JPS61288244A - メモリ障害修復方式 - Google Patents

メモリ障害修復方式

Info

Publication number
JPS61288244A
JPS61288244A JP13104285A JP13104285A JPS61288244A JP S61288244 A JPS61288244 A JP S61288244A JP 13104285 A JP13104285 A JP 13104285A JP 13104285 A JP13104285 A JP 13104285A JP S61288244 A JPS61288244 A JP S61288244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory module
bit
chip
hole
module chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13104285A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Masuda
増田 博樹
Yozo Igi
井木 洋三
Koji Eto
公二 江藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP13104285A priority Critical patent/JPS61288244A/ja
Publication of JPS61288244A publication Critical patent/JPS61288244A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数個のメモリモジュールチップを高密度実装したプリ
ントボードで、各メモリモジュールチップの引出し線パ
ターンをスルーホールを介して夫々対応するパターンに
接続する構成を取ることにより簡単に障害の起きたビッ
ト素子を修復する。
〔産業上の利用分野〕
電子計算機、又は通信装置等に於いて、複数個のメモリ
モジュールチップを高密度実装したプリントボードを使
用する場合で、前記メモリモジュールチップに予備のビ
ットが有る場合に此の予備のビットを有効に利用する方
法に関するものである。
従来比の様なメモリモジュールチップを使用する場合共
の使用ビットに余りが出ても従来は此れを放置して利用
していないのが普通であり、不経済であった。
〔従来の技術〕
従来電子計算機、又は通信機等の各種装置に於いて、其
の信頼性を向上させるためECCコードを使用すること
が多い。
ECCコードは所謂エラー訂正コードと呼ばれるもので
、通常2バイトにECCビットとして6ビツト(CO〜
C5)を付加することによりエラー訂正を行うことは周
知の通りである。
此の様なECCコードを使用している装置に′於いて、
DRAMを使用するメモリモジュールチップを複数個同
一セラミック基板上に高密度実装する場合には従来下記
の回路構成を取るのが普通であった。
第2図は従来のECCコードを使用する主記憶回路の一
例を示すものである。
図中、■はプロセッサ、2はメモリコントロール、3は
ECC回路、4A、4B及び4Cは夫々メモリモジュー
ルチップである。尚以下企図を通じ同一記号は同一対象
物を表す。
第2図に示す主記憶回路を構成するメモリ素子として使
用されるメモリモジュールチップ4A、4B、及び4C
は通常8ビット単位(1バイト構成)で構成されている
従って従来の回路構成は3個のメモリモジュールチップ
4A、4B及び4Cを使用し、メモリモジュールチップ
4AのビットDO〜D7と、メモリモジュールチップ4
BのビットD8〜D15をデータ用とし、メモリモジュ
ールチップ4CのビットCO〜C5をECCビット用と
して回路を組むのが普通である。
従ってメモリモジュールチップ4Cの最後の2ビツト(
予備0、予備1)が余ることになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記回路構成で装置を使用している時、其の中の一つの
ビットに故障が起きた場合、例えばメモリモジュールチ
ップ4へのD4に故障が起きた場合には従来は故障の起
きたメモリモジュールチップ4Aを取り替えて修復を行
っていた。
然しなからメモリモジュールチップは高価な部品である
ので上記従来の修復方式では経費が嵩むことになると云
う欠点があった。
本発明の目的はより経済的な修復方式を提供することで
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は第1図に示す様に同一セラミック基板上に
複数個のメモリモジュールチップ(4A)、(4B) 
、及び(4C)を実装するプリントボード(5)に於い
て、前記メモリモジュールチップに予備のビットが有る
場合、前記メモリモジュールチップの各引出し線パター
ンと夫々対応するスルーホールを設け、前記スルーホー
ルを介して対応するパターンに接続する様にすることに
より、使用中の前記メモリモジュールチップの内の一つ
のビットが障害となった時、前記障害ビットに対応する
スルーホールと前記予備のビットに対応するスルーホー
ルをジャンパー線により接続し、前記障害ビットに対応
する引出し線パターンを切断することにより解決される
〔作用〕
本発明に依ると使用中のメモリモジュールチップの内の
一つのビットが障害となった時、其の障害ビットをスル
ーホールを介して予備のビットに容易に取替えることが
出来ると云う効果が生まれる。
〔実施例〕
第1図は本発明に依るメモリ障害修復方式の一実施例を
示す図である。
図中、5はプリントボード、aO〜a7、及びbO〜b
7は夫々引出し線パターン、sO〜s7は夫々本発明に
よるスルーホールである。
以下図に従って本発明の詳細な説明する。
本発明に於いては複数個(第1図の例では3個である)
のDRAM (メモリモジュールチップ4A、4B及び
4Cをプリントボード5上に実装する場合、下記の様に
構成する。
プリントボード5上にメモリモジュールチップ4Aを実
装する時、従来はメモリモジュールチップ4Aの引出し
線パターンaO−a7を直接800回路の引出し線パタ
ーンbQ−b7に夫々接続していたが、本発明では第1
図に示す様に其の中間にスルーボール5Q−S7を設け
、スルーホール5o−S7にメモリモジュールチップ4
Aの引出し線パターンaQ−a7を接続し、又ECC回
路3の引出し線パターンbQ−b7を接続する。
此の様にスルーホール5o−S7を中継することにより
、メモリモジュールチップ4Aの引出し線パターンao
−a7とECCrgJ路3の引出し線パターンbo−b
7を接続する。
此の様な接続方法はメモリモジュールチップ4Aに就い
てのみではなく、メモリモジュールチップ4B、メモリ
モジュールチン140等総てのメモリモジュールチップ
に就いて実施する。
従ってメモリモジュールチップ4Cの引出し線パターン
ao−27は夫々対応するスルーホール5O=s7に接
続されるが、スルーホールS6とS7はECC回路3の
何れの引出し線パターンにも接続されない。
今使用中仮にメモリモジュールチップ4Aの中のDOビ
ットが故障した時は、其の引出し線パターンaOをX印
の箇所で切断し、メモリモジュールチップ4A用のスル
ーホールsOとメモリモジュールチップ4C用のスルー
ホールS6をジャンパー線(点線で示す)で接続する。
此の様に接続変更することにより、故障したメモリモジ
ュールチップ4AのDOビットの代わりに正常なメモリ
モジュールチップ4CのD6ビツ□トを簡単に利用する
ことが出来る。
又メモリモジュールチップ4C用のスルーホールs7を
ジャンパー線で接続することにより、故障したメモリモ
ジュールチップ4AのDOビットの代わりに正常なメモ
リモジュールチップ、4CのD7ビツトを簡単に利用す
ることが出来る。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明した様に本発明によれば、其の一部のビ
ットが故障したメモリモジュールチップ全体を交換する
ことなく故障したビットのみを交換して使用出来るので
経済的なメモリ障害修復方式を実現出来ると云う大きい
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に依るメモリ障害修復方式の一実施例を
示す図である。 第2図は従来のECCコードを使用する主記憶回路の一
例を示すものである。 図中、lはプロセッサ、2はメモリコントロール、3は
ECC回路、4A、4B及び4Cは夫々メモリモジュー
ルチップ、5はプリントボード、aO〜a7及びbo−
b7は夫々引出し線パターン、5O−S7は夫々スルー
ホールである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 同一セラミック基板上に複数個のメモリモジュールチッ
    プ(4A)、(4B)、及び(4C)を実装するプリン
    トボード(5)に於いて、 前記メモリモジュールチップに予備のビットが有る場合
    、 前記メモリモジュールチップの各引出し線パターンと夫
    々対応するスルーホールを設け、前記スルーホールを介
    して対応するパターンに接続する様にすることにより、 使用中の前記メモリモジュールチップの内の一つのビッ
    トが障害となった時、 前記障害ビットに対応するスルーホールと前記予備のビ
    ットに対応するスルーホールをジャンパー線により接続
    し、 前記障害ビットに対応する引出し線パターンを切断する
    ことを特徴とするメモリ障害修復方式。
JP13104285A 1985-06-17 1985-06-17 メモリ障害修復方式 Pending JPS61288244A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13104285A JPS61288244A (ja) 1985-06-17 1985-06-17 メモリ障害修復方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13104285A JPS61288244A (ja) 1985-06-17 1985-06-17 メモリ障害修復方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61288244A true JPS61288244A (ja) 1986-12-18

Family

ID=15048661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13104285A Pending JPS61288244A (ja) 1985-06-17 1985-06-17 メモリ障害修復方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61288244A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395612A2 (en) * 1989-04-28 1990-10-31 International Business Machines Corporation Memory unit and method of making the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395612A2 (en) * 1989-04-28 1990-10-31 International Business Machines Corporation Memory unit and method of making the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6038132A (en) Memory module
US6788560B2 (en) Semiconductor device and process for manufacturing the same
US5276834A (en) Spare memory arrangement
JPH04273470A (ja) 超小型電子機器
JPH05500724A (ja) 障害許容データ記憶システム
KR970071779A (ko) 메모리 모듈
JPH071640B2 (ja) 半導体記憶装置の欠陥救済装置
JPH02300952A (ja) 部分良好なメモリ・モジユールを用いたメモリ・ユニツト及びその形成方法
KR950012290B1 (ko) 메모리 모듈
US4190901A (en) Printed circuit board apparatus which facilitates fabrication of units comprising a data processing system
JPS61288244A (ja) メモリ障害修復方式
EP0652515A1 (en) Memory device, manufacture of such a device and a method of simulating a contiguous memory
CN109741781B (zh) 一种基于三模冗余的多基片存储器的数据写入读出方法
US4255852A (en) Method of constructing a number of different memory systems
JP3329706B2 (ja) メモリシステム
JP2537926B2 (ja) 半導体メモリを使用する電子機器のプリント基板
JPH10116958A (ja) メモリシステム
JP3283815B2 (ja) 半導体集積回路モジュール
JP3345381B2 (ja) 情報処理装置
JPS5922320B2 (ja) 記憶装置
JPS5935461A (ja) Lsiの実装方式
JPH04285799A (ja) 半導体メモリ装置
JP2911092B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH05274858A (ja) メモリ基板
KR100234025B1 (ko) 적층형 모듈 테스트 장치