
発生電圧を調整することにより、第3の光導波路(13
)から光AND論理信号を得るようにすることも可能で
ある。
この発明は、2つの入力光信号のAND論理演算のみな
らず、3つ以上の入力光信号のAND論理演算にも適用
可能である。たとえば、入力光信号が3つある場合には
、そのうちの1つを第2図の入力光信号■1n13に対
応させ、光導波路(12)に入力させる。他の2つの入
力光信号が入力する2つの光導波路を設け、これらの光
導波路にそれぞれ光起電力素子を設け、これらの光起電
力素子の起電力の和を電極←i)に印加するようにする
。そして、この和電圧が上述の電圧■に等しくなるよう
に設定すればよい。
この発明によると光OR回路もまた実現できる。この場
合には、光導波路(12)に常時、基準光信号を入力さ
せておく。そしてOR論理をとるべき2つの入力光信号
が入力される2つの光導波路を設け、これらの光導波路
にそれぞれ光起電力素子を設け、これらの光起電力素子
の起電力を並列的に電極(14)に印加するようにする
。同様にして光N07回路の実現も可能である。
基板(10)は電界の印加によってその屈折率が変化す
る電気光学効果をもつものであればいかなるものでもよ
い。したがって、各光導波路(11)  (12)  
(13)もTiの熱拡散以外の基板の種類に応じた種々
の技術、材料により作製できる。光起電力素子(15)
もまた、プラズマCvD法により作製されるa−8iな
ど種々のもので実現できるし、電極(14)や配線パタ
ーン(16)もTi等の材料で実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光AND論理演算を示す波形図、第2図はこの
発明の実施例を示す斜視図、第3図は方向性結合器部分
の断面図であって電圧が印加された様子を示す図、第4
図は方向性結合器における相互作用長と出力光強度との
関係を示すグラフである。 (10)・・・基板、(11)(12)(13)・・・
光導波路、(14)・・・1iffl、  (15) 
、、、光起電力素子。 以上 特許出願人  立石電機株式会社 000フ 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電気光学効果をもつ基板、 基板に形成され、少なくとも1つの光信号が導入される
    少なくとも1つの第1の光導波路、基板に形成された光
    信号導入用の第2の光導波路、 基板に形成され、第2の光導波路の一部と近接した部分
    を有する第3の光導波路、 第1の光導波路を伝播する光によって励起される光起電
    力素子、および 第2の光導波路と第3の光導波路との互いに近接した部
    分に設けられ、光起電力素子の発生電圧が印加される電
    極、 からなる光論理回路。
JP15641784A 1984-07-25 1984-07-25 光論理回路 Pending JPS6132822A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15641784A JPS6132822A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 光論理回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15641784A JPS6132822A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 光論理回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6132822A true JPS6132822A (ja) 1986-02-15

Family

ID=15627294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15641784A Pending JPS6132822A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 光論理回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6132822A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102033335A (zh) 集成光学多功能调制器及其制造方法
US7912325B2 (en) Optical control element
EP0335672A2 (en) Polarization-independent optical waveguide switch
JP5367820B2 (ja) 表面プラズモン型光変調器
JP3544020B2 (ja) 光導波路デバイスの製造方法
EP0478226A1 (en) Waveguide-type optical switch
JPS6132822A (ja) 光論理回路
JPS6134526A (ja) 光コンパレ−タ
JPS57158616A (en) Optical coupler
JPS6132823A (ja) 光not回路
JP3534385B2 (ja) 熱光学スイッチ
JPS60263126A (ja) 光論理回路
CN115097567B (zh) 一种基于相变材料的紧凑型双模等离子体波导调制器
CN113253537B (zh) 一种基于soi材料制备的马赫-曾德尔干涉仪型可调分数阶光场微分器
JPS60260925A (ja) 光and回路
JPS60260924A (ja) 光and回路
JPS6262304A (ja) Y分岐光導波路装置
JPS6142619A (ja) 光一致回路
JPS62187310A (ja) 回折格子型光結合装置の製造方法
JPS60263925A (ja) 光論理回路
JPS6134525A (ja) 光論理回路
JPS60260953A (ja) 光論理回路
JPS6188233A (ja) 光or回路
Zhu et al. Proposal for high extinction ratio LiNbO3 optical waveguide cutoff modulator
JPS61241736A (ja) 基板に形成された光電変換装置